半導(dǎo)體晶圓清潔系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備的實(shí)施例。在一方面，半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備可包括第一支撐單元、具有第一腔室的可移動單元、具有第二腔室的第二支撐單元及第三支撐單元。當(dāng)使該第一腔室與該第二腔室接觸時(shí)，形成處理該半導(dǎo)體晶圓的微處理腔室。每個(gè)支撐單元通過對應(yīng)支撐板支撐，每個(gè)支撐板通過其周邊上的多個(gè)支撐桿定位及加強(qiáng)。此設(shè)計(jì)將防止這些支撐板變形，減少由因該微處理腔室的打開或閉合所致的零件摩擦產(chǎn)生的顆粒，允許這些單元的容易對準(zhǔn)。
【專利說明】半導(dǎo)體晶圓清潔系統(tǒng)
[0001 ]【相關(guān)專利申請的交叉參考】
[0002]本申請要求了申請?zhí)枮?14/145,882的，申請日為2013年12月31日的，發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體晶圓清潔系統(tǒng)”的美國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該美國專利申請的全文通過引用而被結(jié)合到本申請中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及精細(xì)表面的化學(xué)處理。特別涉及一種用于清潔半導(dǎo)體晶圓的設(shè)備?！尽颈尘凹夹g(shù)】】
[0004]半導(dǎo)體晶圓被廣泛用作集成電路(IC)的基板。晶圓的清潔必須在多數(shù)處理步驟之后以及在每個(gè)高溫操作之前發(fā)生，從而使其在IC制造中成為最頻繁重復(fù)的步驟。用于超清潔晶圓表面制備的現(xiàn)有方法分為兩大類:濕清潔程序，諸如浸潤及噴霧技術(shù);及干清潔程序，諸如基于化學(xué)蒸汽及電漿的技術(shù)。濕清潔技術(shù)在過去三十年中已被成功使用，并且因?yàn)橐后w溶液的諸多固有性質(zhì)促進(jìn)金屬及顆粒的移除而仍受到青睞。濕清潔處理通常由使用適當(dāng)化學(xué)溶液浸潤晶圓或?qū)A噴霧的一系列步驟組成。
[0005]隨著臨界尺寸減小且晶圓大小增大，始終存在對用于清潔及干燥的新技術(shù)及化學(xué)品的需求。目前，已通過大量程序驅(qū)動調(diào)查研究，包括用于高迀移率通道的新材料/基板；用于抬升式源極/漏極的外延SiGe、用于電容器的新材料、高劑量植入的光阻移除;對結(jié)構(gòu)不產(chǎn)生負(fù)面影響的小顆粒移除；用于化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的基于二氧化鈰的漿液的使用;對蝕亥IJ、清潔及干燥具有增大縱橫比的接觸件及其它結(jié)構(gòu)的需求;及為ESH及COO效益在減少化學(xué)品及水使用量方面所做的努力。
[0006]在2011年5月10日公告給本申請案的發(fā)明人的美國專利第7，938，906號中揭示用于濕清潔半導(dǎo)體晶圓的一特定設(shè)備。美國專利第7，938，906號的內(nèi)容以引用的方式并入本文中。
[0007]美國專利第7，938，906號揭示一種具有微處理腔室的設(shè)備，在微處理腔室中，半導(dǎo)體晶圓被緊密接納及處理。由上腔室及下腔室組成的微處理腔室可處于打開位置中以裝載或移除半導(dǎo)體晶圓或處于閉合位置中以將化學(xué)試劑或其它流體引入至腔室中以用于半導(dǎo)體晶圓的處理?？赏ㄟ^上可移動零件與下可移動零件的相對移動實(shí)現(xiàn)上述打開或閉合位置。
[0008]在美國專利第7，938，906號中，通過四個(gè)支柱自下可移動零件的底板的各角部分向上延伸至上可移動零件的頂板將設(shè)備的上可移動零件及下可移動零件固持在一起，可移動零件可沿著四個(gè)支柱升高或降低以設(shè)定微處理腔室使其處于打開位置或閉合位置中。然而，存在相關(guān)聯(lián)于此設(shè)計(jì)的若干問題，因此在US7，938，906中揭示的設(shè)備不適合于特定應(yīng)用。首先，支柱限制特定應(yīng)用所需的微處理腔室的三維移動。其次，當(dāng)腔室尺寸變大時(shí)，固持上腔室及下腔室的板可能容易變形。變形將影響在上腔室及下腔室閉合之后形成的腔室的內(nèi)部空間的形狀及尺寸，從而導(dǎo)致意想不到的處理結(jié)果。第三，先前技術(shù)設(shè)計(jì)需要支柱以及板及盒中的對應(yīng)孔洞的精確加工，以便達(dá)成所有零件的良好對準(zhǔn)。最后，在操作期間，沿著支柱移動的可移動零件可產(chǎn)生由摩擦引起的顆粒。顆?？蔀樘幚淼奈廴驹?。在先進(jìn)半導(dǎo)體制造中，已廣泛認(rèn)識到，多數(shù)顆粒污染來自處理系統(tǒng)。因此，仍需最佳化設(shè)備設(shè)計(jì)，以簡化組件的制造且減少因設(shè)備的組件的移動所致的污染。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0009]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備可包括:第一支撐單元;可移動單元，其通過該第一支撐單元支撐;第二支撐單元，其與該第一支撐單元相對;第三支撐單元;及多個(gè)間隔支柱。該第一支撐單元可包括:第一支撐板;及多個(gè)第一支撐桿，每個(gè)第一支撐桿具有第一溝槽，該第一溝槽在縱向方向上凹陷于該第一支撐桿的內(nèi)面上以沿著該第一支撐板的周邊部分定位及加強(qiáng)該第一支撐板。該可移動單元可包括:驅(qū)動單元，其安置于該第一支撐板上;第二支撐板，其安置于該驅(qū)動單元的頂部上;及第一腔室，其安置于該第二支撐板上。該第二支撐單元可包括:第二腔室;第三支撐板，其具有用于定位該第二腔室的第一穿孔;及多個(gè)第二支撐桿，每個(gè)第二支撐桿具有第二溝槽，該第二溝槽在縱向方向上凹陷于該第二支撐桿的內(nèi)面上以沿著該第三支撐板的周邊部分定位及加強(qiáng)該第三支撐板。該第三支撐單元可包括第四支撐板，該第四支撐板具有施加壓力至該第二腔室的多個(gè)螺釘或可移動零件。每個(gè)第三支撐桿可包括第三溝槽，該第三溝槽在縱向方向上凹陷于該第三支撐桿的內(nèi)面上以沿著該第四支撐板的周邊部分定位及加強(qiáng)該第四支撐板。該多個(gè)間隔支柱可安置于用于定位該第一支撐板的第一支撐桿與用于定位該第三支撐板的第二支撐桿之間，每個(gè)間隔支柱連接對應(yīng)第一支撐桿及對應(yīng)第二及第三支撐桿。該第一腔室及該第二腔室可經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得當(dāng)使該第一腔室與該第二腔室接觸時(shí)，形成處理該半導(dǎo)體晶圓的微處理腔室。
[0011]在一項(xiàng)實(shí)施例中，每個(gè)第一支撐桿可通過焊接或第一連接構(gòu)件連接至對應(yīng)間隔支柱的第一端。每個(gè)第二支撐桿可通過焊接或第二連接構(gòu)件連接至該對應(yīng)間隔支柱的與該第一端相對的第二端。每個(gè)第三支撐桿可通過焊接或第三連接構(gòu)件連接至對應(yīng)第二支撐桿。
[0012]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該第一、該第二及該第三連接構(gòu)件可包括桿或螺釘。
[0013]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該第一支撐單元可進(jìn)一步包括安置于該第一支撐板上的第一安全環(huán)。該可移動單元可進(jìn)一步包括安置于該第二支撐板上的第二安全環(huán)。該第二安全環(huán)可與該第一安全環(huán)接觸以形成一腔，該驅(qū)動單元安置在該腔內(nèi)。
[0014]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該驅(qū)動單元可包括一或多個(gè)氣囊、機(jī)械定位器或氣動定位器。
[0015]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該第一支撐板可包括用于定位該驅(qū)動單元或其它零件的一或多個(gè)孔。
[0016]在一項(xiàng)實(shí)施例中，其它零件可包括真空栗。
[0017]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該可移動單元可進(jìn)一步包括安置于該第二支撐板上的第一盒，該第一腔室安置在該第一盒內(nèi)。
[0018]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該第一盒可包括一傾斜底部表面。該傾斜底部表面可經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以引導(dǎo)泄漏流體流動至該第一盒的最下端。
[0019]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備可進(jìn)一步包括安置于該第一盒的一最下端處的泄漏偵測傳感器。
[0020]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該第一盒可包括排泄孔，自該微處理腔室泄露的流體通過該排泄孔而自該第一盒排泄。
[0021 ]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該第二支撐單元可進(jìn)一步包括第二盒，該第二盒具有安置于該第三支撐板上的第二穿孔。該第二穿孔可與該第一穿孔對準(zhǔn)，使得該第二腔室通過該第一及該第二穿孔安置于該第三支撐板內(nèi)。
[0022]在一項(xiàng)實(shí)施例中，每個(gè)間隔支柱可進(jìn)一步包括用于導(dǎo)引該可移動單元的移動的軌道。
[0023]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該可移動單元可進(jìn)一步包括用于導(dǎo)引該可移動單元的該移動的導(dǎo)引構(gòu)件。
[0024]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該導(dǎo)引構(gòu)件可包括多個(gè)輪子。每個(gè)輪子可安裝于該第二支撐板的角或邊緣處或該第一盒的角或邊緣處。
[0025]在一項(xiàng)實(shí)施例中，每個(gè)第一支撐桿可進(jìn)一步包括凹陷于該第一支撐桿的一端面上的第四溝槽。第四溝槽可經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得工具蓋的周邊部分可經(jīng)插入及固定至第四溝槽中。
[0026]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該第一腔室或第二腔室可包括一或多個(gè)排放孔，流體通過該一或多個(gè)排放孔自該微處理腔室排出。
[0027]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該第一腔室或第二腔室可包括一或多個(gè)入口孔，通過該一或多個(gè)入口孔將流體引入至該微處理腔室中。
[0028]在一項(xiàng)實(shí)施例中，該第三支撐單元可進(jìn)一步包括一或多個(gè)壓力均衡板以均衡通過該第四支撐板上的螺釘或可移動零件產(chǎn)生的點(diǎn)壓。
[0029]在一項(xiàng)實(shí)施例中，第一支撐桿、第二支撐桿及第三支撐桿可由不銹鋼或高強(qiáng)度鋁合金制成。
【【附圖說明】】
[0030]隨附圖式經(jīng)包括以提供本發(fā)明之一進(jìn)一步理解，且并入此說明書中且構(gòu)成此說明書之一部分。圖式圖解說明本發(fā)明的實(shí)施例且連同描述一起用于說明本發(fā)明的原理。圖式可不必按比例繪制，以便更好呈現(xiàn)所圖解說明的標(biāo)的的特定特征。
[0031]圖1是本發(fā)明的一例示性實(shí)施例的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備的側(cè)視圖。
[0032]圖2是圖1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備的分解側(cè)視圖。
[0033]圖3是圖1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備的一個(gè)角度的分解立體圖。
[0034]圖4是圖1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備的另一個(gè)角度的分解立體圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0035 ]在圖1至圖4中示意性地展示了本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備100。在圖1中展示了半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備100的側(cè)視圖。在圖2中展示了半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備100的分解側(cè)視圖。參考圖1及圖2所示，所述半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備100可包括底部支撐單元110、可移動單元120、上腔室支撐單元140及頂部支撐單元160。底部支撐單元110經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以支撐可移動單元120，在通過可移動單元120支撐的第一腔室與通過上腔室支撐單元140支撐的第二腔室之間形成用于對結(jié)構(gòu)進(jìn)行濕清潔的完整閉合/打開空間，所有零件容納于底部支撐單元110和頂部支撐單元160之間。
[0036]在圖3及圖4中分別展示了半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備100的一個(gè)角度的分解立體圖及另一個(gè)角度的分解立體圖。參考圖3及圖4，所述底部支撐單元110至少包括底部支撐板112、下安全環(huán)114及四個(gè)下支撐桿102。底部支撐板112應(yīng)由具有高強(qiáng)度的材料制成，諸如不銹鋼或高強(qiáng)度鋁合金，這是因?yàn)槠鋵⒃馐鼙３智皇议]合所需的壓力。底部支撐板112包括用于定位氣囊116及其它零件(諸如真空栗)于底部支撐板112上的孔。通過四個(gè)下支撐桿102支撐底部支撐板112的邊緣，該底部支撐板112抵抗清潔程序期間的最大壓力。下支撐桿102包括在縱向方向上凹陷于下支撐桿102的內(nèi)側(cè)上的溝槽103。底部支撐板112可滑動至溝槽103中。底部支撐板112的邊緣的厚度經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以適配至溝槽103中，因此底部支撐板112可以通過下支撐桿102定位。下支撐桿102還包括凹陷于支撐桿102的端部上的溝槽101。工具蓋(未展示)可滑動至溝槽101中且容納及固定于溝槽101內(nèi)。下安全環(huán)114經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以出于安全及清潔目的覆蓋氣囊116。
[0037]可移動單元120包括上安全環(huán)124、下支撐板126、下盒128及下腔室130。下腔室130界定微處理腔室的下工作表面及下內(nèi)周長。安置于底部支撐板112的頂部上的氣囊116，或其它類型的市售技術(shù)，例如，機(jī)械定位器或氣動定位器，可用于向上及向下移動可移動單元120。當(dāng)使用一個(gè)以上氣囊時(shí)，可實(shí)現(xiàn)其它類型的移動。舉例而言，當(dāng)使用四個(gè)氣囊時(shí)，通過氣囊的系統(tǒng)控制，各氣囊可經(jīng)計(jì)算機(jī)控制以獨(dú)立充氣或放氣，使得四個(gè)氣囊的聯(lián)合運(yùn)動導(dǎo)致所有類型的移動，例如，波動移動?？梢苿訂卧?20的移動可通過安裝于下支撐板126的角或邊緣上或下盒128的角或邊緣上的輪子導(dǎo)引或沿著軌道導(dǎo)引，這些軌道凹陷于安置于用于定位下支撐板112的下支撐桿102與用于定位上支撐板142的上支撐桿104之間的間隔支柱108上。也可采用其它現(xiàn)有技術(shù)來協(xié)助可移動單元120的移動。上安全環(huán)124及下安全環(huán)114出于安全及清潔目的共同覆蓋氣囊116。用于制成下盒128的材料將取決于在清潔程序期間使用的流體。下盒128安置于下支撐板126的頂部上且經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以定位下腔室130且收集自下腔室130泄漏的流體。下盒128可經(jīng)加工成任何形狀，只要其滿足上文提及的功能即可。下盒128具有傾斜底部表面。當(dāng)流體自下腔室130及上腔室150泄漏時(shí)，所泄漏流體將在下盒128的下部處被收集且觸發(fā)設(shè)置于下盒128的最下部中的泄漏偵測傳感器，因此將觸發(fā)工具警報(bào)且將停止流體的輸送。下盒128也含有排泄孔以自下盒128排放所泄漏流體，因此防止在泄漏偵測傳感器出現(xiàn)故障時(shí)的情況中流體溢出。用于制成下腔室130的材料將取決于在清潔程序期間使用的流體。一般言之，選定材料應(yīng)對所采用流體具有良好耐化學(xué)性。將根據(jù)清潔程序的目的設(shè)計(jì)下腔室130的結(jié)構(gòu)。一般言之，下腔室130需滿足高安全性、高效率及低成本要求。在本發(fā)明中不涵蓋下腔室130的結(jié)構(gòu)。
[0038]上腔室支撐單元140包括上支撐板142、上盒144、上腔室150及四個(gè)上支撐桿104。上腔室150界定微處理腔室的上工作表面及上內(nèi)周長。上支撐板142包括穿孔且經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以支撐上盒144及上腔室150。較佳地，上支撐板142由具有高強(qiáng)度的材料制成，諸如不銹鋼或高強(qiáng)度鋁合金。上支撐板142的邊緣的厚度經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得上支撐板的邊緣可滑動至在縱向方向上凹陷于上支撐桿104的內(nèi)側(cè)上的溝槽105中，藉此容納及固定于上支撐桿104的溝槽105內(nèi)。用于制成上盒144的材料將由在清潔程序期間使用的流體決定。上盒144經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以定位上腔室150且導(dǎo)引泄漏流體流動通過上盒144的內(nèi)環(huán)，因此防止泄漏流體溢出至設(shè)備的其它區(qū)域。上盒144精確定位上腔室150，使得當(dāng)腔室閉合時(shí)，上腔室150與下腔室130完全配接。
[0039]頂部支撐單元160包括頂部支撐板162及四個(gè)頂部支撐桿106及壓力均衡板152及153。頂部支撐板162具有用于使電線及管道穿過的孔。頂部支撐板162通過頂部支撐桿106定位。頂部支撐桿106包括在縱向方向上凹陷于支撐桿106的內(nèi)側(cè)上的溝槽107。頂部支撐板162的邊緣的厚度經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得頂部支撐板162的邊緣可滑動至溝槽107中且容納及固定于溝槽107內(nèi)。頂部支撐板162也包括螺釘或其它現(xiàn)有可移動零件，例如，氣動組件?？赏ㄟ^這些螺釘或現(xiàn)有可移動零件將力施加至上腔室150以調(diào)整微處理腔室的水平位置及內(nèi)部形狀。壓力均衡板152及153用于將來自螺釘及其它現(xiàn)有可移動零件產(chǎn)生的點(diǎn)壓均衡至較大區(qū)域。
[0040]通過連接零件或焊接技術(shù)將所有支撐桿102、104、106及間隔支柱108連接在一起。在一項(xiàng)實(shí)施例中，通過在桿的至少一端上具有螺釘?shù)亩鄠€(gè)桿將支撐桿102、104、106及間隔支柱108連接在一起。螺釘穿過每個(gè)下支撐桿102、每個(gè)上支撐桿104、每個(gè)頂部支撐桿106及每個(gè)間隔支柱108的中央。通過將螺帽緊固在桿的端部處而將所有支撐桿102、104、106及間隔支柱108連接在一起。在一項(xiàng)實(shí)施例中，每個(gè)第一支撐桿102通過多個(gè)螺釘驅(qū)動穿過該第一支撐桿至安置于對應(yīng)間隔支柱108的中央處經(jīng)預(yù)螺紋定軌(pre-screw tracked)的一孔中而連接至該間隔支柱108的一端。每個(gè)第二支撐桿104及對應(yīng)第三支撐桿106通過多個(gè)螺釘驅(qū)動穿過第二及第三支撐桿104、106至安置在對應(yīng)間隔支柱108的中央處經(jīng)預(yù)螺紋定軌的一孔中而連接至該間隔支柱108的相對端。在一項(xiàng)實(shí)施例中，每個(gè)第一支撐桿102通過焊接連接至一對應(yīng)間隔支柱108的一端，每個(gè)第二支撐桿104通過焊接連接至對應(yīng)間隔支柱108的相對端，且每個(gè)第二支撐桿104通過焊接連接至對應(yīng)第三支撐桿106。間隔支柱108用于更強(qiáng)強(qiáng)度的需要。
[0041]在下文中，描述根據(jù)本發(fā)明的使用半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備的半導(dǎo)體晶圓清潔方法。
[0042]首先，將半導(dǎo)體晶圓裝載于下腔室130的頂部上。
[0043]接著，通過將空氣壓入至氣囊116中而將下腔室130及上腔室150設(shè)定為處于閉合位置。當(dāng)氣囊116經(jīng)充氣時(shí)，氣囊116推動下支撐板126、下盒128及下腔室130向上移動直至下腔室130與通過上支撐板142及上盒144定位的上腔室150接觸。
[0044]在微處理腔室閉合后，清潔程序由通過流體分布系統(tǒng)(未展示)將所要處理流體引入至微處理腔室中而開始，該流體分布系統(tǒng)包括定位于下腔室或上腔室中的至少一孔。將通過定位于下腔室或上腔室中的至少一孔將所使用流體排出微處理腔室。
[0045]接著，在完成清潔程序后，釋放氣囊116中的空氣。當(dāng)氣囊116經(jīng)放氣時(shí)，下支撐板126、下盒128及下腔室130將向下移動直至上安全環(huán)124到達(dá)通過底部支撐板112支撐的下安全環(huán)114。
[0046]最后，自下腔室130移除半導(dǎo)體晶圓。
[0047]本發(fā)明中的設(shè)備設(shè)計(jì)具有若干優(yōu)點(diǎn)。首先，不存在穿過設(shè)備的主結(jié)構(gòu)的板及盒的四個(gè)支柱。通過支撐桿強(qiáng)化支撐板的所有邊緣，可根據(jù)應(yīng)用調(diào)整支撐桿的大小。支撐桿更有效防止支撐板通過清潔程序期間所需且保持上腔室及下腔室精確附接至彼此所需的壓力或真空力變形。另外，支撐桿的引入將減小通過在微處理腔室的打開或閉合期間因部件的摩擦而產(chǎn)生顆粒的可能性。其次，可通過調(diào)整頂部支撐單元中的螺釘或其它現(xiàn)有移動零件而容易地調(diào)諧微處理腔室的內(nèi)部形狀。第三，經(jīng)改良設(shè)計(jì)可在晶圓清潔設(shè)備結(jié)束其壽命時(shí)回收使用更多零件。
[0048]本文中揭示的經(jīng)改良設(shè)計(jì)將允許更廣泛地利用技術(shù)于工具設(shè)計(jì)中以進(jìn)行更好的腔室對準(zhǔn)，且提供用于腔室定位及移動的更多選擇，諸如精確閉合腔室、精確拉平或傾斜腔室及進(jìn)行更復(fù)雜的移動，諸如波動移動。因此，本發(fā)明中揭示的設(shè)備設(shè)計(jì)可極大地簡化多數(shù)零件的制造且允許多數(shù)零件的簡易維護(hù)及更換。上述所有皆可顯著降低制造成本。
[0049]盡管上文描述選定實(shí)施例，但其等并不旨在限制本發(fā)明的范疇。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將明白，在不脫離本發(fā)明的范疇或精神的情況下可對本發(fā)明的所揭示實(shí)施例作出各種修改及變更。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其包括: 第一支撐單元，該第一支撐單元包括: 第一支撐板;及 多個(gè)第一支撐桿，每個(gè)第一支撐桿均具有第一溝槽，該第一溝槽在該第一支撐桿的縱向方向上凹陷于該第一支撐桿的內(nèi)面上以沿著該第一支撐板的周邊部分定位及加強(qiáng)該第一支撐板； 可移動單元，其通過該第一支撐單元支撐，該可移動單元包括: 驅(qū)動單元，其安置于該第一支撐板上； 第二支撐板，其安置于該驅(qū)動單元的頂部上;及 第一腔室，其安置于該第二支撐板上； 第二支撐單元，其與該第一支撐單元相對，該第二支撐單元包括: 第二腔室； 第三支撐板，其具有用于定位該第二腔室的第一穿孔;及 多個(gè)第二支撐桿，每個(gè)第二支撐桿均具有第二溝槽，該第二溝槽在該第二支撐桿的縱向方向上凹陷于該第二支撐桿的內(nèi)面上以沿著該第三支撐板的周邊部分定位及加強(qiáng)該第三支撐板； 第三支撐單元，其經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以施加壓力至該第二腔室以水平且良好地定位該第二腔室，該第三支撐單元包括: 第四支撐板，其具有施加壓力至該第二腔室的多個(gè)螺釘或可移動零件;及多個(gè)第三支撐桿，每個(gè)第三支撐桿均具有第三溝槽，該第三溝槽在該第三支撐桿的縱向方向上凹陷于該第三支撐桿的內(nèi)面上以沿著該第四支撐板的周邊部分定位及加強(qiáng)該第四支撐板;及 多個(gè)間隔支柱，其安置于用于定位該第一支撐板的第一支撐桿與用于定位該第三支撐板的第二支撐桿之間，每個(gè)間隔支柱連接對應(yīng)第一支撐桿、對應(yīng)第二支撐桿及對應(yīng)第三支撐桿， 其中該第一腔室及該第二腔室經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得當(dāng)使該第一腔室與該第二腔室接觸時(shí)，形成用于處理該半導(dǎo)體晶圓的微處理腔室。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中每個(gè)第一支撐桿通過焊接或第一連接構(gòu)件連接至對應(yīng)間隔支柱的第一端，其中每個(gè)第二支撐桿通過焊接或第二連接構(gòu)件連接至對應(yīng)間隔支柱的與該第一端相對的第二端，其中每個(gè)第三支撐桿通過焊接或第三連接構(gòu)件連接至對應(yīng)第二支撐桿。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該第一、該第二及該第三連接構(gòu)件是桿或螺釘。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該第一支撐單元進(jìn)一步包括安置于該第一支撐板上的第一安全環(huán)，其中該可移動單元進(jìn)一步包括安置于該第二支撐板上的第二安全環(huán)，該第二安全環(huán)與該第一安全環(huán)接觸以形成一腔，該驅(qū)動單元安置在該腔內(nèi)。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該驅(qū)動單元包括一或多個(gè)氣囊、機(jī)械定位器或氣動定位器。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該第一支撐板包括用于定位該驅(qū)動單元或其他部分的一或多個(gè)孔。7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中所述其他部分包括真空栗。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該可移動單元進(jìn)一步包括安置于該第二支撐板上的第一盒，該第一腔室安置在該第一盒內(nèi)。9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該第一盒具有傾斜底部表面，該傾斜底部表面經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以引導(dǎo)泄漏流體流動至該第一盒的最下端。10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其進(jìn)一步包括安置于該第一盒的最下端處的泄漏偵測傳感器。11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該第一盒包括排泄孔，自該微處理腔室泄露的流體通過該排泄孔而自該第一盒排泄。12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該第二支撐單元進(jìn)一步包括第二盒，該第二盒具有安置于該第三支撐板上的第二穿孔，該第二穿孔與該第一穿孔對準(zhǔn)，使得該第二腔室通過該第一及該第二穿孔安置于該第三支撐板內(nèi)。13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中每個(gè)間隔支柱進(jìn)一步包括用于導(dǎo)引該可移動單元的移動的軌道。14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該可移動單元進(jìn)一步包括用于導(dǎo)引該可移動單元的移動的導(dǎo)引構(gòu)件。15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該導(dǎo)引構(gòu)件包括多個(gè)輪子，每個(gè)輪子安裝于該第二支撐板的角或邊緣處或該第一盒的角或邊緣處。16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中每個(gè)第一支撐桿進(jìn)一步包括凹陷于該第一支撐桿的端面上的第四溝槽，第四溝槽經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得工具蓋的周邊部分可經(jīng)插入及固定至第四溝槽中。17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該第一腔室或該第二腔室包括一或多個(gè)排放孔，流體通過一或多個(gè)排放孔自該微處理腔室排出。18.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該第一腔室及該第二腔室包括一或多個(gè)入口孔，通過該一或多個(gè)入口孔將流體弓I入至該微處理腔室中。19.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中該第三支撐單元進(jìn)一步包括一或多個(gè)壓力均衡板以均衡通過該第四支撐板上的該多個(gè)螺釘或可移動零件產(chǎn)生的點(diǎn)壓。20.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓清潔設(shè)備，其中第一支撐桿、第二支撐桿及第三支撐桿由不銹鋼或高強(qiáng)度鋁合金制成。
【文檔編號】H01L21/683GK105934817SQ201480064061
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2014年12月31日
【發(fā)明人】溫索菲亞
【申請人】溫索菲亞