存儲裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種存儲裝置，降低外部磁場的影響。實(shí)施方式的存儲裝置具備：磁性層，具有第一面及第二面，所述第二面位于所述第一面的相反側(cè)；第一層，設(shè)置有第一電極及使所述磁性層的一部分露出的連接部，且位于所述第一面；第二層，具有第二電極，且位于所述第二面；存儲器，搭載于所述第一層，且電阻根據(jù)磁化方向而變化；導(dǎo)電部，將所述存儲器與所述第一電極電連接；磁性部件，具有與從所述連接部露出的所述磁性層的一部分抵接的抵接部，且從所述磁性層的相反側(cè)覆蓋所述存儲器；以及密封部，將所述存儲器密封。
【專利說明】存儲裝置
[0001][相關(guān)申請案]
[0002]本申請案享有以日本專利申請案2015-70398號(申請日:2015年3月30日)為基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照所述基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種存儲裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]業(yè)界提供有磁阻存儲器(MRAM:Magnetoresistive Random Access Memory)，是非易失性存儲器的一種。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及存儲裝置，降低外部磁場的影響。
[0006]實(shí)施方式的存儲裝置具備:
[0007]磁性層，具有第一面及第二面，所述第二面位于所述第一面的相反側(cè)；
[0008]第一層，設(shè)置有第一電極及使所述磁性層的一部分露出的連接部，且位于所述第一面；
[0009]第二層，具有第二電極，且位于所述第二面；
[0010]存儲器，搭載于所述第一層，且電阻根據(jù)磁化方向而變化；
[0011]導(dǎo)電部，將所述存儲器與所述第一電極電連接；
[0012]磁性部件，具有與從所述連接部露出的所述磁性層的一部分抵接的抵接部，且從所述磁性層的相反側(cè)覆蓋所述存儲器；以及
[0013]密封部，將所述存儲器密封。
【附圖說明】
[0014]圖1是表示第一實(shí)施方式的存儲裝置的立體圖。
[0015]圖2是表示第一實(shí)施方式的存儲裝置的剖視圖。
[0016]圖3表示構(gòu)成存儲裝置的基板，(a)是俯視圖，(b)是剖視圖。
[0017]圖4是將構(gòu)成存儲裝置的磁阻存儲器芯片的一部分放大后的立體圖。
[0018]圖5是構(gòu)成存儲裝置的磁阻元件的側(cè)視剖面的概略圖。
[0019]圖6是例示第一實(shí)施方式的存儲裝置的屏蔽效應(yīng)的剖視圖。
[0020]圖7是表示將第二磁性體及第三磁性體設(shè)為一體的情況下的立體圖。
[0021]圖8是表示第一實(shí)施方式的存儲裝置的制造步驟的剖視圖。
[0022]圖9是表示第一實(shí)施方式的存儲裝置的制造步驟的剖視圖。
[0023]圖10是表示第一實(shí)施方式的存儲裝置的制造步驟的剖視圖。
[0024]圖11是表示第一實(shí)施方式的存儲裝置的制造步驟的剖視圖。
[0025]圖12是表示第一實(shí)施方式的存儲裝置的制造步驟的剖視圖。
[0026]圖13是表示第一實(shí)施方式的存儲裝置的制造步驟的剖視圖。
[0027]圖14是概略性地表示第一實(shí)施方式的存儲裝置的圖。
[0028]圖15是表示第二實(shí)施方式的存儲裝置的剖視圖。
[0029]圖16是表示第三實(shí)施方式的存儲裝置的剖視圖。
[0030]圖17是表示第四實(shí)施方式的存儲裝置的剖視圖。
[0031]圖18是表示第五實(shí)施方式的信息處理裝置的剖視圖。
[0032]圖19表示信息處理裝置被安裝在主機(jī)裝置的情況下的內(nèi)部構(gòu)成，(a)是主機(jī)裝置為移動電話的情況，(b)是主機(jī)裝置為智能手機(jī)的情況。
[0033]圖20是表示第五實(shí)施方式的信息處理裝置的另一例的剖視圖。
[0034]圖21是表示第六實(shí)施方式的雙重型便攜式計(jì)算機(jī)的局部切口剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面，參照附圖對實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0036]在本說明書中，對若干個要素附加了多種表現(xiàn)示例。此外，這些表現(xiàn)示例只不過是例示，并非否定所述要素可通過其他方式來表現(xiàn)。另外，關(guān)于未被附加多種表現(xiàn)的要素，也可以通過其他方式表現(xiàn)。
[0037]另外，附圖為示意圖，有厚度與平面尺寸的關(guān)系或各層的厚度的比例等與實(shí)物不同的情況。另外，還有包含在附圖相互之間彼此的尺寸關(guān)系或比例不同的部分的情況。
[0038](第一實(shí)施方式)
[0039]圖1表不第一實(shí)施方式的存儲裝置100的立體圖。另外，圖2表不公開第一實(shí)施方式的存儲裝置100的剖視圖。存儲裝置100具備基板101、磁阻存儲器芯片102、第一磁性體(磁性層)103、第二磁性體104、第三磁性體105、密封部(模具材料)106、接合線(導(dǎo)電部)107、及焊球(第二電極)108。此外，在本實(shí)施方式中，存儲裝置100例如為磁阻存儲器。
[0040]在本實(shí)施方式中，第一磁性體103、第二磁性體104、及第三磁性體105是作為用以保護(hù)磁阻存儲器芯片102免受來自外部磁場的干擾的磁屏而發(fā)揮功能。此外，本說明書中的“磁性體”主要指“強(qiáng)磁性體”(只要屏蔽效應(yīng)達(dá)到至少能抑制芯片數(shù)據(jù)被重寫的程度即可
[0041]基板101例如為多層配線基板，且包含未圖示的電源層、接地層等?；?01是包含玻璃環(huán)氧樹脂等材料的大體矩形狀的電路基板，并規(guī)定存儲裝置100的外形尺寸?；?01具有第一面1la及第二面101b，所述第二面1lb位于所述第一面1la的相反側(cè)，且在第一面1la設(shè)置有連接端子(第一電極)113。此外，在本說明書中，將基板101的面中除第一面1la及第二面1lb以外的面定義為側(cè)面。
[0042]另外，圖3表不本實(shí)施方式中的基板101，(a)表不第一面10Ia側(cè)的俯視圖，(b)表示剖視圖。此外，在圖3(a)中以虛線所表示的區(qū)域表示在俯視下安裝磁阻存儲器芯片102的區(qū)域。
[0043]在本實(shí)施方式中，基板101設(shè)為以第一磁性體103為芯材的基板。在基板101，形成有多個貫通第一面1la與第二面1lb的通孔(via) 111。而且，在基板101的第一面1la的一部分，在與通孔111不同的位置設(shè)置有開口，而構(gòu)成第一磁性體103的一部分從所述開口露出的連接部114。此外，在本實(shí)施方式中，連接部114例如設(shè)置有4個。
[0044]如上所述，基板101為多層配線基板，因此第一磁性體103位于包含第一面1la的某一層與包含第二面1lb的另一層之間。此外，第一磁性體103并非必須位于基板101的厚度方向上的中心，也可靠近第一面1la或第二面1lb的任一方向而配置。此外，此時第一磁性體103的一部分從基板101的側(cè)面露出。
[0045]通孔111在多層配線中是將下層配線與上層配線電連接的連接區(qū)域，對層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻而開設(shè)通路孔(via hole)，并使金屬材料嵌入至所述通路孔而形成。在本實(shí)施方式中，基板101將第一磁性體103設(shè)為芯材，因此如圖2所示，需要使所述通路孔從基板101的上層(第一面1la側(cè))連同第一磁性體103在內(nèi)貫通至下層(第二面1lb側(cè))。
[0046]另外，如上所述，利用金屬材料嵌入至通路孔而形成通孔111，但此時由于所述金屬材料最好不要與第一磁性體103抵接而電連接，因此在通路孔的表面設(shè)置有絕緣部112。
[0047]磁阻存儲器芯片102在俯視下具有例如大體矩形形狀。此外，在本說明書中，所謂“俯視”是指在圖1中從基板101的側(cè)面的延長方向俯瞰存儲裝置100 (及其內(nèi)部構(gòu)成)的狀態(tài)。也就是說，指觀察從圖2的上方朝向下方的方向的狀態(tài)。
[0048]另外，在連接部114中，所謂“第一磁性體103的一部分露出”是指例如在從第三磁性體105觀察基板101的情況下，能夠確認(rèn)到第一磁性體103。
[0049]在磁阻存儲器芯片102，設(shè)置有用以與基板101連接的焊墊121，且設(shè)于基板101的連接端子113與焊墊121是通過接合線107而電連接。另外，磁阻存儲器芯片102通過粘著劑(粘晶劑)122而與基板101粘著。
[0050]在圖4中表示將磁阻存儲器芯片102的一部分放大后的立體圖。磁阻存儲器芯片102包含第一配線102a、第二配線102b、及磁阻元件102c。如圖4所示，排列有磁阻元件102c，且在其上下面連接有在相互正交的方向上排列的第一配線102a及第二配線102b。
[0051]在圖5中表示磁阻元件102c的側(cè)視剖面的概略的一例。此外，在圖5中，箭頭(1、? )例示電子自旋的方向。磁阻元件102c例如在第一磁性膜403與第二磁性膜404之間具有非磁性膜402，且第一磁性膜403及第二磁性膜404在與非磁性膜接觸的面的相反側(cè)分別具有電極401。
[0052]非磁性膜402包含并非強(qiáng)磁性體的物質(zhì)，且具有與第一磁性膜403及第二磁性膜404相比不易被磁化的性質(zhì)。此外，非磁性膜402只要為設(shè)置在第一磁性膜403與第二磁性膜404之間以使得第一磁性膜403與第二磁性膜404絕緣的構(gòu)成即可。
[0053]在第一磁性膜403中，內(nèi)部的電子自旋的方向固定，另一方面，在第二磁性膜404中，可根據(jù)磁場而改變內(nèi)部的電子自旋的方向。例如，將第二磁性膜404中的電子自旋的方向與第一磁性膜403中的電子自旋的方向?yàn)橄嗤较虻那闆r定義為“O”，將第二磁性膜404中的電子自旋的方向與第一磁性膜403中的電子自旋的方向不同的情況定義為“1”，由此可進(jìn)行“O”或“I”的數(shù)據(jù)保持。
[0054]此外，也可將第二磁性膜404中的電子自旋的方向與第一磁性膜403中的電子自旋的方向?yàn)橄嗤较虻那闆r定義為“ I ”，將第二磁性膜404中的電子自旋的方向與第一磁性膜403中的電子自旋的方向不同的情況定義為“O”。另外，圖示的電子自旋的方向或第一磁性膜403及第二磁性膜404的位置關(guān)系為一例，且將具有通過兩個磁性體將一個非磁性體夾在中間的構(gòu)造的元件設(shè)為磁阻元件102c。
[0055]圖6是概念性地表示存儲裝置100的磁屏效應(yīng)的剖視圖。此外，在圖6中，為方便說明，省略存儲裝置100的部分構(gòu)成。存儲裝置100對于在基板101的厚度方向(在圖6中為上下方向)上滲入的部分磁通的磁力(圖6中的BI)，通過第一磁性體103及第二磁性體104進(jìn)行屏蔽。
[0056]第二磁性體104配置在磁阻存儲器芯片102上，且具有與基板101的第一面1la對向的第三面104c及位于所述第三面104c的相反側(cè)的第四面104d。第二磁性體104在俯視下具有大體矩形形狀，其外形尺寸例如大于磁阻存儲器芯片102。
[0057]第三磁性體105在基板101的第一面1la側(cè)支撐第二磁性體104。具體來說，第三磁性體105例如具有柱狀形狀，并嵌入至設(shè)置在基板101的連接部114。另一方面，第三磁性體105也與第二磁性體104連接。因此，第二磁性體104保持由例如四根第三磁性體105支撐的狀態(tài)。通過以上的構(gòu)成，經(jīng)由第三磁性體105而將第一磁性體103與第二磁性體104磁性連接。
[0058]此外，在本實(shí)施方式中，所謂“磁性連接”，只要為例如可控制磁力流動方向的構(gòu)成即可，并非必須直接接觸。
[0059]另外，連接部114中雖嵌入第三磁性體105，但嵌入時從第三磁性體105側(cè)能在連接部114的開口內(nèi)側(cè)確認(rèn)到第一磁性體103，因此，即便在嵌入了第三磁性體105的狀態(tài)下，也可以表現(xiàn)為“第一磁性體103從連接部114部分露出”。
[0060]作為第一磁性體103、第二磁性體104、及第三磁性體105的材料，例如可使用鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)等軟磁性金屬或硅鋼(Fe-Si)、碳鋼(Fe-C)、鎳鐵合金(Fe-Ni)、其他鐵氧體不銹鋼等軟磁性合金。此外，第一磁性體103、第二磁性體104、及第三磁性體105所使用的材料并不限定于該等。另外，所謂本說明書中的“磁性材料”，列舉了所述軟磁性金屬或軟磁性合金作為一例，但只要為至少可通過第一磁性體103、第二磁性體104、及第三磁性體105控制磁力流動的構(gòu)成，則并不限定于所述材料。
[0061]第一磁性體103、第二磁性體104、及第三磁性體105是作為磁阻存儲器芯片102的磁屏而發(fā)揮功能。第一磁性體103、第二磁性體104、及第三磁性體105的厚度例如設(shè)為50 μm以上且500 μm以下。在第一磁性體103、第二磁性體104、及第三磁性體105的厚度未達(dá)50 μm的情況下，有無法獲得充分的磁屏效應(yīng)的顧慮，另外，在厚于500 μπι的情況下，有會成為存儲裝置100的小型化、薄型化的阻礙的顧慮。
[0062]密封部106將磁阻存儲器芯片102、第一磁性體103、第二磁性體104、第三磁性體
105、及接合線107密封。此時密封部106例如可在使第二磁性體104的第四面104d露出的狀態(tài)下覆蓋其他部分，也可完全覆蓋第四面104d。第四面104d露出的情況在本說明書中也屬于“密封”的范疇。密封部106所使用的材料例如為熱固性的環(huán)氧樹脂，但只要成為至少保護(hù)第二磁性體104、及第三磁性體105與磁阻存儲器芯片102之間的區(qū)域的構(gòu)成，則并不限定于此。
[0063]在密封部106完全覆蓋第二磁性體104的情況下，可在存儲裝置100的表面(也就是密封部106)顯示內(nèi)容制造商所需的任意信息，也可通過例如激光實(shí)施識別用的刻印。此外，在通過激光實(shí)施識別用的刻印的情況下，可通過第二磁性體104抑制激光對存儲裝置100的性能造成影響的風(fēng)險。
[0064]此處，使用圖6對本實(shí)施方式中的存儲裝置100的磁屏效應(yīng)進(jìn)行詳細(xì)敘述。從圖6中的上方向滲入至存儲裝置100的BI被第二磁性體104吸入。之后，BI流入至第三磁性體105、第一磁性體103，并向基板101的第二面1lb方向流動。
[0065]另外，對于在基板101的面方向(在圖6中為左右方向)上滲入的部分磁通的磁力(圖6中的B2)，通過第三磁性體105進(jìn)行屏蔽。從圖6中的左方向滲入至存儲裝置100的B2被第三磁性體105吸入。之后，流入至第一磁性體103或第二磁性體104，且向圖6中右方向流動。此外，此時的第三磁性體105的屏蔽效應(yīng)根據(jù)第三磁性體105的粗細(xì)度而不同。根據(jù)以上，可針對BI及B2雙方獲得屏蔽效應(yīng)。
[0066]此外，在本實(shí)施方式中，磁阻存儲器芯片102對朝向橫方向(圖6中的左右方向)的磁力(B2)的抵抗性強(qiáng)，對朝向磁阻存儲器芯片102的厚度方向(圖6中的上下方向)的磁力(BI)的抵抗性弱。其原因在于，在當(dāng)BI滲入至磁阻存儲器芯片102時BI的方向與第二磁性膜404內(nèi)的電子自旋的方向(圖4中的箭頭的方向)為相反方向(反平行)的情況下，第二磁性膜404內(nèi)的電子自旋的方向有可能會因BI而反轉(zhuǎn)。這意味著數(shù)據(jù)可能會被意外重寫，而并不理想。因此，在本實(shí)施方式中，磁阻存儲器芯片102的側(cè)面?zhèn)任赐耆桓采w的情況不會對屏蔽效應(yīng)造成較大影響。
[0067]此外，在圖6中，將從上方向流向下方向的磁力設(shè)為BI，對于在相反方向(在圖6中從下方向朝上方向)流動的磁力也可進(jìn)行相同的說明。另外，在圖6中，將從左方向流向右方向的磁力設(shè)為B2，對于在相反方向(在圖6中從右方向朝左方向)流動的磁力也可進(jìn)行相同的說明。
[0068]此外，如上所述，通過第三磁性體105連接第一磁性體103與第二磁性體104而構(gòu)成BI的路徑，由此進(jìn)行屏蔽。因此，第三磁性體105并非必須設(shè)置多個，且所有第三磁性體105并非必須與第一磁性體103及第二磁性體104抵接，只要通過至少一個第三磁性體105連接第一磁性體103與第二磁性體104即可。
[0069]另一方面，在通過多個第三磁性體105連接第一磁性體103與第二磁性體104的情況下，滲入至第二磁性體104的BI是經(jīng)由位于最靠近滲入位置處的第三磁性體105而流向第一磁性體103側(cè)。因此，與例如設(shè)置有I個第三磁性體105的情況相比，如本實(shí)施方式那樣設(shè)置有多個第三磁性體105的情況可使BI更穩(wěn)定地從第二磁性體104流向第一磁性體 103。
[0070]另外，考慮第一磁性體103未成為基板101的芯材的情況。例如若將第一磁性體103設(shè)置在基板101的第一面1la上，則第一磁性體103在基板101上需要避開接合線107與基板101連接的部分(在本實(shí)施方式中為連接部114)而配置。因此，需要實(shí)施如避開接合線107的加工或減小第一磁性體103的面積等。
[0071]因此，在本實(shí)施方式中，第一磁性體103成為基板101的芯材，第一磁性體103的基板101的面方向的面積與基板101的面積相同。另外，如上所述，第二磁性體104在俯視下大于磁阻存儲器芯片102的外形尺寸。由此，在本實(shí)施方式中，存儲裝置100可對圖6所示的BI獲得充分的屏蔽效應(yīng)。
[0072]另外，在本實(shí)施方式中，第二磁性體104并非通過例如粘著劑122而與磁阻存儲器芯片102粘著，而是由第三磁性體105支撐，且第二磁性體104的第三面104c與磁阻存儲器芯片102隔開。
[0073]在第二磁性體104與磁阻存儲器芯片102通過粘著劑122而粘著的情況下或第二磁性體104與磁阻存儲器芯片102直接接觸的情況下，需要考慮焊墊121及接合線107的位置，于在俯視下通過第二磁性體104覆蓋磁阻存儲器芯片102的情況下，有時會產(chǎn)生未被覆蓋的區(qū)域。
[0074]在本實(shí)施方式中，如上所述，第二磁性體104由第三磁性體105支撐，且第二磁性體104的第三面104c與磁阻存儲器芯片102隔開，因此可在俯視下通過第二磁性體104覆蓋磁阻存儲器芯片102，而提高屏蔽效應(yīng)。
[0075]另外，在本實(shí)施方式中，支撐第二磁性體104的第三磁性體105為磁性材料，因此針對圖6所示的B2，也可通過第三磁性體105獲得屏蔽效應(yīng)。
[0076]此外，第三磁性體105并非屏蔽全部B2。其原因在于，于在存儲裝置100的制造步驟中形成密封部106時，需要使模具材料在基板101的面方向流動。第三磁性體105的大小(粗細(xì)度)可根據(jù)所使用的模具材料的種類或粘度而變更，進(jìn)一步可變更對B2的遮蔽效果。例如在模具材料的粘度相對較小的情況下，可使相鄰的第三磁性體105之間變窄(使第三磁性體105變粗)，從而提高對B2的屏蔽效應(yīng)。
[0077]另一方面，在作為將第一磁性體103及第二磁性體104磁性連接的機(jī)構(gòu)的第三磁性體105較粗(體積較大)的情況下，可使BI更易流動，對BI的磁屏效應(yīng)也提高。
[0078]此外，在所述說明中，為了使模具材料流動，多個第三磁性體彼此之間的區(qū)域成為空腔狀，但也可例如通過以格子狀設(shè)置有開口的磁性體板等連接第三磁性體105彼此。在此情況下，一面確保用以使模具材料流動的路徑，一面提高對BI及B2雙方的屏蔽效應(yīng)。
[0079]在本實(shí)施方式中，為了方便起見，在至此為止的說明中將第二磁性體104與第三磁性體105分別作為不同的個體進(jìn)行了說明，也可通過如圖7所示那樣對單一磁性體部件進(jìn)行加工而將第二磁性體104與第三磁性體105合并后設(shè)為“第二磁性體104 α ”。在此情況下，可有助于存儲裝置100的組裝步驟的簡化。
[0080]此外，如圖7所示，第二磁性體104 α例如具有突起部105a。如上所述，在本實(shí)施方式中，第二磁性體104α (第三磁性體105)嵌入至設(shè)置在基板101的連接部114，具體來說，突起部105a嵌入至連接部114。通過使突起部105a嵌入至連接部114，突起部105a與第一磁性體103接觸，而第二磁性體104 α (第三磁性體105)與第一磁性體103被磁性連接。
[0081]此外，突起部105a并未為必需構(gòu)成，也可設(shè)為不設(shè)置突起部105a，而僅使第二磁性體104 α (第三磁性體105)的一部分嵌入至連接部114的構(gòu)成。
[0082]如上所述，在將第二磁性體104與第三磁性體105合并后設(shè)為“第二磁性體104 α ”的情況下，例如可通過對磁性體部件進(jìn)行鍛造(壓制)或切削而制作“第二磁性體104 α ”。另外，在磁性體部件為較薄的基板狀的情況下，也可通過彎曲加工而制作。在彎曲加工的情況下，也可有助于制造步驟中的良率的提高。在以下的說明中，設(shè)為主要使用第二磁性體104 α。
[0083]以下，使用表示各步驟中的剖視圖的圖8至圖13對本實(shí)施方式的存儲裝置100的制造順序進(jìn)行概略說明。此外，制造順序的說明設(shè)為從基板101的承收開始進(jìn)行。因此，省略在基板101設(shè)置通孔111或連接端子113的順序。另外，設(shè)為在基板101設(shè)置第一磁性體103作為芯材。而且，設(shè)為在存儲裝置100的制造中使用所述第二磁性體104 α。
[0084]首先，如圖8所示，將磁阻存儲器芯片102固定在承收結(jié)束的基板101的特定位置。此時，使用粘著劑(粘晶劑)122固定，且將所述步驟稱為粘晶。
[0085]繼而，進(jìn)行經(jīng)粘晶的磁阻存儲器芯片102與基板101的連接。如圖9所示，使用接合線107將設(shè)置在磁阻存儲器芯片102的焊墊121與設(shè)置在基板101的連接端子113電連接。接合線107的材料例如為金、鋁、銅等，但并不限定于此。此外，將所述步驟稱為打線接入口 ο
[0086]而且，如圖10所示，將第二磁性體104 α載置在基板101。之后，通過密封用的模具使第二磁性體104 α嵌入至設(shè)置在基板101的連接部114，如圖11所示，成為第二磁性體104 α的一部分插入至第一磁性體103的狀態(tài)。由此，第一磁性體103及第二磁性體104 α
直接接觸。
[0087]此處，考慮第二磁性體104 α未嵌入至基板101而利用例如粘著劑等進(jìn)行固定的情況。在此情況下，第二磁性體104 α與第一磁性體103經(jīng)由非磁性體連接，而屏蔽效應(yīng)減小。因此，在進(jìn)行磁屏的情況下，理想為屏蔽所使用的磁性體材料彼此(在本實(shí)施方式中為第二磁性體104 α與第一磁性體103)直接接觸的構(gòu)成。
[0088]因此，在本實(shí)施方式中，第二磁性體104 α的一部分(突起部105a)成為插入至第一磁性體103的狀態(tài)，而第二磁性體104 α的一部分與第一磁性體103直接接觸。因此，可針對BI獲得穩(wěn)定的屏蔽效應(yīng)。
[0089]另外，構(gòu)成連接部114的開口理想為小于第二磁性體104 α的要嵌入的部分(突起部105a)的剖面。通過使構(gòu)成連接部114的開口小于突起部105a，在通過密封用的模具將突起部105a壓入至連接部114時，可通過金屬的塑性變形而牢固地固定。
[0090]而且，也可設(shè)為如下構(gòu)成:在第二磁性體104 α中的插入第一磁性體103的面，將用以供圖7所示的突起部105a插入的槽設(shè)置在第一磁性體103的一部分，而使所述槽與突起部105a嚙合。在本實(shí)施方式的說明中，由于構(gòu)成連接部114的開口小于突起部105a的要插入的區(qū)域，因此可牢固地固定第二磁性體104 α。之后，如圖12所示，一面對模具材料106加熱，一面使其流入至模具的內(nèi)部，若模具材料106流入至整個模具，則放置片刻進(jìn)行冷卻。通過擱置一段時間而使模具材料106固定在基板101上，且使流動體狀的模具材料106固化。此外，如上所述，密封部106可完全覆蓋第二磁性體104 α (第二磁性體104)，但此處表示第二磁性體104 α從存儲裝置100的上部露出的制造方法。
[0091]此外，如上所述，由于第二磁性體104 α被插入至連接部114而牢固地固定在基板101，因此在使模具材料106流入的步驟中第二磁性體104 α的位置不會移動，而可提高密封的精度。
[0092]而且，由于為第二磁性體104 α插入至連接部114的構(gòu)成，因此在使模具材料106流入的步驟中無須利用樹脂粘著劑等將第二磁性體104α粘著在第一磁性體。因此，能以在第二磁性體104α與第一磁性體之間不存在因非磁性體而形成的間隙的構(gòu)成制造存儲裝置100，從而可進(jìn)一步增大屏蔽效應(yīng)。
[0093]此外，在本實(shí)施方式中，突起部105a未必為必需的構(gòu)成，只要成為可在至少保持第二磁性體104 α與第一磁性體103的接觸的狀態(tài)下使模具材料106流入的構(gòu)成即可。因此，例如也可不設(shè)置突起部105a而將第二磁性體104 α插入至連接部114。
[0094]最后，將用以與其他零件連接的焊球108搭載于基板101的第二面1lb側(cè)，并以單片為單位進(jìn)行切割，由此制造圖13所示的本實(shí)施方式的存儲裝置100。
[0095]此外，焊球108并非必須搭載于基板101。例如焊球108也可在使用存儲裝置100時，以符合用途的位置、個數(shù)在之后進(jìn)行搭載。在此情況下，也可在基板101的第二面1lb設(shè)置與基板101的內(nèi)部配線等電連接的電極，并將所述電極設(shè)為第二電極108。
[0096]此外，如圖13所示，通過在第二磁性體104 α設(shè)置傾斜部141，而使第二磁性體104 α成為不易從密封部106脫落的構(gòu)成。通過使模具材料106流入至傾斜部141的部分并固化，而使第二磁性體104 α變得不易脫落。
[0097]圖14是概略性地表示本實(shí)施方式的存儲裝置100的圖。如圖14所示，本實(shí)施方式的磁屏可通過至少磁阻存儲器芯片102、第一磁性體103、及第二磁性體104 α再現(xiàn)。此夕卜，圖14中的磁阻存儲器芯片102的方向設(shè)為與至圖13中所示的磁阻存儲器芯片102的方向相同。
[0098]如上所述，由于磁阻存儲器芯片102對來自橫方向的磁力(Β2)的抵抗性強(qiáng)，因此磁阻存儲器芯片102的側(cè)面并非必須由磁性體材料覆蓋。
[0099]另一方面，磁阻存儲器芯片102對于BI是通過第一磁性體103及第二磁性體104α進(jìn)行屏蔽。此時，在俯視下，磁阻存儲器芯片102由第一磁性體103及第二磁性體104 α覆蓋，且第一磁性體103及第二磁性體104 α抵接，由此可獲得較高的磁屏效應(yīng)。
[0100]此外，第一磁性體103及第二磁性體104 α無須相互直接接觸，例如也可經(jīng)由其他磁性體材料而連接。在需要將第一磁性體103與第二磁性體104 α連接的部件的情況下，其材料理想為磁性體材料。
[0101]此處，考慮第一磁性體103與第二磁性體104 α經(jīng)由非磁性體(例如粘著劑等)而連接的情況。在此情況下，在磁導(dǎo)率較高的第一磁性體103與第二磁性體104 α之間存在非磁性體(磁導(dǎo)率較低的區(qū)域)，而從第一磁性體103向第二磁性體104 α (或從第二磁性體104 α向第一磁性體103)的磁力流動的效率變差。換句話說，磁力流動因非磁性體(磁導(dǎo)率較低的區(qū)域)的存在而中斷，而有誘發(fā)磁力向磁阻存儲器芯片102泄漏的顧慮。
[0102]因此，在本實(shí)施方式中，如上所述，由于第一磁性體103及第二磁性體104 α直接接觸，因此成為磁屏效應(yīng)高的構(gòu)成。
[0103](第二實(shí)施方式)
[0104]在圖15中表示第二實(shí)施方式的存儲裝置100的側(cè)面剖視圖。此外，在本實(shí)施方式的說明中，對與第一實(shí)施方式相同的構(gòu)成標(biāo)注相同的符號并省略詳細(xì)的說明。
[0105]在本實(shí)施方式中，在第一實(shí)施方式中所示的存儲裝置的表面還設(shè)置有磁屏材料151。磁屏材料151例如是混合有磁性材料的填料的有機(jī)樹脂，通過所述有機(jī)樹脂對存儲裝置表面進(jìn)行涂布，由此構(gòu)成存儲裝置100。此時，磁屏材料151的一部分與從基板101的側(cè)面露出的第一磁性體103抵接。
[0106]在本實(shí)施方式中，對于BI利用磁屏材料151與第二磁性體104(第二磁性體104 α)進(jìn)行二重屏蔽，因此可獲得更高的磁屏效應(yīng)。另外，針對Β2也同樣，利用磁屏材料151與第三磁性體105 (第二磁性體104 α )進(jìn)行二重屏蔽，因此可獲得更高的磁屏效應(yīng)。而且，由于第一磁性體103與磁屏材料151在基板101的整個側(cè)面接觸，因此對BI的屏蔽效應(yīng)提尚。
[0107]此外，在本實(shí)施方式中，磁屏材料151也可為構(gòu)成第一磁性體103或第二磁性體104 α的軟磁性體金屬或軟磁性體合金。在此情況下，需要將磁屏材料151粘著在密封部
106。所述粘著既可使用例如混合有磁性材料的填料的有機(jī)樹脂粘著劑，也可設(shè)為在基板101的側(cè)面與第一磁性體103連接的部分的一部分不經(jīng)由粘著劑等而與第一磁性體103及第二磁性體104 α直接接觸的構(gòu)成。
[0108](第三實(shí)施方式)
[0109]在圖16中表示第三實(shí)施方式的存儲裝置100的側(cè)面剖視圖。此外，在本實(shí)施方式的說明中，對與第一實(shí)施方式及第二實(shí)施方式相同的構(gòu)成標(biāo)注相同的符號并省略詳細(xì)的說明。
[0110]在本實(shí)施方式中，存儲裝置100形成第二磁性體104 α設(shè)置在密封部106的外側(cè)的構(gòu)成。如圖16所示，第二磁性體104α具有彎曲部161。另外，基板101具有作為芯材的第一磁性體103在俯視下從基板101的第一面1la及第二面1lb突出而成的突出部162。
[0111]設(shè)置在第二磁性體104 α的彎曲部161覆蓋突出部162，并且與第一磁性體103抵接。因此，與第一實(shí)施方式及第二實(shí)施方式同樣地，針對BI及Β2，可利用第一磁性體103與第二磁性體104 α獲得磁屏效應(yīng)。
[0112]另外，由于可在經(jīng)密封后將第二磁性體104 α嵌入，因此可減少應(yīng)當(dāng)對基板101進(jìn)行的加工步驟數(shù)。另外，也可容易地進(jìn)行第二磁性體104 α的拆卸及更換等作業(yè)。
[0113]而且，通過使第二磁性體104 α位于密封部106的外側(cè)，在對第二磁性體104 α進(jìn)行加工時，無須考慮使模具樹脂106流動，且能以面進(jìn)行對Β2的屏蔽，而且，由于連接第一磁性體103與第二磁性體104 α的面的部分較大，因此可對BI及Β2雙方獲得穩(wěn)定的屏蔽效應(yīng)。
[0114]此外，在本實(shí)施方式中，并非必須設(shè)為只有第一磁性體103從基板101的第一面1la及第二面1lb突出的構(gòu)成，只要為在第二磁性體104 α的彎曲部161與第一磁性體
103抵接的狀態(tài)下安裝的構(gòu)成即可，并不限定于此。
[0115](第四實(shí)施方式)
[0116]在圖17中表示第四實(shí)施方式的存儲裝置100的側(cè)面剖視圖。此外，在本實(shí)施方式的說明中，對與第一實(shí)施方式至第三實(shí)施方式相同的構(gòu)成標(biāo)注相同的符號并省略詳細(xì)的說明。本實(shí)施方式中的存儲裝置100具有在密封部106中堆疊有多片磁阻存儲器芯片102的構(gòu)造，各個磁阻存儲器芯片102是通過接合線107而電連接。
[0117]磁阻存儲器芯片102具有第五面102e (在圖17中為上側(cè))與位于與所述第五面102e為相反側(cè)的第六面102f (在圖17中為下側(cè))。此外，將除此以外的面定義為側(cè)面。
[0118]磁阻存儲器芯片102的第五面102e是利用涂布劑181進(jìn)行涂布。此外，涂布劑181例如為聚酰亞胺(PI)，在本實(shí)施方式中，涂布劑181混合有磁性材料的填料。
[0119]另一方面，在第六面102f側(cè)設(shè)置有粘著劑182。粘著劑182例如為DAF(DieAttachFilm，粘晶膜)，在本實(shí)施方式中，粘著劑182混合有磁性材料的填料。粘著劑182的一部分在粘著劑固化步驟中，與設(shè)置在磁阻存儲器芯片102的涂布劑181抵接。
[0120]在本實(shí)施方式的存儲裝置100中，各個磁阻存儲器芯片102的第五面102e是通過涂布劑181而被涂布。此外，所述涂布例如是在磁阻存儲器芯片102被切割成單片之前的階段(晶圓的狀態(tài))進(jìn)行。所述涂布例如是通過旋轉(zhuǎn)涂布法而實(shí)施。
[0121]粘著劑182被貼附在磁阻存儲器芯片102的第六面102f。與所述涂布同樣地，粘著劑182的貼附例如也是在磁阻存儲器芯片102被切割成單片之前的階段(晶圓的狀態(tài))進(jìn)行。
[0122]之后，在切晶步驟中將晶圓切斷，完成在第五面102e設(shè)置有涂布劑181且在第六面102f設(shè)置有粘著劑182的多片磁阻存儲器芯片102。
[0123]如上所述制造的磁阻存儲器芯片102以特定的數(shù)量堆疊。此外，在圖17中表示了堆疊有3片磁阻存儲器芯片102的例子，但磁阻存儲器芯片102的數(shù)量并不限定于此，既可為2片或4片以上，也可以像第一實(shí)施方式至第三實(shí)施方式那樣為I片。
[0124]在之后的存儲裝置100的制造步驟中，通過熱而使粘著劑182暫時軟化。此時，粘著劑182的一部分沿I片磁阻存儲器芯片102的側(cè)面上升而與設(shè)置在第五面102e的涂布劑181抵接，另一部分與設(shè)置在另一磁阻存儲器芯片102的第五面102e的涂布劑181抵接。
[0125]其結(jié)果，磁阻存儲器芯片102根據(jù)與第一實(shí)施方式至第三實(shí)施方式相同的原理而從外部磁場被屏蔽。
[0126]另外，在本實(shí)施方式中，雖然使用多片磁阻存儲器芯片102，但由于是將涂布有涂布劑181及粘著劑182的磁阻存儲器芯片102堆疊的簡便構(gòu)造，制造步驟不會變得繁雜。
[0127]而且，既可在磁阻存儲器芯片102的第五面102e及第六面102f這兩面設(shè)置涂布劑181，也可在第五面102e及第六面102f這兩面設(shè)置粘著劑182。另外，磁阻存儲器芯片102的側(cè)面并非必須全部由涂布劑181覆蓋。
[0128]另外，在本實(shí)施方式中，既可在接合線107的材料中混合磁性材料的填料，而將各個磁阻存儲器芯片102電連接，也可通過涂布劑181對接合線107進(jìn)行涂布。在此情況下，與磁阻存儲器芯片102彼此被電連接同時地，涂布劑181彼此、或涂布劑181與粘著劑182被磁性連接。由涂布劑181吸收的BI經(jīng)由接合線107與涂布劑181或粘著劑182向基板101的第二面1lb側(cè)排出，從而可對BI獲得屏蔽效應(yīng)。另外，可對B2獲得磁屏效應(yīng)。
[0129](第五實(shí)施方式)
[0130]圖18表示將第一實(shí)施方式至第四實(shí)施方式的存儲裝置100安裝在信息處理裝置10的側(cè)視圖。另外，圖19表示信息處理裝置10安裝在主機(jī)裝置I的情況下的局部剖視圖。此處的主機(jī)裝置I例如為移動電話或智能手機(jī)，圖19(a)表示主機(jī)裝置I為移動電話的情況，圖19(b)表示主機(jī)裝置I為智能手機(jī)的情況，但主機(jī)裝置I并不限定于此。
[0131]信息處理裝置10具有母板2、CPU (Central Processing Unit，中央處理器)3、及存儲裝置100。CPU3具有封裝基板3a、CPU芯片3b、及多個焊球3c。
[0132]母板2例如為多層配線基板，且包含未圖示的電源層、接地層等。母板2與基板101同樣是包含玻璃環(huán)氧樹脂等材料的大體矩形狀的電路基板，且具有第一面2a與位于與所述第一面2a為相反側(cè)的第二面2b。CPU3與存儲裝置100均被安裝在母板2的第一面
2β ο
[0133]CPU3掌控主機(jī)裝置I整體的動作。CPU3例如是載入存儲在存儲裝置100中的固件(控制程序等)并執(zhí)行特定的處理。另外，CPU3從主機(jī)裝置I接收例如寫入(write)指令、讀出(read)指令、抹除(erase)指令等命令，并對存儲裝置100上的區(qū)域進(jìn)行存取或控制數(shù)據(jù)傳輸處理。
[0134]在CPU3對例如存儲裝置100進(jìn)行寫入處理的情況下，根據(jù)從主機(jī)裝置I接收的指令，從焊球3c經(jīng)由母板2的內(nèi)部配線(未圖示)，并通過焊球108向存儲裝置100輸出數(shù)據(jù)。
[0135]理想為在移動電話等主機(jī)裝置I所使用的信息處理裝置10中安裝有數(shù)據(jù)的寫入、讀取等的處理速度快、消耗電力小且為非易失性存儲器。
[0136]一般來說，具有如圖4及圖5所示的構(gòu)造的存儲器速度高、消耗電力也小，且為非易失性，但在安裝在主機(jī)裝置I的情況下，有會受到外部磁場的影響的顧慮。原因在于，一般來說，圖19所示的移動電話等主機(jī)裝置I具有揚(yáng)聲器或麥克風(fēng)，揚(yáng)聲器或麥克風(fēng)所具備的永久磁鐵所產(chǎn)生的磁場有可能會對存儲器的數(shù)據(jù)產(chǎn)生影響。
[0137]因此，通過將第一實(shí)施方式至第四實(shí)施方式的存儲裝置100安裝在信息處理裝置10，可一面使由揚(yáng)聲器或麥克風(fēng)等所產(chǎn)生的磁場的影響降低，一面使用存儲裝置100，從而可實(shí)現(xiàn)性能高且可靠性高的信息處理裝置10。
[0138]此外，在將主機(jī)裝置I設(shè)為移動電話的情況下，在本實(shí)施方式中，將安裝空間的限制納入考慮范圍內(nèi)而如圖18所示那樣將存儲裝置100與CPU3縱向配置，但存儲裝置100及CPU3既可并排安裝在母板2的任一面，也可為其中一個安裝在第一面2a，另一個安裝在第二面2b。
[0139]而且，如圖20所示，也可作為一個封裝而安裝在母板2。在此情況下，第二磁性體104 α既可設(shè)為僅覆蓋磁阻存儲器芯片102的構(gòu)成，也可為CPU芯片3b也由第二磁性體104 α覆蓋。另外，也可為構(gòu)成圖18所示的信息處理裝置10的存儲裝置100與CPU3進(jìn)一步由樹脂或殼體覆蓋的構(gòu)成。此外，此情況下的信息處理裝置10也可稱為半導(dǎo)體裝置10。
[0140]另外，也可為像系統(tǒng)LSI (linear shift-1nvariant，線性平移不變)的構(gòu)成，除存儲裝置100與CPU3以外，例如NAND (Not And，反及)存儲器304也被樹脂或殼體集中覆蓋。在此情況下，CPU3可根據(jù)用途而將NAND存儲器304與存儲裝置100分開使用。另外，此時第二磁性體104 α既可為只覆蓋磁阻存儲器芯片102的構(gòu)成，也可為CPU芯片3b也被第二磁性體104 α覆蓋。
[0141](第六實(shí)施方式)
[0142]在圖21中表示供搭載第一實(shí)施方式至第四實(shí)施方式的存儲裝置100的平板型便攜式計(jì)算機(jī)201的側(cè)面剖視圖。此外，在本實(shí)施方式的說明中，對與第一實(shí)施方式至第四實(shí)施方式相同的構(gòu)成標(biāo)注相同的符號并省略詳細(xì)的說明。
[0143]平板型便攜式計(jì)算機(jī)201是第一實(shí)施方式至第五實(shí)施方式中的主機(jī)裝置I的一例。一般來說，平板型便攜式計(jì)算機(jī)201具有大于如圖19所示的移動電話或智能手機(jī)、例如用戶可手持使用的大小。
[0144]平板型便攜式計(jì)算機(jī)201具備殼體202、顯示模塊203、半導(dǎo)體裝置300及主板205。殼體202具有保護(hù)板206、基底207及框架208。
[0145]半導(dǎo)體裝置300是作為平板型便攜式計(jì)算機(jī)201的外部存儲器而發(fā)揮功能，例如為SSD(Solid State Drive，固體狀態(tài)驅(qū)動機(jī))，但并不限定于此。半導(dǎo)體裝置300例如具有基板301、控制器302、DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)303、及NAND存儲器304。
[0146]保護(hù)板206為玻璃或者塑料制的四角板，且構(gòu)成殼體202的正面?；?07例如為如招合金或鎂合金的金屬制，且構(gòu)成殼體202的底。
[0147]框架208設(shè)置在保護(hù)板206與基底207之間?？蚣?08例如為如鋁合金或鎂合金的金屬制，且一體地具有安裝部210與緩沖部211。安裝部210介于保護(hù)板206與基底207之間。根據(jù)本實(shí)施方式，安裝部210在與保護(hù)板206之間規(guī)定第一安裝空間212，且在與基底207之間規(guī)定第二安裝空間213。
[0148]緩沖部211 —體形成在安裝部210的外周緣部，且沿周向連續(xù)地包圍第一安裝空間212及第二安裝空間213。而且，緩沖部211以橫跨保護(hù)板206的外周緣部與基底207的外周緣部之間的方式沿殼體202的厚度方向延伸，而構(gòu)成殼體202的外周面。
[0149]顯示模塊203收容在殼體202的第一安裝空間212。顯示模塊203由保護(hù)板206覆蓋，并且在保護(hù)板206與顯示模塊203之間介置具有手寫輸入功能的觸控面板214。觸控面板214粘著在保護(hù)板206的背面。
[0150]主板205具備基板215、CPU3、存儲裝置100、及如半導(dǎo)體封裝的多個電路零件216，基板215具有形成有多個導(dǎo)體圖案(未圖示)的第一面215a(安裝面)。CPU3、存儲裝置100、及電路零件216例如被安裝在基板215的第一面215a，且被焊接在導(dǎo)體圖案。
[0151]此外，在本實(shí)施方式中，并非像圖18那樣將CPU3與存儲裝置100縱向堆積的構(gòu)成。如圖21所示，也可通過并排安裝在基板215的第一面215a而構(gòu)成信息處理裝置10。雖因并排配置而使基板215中的用于安裝的必需面積增大，但與縱向堆積的情況相比，CPU3所產(chǎn)生的熱不易蓄積在CRU3的周邊，從而可提高散熱特性。
[0152]在本實(shí)施方式中，如圖21所示，殼體202是通過磁性膜250而被涂布。如上所述，存儲裝置100需要抑制外部磁場滲入至內(nèi)部。如第一實(shí)施方式至第四實(shí)施方式中所說明的那樣，存儲裝置100設(shè)置有磁屏機(jī)構(gòu)。
[0153]另一方面，在本實(shí)施方式中，關(guān)于外部磁場滲入至平板型便攜式計(jì)算機(jī)201，進(jìn)一步通過設(shè)置在殼體202的磁性膜250、設(shè)置在存儲裝置100的第一磁性體103及第二磁性體
104α進(jìn)行屏蔽，從而可獲得更大的屏蔽效應(yīng)。此外，也可設(shè)為通過使磁性材料的填料混入殼體202的材料中而獲得與設(shè)置了磁性膜250的情況下相同的效果的構(gòu)成。
[0154]而且，也可安裝第一實(shí)施方式至第四實(shí)施方式的存儲裝置100代替安裝在如SSD那樣的半導(dǎo)體裝置300的DRAM303。DRAM303為易失性存儲器，相對于此，存儲裝置100為非易失性存儲器，例如具有在意外斷電的情況下所保存的數(shù)據(jù)不會被抹除的優(yōu)點(diǎn)。
[0155]以上，對本發(fā)明的若干實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但所述多個實(shí)施方式是作為示例而提出，并未意圖限定發(fā)明的范圍。所述多個新穎的實(shí)施方式能以其他各種方式實(shí)施，且在不脫離發(fā)明主旨的范圍內(nèi)可進(jìn)行各種省略、替換、變更。所述多個實(shí)施方式或其變化包含于發(fā)明的范圍或主旨，并且包含于權(quán)利要求所記載的發(fā)明及均等范圍。
[0156][符號的說明]
[0157]I主機(jī)裝置
[0158]2母板
[0159]3CPU
[0160]10 信息處理裝置
[0161]100 存儲裝置
[0162]101 基板
[0163]102 磁阻存儲器芯片
[0164]103 第一磁性體
[0165]104第二磁性體
[0166]105第三磁性體
[0167]106密封部(模具材料)
[0168]107接合線
[0169]108焊球(第二電極)
[0170]111通孔
[0171]112絕緣部
[0172]113連接端子(第一電極)
[0173]114連接部
[0174]121焊墊
[0175]122粘著劑(粘晶劑)
[0176]141傾斜部
[0177]151磁屏材料
[0178]161彎曲部
[0179]162突出部
[0180]181涂布劑
[0181]182粘著劑
[0182]201平板型便攜式計(jì)算機(jī)
[0183]202殼體
[0184]203顯示模塊
[0185]204半導(dǎo)體裝置
[0186]205主板
[0187]206保護(hù)板
[0188]207基底
[0189]208框架
[0190]210安裝部
[0191]211緩沖部
[0192]212第一安裝空間
[0193]213第二安裝空間
[0194]214面板
[0195]215基板
[0196]216電路零件
[0197]250磁性膜
[0198]300半導(dǎo)體裝置
[0199]301基板
[0200]302控制器
[0201]303DRAM
[0202]304NAND 存儲器
[0203]401電極
[0204]402 非磁性膜
[0205]403 第一磁性膜
[0206]404 第二磁性膜
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種存儲裝置，其特征在于具備: 磁性層，具有第一面及第二面，所述第二面位于所述第一面的相反側(cè)； 第一層，設(shè)置有第一電極及使所述磁性層的一部分露出的連接部，且位于所述第一面； 第二層，具有第二電極，且位于所述第二面； 存儲器，搭載于所述第一層，且電阻根據(jù)磁化方向而變化； 導(dǎo)電部，將所述存儲器與所述第一電極電連接； 磁性部件，具有與從所述連接部露出的所述磁性層的一部分抵接的抵接部，且從所述磁性層的相反側(cè)覆蓋所述存儲器；以及密封部，將所述存儲器密封。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于:所述第一層具有多個所述連接部；並且 所述抵接部分別嵌入至所述連接部。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲裝置，其特征在于:所述磁性層具有露出部， 所述露出部除了所述第一面及所述第二面以外的面的至少一部分從所述基板的側(cè)面露出。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲裝置，其特征在于:所述密封部及所述露出部被包含磁性材料的第一樹脂覆蓋。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲裝置，其特征在于:所述第一樹脂是與所述露出部抵接而固定。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲裝置，其特征在于:多個所述存儲器重疊地搭載于所述第一層；並且 除了所述存儲器重疊的區(qū)域以外的面被包含磁性材料的第二樹脂集中覆蓋。7.一種存儲裝置，其特征在于具備: 存儲器，具有第三面及位于與所述第三面相反的位置的第四面，且可根據(jù)磁化方向控制電阻； 第一磁性體，覆蓋所述第三面；以及 第二磁性體，覆蓋所述第四面，且不隔著非磁性體而與所述第一磁性體相接。8.一種存儲裝置，其特征在于具備: 磁性層，具備接觸部，且具有第一面及位于所述第一面的相反側(cè)的第二面； 第一層，位于所述第一面； 存儲器，搭載于所述第一層，且電阻根據(jù)磁化方向而變化； 導(dǎo)電部，將所述存儲器與設(shè)置于所述第一層的第一電極電連接；以及 磁性部件，具有與所述接觸部抵接的抵接部，且從所述磁性層的相反側(cè)覆蓋所述存儲器。9.一種存儲裝置，其特征在于具備: 存儲器，具有第三面及位于與所述第三面相反的位置的第四面，且可根據(jù)磁化方向控制電阻； 第一磁性體，覆蓋所述第三面；以及第二磁性體，覆蓋所述第四面，且與所述第一磁性體直接相接或者隔著磁性體而相接。
【文檔編號】H01L43/08GK106025062SQ201510553470
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2015年9月2日
【發(fā)明人】大塚雅司
【申請人】株式會社東芝