一種可擴展高集成有源相控陣天線的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種可擴展高集成有源相控陣天線，其基本結(jié)構(gòu)包括天線陣面、熱控結(jié)構(gòu)、TR組件陣列、二級饋電網(wǎng)絡(luò)、一級饋電網(wǎng)絡(luò)、電源模塊和波控模塊，本發(fā)明通過下述方案予以實現(xiàn)：TR組件陣列采用磚塊式線陣方式設(shè)計，以八通道TR組件作為線陣子陣并按八通道TR組件的整數(shù)倍進(jìn)行擴展；天線陣面、熱控結(jié)構(gòu)、二級饋電網(wǎng)絡(luò)、一級饋電網(wǎng)絡(luò)、電源模塊和波控模塊采用瓦片形式堆疊設(shè)計；低頻柔性連接器集成TR組件的電源供電及開關(guān)、移相、衰減等低頻控制信號的饋電，實現(xiàn)TR組件與電源、波控模塊之間低頻饋電的高集成無電纜垂直互聯(lián)。本發(fā)明在具有傳統(tǒng)磚塊式架構(gòu)高功率、大掃描角優(yōu)勢的同時，具有瓦片式架構(gòu)縱向剖面高度低、集成度高、插損小且可二維擴展的優(yōu)勢。
【專利說明】
一種可擴展高集成有源相控陣天線
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種有源相控陣天線，尤其是一種可擴展高集成有源相控陣天線。
【背景技術(shù)】
[0002]有源相控陣天線作為相控陣?yán)走_(dá)的核心部分，其集成水平?jīng)Q定了整個系統(tǒng)的性能與成本。工作頻率越高，每個陣元的面積越小，集成度要求越高。有源相控陣天線集成的陣列結(jié)構(gòu)有兩種:基于瓦片式面子陣的橫向集成縱向組裝和基于磚塊式線子陣的縱向集成橫向組裝。
[0003]瓦片式有源天線的高集成、低剖面、低質(zhì)量面密度及電訊和結(jié)構(gòu)上二維可擴充等特點，使其可適應(yīng)于機載、星載等高密度集成、低質(zhì)量面密度相控陣?yán)走_(dá)的需求。不過，瓦片式有源天線受制于其縱向尺寸空間的限制，單元通道的發(fā)射功率較小，難以在使用空間狹小、陣面面積受到限制如彈載、機載火控等用途中達(dá)到天線單元間距小、單元通道發(fā)射功率大的要求，實現(xiàn)大掃描角度、大功率遠(yuǎn)距離探測的目的。
[0004]磚塊式有源天線是最常用的陣列結(jié)構(gòu)，元器件放置方向垂直于相控陣天線孔徑平面。磚塊式單通道功率可以做得更大，而單元間距可以做得更小，當(dāng)系統(tǒng)要求的發(fā)射功率相同時，磚塊式較瓦片式所需單元通道數(shù)少、陣面面積小、掃描角度大。因此，磚塊式有源相控陣天線仍是目前最流行的相控陣天線集成方式之一。磚塊式子陣集成的典型例子是AN/APG — 77有源相控陣機載雷達(dá)，雷聲公司開發(fā)的35GHz低成本相控陣導(dǎo)引頭，俄羅斯的全球空間監(jiān)視雷達(dá)等。
[0005]圖1所示是一種現(xiàn)有技術(shù)磚塊式有源相控陣天線的原理示意圖?，F(xiàn)有技術(shù)磚塊式結(jié)構(gòu)有源相控陣天線采用線陣做為子陣，每條線陣是一個相對獨立的模塊，由縱向設(shè)計的TR組件、波控模塊、電源模塊和列饋電網(wǎng)絡(luò)組成。完成對每條線陣的單獨調(diào)試后，將多個線陣子陣并排放置與熱控結(jié)構(gòu)和天線陣面安裝在一起，并在所有線陣后面用行饋電網(wǎng)絡(luò)連接各列饋電網(wǎng)絡(luò)，形成一個先列饋后行饋的磚塊式有源陣面。
[0006]這種現(xiàn)有技術(shù)的磚塊式有源相控陣天線可以方便地拆卸任一線陣進(jìn)行測試和維護，實現(xiàn)部件級的外場可更換維修。不過，這種現(xiàn)有技術(shù)的磚塊式有源相控陣天線的不足之處在于:每個線陣需要獨立的波控、電源等控制模塊，導(dǎo)致系統(tǒng)所需波控、電源芯片數(shù)量龐大;列饋電網(wǎng)絡(luò)縱向尺寸大，導(dǎo)致整個有源陣面的縱向剖面高度過大，對安裝平臺的縱向空間要求高；同時，垂直于陣面的縱向尺寸大，導(dǎo)致信號傳輸距離遠(yuǎn)、插損大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種將現(xiàn)有線陣磚塊式架構(gòu)與瓦片式架構(gòu)相結(jié)合的可擴展高集成有源相控陣天線，在具有磚塊式高功率、大掃描角度優(yōu)勢的同時，具有瓦片式縱向剖面高度低、集成度高、插損小的特點。
[0008]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:一種可擴展高集成有源相控陣天線，包括天線陣面、熱控結(jié)構(gòu)、TR組件陣列、二級饋電網(wǎng)絡(luò)、一級饋電網(wǎng)絡(luò)、電源模塊和波控模塊，TR組件陣列采用磚塊式線陣方式，以八通道TR組件作為線陣子陣并按八通道TR組件的整數(shù)倍進(jìn)行擴展;天線陣面、熱控結(jié)構(gòu)、二級饋電網(wǎng)絡(luò)、一級饋電網(wǎng)絡(luò)、電源模塊和波控模塊采用瓦片形式堆疊設(shè)計，TR組件陣列位于熱控結(jié)構(gòu)和二級饋電網(wǎng)絡(luò)之間；波控模塊和電源模塊通過低頻柔性連接器與TR組件陣列相連;一級饋電網(wǎng)絡(luò)、二級饋電網(wǎng)絡(luò)和TR組件陣列通過第一 SMP盲配連接器相連，實現(xiàn)發(fā)射信號的功率分配和接收信號的功率合成功能;TR組件陣列的收發(fā)通道通過第二 SMP盲配連接器與天線陣面的輻射單元相連，完成電磁波的輻射、接收和波束掃描功能;天線陣面采用微帶貼片作為輻射單元；
[0009]優(yōu)選的，所述八通道TR組件集成八個通道的發(fā)射功率放大芯片、接收低噪聲芯片和具有移相衰減及收發(fā)控制功能的多功能芯片并采用模塊化封裝；
[0010]優(yōu)選的，所述低頻柔性連接器與二級功分合成網(wǎng)絡(luò)以瓦片形式設(shè)計在同一層，同時，低頻柔性連接器集成64通道TR組件陣列的電源供電及開關(guān)、移相、衰減等低頻控制信號的饋電，實現(xiàn)各八通道TR組件與電源模塊、波控模塊之間低頻饋電的高集成無電纜垂直互聯(lián)；
[0011]優(yōu)選的，熱控結(jié)構(gòu)中的液冷微流道由中空的金屬腔體組成封閉的管道，通過流經(jīng)管道的液冷流體將熱量帶出有源陣面，實現(xiàn)冷卻散熱的功能；
[0012]優(yōu)選的，所述第二SMP盲配連接器內(nèi)嵌在熱控結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)TR組件陣列、熱控結(jié)構(gòu)和天線陣面的無縫對接；
[0013]優(yōu)選的，天線陣面與第二SMP盲配連接器、TR組件陣列、第一SMP盲配連接器、二級功分合成網(wǎng)絡(luò)、第三SMP盲配連接器、一級功分合成網(wǎng)絡(luò)和射頻總口組成射頻信號收發(fā)通道，其中第三SMP盲配連接器用于連接一級功分合成網(wǎng)絡(luò)和二級功分合成網(wǎng)絡(luò)；
[0014]優(yōu)選的，電源總口、電源模塊和低頻柔性連接器組成電源饋電通路，完成對TR組件陣列的供電；
[0015]優(yōu)選的，波控總口、波控模塊和低頻柔性連接器組成控制信號傳輸通路，完成對TR組件陣列中開關(guān)、移相器和衰減器的控制；
[0016]陣面按八通道TR組件的整數(shù)倍進(jìn)行擴展，利用八個并排放置的八通道TR組件形成
8X 8陣列，或利用16個并排放置的八通道TR組件形成8 X 16陣列;天線陣面中輻射單元的數(shù)量及平面布局與TR組件陣列的通道數(shù)目和平面布局一致，一級饋電網(wǎng)絡(luò)和二級饋電網(wǎng)絡(luò)的分口數(shù)量、電源模塊的供電能力及波控模塊輸出的控制信號路數(shù)同比例增加。
[0017]本發(fā)明的有益效果是:
[0018]本發(fā)明的一種可擴展高集成有源相控陣天線的TR組件陣列以磚塊式線陣為子陣實現(xiàn)，天線陣面、饋電網(wǎng)絡(luò)、波控、電源等以瓦片式架構(gòu)層層堆疊實現(xiàn)。本發(fā)明在具有傳統(tǒng)磚塊式架構(gòu)高功率、大掃描角優(yōu)勢的同時，具有瓦片式縱向剖面高度低、集成度高、插損小的的特點，且二維可擴展；
[0019]本發(fā)明的饋電網(wǎng)絡(luò)由兩層瓦片式堆疊的一級饋電網(wǎng)絡(luò)和二級饋電網(wǎng)絡(luò)組成，有源天線的功分合成網(wǎng)絡(luò)數(shù)量是現(xiàn)有磚塊式線陣技術(shù)方案的一半，同時，避免了現(xiàn)有磚塊式技術(shù)的饋電網(wǎng)絡(luò)垂直于陣面方向?qū)е驴v向厚度難以降低、層間垂直互聯(lián)距離遠(yuǎn)、插損大的缺占.V ，
[0020]本發(fā)明的低頻柔性連接器與二級功分合成網(wǎng)絡(luò)以瓦片形式設(shè)計在同一層，節(jié)省了有源天線的縱向空間，同時，低頻柔性連接器集成64通道TR組件的電源供電及開關(guān)、移相、衰減等低頻控制信號的饋電，實現(xiàn)TR組件與電源、波控模塊之間低頻饋電的高集成無電纜垂直互聯(lián)；
[0021]本發(fā)明電源、波控模塊以瓦片形式堆疊設(shè)計，避免了現(xiàn)有技術(shù)每個線陣具有獨立的電源波控模塊導(dǎo)致系統(tǒng)設(shè)計復(fù)雜、所需元器件數(shù)量過多的缺點。
【附圖說明】
[0022]圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)磚塊式有源相控陣天線的原理示意圖；
[0023]圖2是本發(fā)明一種可擴展高集成有源相控陣天線的原理示意圖；
[0024]圖3是圖2的一種可擴展高集成有源相控陣天線的三維透視圖；
[0025]圖4是圖2的天線陣面的三維俯視圖；
[0026]圖5是圖2的熱控結(jié)構(gòu)的三維俯視圖；
[0027]圖6是圖2的TR組件陣列的三維俯視圖；
[0028]圖7是圖2的二級饋電網(wǎng)絡(luò)的三維俯視圖；
[0029]圖8是圖2的一級饋電網(wǎng)絡(luò)的三維俯視圖；
[0030]圖9是圖2的電源模塊和波控模塊的三維俯視圖；
[0031]圖10是本發(fā)明一種可擴展高集成有源相控陣天線16GHz接收方位向-60度掃描方向圖；
[0032]圖11是本發(fā)明一種可擴展高集成有源相控陣天線16GHz發(fā)射方位向+60度掃描方向圖；
[0033]圖中:1、天線陣面，11、天線輻射單元，12、天線支撐層;2、熱控結(jié)構(gòu)，21、第二SMP盲配連接器，22、液冷微流道，221、液冷微流道進(jìn)口，222、液冷微流道出口； 3、TR組件陣列，31、八通道TR組件，32、TR組件分口，33、TR組件低頻饋電口，34、TR組件總口；4、二級饋電網(wǎng)絡(luò)，41、第一 SMP盲配連接器，42、二級功分合成網(wǎng)絡(luò)，421、二級饋電分口，422、二級饋電總口，43、低頻柔性連接器，431、低頻饋電分口，432、電源饋電總口，433、波控饋電總口；5、級饋電網(wǎng)絡(luò)，51、第三SMP盲配連接器，52、一級功分合成網(wǎng)絡(luò)，521、一級饋電分口，53、射頻總口； 6、電源模塊，61、電源輸出口，62、電源總口； 7、波控模塊，71、波控輸出口，72、波控總口。
【具體實施方式】
[0034]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0035]下面結(jié)合實施例和【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0036]實施例參閱圖2-9。在以下描述的實施例中，以一種可擴展高集成有源相控陣天線工作在16GHz為例，陣列規(guī)模取為8 X8。該可擴展高集成有源相控陣天線由天線陣面1、熱控結(jié)構(gòu)2、TR組件陣列3、二級饋電網(wǎng)絡(luò)4、一級饋電網(wǎng)絡(luò)5、電源模塊6和波控模塊7組成。TR組件陣列3以磚塊式線陣為子陣實現(xiàn)，二級饋電網(wǎng)絡(luò)4、一級饋電網(wǎng)絡(luò)5、電源模塊6和波控模塊7以瓦片式架構(gòu)層層堆疊實現(xiàn)。
[0037]參閱圖3和圖4。天線陣面I由8X8個矩陣排列的微帶形式天線輻射單元11和天線支撐層12組成;64個天線輻射單元11由微帶貼片組成，以0.48個波長作為輻射單元間距，實現(xiàn)方位向和俯仰向正負(fù)60度波束掃描;天線支撐層12為背面鍍銅的介質(zhì)層，起到接地和支撐天線輻射單元的作用。
[0038]參閱圖3和圖5。熱控結(jié)構(gòu)2由液冷微流道22和8X 8個矩陣排列的第二SMP盲配連接器21組成;液冷微流道22由中空的金屬腔體組成封閉的管道，液冷流體由液冷微流道進(jìn)口221進(jìn)入管道再由液冷微流道出口 222流出，將熱量帶出有源陣面，實現(xiàn)冷卻散熱的功能;第二SMP盲配連接器21內(nèi)嵌在液冷微流道22的空隙中，起到連接天線輻射單元11和TR組件分口 32的作用。
[0039]參閱圖3和圖6 JR組件陣列3由8個八通道TR組件31并排放置而成，形成以八通道磚塊式線陣為子陣的面陣;八通道TR組件31包含8個通道的發(fā)射功率放大芯片、接收低噪聲芯片和具有移相衰減及收發(fā)控制功能的多功能芯片并采用模塊化封裝;八通道TR組件31的上下兩段分別布置有8個TR組件分口 32、2個TR組件總口 34和I個TR組件低頻饋電口 33; 8 X 8個矩陣排列的TR組件分口 32向上通過64個第二SMP盲配連接器21與8 X 8個矩陣排列的天線福射單元11 —對應(yīng)相連接。
[0040]參閱圖3和圖7。二級饋電網(wǎng)絡(luò)4由16個第一 SMP盲配連接器41、4個一分四的二級功分合成網(wǎng)絡(luò)42和I個低頻柔性連接器43組成;4個二級功分合成網(wǎng)絡(luò)42對稱分布在I個低頻柔性連接器43的左右兩邊;每個二級功分合成網(wǎng)絡(luò)42有4個二級饋電分口 421和I個二級饋電總口 422，共16個二級饋電分口 421向上通過16個第一SMP盲配連接器41與16個TR組件總口 34—一對應(yīng)相連接;8個低頻饋電分口 431為低頻柔性連接器43的輸出端口，向上與8個TR組件低頻饋電口 33—一對應(yīng)相連接，實現(xiàn)64個通道TR組件的電源和控制信號的輸入。
[0041 ] 參閱圖3和圖8。一級饋電網(wǎng)絡(luò)5由4個第三SMP盲配連接器51、一分四的一級功分合成網(wǎng)絡(luò)52和射頻總口 53組成;4個一級饋電分口 521向上通過4個第三SMP盲配連接器51與4個二級饋電總口 422—一對應(yīng)相連接;射頻總口 53為50歐姆的射頻同軸電纜，向上與一級功分合成網(wǎng)絡(luò)52的總口焊接在一起。
[0042]參閱圖3和圖9。電源模塊6由一個正八伏輸出的Vi cor電源芯片、一個正五伏輸出的Vicor電源芯片、一個負(fù)五伏的Vicor電源芯片和10毫法以上的儲能電容組成；電源總口62由兩根導(dǎo)線雙絞而成并焊接在電源模塊6的輸入口上，電源輸出口 61與電源饋電總口 432相連;波控總口 72由4根導(dǎo)線組成兩對雙絞線，其中一對雙絞線作為計算機波控信號的輸入線，另一對雙絞線作為波控模塊的供電導(dǎo)線；
[0043]外部電源由電源總口 62輸入，經(jīng)電源模塊6變壓、穩(wěn)壓處理后，通過電源輸出口 61、電源饋電總口 432進(jìn)入低頻柔性連接器43，最后由8個低頻饋電分口 431分配給8個八通道TR組件31，實現(xiàn)對64個通道TR組件的供電。
[0044]計算機發(fā)出的波控指令由波控模塊7處理并輸出32位串行的二進(jìn)制控制碼，再經(jīng)波控輸出口 71、波控饋電總口 433進(jìn)入低頻柔性連接器43，最后由8個低頻饋電分口 431分配給8個八通道TR組件31，實現(xiàn)對64個通道TR組件的開關(guān)、移相和衰減的控制。
[0045]信號源發(fā)出的射頻信號由射頻總口53進(jìn)入一級功分合成網(wǎng)絡(luò)52分成4路射頻信號;4路射頻信號分別經(jīng)4個一級饋電分口 521、4個第三SMP盲配連接器51和4個二級饋電總口 422進(jìn)入4個一分四的二級功分合成網(wǎng)絡(luò)42分成16路射頻信號；16路射頻信號再經(jīng)16個二級饋電分口 421、16個第一 SMP盲配連接器41和16個TR組件總口 34進(jìn)入8個八通道TR組件31并被分成64路射頻信號;64路射頻信號經(jīng)64路TR組件的移相和放大后，再經(jīng)64個第二 SMP盲配連接器21進(jìn)入8X8個矩陣排列的天線輻射單元11，實現(xiàn)射頻信號的發(fā)射。
[0046]8X8個矩陣排列的天線輻射單元11接收到的空間射頻信號通過64個第二 SMP盲配連接器21進(jìn)入64路TR組件，經(jīng)放大、移相和衰減后，合并成16路射頻信號；16路射頻信號經(jīng)16個TR組件總口 34、16個第一 SMP盲配連接器41和二級饋電分口 421進(jìn)入二級功分合成網(wǎng)絡(luò)42，合并成4路射頻信號;4路射頻信號經(jīng)4個二級饋電總口 422、4個第三SMP盲配連接器51和4個一級饋電分口 521進(jìn)入一級功分合成網(wǎng)絡(luò)52，合并成I路射頻信號，最后經(jīng)射頻總口 53輸出，實現(xiàn)射頻信號的接收。
[0047]圖10給出了本發(fā)明一種可擴展高集成有源相控陣天線16GHz接收方位向-60度掃描方向圖。圖11給出了本發(fā)明一種可擴展高集成有源相控陣天線16GHz發(fā)射方位向+60度掃描方向圖。由這兩個曲線圖形，可以看出接收和發(fā)射方向圖無明顯惡化，能實現(xiàn)正負(fù)60度的大角度掃描。
[0048]總之，本發(fā)明提出的一種可擴展高集成有源相控陣天線在具有傳統(tǒng)磚塊式架構(gòu)高功率、大掃描角優(yōu)勢的同時，具有瓦片式縱向剖面高度低、集成度高、插損小的的特點，且二維可擴展。
[0049]以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種可擴展高集成有源相控陣天線，包括天線陣面(I)、熱控結(jié)構(gòu)(2)、TR組件陣列(3)、二級饋電網(wǎng)絡(luò)(4)、一級饋電網(wǎng)絡(luò)(5)、電源模塊(6)和波控模塊(7)，其特征在于:TR組件陣列(3)采用磚塊式線陣方式，以八通道TR組件(31)作為線陣子陣并按八通道TR組件(31)的整數(shù)倍進(jìn)行擴展;天線陣面(1)、熱控結(jié)構(gòu)(2)、二級饋電網(wǎng)絡(luò)(4)、一級饋電網(wǎng)絡(luò)(5)、電源模塊(6)和波控模塊(7)采用瓦片形式堆疊設(shè)計，TR組件陣列(3)位于熱控結(jié)構(gòu)(2)和二級饋電網(wǎng)絡(luò)(4)之間；波控模塊(7)和電源模塊(6)通過低頻柔性連接器(43)與TR組件陣列(3)相連；一級饋電網(wǎng)絡(luò)(5)、二級饋電網(wǎng)絡(luò)(4)和TR組件陣列(3)通過第一SMP盲配連接器(41)相連，實現(xiàn)發(fā)射信號的功率分配和接收信號的功率合成功能;TR組件陣列(3)的收發(fā)通道通過第二 SMP盲配連接器(21)與天線陣面(I)的輻射單元相連，完成電磁波的輻射、接收和波束掃描功能;天線陣面(I)采用微帶貼片作為輻射單元。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可擴展高集成有源相控陣天線，其特征在于:所述八通道TR組件(31)集成八個通道的發(fā)射功率放大芯片、接收低噪聲芯片和具有移相衰減及收發(fā)控制功能的多功能芯片并采用模塊化封裝。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可擴展高集成有源相控陣天線，其特征在于:所述低頻柔性連接器(43)與二級功分合成網(wǎng)絡(luò)以瓦片形式設(shè)計在同一層，同時，低頻柔性連接器(43)集成64通道TR組件陣列的電源供電及開關(guān)、移相、衰減等低頻控制信號的饋電，實現(xiàn)各八通道TR組件(31)與電源模塊(6)、波控模塊(7)之間低頻饋電的高集成無電纜垂直互聯(lián)。4.如權(quán)利要求1所述的一種可擴展高集成有源相控陣天線，其特征在于:熱控結(jié)構(gòu)(2)中的液冷微流道(22)由中空的金屬腔體組成封閉的管道，通過流經(jīng)管道的液冷流體將熱量帶出有源陣面，實現(xiàn)冷卻散熱的功能。5.如權(quán)利要求1所述的一種可擴展高集成有源相控陣天線，其特征在于:所述第二SMP盲配連接器(21)內(nèi)嵌在熱控結(jié)構(gòu)(2)中，實現(xiàn)TR組件陣列(3)、熱控結(jié)構(gòu)(2)和天線陣面(I)的無縫對接。6.如權(quán)利要求1所述的一種可擴展高集成有源相控陣天線，其特征在于:天線陣面(I)與第二SMP盲配連接器(21)、TR組件陣列(3)、第一SMP盲配連接器(41)、二級功分合成網(wǎng)絡(luò)(42),第三SMP盲配連接器(51)、一級功分合成網(wǎng)絡(luò)(52)和射頻總口(53)組成射頻信號收發(fā)通道，其中第三SMP盲配連接器(51)用于連接一級功分合成網(wǎng)絡(luò)(52)和二級功分合成網(wǎng)絡(luò)(42)。7.如權(quán)利要求1所述的一種可擴展高集成有源相控陣天線，其特征在于:電源總口(62)、電源模塊(6)和低頻柔性連接器(43)組成電源饋電通路，完成對TR組件陣列(3)的供電。8.如權(quán)利要求1所述的一種可擴展高集成有源相控陣天線，其特征在于:波控總口(72)、波控模塊(7)和低頻柔性連接器(43)組成控制信號傳輸通路，完成對TR組件陣列(3)中開關(guān)、移相器和衰減器的控制。9.如權(quán)利要求1所述的一種可擴展高集成有源相控陣天線，其特征在于:陣面按八通道TR組件(31)的整數(shù)倍進(jìn)行擴展，利用八個并排放置的八通道TR組件(31)形成8X8陣列，或利用16個并排放置的八通道TR組件(31)形成8X16陣列;天線陣面(I)中輻射單元的數(shù)量及平面布局與TR組件陣列(3)的通道數(shù)目和平面布局一致，一級饋電網(wǎng)絡(luò)(5)和二級饋電網(wǎng)絡(luò)(4)的分口數(shù)量、電源模塊(6)的供電能力及波控模塊(7)輸出的控制信號路數(shù)同比例增加。
【文檔編號】H01Q21/29GK105958214SQ201610305652
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年5月9日
【發(fā)明人】鄭林華, 張德智, 陳文蘭, 詹珍賢, 劉建勇
【申請人】中國電子科技集團公司第三十八研究所