用于大溫度范圍夾盤的多流體冷卻系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種靜電夾緊系統(tǒng)，其具有靜電夾盤，該靜電夾盤具有一個(gè)或多個(gè)電極和夾緊表面以及穿過該靜電夾盤的一個(gè)或多個(gè)流體通道。多個(gè)流體源具有與其相關(guān)聯(lián)的各自的多個(gè)流體，其中所述多個(gè)流體中的每一流體在化學(xué)上彼此相異且具有與其相關(guān)聯(lián)的各自的可行流體溫度范圍。熱單元配置成將多個(gè)流體加熱和/或冷卻至一個(gè)或多個(gè)預(yù)定溫度設(shè)定點(diǎn)。閥組件配置成使所述多個(gè)流體源中的每一流體源選擇性流體耦接至所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道。控制器亦配置成經(jīng)由對(duì)所述閥組件的控制使所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道選擇性與所述多個(gè)流體源中的所選一個(gè)或多個(gè)流體源流體耦接。
【專利說明】
用于大溫度范圍夾盤的多流體冷卻系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明大體上涉及工件載體，更具體涉及一種靜電夾盤，其配置成在大溫度范圍內(nèi)使多種冷卻劑流過其中?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體工業(yè)中常利用工件支撐件來在諸如離子注入、蝕刻、化學(xué)氣相沉積(CVD) 等基于等離子體或基于真空的半導(dǎo)體過程期間支撐及夾緊工件或基板。例如，靜電夾鉗 (ESC)在工件與ESC之間施加靜電夾緊力，以在處理期間將工件靜電吸引至ESC的夾緊表面。 往往需要，在處理期間冷卻或加熱工件，其中使流體流過ESC內(nèi)之流體路徑，以便在工件駐留于ESC上的同時(shí)提供對(duì)工件的冷卻或加熱。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本公開詳述一種工件支撐件，在半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中用于在寬溫度范圍下支撐且均勻冷卻或加熱部署于其上的工件。因此，下文介紹
【發(fā)明內(nèi)容】
的簡要概述，以便對(duì)本發(fā)明的某些方面具有基本了解。該
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并非本發(fā)明的詳盡綜述。其既非旨在確定本發(fā)明的關(guān)鍵元件或主要元件，亦非限定本發(fā)明的范圍。其目的在于，以簡化形式呈現(xiàn)本發(fā)明的某些構(gòu)思，作為下文【具體實(shí)施方式】的引言。
[0004]根據(jù)一個(gè)示例性方面，公開了一種靜電夾緊系統(tǒng)，其中提供靜電夾盤，其具有一個(gè)或多個(gè)電極以及夾緊表面。所述靜電夾盤配置成經(jīng)由流過所述一個(gè)或多個(gè)電極的電流來支撐且靜電夾緊連至該靜電夾盤的工件。所述靜電夾盤例如包括穿過其中的一個(gè)或多個(gè)流體通道。
[0005]多個(gè)流體源例如具有與其相關(guān)聯(lián)的各自的多個(gè)流體。在一個(gè)示例中，多個(gè)流體中的每一流體在化學(xué)上彼此相異且具有與其相關(guān)聯(lián)的各自的可行流體溫度范圍。熱單元進(jìn)一步配置成將多個(gè)流體加熱和/或冷卻至一個(gè)或多個(gè)預(yù)定溫度設(shè)定點(diǎn)。
[0006]根據(jù)另一示例性方面，進(jìn)一步提供一種閥組件，其中該閥組件包括一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥，其配置成使所述多個(gè)流體源中的每一流體源都選擇性流體耦接至所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道。
[0007]進(jìn)一步，控制器配置成基于一個(gè)或多個(gè)沖洗條件來選擇性打開及關(guān)閉所述一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥。因此，所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道選擇性與所述多個(gè)流體源中的所選一個(gè)或多個(gè)流體源流體耦接。所述一個(gè)或多個(gè)沖洗條件例如是基于沖洗算法及查找表中的一個(gè)或多個(gè)，該查找表使與所述多個(gè)流體中的每一流體相關(guān)聯(lián)的可行流體溫度范圍及化學(xué)相容性同與所述靜電夾盤上的工件的處理相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定過程溫度相關(guān)。 [〇〇〇8]上文的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分僅旨在簡要概述本發(fā)明某些實(shí)施方案的某些特征，其他實(shí)施方案可包括上述特征以外的其他特征和/或不同特征。特別地，該
【發(fā)明內(nèi)容】
部分不得理解為限定本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。因此，為實(shí)現(xiàn)前述及有關(guān)目的，本發(fā)明包括下文所述且特別在權(quán)利要求書中所指出的特征。下文內(nèi)容及附圖詳細(xì)闡明本發(fā)明的某些說明性實(shí)施方案。然而，這些實(shí)施方案僅表明采用本發(fā)明原理的多種不同方式中的少數(shù)幾種。在結(jié)合附圖考慮的情況下，由下文對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)描述會(huì)更清楚理解本發(fā)明的其他目的、優(yōu)點(diǎn)及新穎性特征。
【附圖說明】
[0009]圖1是根據(jù)本發(fā)明幾方面的示例性靜電夾緊系統(tǒng)的框圖。
[0010]圖2是根據(jù)本發(fā)明的各種其他方面的包括示例性靜電夾緊系統(tǒng)的處理系統(tǒng)的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]在某些半導(dǎo)體工藝(諸如離子注入過程)中，可能需要在工件(例如，半導(dǎo)體晶片)與在處理期間固持工件的支撐件之間提供熱路徑(例如，冷卻路徑或加熱路徑)，以便在工件處維持預(yù)定溫度。本發(fā)明提供一種靜電夾盤，其具有部署于其中的流體，其中在流體相對(duì)于工件的表面行進(jìn)時(shí)，流體在工件支撐件內(nèi)的流動(dòng)保持在基本上恒定的質(zhì)量流率。
[0012]因此，本發(fā)明大體上涉及一種在半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中用于支撐工件且在工件與靜電夾盤之間傳遞熱能的系統(tǒng)、設(shè)備及方法。因此，現(xiàn)將參照附圖闡述本發(fā)明，其中通篇中的相同標(biāo)號(hào)可用于指代相同元件。應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)這些方面的描述僅供說明，而不得解釋為限定目的。出于解釋目的，在下文中闡明若干具體細(xì)節(jié)，以便全面理解本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)顯而易知，本發(fā)明可在不具備這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施。進(jìn)一步，本發(fā)明的范圍不應(yīng)受到下文參照附圖所述的實(shí)施方案或?qū)嵤├南拗疲鴥H受所附權(quán)利要求書及其等同變化的限制。
[0013]還需指出，附圖用于說明本發(fā)明實(shí)施方案的某些方面，由此應(yīng)視為僅供示意性說明。特別地，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，附圖中所示的元件并不一定相互成比例繪制，將附圖中各元件的布置選為可清楚理解相應(yīng)的實(shí)施方案，不得理解為必然表示實(shí)施中各組件的實(shí)際相對(duì)位置。此外，若非特別注明，則本文所述的各實(shí)施方案及實(shí)施例的特征可相結(jié)合。
[0014]還應(yīng)理解，在以下描述中，在圖中所示或文中所述的功能模塊、裝置、組件、電路元件或其他實(shí)際部件或功能部件之間的任何直接連接或耦接亦可通過間接連接或耦接來實(shí)施。此外還應(yīng)理解，在圖中所示的功能模塊或部件在一個(gè)實(shí)施方案中可作為獨(dú)立特征或電路形式實(shí)施，在另一實(shí)施方案中亦可或可選擇以共同特征或電路來全部或部分實(shí)施。舉例而言，幾個(gè)功能模塊可作為在共同處理器(如信號(hào)處理器)上運(yùn)行的軟件形式實(shí)施。還應(yīng)理解，若非另有相反規(guī)定，則在以下說明書中基于導(dǎo)線所述的任何連接亦可作為無線通信形式實(shí)施。
[0015]在半導(dǎo)體處理中，靜電夾盤或夾鉗(ESC)不僅實(shí)施成支撐且保持工件的位置，而且可進(jìn)一步用于在處理之前、期間或之后加熱或冷卻工件。然而，某些過程是在顯著高溫或低溫(例如，-100 °C至+500 °C )下執(zhí)行。然而，在利用單一流體的常規(guī)系統(tǒng)中，可證實(shí)這種大溫度范圍的操作十分困難，原因是單一流體必須在整個(gè)溫度范圍內(nèi)行使熱傳遞流體的作用。例如，水在(TC或(TC以下凍結(jié)成固態(tài)，但水在其為液體或呈兩相(液-汽)流時(shí)作為冷卻流體表現(xiàn)良好。然而，若需冷卻至(TC以下，則必須將具有較低冰點(diǎn)的不同流體用作熱傳遞流體。同樣，極高溫度得益于在顯著高溫下沸騰的高溫相容流體。因此，本發(fā)明通過迄今未見的方式提供了一種系統(tǒng)及設(shè)備，其配置成使用多個(gè)流體在大溫度范圍內(nèi)加熱和/或冷卻工件。
[0016]現(xiàn)參照附圖，圖1圖示出根據(jù)本發(fā)明幾方面的示例性靜電夾緊系統(tǒng)100的框圖。根據(jù)一個(gè)示例，靜電夾緊系統(tǒng)包括靜電夾盤(ESC) 102,該靜電夾盤包括一個(gè)或多個(gè)電極104， 這些電極配置成借由電源供應(yīng)器110、經(jīng)由流過一個(gè)或多個(gè)電極的電流將工件106靜電吸引至靜電夾盤的表面108。如上所述，在各種半導(dǎo)體過程中，需要經(jīng)由流過ESC的流體來加熱和/或冷卻ESC 102,以便該流體行使熱傳遞介質(zhì)的作用，從而在處理(諸如，離子注入)之前、同時(shí)或之后加熱和/或冷卻工件106。例如，本發(fā)明的靜電夾緊系統(tǒng)100能夠容易在極大的溫度范圍內(nèi)(例如，-1 〇〇 °C至+500 °C)執(zhí)行。[〇〇17]本發(fā)明的ESC 102包含穿過其中的一個(gè)或多個(gè)流體通道112(亦稱為通路或路徑)。 本發(fā)明進(jìn)一步提供多個(gè)流體源114A至114n，這些流體源具有與其相關(guān)聯(lián)的各自的多個(gè)流體 116A至116n，其中多個(gè)流體中的每一流體在化學(xué)上彼此相異，且各自具有針對(duì)不同溫度范圍加以優(yōu)化的與其相關(guān)聯(lián)的各自的可行流體溫度范圍。
[0018]例如，多個(gè)流體116包括水、碳氟化合物、空氣、壓縮干燥空氣(CDA)、干燥氮、氬及各種其他液體和氣體中的一個(gè)或多個(gè)，這些流體各自具有與多個(gè)流體中的其余流體不同的沸點(diǎn)和/或冰點(diǎn)，并且/或者適于沖洗一個(gè)或多個(gè)流體通道112,從而防止凍結(jié)或在不同溫度下進(jìn)行操作的其他有害影響。換言之，與各流體116相關(guān)聯(lián)的可行流體溫度范圍包括液體溫度范圍和氣體溫度范圍中的一個(gè)或多個(gè)溫度范圍，在液體溫度范圍及氣體溫度范圍內(nèi)，多個(gè)流體中的每一流體在大氣壓或其他高壓或低壓下保持呈液態(tài)及氣態(tài)中的一個(gè)或多個(gè)狀〇
[0019]根據(jù)一個(gè)示例，提供閥組件118且其配置成使多個(gè)流體源114中的每一流體源選擇性流體耦接至ESC 102的一個(gè)或多個(gè)流體通道112。例如，閥組件118包括與多個(gè)流體源114 及一個(gè)或多個(gè)流體通道112相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥120。本發(fā)明進(jìn)一步提供熱單元122， 其與一個(gè)或多個(gè)流體通道112流體連通且配置成將多個(gè)流體116加熱和/或冷卻至一個(gè)或多個(gè)預(yù)定溫度設(shè)定點(diǎn)。盡管在圖1中示出一個(gè)熱單元122,但應(yīng)理解到，亦可涵蓋多個(gè)熱單元， 其中各熱單元與各自的流體源114相關(guān)聯(lián)。
[0020]進(jìn)一步，控制器124配置成經(jīng)由對(duì)閥組件118的控制使ESC 102的一個(gè)或多個(gè)流體通道112選擇性與多個(gè)流體源114中的所選一個(gè)或多個(gè)流體源流體耦接。例如，控制器124配置成打開及關(guān)閉一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥120,其中使ESC 102的一個(gè)或多個(gè)流體通道112選擇性流體耦接至多個(gè)流體源114中的所選一個(gè)或多個(gè)流體源。
[0021]根據(jù)一個(gè)示例性方面，控制器124配置成基于一個(gè)或多個(gè)沖洗條件來打開及關(guān)閉一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥120。一個(gè)或多個(gè)沖洗條件例如包括多個(gè)流體之間的化學(xué)相容性。替選地，在另一示例中，一個(gè)或多個(gè)沖洗條件包括以下條件中的一個(gè)或多個(gè):多個(gè)流體116中的一個(gè)或多個(gè)流體的沸點(diǎn)及冰點(diǎn)。
[0022]在另一示例中，一個(gè)或多個(gè)沖洗條件是基于沖洗算法和查找表中的一個(gè)或多個(gè)， 查找表使與多個(gè)流體116中的每一流體相關(guān)聯(lián)的可行流體溫度范圍同與ESC 102上工件106 的處理相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定過程溫度相關(guān)。例如，控制器124配置成在滿足一個(gè)或多個(gè)沖洗條件中的至少一個(gè)沖洗條件時(shí)，利用多個(gè)流體中的第二流體116B自ESC 102的一個(gè)或多個(gè)流體通道112沖洗多個(gè)流體中的第一流體116A?？刂破?24可進(jìn)一步配置成基于滿足一個(gè)或多個(gè)沖洗條件中的至少另一沖洗條件，利用多個(gè)流體中的第三流體116C自靜電夾盤 102的一個(gè)或多個(gè)流體通道112沖洗多個(gè)流體中的第一流體116A及第二流體116B中的一個(gè)或多個(gè)流體。因此可預(yù)期，能夠提供任何數(shù)量的流體116及流體源114,且視為落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0023]根據(jù)一個(gè)示例，上述沖洗算法包括計(jì)時(shí)序列，該計(jì)時(shí)序列與在一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥 120打開和/或關(guān)閉期間的時(shí)間長度相關(guān)聯(lián)。進(jìn)一步，沖洗算法可包括各種其他準(zhǔn)則或指令， 諸如與多個(gè)流體116彼此的化學(xué)相容性相關(guān)的準(zhǔn)則。查找表例如可進(jìn)一步使與熱單元122相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定溫度設(shè)定點(diǎn)同與多個(gè)流體116中的每一流體相關(guān)聯(lián)的可行流體溫度范圍以及一個(gè)或多個(gè)預(yù)定處理溫度相關(guān)。[〇〇24] 在另一示例中，控制器124進(jìn)一步配置成控制熱單元122。例如，控制器124配置成至少部分基于多個(gè)流體源114中的所選一個(gè)或多個(gè)流體來控制熱單元122。在另一示例中， 控制器配置成進(jìn)行控制，即將與多個(gè)流體源114中的所選一個(gè)或多個(gè)流體源相關(guān)聯(lián)的多個(gè)流體116中的一個(gè)或多個(gè)流體加熱和/或冷卻至一個(gè)或多個(gè)預(yù)定溫度設(shè)定點(diǎn)。
[0025]根據(jù)又一示例，一個(gè)或多個(gè)流體通道112包括多個(gè)分立流體通道(未示出)，其中閥組件118配置成使多個(gè)流體源114中的一個(gè)或多個(gè)流體源選擇性流體耦接至ESC 102的多個(gè)分立流體通道中的一個(gè)或多個(gè)分立流體通道。例如，ESC 102可包括用于多個(gè)流體116中的每一流體的兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的冷卻路徑。因此，閥組件118配置成基于所需的處理?xiàng)l件來允許流體116的切換或調(diào)換。如此，氣體(例如，空氣、CDA、干燥氮、氬等)可用作多個(gè)流體 116中的一個(gè)流體，用于清洗ESC 102，從而在引入新的流體之前從ESC中清除一個(gè)流體。
[0026]在使用用于多個(gè)流體116的不同通路的系統(tǒng)中，可包括類似的沖凈方案。這種沖凈方案對(duì)于諸如水的流體116而言十分重要，因?yàn)樗趦鼋Y(jié)時(shí)趨于膨脹。然而，在其他情形中， 沖凈可能并非必要。例如，若使用在凍結(jié)時(shí)收縮的流體116,則這種液體可能不會(huì)由于以下因素而損害系統(tǒng)100,即簡單使流體就地留在適當(dāng)位置(例如，不停止流體流動(dòng)，但不將其自系統(tǒng)100沖凈)，從而不允許其凍結(jié)。這種情形自熱傳遞的觀點(diǎn)而言也十分有利，原因在于現(xiàn)在可能以其他方式成為空隙的空間(例如，一個(gè)或多個(gè)流體通道112)會(huì)在其中具有材料，從而有助于熱的傳遞。
[0027]進(jìn)一步，由于流體116的熱屬性可能隨溫度而發(fā)生變化，故可能會(huì)需要調(diào)換流體以在給定的溫度范圍內(nèi)優(yōu)化熱傳遞。同樣，可能會(huì)需要基于工藝參數(shù)來調(diào)換流體116,這些工藝參數(shù)諸如可要求流體(例如，水)的高流量的高功率離子注入，而低功率離子注入可借由流動(dòng)的氣體(例如，氮)而充分冷卻。[〇〇28]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，圖2圖示出示例性處理系統(tǒng)200,其中能夠有利地實(shí)施圖1 的靜電夾緊系統(tǒng)100。在本實(shí)施例中，圖2的處理系統(tǒng)200包括離子注入系統(tǒng)201，但亦涵蓋其他各類型的處理系統(tǒng)，如等離子處理系統(tǒng)、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)系統(tǒng)或其他半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。離子注入系統(tǒng)201例如包括終端202、束線總成204及終端站206。[〇〇29] 一般而言，終端202中的離子源208耦接至電源供應(yīng)器210,以使摻雜劑氣體離子化成多個(gè)離子且形成離子束212。在本實(shí)施例中，引導(dǎo)離子束212穿過射束控向設(shè)備214且穿出穿孔216射向終端站206。在終端站206中，離子束212轟擊工件218(例如，硅晶片、顯示面板等半導(dǎo)體)，該工件118選擇性地夾至或安裝至夾盤220(例如，靜電夾盤或ESC，諸如圖1的 ESC 102)。一旦注入的離子嵌入圖2的工件218的晶格時(shí)，則其改變工件的物理和/或化學(xué)性質(zhì)。鑒此，離子注入用于半導(dǎo)體裝置的制造和金屬表面處理以及材料科學(xué)研究中的各種應(yīng)用中。
[0030]本發(fā)明的離子束212可采取任何形式，如筆形束或點(diǎn)束、帶狀束、掃描束或使離子指向終端站206的任何其他形式，并且所有這些形式均屬本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0031]根據(jù)一典型方面，終端站206包括處理腔室222,諸如真空腔室，其中處理環(huán)境224 與該處理腔室關(guān)聯(lián)。處理環(huán)境224—般存在于處理腔室222內(nèi)，在一個(gè)實(shí)施例中，處理環(huán)境 126包括由耦接至處理腔室并配置成大體上將該處理腔室抽成真空的真空源(例如，真空栗)所產(chǎn)生的真空。[〇〇32]在利用離子注入系統(tǒng)201注入期間，隨著帶點(diǎn)離子與工件碰撞，能量可在工件218 上以熱量形式積聚。倘若缺乏防范措施，這種熱量可能會(huì)使工件218翹曲或破裂，這在某些實(shí)施方案中會(huì)致使工件無用(或可用性顯著降低)。該熱量還會(huì)造成傳遞至工件218的離子量與所需量不同，這會(huì)改變所需的功能性。舉例而言，若需將每平方厘米lxl〇17個(gè)原子的劑量注入略在工件218外表面之下的極薄區(qū)域中，不理想的熱量可能導(dǎo)致所傳遞的離子自該極薄區(qū)域向外擴(kuò)散，以致實(shí)際獲得的用量少于每平方厘米lxl〇17個(gè)原子。實(shí)際上，不理想的熱量會(huì)在比所需區(qū)域更大的區(qū)域范圍內(nèi)“涂污(smear)”所注入的電荷，由此使有效用量降低至少于所需量。由于工件218的不理想熱量還會(huì)發(fā)生其他不良效應(yīng)?？赡苓M(jìn)一步需在低于或高于環(huán)境溫度的溫度下注入離子，以使工件218的表面達(dá)成理想的非晶化，從而能夠在先進(jìn)的CMOS集成電路裝置制備中形成超淺接面。在這種情況下，工件218的冷卻合乎需要。在其他情況下，需要在注入或其他處理期間進(jìn)一步加熱工件218以便輔助處理(例如，諸如向碳化硅中的高溫注入)。[〇〇33]因此，根據(jù)另一實(shí)施例，夾盤220包括受控溫度夾盤230,其中受控溫度夾盤配置成支撐工件且在工件暴露于離子束212期間選擇性將工件218冷卻、加熱或以其他方式保持在處理腔室222內(nèi)的工件118上的預(yù)定溫度。如此，應(yīng)當(dāng)指出，本示例中的受控溫度夾盤230可包括配置成支撐及冷卻工件218的低于周圍溫度的夾盤，或配置成支撐及加熱過程腔室222 內(nèi)的工件的高于周圍溫度的夾鉗。在另一示例中，受控溫度夾盤230可不向工件提供加熱或冷卻。[〇〇34]例如，受控溫度夾盤230包括靜電夾盤102,該靜電夾盤配置成將工件218冷卻或加熱至處理溫度，該處理溫度分別顯著低于或高于周圍或外部環(huán)境232(例如，亦稱為“大氣環(huán)境”)的周圍或大氣溫度?？蛇M(jìn)一步提供熱系統(tǒng)234,其中在另一示例中，該熱系統(tǒng)配置成將受控溫度夾盤230以及駐留于其上的工件218冷卻或加熱至處理溫度。例如，圖2的受控溫度夾盤230及熱系統(tǒng)234可包括圖1的靜電夾緊系統(tǒng)100的某些或全部組件。在一個(gè)示例中，靜電夾緊系統(tǒng)100進(jìn)一步經(jīng)由與處理系統(tǒng)200的各種控制方面相關(guān)聯(lián)的控制器236來控制。
[0035]雖然已就某些實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明加以闡述，但需指出，上述實(shí)施方案僅作為實(shí)施本發(fā)明某些實(shí)施方案的實(shí)施例，本發(fā)明的應(yīng)用并非局限于這些實(shí)施方案。特別關(guān)于由上述組件(總成、裝置、電路等)執(zhí)行的各種功能，若非特別注明，否則用于描述這些組件的術(shù)語 (包括提及“構(gòu)件”)旨在對(duì)應(yīng)于執(zhí)行所述組件的特定功能(即功能上等同)的任意部件，即便其在結(jié)構(gòu)上不等同于執(zhí)行本文所述的本發(fā)明典型實(shí)施方案所公開的結(jié)構(gòu)亦然。進(jìn)一步，雖然僅就多個(gè)實(shí)施方案中的一種方案公開本發(fā)明的特定特征，如若適于或利于任何指定或特定應(yīng)用，則這一特征可結(jié)合其它實(shí)施方案的一個(gè)或多個(gè)其他特征。相應(yīng)地，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方案，但旨在僅受所附權(quán)利要求書及其等同變化的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種靜電夾緊系統(tǒng)，其包括: 靜電夾盤，其具有一個(gè)或多個(gè)電極和夾緊表面，其中所述靜電夾盤配置成經(jīng)由流過所述一個(gè)或多個(gè)電極的電流來支撐且靜電夾緊連至該靜電夾盤的工件，并且其中所述靜電夾盤包括一個(gè)或多個(gè)穿過其中的一個(gè)或多個(gè)流體通道； 多個(gè)流體源，其具有與其相關(guān)聯(lián)的各自的多個(gè)流體，其中所述多個(gè)流體中的每一流體在化學(xué)上彼此相異且具有與其相關(guān)聯(lián)的各自的可行流體溫度范圍； 熱單元，其配置成將多個(gè)流體加熱及/或冷卻至一個(gè)或多個(gè)預(yù)定溫度設(shè)定點(diǎn)； 閥組件，其配置成使所述多個(gè)流體源中的每一流體源選擇性流體耦接至所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道;以及 控制器，其配置成經(jīng)由對(duì)所述閥組件的控制使所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道選擇性與所述多個(gè)流體源中的所選一個(gè)或多個(gè)流體源流體耦接。2.如權(quán)利要求1所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述閥組件包括一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥，其中所述控制器配置成打開及關(guān)閉所述一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥，其中使所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道選擇性流體耦接至所述多個(gè)流體源中的所選一個(gè)或多個(gè)流體源。3.如權(quán)利要求2所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述控制器配置成基于一個(gè)或多個(gè)沖洗條件來打開及關(guān)閉所述一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥。4.如權(quán)利要求3所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)沖洗條件是基于沖洗算法及查找表中的一個(gè)或多個(gè)，所述查找表使與所述多個(gè)流體中的每一流體相關(guān)聯(lián)的可行流體溫度范圍同與所述靜電夾盤上的工件的處理相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定過程溫度相關(guān)。5.如權(quán)利要求4所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述控制器配置成在滿足所述一個(gè)或多個(gè)沖洗條件中的至少一個(gè)沖洗條件時(shí)，利用所述多個(gè)流體中的第二流體自所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道沖洗所述多個(gè)流體中的第一流體。6.如權(quán)利要求5所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述控制器進(jìn)一步配置成基于滿足所述一個(gè)或多個(gè)沖洗條件中的至少另一個(gè)沖洗條件，利用所述多個(gè)流體中的第三流體自所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道沖洗所述多個(gè)流體中的所述第一流體及所述第二流體中的一個(gè)或多個(gè)流體。7.如權(quán)利要求4所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述沖洗算法包括計(jì)時(shí)序列，該計(jì)時(shí)序列與在所述一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥打開和/或關(guān)閉期間的時(shí)間長度相關(guān)聯(lián)。8.如權(quán)利要求4所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述查找表進(jìn)一步使所述一個(gè)或多個(gè)預(yù)定溫度設(shè)定點(diǎn)同與所述多個(gè)流體中的每一流體及所述一個(gè)或多個(gè)預(yù)定過程溫度相關(guān)聯(lián)的所述可行流體溫度范圍相關(guān)。9.如權(quán)利要求3所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)沖洗條件包括所述多個(gè)流體之間的化學(xué)相容性。10.如權(quán)利要求1所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述控制器進(jìn)一步配置成控制所述熱單元，其中將與多個(gè)流體源中的所選一個(gè)或多個(gè)流體源相關(guān)聯(lián)的多個(gè)流體中的所述一個(gè)或多個(gè)流體加熱和/或冷卻至所述一個(gè)或多個(gè)預(yù)定溫度設(shè)定點(diǎn)。11.如權(quán)利要求1所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述控制器進(jìn)一步配置成至少部分基于所述多個(gè)流體源中的所選一個(gè)或多個(gè)流體源來控制所述熱單元。12.如權(quán)利要求1所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述多個(gè)流體中的一個(gè)流體的沸點(diǎn)不同于所述多個(gè)流體中的其余流體的沸點(diǎn)。13.如權(quán)利要求1所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述多個(gè)流體中的一個(gè)流體的冰點(diǎn)不同于 所述多個(gè)流體中的其余流體的冰點(diǎn)。14.如權(quán)利要求1所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)流體通道包括多個(gè)分立流 體通道，并且其中所述閥組件配置成使所述多個(gè)流體源中的一個(gè)或多個(gè)流體源選擇性流體 耦接至所述靜電夾盤的所述多個(gè)分立流體通道中的一個(gè)或多個(gè)分立流體通道。15.如權(quán)利要求1所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述多個(gè)流體中的每一流體的所述可行流 體溫度范圍包含一個(gè)溫度范圍，在該溫度范圍下，所述多個(gè)流體中的每一流體保持呈液態(tài) 及氣態(tài)中的一個(gè)或多個(gè)狀態(tài)。16.—種靜電夾緊系統(tǒng)，其包括:靜電夾盤，其具有一個(gè)或多個(gè)電極和夾緊表面，其中所述靜電夾盤配置成經(jīng)由流過所 述一個(gè)或多個(gè)電極的電流來支撐且靜電夾緊連至該靜電夾盤的工件，并且其中所述靜電夾 盤包括一個(gè)或多個(gè)穿過其中的一個(gè)或多個(gè)流體通道；多個(gè)流體源，其具有與其相關(guān)聯(lián)的各自的多個(gè)流體，其中所述多個(gè)流體中的每一流體 在化學(xué)上彼此相異且具有與其相關(guān)聯(lián)的各自的可行流體溫度范圍；熱單元，其配置成將多個(gè)流體加熱及/或冷卻至一個(gè)或多個(gè)預(yù)定溫度設(shè)定點(diǎn)；閥組件，其包括一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥，所述一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥配置成使所述多個(gè)流體源 中的每一流體源選擇性流體耦接至所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道;以及控制器，其配置成基于一個(gè)或多個(gè)沖洗條件來選擇性打開及關(guān)閉所述一個(gè)或多個(gè)自動(dòng) 閥，其中使所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道選擇性與所述多個(gè)流體源中的所選一 個(gè)或多個(gè)流體源流體耦接。17.如權(quán)利要求16所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)沖洗條件是基于沖洗算 法及查找表中的一個(gè)或多個(gè)，所述查找表使與所述多個(gè)流體中的每一流體相關(guān)聯(lián)的可行流 體溫度范圍同與所述靜電夾盤上的工件的處理相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定過程溫度相關(guān)。18.如權(quán)利要求16所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)沖洗條件包括所述多個(gè) 流體之間的化學(xué)相容性。19.如權(quán)利要求16所述的靜電夾緊系統(tǒng)，其中所述多個(gè)流體中的每一流體的所述可行 流體溫度范圍包含一個(gè)液體溫度范圍，在該溫度范圍下，所述多個(gè)流體中的每一流體保持 呈液態(tài)。20.—種靜電夾緊系統(tǒng)，其包括:靜電夾盤，其具有一個(gè)或多個(gè)電極和夾緊表面，其中所述靜電夾盤配置成經(jīng)由流過所 述一個(gè)或多個(gè)電極的電流來支撐且靜電夾緊連至該靜電夾盤的工件，并且其中所述靜電夾 盤包括一個(gè)或多個(gè)穿過其中的一個(gè)或多個(gè)流體通道；多個(gè)流體源，其具有與其相關(guān)聯(lián)的各自的多個(gè)流體，其中所述多個(gè)流體中的每一流體 在化學(xué)上彼此相異且具有與其相關(guān)聯(lián)的各自的可行流體溫度范圍；熱單元，其配置成將多個(gè)流體加熱及/或冷卻至一個(gè)或多個(gè)預(yù)定溫度設(shè)定點(diǎn)；閥組件，其包括一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥，所述一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥配置成使所述多個(gè)流體源 中的每一流體源選擇性流體耦接至所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道;以及控制器，其配置成基于一個(gè)或多個(gè)沖洗條件來選擇性打開及關(guān)閉所述一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)閥，其中使所述靜電夾盤的所述一個(gè)或多個(gè)流體通道與所述多個(gè)流體源中的所選一個(gè)或多個(gè)流體源選擇性地流體耦接，其中所述一個(gè)或多個(gè)沖洗條件是基于沖洗算法及查找表中的一個(gè)或多個(gè)，所述查找表使與所述多個(gè)流體中的每一流體相關(guān)聯(lián)的所述可行流體溫度范圍及化學(xué)相容性同與所述靜電夾盤上的所述工件的處理相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定過程溫度相關(guān)。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK105981152SQ201580007888
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2015年2月6日
【發(fā)明人】威廉·戴維斯·李, 史蒂夫·德拉蒙德
【申請(qǐng)人】艾克塞利斯科技公司