有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示面板。該有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法在形成空穴傳輸層的步驟中，在形成所述空穴注入層的聚合物主體溶液中摻雜表面能比聚合物主體溶液表面能低、電離電勢(shì)比聚合物主體溶液電離電勢(shì)高的聚合物客體，所述聚合物主體溶液和所述聚合物客體能自組裝，使得所述空穴注入層的HOMO從底部到頂部逐漸變大，降低所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間的能量位壘。該有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法降低空穴注入層與空穴傳輸層之間的能量位壘，使得空穴更迅速有效的得以注入，提高了空穴注入的能力；避免了空穴在空穴注入層界面的積累，提高了有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率和壽命，降低了OLED的驅(qū)動(dòng)工作電壓。
【專利說明】
有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(OrganicLighting-Emitting D1de，簡稱0LED)由于其自主發(fā)光、輕薄、色域好、功耗低、可做柔性等諸多優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是有望取代TFT-LCD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display)的新一代的顯不技術(shù)。
[0003]目前OLED的效率與壽命是決定OLED能否進(jìn)入市場(chǎng)被人們接受的關(guān)鍵因素，也是OLED技術(shù)成熟的瓶頸。針對(duì)提高效率與壽命的問題，各大面板商、研究單位均做了很多研究，最大限度的保持空穴與電子的平衡，從而提高OLED的發(fā)光效率。由于大部分的材料的空穴傳輸速率遠(yuǎn)大于電子傳輸速率，導(dǎo)致在實(shí)際的旋涂工藝中很難保證其平衡，特別是目前主流的電子注入層、陰極采用LiF/Al后，陰極與電子傳輸層之間接觸幾乎是歐姆接觸，電子注入也接近歐姆接觸，歐姆接觸可以讓電子很順利地注入，有機(jī)發(fā)光二極管的效率主要由空穴注入決定，而主流陽極ITO的功函數(shù)與空穴傳輸層的HOMO仍存在較大的帶隙，導(dǎo)致空穴注入層效率低，空穴注入困難，起亮電壓偏高等問題。
[0004]可見，提高OLED的空穴注入效率成為目前有機(jī)發(fā)光二極管制備工藝中亟待解決的難題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示面板，該有機(jī)發(fā)光二極管制備方法能至少解決OLED的空穴注入效率的問題。
[0006]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是該有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括依次層疊設(shè)置的陰極、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極，在形成空穴傳輸層的步驟中，在形成所述空穴注入層的聚合物主體溶液中摻雜表面能比聚合物主體溶液表面能低、電離電勢(shì)比聚合物主體溶液電離電勢(shì)高的聚合物客體，所述聚合物主體溶液和所述聚合物客體能自組裝，使得所述空穴注入層的HOMO從底部到頂部逐漸變大，降低所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間的能量位皇。
[0007]優(yōu)選的是，所述空穴注入層中所述聚合物主體溶液和所述聚合物客體的自組裝濃度從底部到頂部依次增大。
[0008]優(yōu)選的是，所述聚合物客體為全氟離子交聯(lián)聚合物，所述聚合物主體溶液為PEDOT:PSSο
[0009]優(yōu)選的是，全氟離子交聯(lián)聚合物包括全氟甲基丙烯酸酯交聯(lián)聚合物:Rf-XOC(O)C(10 = 012(單體)，1? = !1、-(:!131]1，氟乙稀、六氟丙稀、1、1-二氟乙稀，三氟乙稀、氯三氟乙稀、四氟乙烯基交聯(lián)氟烴離子聚合物。
[0010]優(yōu)選的是，PH)0T:PSS的質(zhì)量比為 1:6，PED0T/PSS/PFI的質(zhì)量比為1:6: (1-7)。
[0011 ]優(yōu)選的是，所述空穴注入層的膜厚范圍為50-100nm。
[0012]優(yōu)選的是，所述聚合物主體溶液摻雜所述聚合物客體的所述空穴注入層采用旋涂工藝成膜，所述空穴注入層的旋涂速度范圍為200-400r/min。
[0013]優(yōu)選的是，在大氣環(huán)境下，以175-185°C溫度烘烤15-25分鐘。
[0014]優(yōu)選的是，所述電子注入層采用氟化鋰形成，所述陰極采用鋁形成。
[0015]—種有機(jī)發(fā)光二極管，包括依次層疊設(shè)置的陰極、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極，采用上述的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法形成所述空穴注入層，所述空穴注入層的HOMO從底部到頂部逐漸變大。
[0016]一種顯示面板，包括上述的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0017]本發(fā)明的有益效果是:該有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法通過在聚合物主體溶液中摻雜表面能較低、電離電勢(shì)較高的聚合物客體，利用兩種物質(zhì)在陽極上面的自組裝的性質(zhì)，從而使得空穴注入層的HOMO能級(jí)從底部到頂部逐漸變大，降低空穴注入層與空穴傳輸層之間的能量位皇，使得空穴更迅速有效的得以注入，提高了空穴注入的能力;其次避免了空穴在空穴注入層界面的積累，減少了多余電子與激子的復(fù)合，保持了電子與空穴之間的平衡，大大的提高了有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率和壽命及降低了驅(qū)動(dòng)工作電壓。
【附圖說明】
[0018]圖1為有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光層復(fù)合原理示意圖；
[0020]圖3本發(fā)明實(shí)施例1中有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光層復(fù)合原理示意圖；
[0021]圖4為圖3中有機(jī)發(fā)光二極管形成空穴注入層的混合物的自組裝示意圖；
[0022]圖5為本發(fā)明實(shí)施例2中一種全氟離子交聯(lián)聚合物的分子式；
[0023]圖6為本發(fā)明實(shí)施例2中一種全氟離子交聯(lián)聚合物的分子式；
[0024]圖中:
[0025]1-玻璃基板，2—陽極，3—空穴注入層，3-1 一聚合物主體溶液，3-2—聚合物客體，4 一空穴傳輸層，5—發(fā)光層，6 —電子傳輸層，7 —電子注入層，8 —陰極；
[0026]10 —電子；20 —空穴。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示面板作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0028]本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思在于:有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光層其實(shí)就是空穴和電子的復(fù)合區(qū)域，現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)發(fā)光二極管由于歐姆接觸能保證較高的電子注入和傳輸速度，使得空穴注入和傳輸速度相對(duì)較低，空穴和電子注入不平衡，由于電子過多、空穴注入困難，導(dǎo)致復(fù)合效率低形成瓶頸。本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法通過改善空穴注入層與空穴傳輸層之間的能量位皇(使得能量位皇降低)，使得空穴可以順利快速地注入，提供更多的空穴和電子匹配，從而使得發(fā)光層的效率提高，還進(jìn)一步使得OLED的工作電壓得到降低。
[0029]實(shí)施例1:
[0030]本實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de，簡稱OLED)及其相應(yīng)的制備方法，該有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法通過降低空穴注入層與空穴傳輸層之間的能量位皇(有時(shí)也簡稱能皇)，使得空穴更迅速有效的得以注入，提高了空穴注入的能力，解決了OLED的空穴注入效率的問題。
[0031]如圖1所示，該有機(jī)發(fā)光二極管包括依次層疊設(shè)置的陰極S(Anode)、電子注入層7(Electron Inject1n Layer，簡稱 HIL)、電子傳輸層 6(Electron Transport Layer，簡稱HTL)、發(fā)光層5(Light_Emitting Layer，簡稱EML)、空穴傳輸層4(Hole Transport Layer,簡稱HTL)、空穴注入層3(Hole Inject1n Layer，簡稱HIL)和陽極2，其空穴注入層3的HOMO從底部到頂部逐漸變大。
[0032]圖1中，該有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置在玻璃基板上方，陽極2采用IT0(IndiumTinOxide，氧化銦錫)材料形成，主客體摻雜的聚合物的空穴注入層3通過旋涂工藝形成，空穴傳輸層4、發(fā)光層5、電子傳輸層6采用不同的有機(jī)材料形成，電子注入層7采用氟化鋰LiF材料形成，反射陰極8采用鋁Al形成。
[0033]在本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，在形成空穴傳輸層4的步驟中，如圖3所示，在形成空穴注入層3的聚合物主體溶液3-1中摻雜表面能比聚合物主體溶液表面能低、電離電勢(shì)比聚合物主體溶液電離電勢(shì)高的聚合物客體3-2，聚合物主體溶液3-1和聚合物客體3-2能自組裝，使得空穴注入層3的Η0Μ0從底部到頂部逐漸變大，降低空穴注入層3與空穴傳輸層4之間的能量位皇，本實(shí)施例中的基本結(jié)構(gòu)單元即指聚合物客體3-2的分子。所謂自組裝(seIf-assembIy)，是指基本結(jié)構(gòu)單元(分子、納米材料、微米或更大尺度的物質(zhì))自發(fā)形成有序結(jié)構(gòu)的一種技術(shù)。在自組裝的過程中，基本結(jié)構(gòu)單元在基于非共價(jià)鍵的相互作用下自發(fā)的組織或聚集為一個(gè)穩(wěn)定、具有一定規(guī)則幾何外觀的結(jié)構(gòu)。通過降低空穴注入層3與空穴傳輸層4之間的能量位皇，使得空穴更迅速有效的得以注入，提高了空穴注入的能力。
[0034]在本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法中，聚合物客體3-2為全氟離子交聯(lián)聚合物，聚合物主體溶液3-1為PED0T:PSS(聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))。PEDOT: PSS通常為深藍(lán)色液體，溶解后固含量范圍為1.3?1.7 %，在不同具體應(yīng)用中參數(shù)會(huì)略有差別。圖4所示為混合物在空穴注入層3的自組裝原理示意圖:可以看出:通過聚合物客體3-2和聚合物主體溶液3-1成分設(shè)置，使得表面能較低，電離電勢(shì)較高客體(全氟離子交聯(lián)聚合物等)在主體(PED0T:PSS等)中，形成空穴注入層3的薄膜時(shí)客體濃度從底部到頂部逐漸上升，使得空穴注入層3的自組裝濃度從底部到頂部依次增大，空穴注入層3的Η0Μ0能級(jí)從底部到頂部逐漸變大，降低空穴注入層3與空穴傳輸層4之間的能量位皇。這里，表面能和電離電勢(shì)的較高或較低是針對(duì)聚合物主體溶液3-1而言的，采用表面能相對(duì)聚合物主體溶液3-1低的多、電離電勢(shì)相對(duì)聚合物主體溶液3-1高的多的聚合物客體3-2，自組裝的效果更好;空穴注入層3的底部為在空穴側(cè)靠近陽極2的一端，頂部為在空穴側(cè)遠(yuǎn)離陽極2的一端，Η0Μ0能級(jí)的分布受表面能和電離電勢(shì)能決定。由于聚合物客體3-2相對(duì)聚合物主體溶液3-1電離電勢(shì)較高，電離電勢(shì)決定了其Η0Μ0能級(jí)的絕對(duì)值，也就是從底部到頂部客體濃度越來越高，其相應(yīng)的Η0Μ0絕對(duì)值也越來越大。另外，與現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管相比，由于空穴注入層3內(nèi)的聚合物主體溶液和聚合物客體的自組裝，空穴注入層3的內(nèi)部形貌發(fā)生改變，外部形貌沒改變。
[0035]這里，全氟離子交聯(lián)聚合物包括全氟甲基丙烯酸酯交聯(lián)聚合物:Rf-XOC(O)C(R)=CH2(單體)，1? = !1、-013111，氟乙稀、六氟丙稀、1、1-二氟乙稀，三氟乙稀、氯三氟乙稀、四氟乙烯基交聯(lián)氟烴離子聚合物。上述示例的聚合物客體3-2表面能較低，電離電勢(shì)較高客體容易實(shí)現(xiàn)自組裝。
[0036]優(yōu)選的是，PEDOT:PSS的質(zhì)量比為1:6，PEDOT/PSS/PFI的質(zhì)量比為1:6: (1-7)。通過設(shè)置聚合物客體3-2和聚合物主體溶液3-1的比例，容易實(shí)現(xiàn)自組裝。
[0037]由圖2可看出現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中，采用LiF/Al分別作為電子注入層7和陰極8，陰極8與電子傳輸層6之間接觸幾乎是歐姆接觸，電子10注入也接近歐姆接觸，因此有機(jī)發(fā)光二極管的效率主要由空穴20注入決定。而空穴注入層3與空穴傳輸層4的之間的HOMO能量位皇過大，導(dǎo)致空穴注入到空穴傳輸層4中存在一定障礙，導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管電壓過大;其次在有機(jī)發(fā)光二極管工作時(shí)，空穴20不能迅速不斷的從空穴注入層3傳輸?shù)娇昭▊鬏攲?，導(dǎo)致在空穴注入層3和空穴傳輸層4之間累積大量的空穴20，當(dāng)電子10與空穴20在發(fā)光層5中復(fù)合時(shí)，多余的電子10會(huì)淬滅激子而降低了發(fā)光效率。
[0038]而由圖3可以看出，本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管中，在空穴注入層3的聚合物主體溶液3-1 (PEDOT: PSS等)中，摻雜表面能較低、電離電勢(shì)較高的聚合物客體3-2(全氟離子交聯(lián)聚合物等)，通過兩者的自組裝，由于空穴注入層3的HOMO從底部到頂部逐漸變大，降低了空穴注入層3與空穴傳輸層4之間的能量位皇，降低陽極2與空穴注入層3之間的能量跨度，讓空穴20更容易和更有效被注入，提高了空穴20注入的效率，降低了工作電壓；其次，空穴20經(jīng)過空穴傳輸層4在發(fā)光層5與電子10復(fù)合，保持空穴20與電子10的平衡，當(dāng)空穴20與電子10在發(fā)光層5中復(fù)合的時(shí)候，避免空穴20在空穴注入層3界面的積累，減少了多余的電子10與激子的復(fù)合，大大的提高了有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率和壽命。
[0039]制備形成的有機(jī)發(fā)光二極管中，空穴注入層3的膜厚范圍為50-100nm，優(yōu)選膜厚為57nm。不同機(jī)發(fā)光二極管中空穴注入層3厚度會(huì)略有區(qū)別，在該空穴注入層3的膜厚范圍條件下，容易實(shí)現(xiàn)自組裝。
[0040]具體工藝制程中，聚合物主體溶液摻雜聚合物客體的空穴注入層3采用旋涂工藝成膜，空穴注入層3的旋涂速度范圍為200-400r/min;并且，在大氣環(huán)境下，以175-185°C溫度烘烤15-25分鐘，以易于實(shí)現(xiàn)空穴性能較好的空穴注入層3。
[0041 ]作為有機(jī)發(fā)光二極管傳輸電子的關(guān)鍵部件，電子注入層7采用LiF形成，陰極8采用Al形成。這里可以采用常規(guī)的電子注入層7和陰極8特性，結(jié)合在上述空穴注入層3的條件下，避免多余的電子與激子的復(fù)合，提高了有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
[0042]本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法解決了采用旋涂工藝制備的有機(jī)發(fā)光二極管的空穴注入層效率低的問題，其通過在聚合物主體溶液中摻雜表面能較低、電離電勢(shì)較高的聚合物客體，利用兩種物質(zhì)在陽極上面的自組裝的性質(zhì)，從而使得空穴注入層的HOMO能級(jí)從底部到頂部逐漸變大，降低空穴注入層與空穴傳輸層之間的能量位皇，使得空穴更迅速有效的得以注入，提高了空穴注入的能力；其次避免了空穴在空穴注入層界面的積累，減少了多余電子與激子的復(fù)合，增加了電子與空穴之間的平衡，大大的提高了有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率和壽命及降低了驅(qū)動(dòng)工作電壓。
[0043]實(shí)施例2:
[0044]本實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，該有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法通過降低空穴注入層與空穴傳輸層之間的能量位皇，使得空穴更迅速有效的得以注入，提高了空穴注入的能力，解決了 OLED的空穴注入效率的問題。
[0045]在本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的一種摻雜試驗(yàn)中:
[0046]將PEDOT/PSS/PFI (PFI為全氟離子交聯(lián)聚合物)按質(zhì)量比(1:6:3.15)混合均勻(PFI的分子式如圖5所示)，300r/min下旋涂在發(fā)光面積2mmx2mm的ITO玻璃基板上，測(cè)得膜厚為57nm，在大氣環(huán)境下，180 °C在電熱板上烘烤20分鐘，在日立高新AC2光電子發(fā)射譜儀測(cè)的功函數(shù)為5.62eV;
[0047]在本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的另一種摻雜試驗(yàn)中:
[0048]將PEDOT/PSS/PFI (PFI為全氟離子交聯(lián)聚合物)按質(zhì)量比(1:6:6.2)混合均勻(PFI的分子式如圖6所示)，300r/min下旋涂在發(fā)光面積2mmx2mm的ITO玻璃基板上，測(cè)得膜厚為57nm，在大氣環(huán)境下，180 °C在電熱板上烘烤20分鐘，在日立高新AC2光電子發(fā)射譜儀測(cè)的功函數(shù)為5.73eV。
[0049]根據(jù)多個(gè)類似的摻雜試驗(yàn)得到，在將PED0T/PSS/PFI(全氟離子交聯(lián)聚合物)按質(zhì)量比(1:6:0?6.2)設(shè)置時(shí)，所得空穴注入層的功函數(shù)5.18?5.73eV之間。
[0050]在作為對(duì)照的有機(jī)發(fā)光二極管的對(duì)比試驗(yàn)中:
[0051 ] 將PED0T/PSS按質(zhì)量比(1:6)混合均勻，30(^/1^11下旋涂在發(fā)光面積211111^2臟的11'0玻璃基板上，測(cè)得膜厚為60nm，在大氣環(huán)境下，180°C在電熱板上烘烤20分鐘，在日立高新AC2光電子發(fā)射譜儀測(cè)的功函數(shù)為5.18eV。
[0052]空穴注入層中的功函數(shù)即所謂的HOMO能級(jí)絕對(duì)值，由試驗(yàn)數(shù)據(jù)可以看出，摻雜了全氟離子交聯(lián)聚合物的自組裝薄膜形成的空穴注入層的功函數(shù)明顯上升，降低空穴注入層與空穴傳輸層之間的能量位皇，有利于保持電子與空穴之間的平衡，大大的提高了有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率和壽命及降低了驅(qū)動(dòng)工作電壓。
[0053]實(shí)施例3:
[0054]本實(shí)施例提供一種包括實(shí)施例1或?qū)嵤├?中的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0055]該顯示面板可以為:電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0056]該顯示面板顯示效果好，壽命長。
[0057]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括依次層疊設(shè)置的陰極、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極，其特征在于，在形成空穴傳輸層的步驟中，在形成所述空穴注入層的聚合物主體溶液中摻雜表面能比聚合物主體溶液表面能低、電離電勢(shì)比聚合物主體溶液電離電勢(shì)高的聚合物客體，所述聚合物主體溶液和所述聚合物客體能自組裝，使得所述空穴注入層的HOMO從底部到頂部逐漸變大，降低所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間的能量位皇。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層中所述聚合物主體溶液和所述聚合物客體的自組裝濃度從底部到頂部依次增大。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述聚合物客體為全氟離子交聯(lián)聚合物，所述聚合物主體溶液為PEDOT: PSS。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，全氟離子交聯(lián)聚合物包括全氟甲基丙烯酸酯交聯(lián)聚合物:Rf-XOC(O)C(R) =CH2(單體)，R = H、-CH3m，氟乙烯、六氟丙烯、1、1_ 二氟乙烯，三氟乙烯、氯三氟乙烯、四氟乙烯基交聯(lián)氟烴離子聚合物。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，PEDOT: PSS的質(zhì)量比為1:6，PED0T/PSS/PFI 的質(zhì)量比為1:6: (1-7)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層的膜厚范圍為50-100nmo7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述聚合物主體溶液摻雜所述聚合物客體的所述空穴注入層采用旋涂工藝成膜，所述空穴注入層的旋涂速度范圍為200-400r/min。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在大氣環(huán)境下，以175-185°C溫度烘烤15-25分鐘。9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述電子注入層采用氟化鋰形成，所述陰極采用鋁形成。10.—種有機(jī)發(fā)光二極管，包括依次層疊設(shè)置的陰極、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極，其特征在于，采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法形成所述空穴注入層，所述空穴注入層的HOMO從底部到頂部逐漸變大。11.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光二極管。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK106025093SQ201610581306
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年7月21日
【發(fā)明人】賈文斌, 朱飛飛
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司