具有高效率反射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一具有高效率反射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件，其包括:一反射層；一位于反射層上的第一透明層，其包含一凸出部；一位于第一透明層上且包含一活性層的發(fā)光疊層；以及多個(gè)孔穴位于第一透明層中，其中凸出部被多個(gè)孔穴圍繞。
【專利說(shuō)明】
具有高效率反射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，特別是涉及一種具有高效率反射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。
【背景技術(shù)】
[0002]光電元件，例如發(fā)光二極管(Light-emitting D1de;LED)，目前已經(jīng)廣泛地使用在光學(xué)顯示裝置、交通號(hào)志、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、通訊裝置、照明裝置與醫(yī)療器材上。此外，上述的LED可與其他元件組合連接以形成一發(fā)光裝置。圖1為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，一發(fā)光裝置I包含一具有一電路14的次載體(submount) 12;—焊料16 (solder)位于上述次載體12上，通過(guò)此焊料16將LED 11固定于次載體12上并使LED 11與次載體12上的電路14形成電連接；以及一電連接結(jié)構(gòu)18，以電連接LED 11的電極15與次載體12上的電路14;其中，上述的次載體12可以是導(dǎo)線架(lead frame)或大尺寸鑲嵌基底(mountingsubstrate)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種發(fā)光元件，其包括:一反射層;一位于反射層上的第一透明層，其包含一凸出部;一位于第一透明層上且包含一活性層的發(fā)光疊層；以及多個(gè)孔穴位于第一透明層中，其中凸出部被多個(gè)孔穴圍繞。
[0004]本發(fā)明還提供一種發(fā)光元件的制造方法，其包括步驟:提供一發(fā)光疊層，其包含一第二半導(dǎo)體層、一位于第二半導(dǎo)體層上的活性層以及一位于活性層的第一半導(dǎo)體層;于第一半導(dǎo)體層上形成一第一透明層；以及蝕刻第一透明層以形成多個(gè)孔穴以及一被多個(gè)孔穴圍繞的凸出部。
【附圖說(shuō)明】
[0005]圖1為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0006]圖2為本發(fā)明案一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖面示意圖；
[0007]圖3為本發(fā)明案另一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖面示意圖；
[0008]圖4為圖3的實(shí)施例的第二透光層的材料沉積方向示意圖；
[0009]圖5為本發(fā)明案另一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖面示意圖；
[0010]圖6為本發(fā)明案一實(shí)施例的燈泡分解示意圖；
[0011]圖7A至圖7G為本發(fā)明案另一實(shí)施例的發(fā)光元件的制造方法；
[0012]圖8A至圖SE為本發(fā)明案另一實(shí)施例的發(fā)光元件的制造方法，圖SE繪示發(fā)光元件沿著如圖8F中所示的DD剖面線的剖面示意圖；
[0013]圖8F為發(fā)光元件的上視圖；
[0014]圖9A至圖9E為本發(fā)明案另一實(shí)施例的發(fā)光元件及其制造方法，圖9E為發(fā)光元件沿著如圖9F中所示的HIJK剖面線的剖面示意圖；以及
[0015]圖9F為發(fā)光元件的上視圖。
[0016]符號(hào)說(shuō)明
[0017]1:發(fā)光裝置11:LED
[0018]12:次載體13、20、50:基板
[0019]14:電路15、56:電極
[0020]16:焊料18:電連接結(jié)構(gòu)[0021 ]2、3、40、5:發(fā)光元件21:第一電極
[0022]22:粘結(jié)層23:第二電極
[0023]24、54:反射結(jié)構(gòu)241、543:凸部
[0024]242、544:反射層243、545:凹部
[0025]244、542:第一透光層245、30、547:孔洞
[0026]246:第二透光層247:第一下表面
[0027]248、540:窗戶層26:發(fā)光疊層
[0028]261、541:粗化上表面262、522:第一半導(dǎo)體層
[0029]263:粗化下表面264、524:有源層
[0030]265:平坦部266、526:第二半導(dǎo)體層[0031 ]32:導(dǎo)電部41:燈罩
[0032]42:透鏡43:載體
[0033]44:照明模塊45:燈座
[0034]46:散熱槽47:連結(jié)部
[0035]48:電連結(jié)器51:第一接觸層
[0036]53:第二接觸層546:第一絕緣層
[0037]548:第三透光層549:通道
[0038]562:第一導(dǎo)電層564:第二導(dǎo)電層
[0039]h:高度t:厚度
[0040]701:成長(zhǎng)基板90E2:第二電極墊
[0041]76:發(fā)光疊層762:第一半導(dǎo)體層
[0042]764:活性層766:第二半導(dǎo)體層
[0043]744:第一透明層746:第二透明層
[0044]745:孔穴745b:晶界
[0045]745w:第一部分745η:第二部分
[0046]744c:凸出部744cBl:底基體
[0047]744cB2:頂基體745a:底表面
[0048]742:反射層72a:第一粘結(jié)層
[0049]70:基板72b:第二粘結(jié)層
[0050]72:粘著層70E1:第一電極墊[0051 ]70E1’:延伸電極70E2:第二電極墊
[0052]70R:粗化表面77:保護(hù)層
[0053]80:基板86:發(fā)光疊層
[0054]862:第一半導(dǎo)體層864:活性層
[0055]866:第二半導(dǎo)體層86E、86E’:裸露區(qū)域
[0056]Dl:第一介電層844:第一透明層
[0057]846:第二透明層845:孔穴
[0058]844c:凸出部842:反射層
[0059]D2:第二介電層D2E、D2E’:裸露區(qū)域
[0060]Ml:導(dǎo)電層D3:第三介電層
[0061]M2E:區(qū)域80E1:第一電極墊
[0062]80E2:第二電極墊90:基板
[0063]96:發(fā)光疊層％2:第一半導(dǎo)體層
[0064]964:活性層966:第二半導(dǎo)體層
[0065]96E、96E’:裸露區(qū)域90CB:電流阻擋層
[0066]944:第一透明層946:第二透明層
[0067]945:孔穴944c:凸出部
[0068]MF1、MF1E:中間導(dǎo)電層MF1’、MF1’E:中間導(dǎo)電層
[0069]96E:裸露區(qū)域942:反射層
[0070]942:布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)942E:裸露區(qū)域
[0071]M2E:區(qū)域90E1:第一電極墊
[0072]數(shù)、恥、恥、胃4:寬度
【具體實(shí)施方式】
[0073]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。在附圖或說(shuō)明中，相似或相同的部分使用相同的標(biāo)號(hào)，并且在附圖中，元件的形狀或厚度可擴(kuò)大或縮小。需特別注意的是，圖中未繪示或描述的元件，可以是熟習(xí)此技術(shù)的人士所知的形式。
[0074]圖2為本發(fā)明案一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖。如圖2所示，一發(fā)光元件2具有一基板20; —粘結(jié)層22，位于基板20之上；一反射結(jié)構(gòu)24，位于粘結(jié)層22之上;一發(fā)光疊層26，位于反射結(jié)構(gòu)24之上；一第一電極21，位于基板20之下；以及一第二電極23，位于發(fā)光疊層26之上。發(fā)光疊層26具有一第一半導(dǎo)體層262，位于反射結(jié)構(gòu)24之上;一有源層264，位于第一半導(dǎo)體層262之上；以及一第二半導(dǎo)體層266，位于有源層264之上。
[0075]第一電極21及/或第二電極23用以接受外部電壓，可由透明導(dǎo)電材料或金屬材料所構(gòu)成。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO),氧化銻錫(ΑΤ0)、氧化鋁鋅(ΑΖ0)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)、氧化銦鋅(IZO)、類鉆碳薄膜(DLC)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋁鋅(GAZO)或上述材料的化合物。金屬材料包含但不限于鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、錫(Sn)、金(Au)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鈾(Pt)、鉛(Pb)、鋅(Zn) ,!S(Cd)、鋪(Sb)、鈷(Co)或上述材料的合金等。
[0076]發(fā)光疊層26具有一粗化上表面261與一粗化下表面263，可降低全反射的機(jī)率，提高出光效率。粗化上表面具有一平坦部265，第二電極23可位于平坦部265之上，提升第二電極23與發(fā)光疊層26之間的粘著性，降低第二電極23因后續(xù)制作工藝，例如打線，而自發(fā)光疊層26上剝離的機(jī)率。發(fā)光疊層26的材料可為半導(dǎo)體材料，包含一種以上的元素，此元素可選自鎵(Ga)、招(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)與砸(Se)所構(gòu)成的群組。第一半導(dǎo)體層262與第二半導(dǎo)體層266的電性相異，用以產(chǎn)生電子或空穴。有源層124可發(fā)出一種或多種色光，可為可見光或不可見光，其結(jié)構(gòu)可為單異質(zhì)結(jié)構(gòu)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、雙側(cè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、多層量子阱或量子點(diǎn)。
[0〇77]反射結(jié)構(gòu)24自粘結(jié)層22往發(fā)光疊層26的方向具有一反射層242、一第一透光層244與一窗戶層248。窗戶層248具有一粗化下表面，粗化下表面具有多個(gè)凸部241與凹部243。其中，粗化下表面更具有一平坦部位于第二電極23的正下方，用以與第一透光層244形成歐姆接觸。至少一孔洞245形成于第一透光層244之中，孔洞245可自窗戶層248的粗化下表面向下延伸至反射層242。另一實(shí)施例中，孔洞245可自凸部241向下延伸至反射層242。其中，孔洞245的折射率小于窗戶層248與第一透光層244的折射率。由于孔洞245的折射率小于窗戶層248與第一透光層244的折射率，窗戶層248與孔洞245間的界面其臨界角小于窗戶層248與第一透光層244間的界面的臨界角，所以發(fā)光疊層26所發(fā)的光射向孔洞245后，在窗戶層248與孔洞245之間的界面形成全反射的機(jī)率增加。此外，原本在窗戶層248與第一透光層244界面未形成全反射而進(jìn)入第一透光層244之光，在第一透光層244與孔洞245之間的界面也會(huì)形成全反射，因而提升發(fā)光元件2的出光效率?？锥?45由剖視圖觀之可以為上寬下窄的漏斗狀。反射結(jié)構(gòu)24可還包含一第二透光層246，第二透光層246位于部分第一透光層244與窗戶層248之間，以增加第一透光層244與窗戶層248之間的歐姆接觸。另一實(shí)施例中，第二透光層246可具有孔洞245，其中孔洞245的折射率小于窗戶層248與第二透光層246的折射率。由于孔洞245的折射率小于窗戶層248與第二透光層246的折射率，第二透光層246與孔洞245間的界面的臨界角小于窗戶層248與第二透光層246間的界面的臨界角，所以發(fā)光疊層26所發(fā)的光射向孔洞245后，在第二透光層246與孔洞245之間的界面形成全反射的機(jī)率增加。又一實(shí)施例中，反射結(jié)構(gòu)24可不具有窗戶層248，第一透光層244形成于發(fā)光疊層26之下。此時(shí)，發(fā)光疊層26的粗化下表面263具有多個(gè)凸部與凹部，利于孔洞245的形成。
[0078]窗戶層248對(duì)于發(fā)光疊層26所發(fā)的光為透明，用以提升出光效率，其材料可為導(dǎo)電材料，包含但不限于氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CT0)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)、氧化銦鈰(ICO)、氧化銦鎢(IWO)、氧化銦鈦(IT1)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋁鋅(GAZO)或上述材料的組合。粗化下表面的凹部243與凸部241之間的高度差h約為窗戶層厚度t的1/3至2/3，利于孔洞245的形成。
[0079]第一透光層244及/或第二透光層246的材料對(duì)于發(fā)光疊層26所發(fā)的光為透明，以增加窗戶層248與反射層242之間的歐姆接觸以及電流傳導(dǎo)與擴(kuò)散，并與反射層242形成全方位反射鏡(Omn1-Direct1nal Reflector，0DR)。其材料可為透明導(dǎo)電材料，包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)、氧化銦鈰(ICO)、氧化銦鎢(IWO)、氧化銦鈦(IT1)、氧化銦鋅(IZ0)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋁鋅(GAZO)或上述材料的組合。其中第一透光層244的材料較佳為氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)或上述材料的組合。形成第一透光層244及/或第二透光層246的方法包含物理氣相沉積法，例如電子束蒸鍍或?yàn)R鍍。反射層242可反射來(lái)自發(fā)光疊層26之光，其材料可為金屬材料，包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、錫(Sn)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鎢(W)或上述材料的合金等。
[0080]粘結(jié)層22可連接基板20與反射結(jié)構(gòu)24，可具有多個(gè)從屬層(未顯示)。粘結(jié)層22的材料可為透明導(dǎo)電材料或金屬材料，透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO),氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ΑΤ0)、氧化鋁鋅(ΑΖ0)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)、氧化銦鈰(ICO)、氧化銦鎢(IWO)、氧化銦鈦(IT1)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋁鋅(GAZO)或上述材料的組合。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、招(Al)、錫(Sn)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鈾(Pt)、媽(W)或上述材料的合金等。
[0081]基板20可用以支持位于其上的發(fā)光疊層26與其它層或結(jié)構(gòu)，其材料可為透明材料或?qū)щ姴牧?。透明材料包含但不限于藍(lán)寶石(Sapphire)、鉆石(Diamond)、玻璃(Glass)、環(huán)氧樹脂(Epoxy )、石英(Quartz )、壓克力(AcryI)、氧化招(AI2O3)、氧化鋅(ZnO)或氮化招(AlN)等。導(dǎo)電材料包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎳(Ni)、鈷(Co)、類鉆碳薄膜(Diamond Like Carbon ； DLC)、石墨(Graphite)、碳纖維(CarbonFiber)、金屬基復(fù)合材料(Metal Matrix Composite ;MMC)、陶瓷基復(fù)合材料(CeramicMatrix Composite ； CMC)、娃(Si )、磷化碘(IP)、砸化鋅(ZnSe)、砷化鎵(GaAs)、碳化娃(SiC),磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)、砸化鋅(ZnSe)、磷化銦(InP)、鎵酸鋰(LiGaO2)或鋁酸鋰(LiAlO2)。
[0082]圖3為本發(fā)明案另一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖。一發(fā)光元件3具有上述發(fā)光元件2類似的結(jié)構(gòu)，但反射結(jié)構(gòu)24的第二透光層246具有多個(gè)孔洞30，以致第二透光層246的折射率小于1.4，較佳為1.35。如圖4所示，孔洞30的形成是將晶片4固定，以特定的方向，例如與垂直于晶片的法線夾角Θ的方向D，以物理氣相法沉積第二透光層246的材料于晶片上。因?yàn)槌练e方向D的調(diào)整使材料無(wú)法沉積到部分區(qū)域而形成孔洞30。其中，夾角Θ約為60度。有孔洞30形成的第二透光層246的折射率較不具有孔洞的透光層的折射率低，可增加第二透光層246與其他層界面間的產(chǎn)生全反射的機(jī)率，提升發(fā)光元件3的出光效率。第一透光層244可用物理氣相法或化學(xué)氣相法形成于第二透光層246之下，其厚度大于第二透光層246的厚度，可防止反射層242的材料擴(kuò)散至第二透光層246。第一透光層244不具有孔洞，可避免反射層242的材料擴(kuò)散至孔洞之中，破壞反射層242的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致反射層242的反射率降低。第一透光層244具有一第一下表面247，第一下表面247可用化學(xué)機(jī)械研磨法(ChemicalMechanical Polishing，CMP)研磨，使其中心線平均粗糙度(Ra)約為Inm?40nm。當(dāng)反射層242形成于第一下表面247之下時(shí)，反射層242可形成一中心線平均粗糙度較低的表面，因而提高反射層242的反射率。
[0083]發(fā)光元件3還具有至少一導(dǎo)電部32位于發(fā)光疊層26與反射層242之間。另一實(shí)施例中，導(dǎo)電部32可位于窗戶層248與反射層242之間。導(dǎo)電部32用以傳導(dǎo)電流，其材料可為透明導(dǎo)電材料或金屬材料，透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)、氧化銦鈰(ICO)、氧化銦鎢(IWO)、氧化銦鈦(IT1)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋁鋅(GAZO)或上述材料的組合。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、招(Al)、錫(Sn)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鈾(Pt)、媽(W)、鍺(Ge)或上述材料的合金等。
[0084]此實(shí)施例中，第一透光層244及/或第二透光層246的材料可為絕緣材料，例如為聚亞酰胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過(guò)氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Aery I i c Resin),環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(FluorocarbonPolymer)、玻璃(Glass)、氧化招(AI2O3)、氧化娃(S1x)、氧化鈦(Ti02)、氧化鉭(Ta20s)、氮化硅(SiNx)、氟化鎂(MgF2)、旋涂玻璃(SOG)或四乙氧基硅烷(TEOS)。
[0085]圖5為本發(fā)明案另一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖。如圖5所示，一發(fā)光元件5具有一基板50; —發(fā)光疊層52，位于基板50之上;一反射結(jié)構(gòu)54，位于發(fā)光疊層52之上；以及一電極56，位于反射結(jié)構(gòu)54之上。發(fā)光疊層52具有一第一半導(dǎo)體層522，位于基板50之上;一有源層524，位于第一半導(dǎo)體層522之上；以及一第二半導(dǎo)體層526，位于有源層524之上，其中部分第二半導(dǎo)體層526與有源層524被移除以裸露第一半導(dǎo)體層522。
[0086]反射結(jié)構(gòu)54具有一窗戶層540，位于發(fā)光疊層52之上;一第一透光層542，位于窗戶層540之上;一反射層544，位于第一透光層542之上；以及一第一絕緣層546，位于反射層544之上。窗戶層540具有一粗化上表面541，粗化上表面具有多個(gè)凸部543與凹部545。至少一孔洞547形成于第一透光層542之中，且位于粗化上表面541之上，孔洞547的折射率小于窗戶層540與第一透光層542的折射率。另一實(shí)施例中，孔洞547可自凹部545向上延伸。由于孔洞547的折射率小于窗戶層540與第一透光層542的折射率，在窗戶層540與孔洞547間的界面的臨界角小于窗戶層540與第一透光層542間的界面的臨界角，所以發(fā)光疊層52所發(fā)的光射向孔洞547后，在窗戶層540與孔洞547之間的界面形成全反射的機(jī)率增加。此外，原本在窗戶層540與第一透光層542界面未形成全反射而進(jìn)入第一透光層542之光，在第一透光層542與孔洞547之間的界面也會(huì)形成全反射，因而提升發(fā)光元件5的出光效率，孔洞547由剖視圖觀之可以為下寬上窄的倒漏斗狀。因?yàn)榘l(fā)光疊層52所發(fā)的光在窗戶層540與孔洞547之間的界面和第一透光層542與孔洞547之間的界面形成全反射的機(jī)率增加，降低光到達(dá)電極56而被電極56吸收的機(jī)率，提升發(fā)光元件5的發(fā)光效率。第一絕緣層546可包覆反射層544以使反射層544不與電極56直接接觸，避免反射層544的材料擴(kuò)散至電極56，降低反射層544的反射率。反射結(jié)構(gòu)54還包含多個(gè)通道549形成于第一透光層542與第一絕緣層546之中，電極56可經(jīng)由通道549與發(fā)光疊層52電連結(jié)。反射結(jié)構(gòu)54可還包含一第二透光層548，第二透光層548位于部分第一透光層542與反射層544之間，第二透光層548不具有孔洞，可避免反射層544的材料擴(kuò)散至孔洞之中，破壞反射層544的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致反射層544的反射率降低。
[0087]電極56具有一第一導(dǎo)電層562與一第二導(dǎo)電層564，其中第一導(dǎo)電層562與第二導(dǎo)電層564彼此不直接接觸。第一導(dǎo)電層562經(jīng)由通道549與第一半導(dǎo)體層522連接，第二導(dǎo)電層564經(jīng)由通道549與窗戶層540連接。另一實(shí)施例中，發(fā)光元件5還包含一第一接觸層51位于第一導(dǎo)電層562與第一半導(dǎo)體層522之間，增加第一導(dǎo)電層562與第一半導(dǎo)體層522之間的歐姆接觸;一第二接觸層53位于第二導(dǎo)電層564與窗戶層540之間，增加第二導(dǎo)電層564與窗戶層540之間的歐姆接觸，降低發(fā)光元件5的操作電壓，以提升效率。其中，第一接觸層51與第二接觸層53的材料和上述電極的材料相同。
[0088]圖6是繪示出一燈泡分解示意圖，一燈泡6具有一燈罩61;—透鏡62，置于燈罩61之中；一照明模塊64，位于透鏡62之下；一燈座65，具有一散熱槽66，用以承載照明模塊64 ； 一連結(jié)部67 ；以及一電連結(jié)器68，其中連結(jié)部67連結(jié)燈座65與電連接器68。照明模塊66具有一載體63;以及多個(gè)前述任一實(shí)施例的發(fā)光元件60，位于載體63之上。
[0089]圖7A至圖7G為本發(fā)明案另一實(shí)施例的發(fā)光元件的制造方法。請(qǐng)參閱圖7A，本實(shí)施例的發(fā)光元件的制造方法包括提供一個(gè)成長(zhǎng)基板701以及于成長(zhǎng)基板701上形成一發(fā)光疊層76。發(fā)光疊層76依序包含一第一半導(dǎo)體層762、一活性層764以及一第二半導(dǎo)體層766于成長(zhǎng)基板701上。第一半導(dǎo)體層762以及第二半導(dǎo)體層766具有不同的導(dǎo)電型態(tài)。例如，第一半導(dǎo)體層762為P型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層766為η型半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層762、活性層764以及第二半導(dǎo)體層766包含三五族化合物材料，例如AlgInhGa(1—g—h)P( O SgSl，OShSl，OSg+hSl)。接著，于發(fā)光疊層76上形成一第一透明層744。于第一透明層744形成之前，可以選擇性地形成一第二透明層746。于一實(shí)施例中，第二透明層746與發(fā)光疊層76形成一歐姆接觸。于另一實(shí)施例中，第二透明層746增加第一透明層744以及發(fā)光疊層76之間的粘著力或是電流擴(kuò)散的能力。第一透明層744以及第二透明層746的材料可讓發(fā)光疊層76發(fā)出的光穿透。第一透明層744以及第二透明層746的材料包含一透明導(dǎo)電材料，透明導(dǎo)電材料包含，但不限于，氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅共摻雜鎵鋁(GAZO)或其等的組合。第一透明層744以及第二透明層746的材料還可包含磷化鎵或類鉆碳(DLC)。于本實(shí)施例中，第一透明層744包含氧化銦錫(ITO)，第二透明層746包含磷化鎵(GaP)。于另一實(shí)施例中，第一透明層744包含一第一透明導(dǎo)電氧化物，第二透明層746包含一不同于第一透明導(dǎo)電氧化物的第二透明導(dǎo)電氧化物。
[0090]接著，請(qǐng)參閱圖7B，本方法還包括于第一透明層744中形成多個(gè)孔穴745。于本實(shí)施例中，多個(gè)孔穴745是通過(guò)一蝕刻方式形成。蝕刻方式包含例如使用化學(xué)溶液沿著第一透明層744的管芯界面745b蝕刻?；瘜W(xué)溶液包含一酸的溶液，例如包含草酸((COOH)2.2H20)、鹽酸(HCl)、或是硫酸(H2SO)以及氫氟酸(HF)的混和。根據(jù)蝕刻步驟的控制，例如蝕刻時(shí)間或是蝕刻溶液的組成，孔穴745的剖面形狀實(shí)質(zhì)上為三角形或是梯形。一小開孔形成于孔穴745的上方的周圍。于其中一情況，孔穴745較靠近發(fā)光疊層76的第一部分745w的寬度W3大于孔穴745較遠(yuǎn)離發(fā)光疊層76的第二部分745η的寬度W4。為了清楚表示，請(qǐng)參閱圖7B的左下圖，多個(gè)孔穴745彼此之間是相通的。第一透明層744包含多個(gè)實(shí)質(zhì)上彼此分離但緊密排列的凸出部744c，且如圖7Β所示，各凸出部744c被多個(gè)孔穴745圍繞。多個(gè)孔穴745以及多個(gè)凸出部744c形成一多孔結(jié)構(gòu)。凸出部744c的形狀為一倒置的截頂圓錐或倒置的角錐。各凸出部744c的剖面形狀實(shí)質(zhì)上為一倒置的梯形。同樣地，凸出部744c的剖面形狀可以通過(guò)控制蝕刻步驟，例如蝕刻時(shí)間或是蝕刻溶液的組成而調(diào)整。圖7B的右下的放大圖是為了清楚說(shuō)明凸出部744c，如圖所示，從剖視圖可得知，其中一凸出部744c的底基體744cBl的寬度1大于凸出部744c的頂基體744cB2的寬度?2的1/3倍，用于維持機(jī)械強(qiáng)度。于一實(shí)施例中，當(dāng)凸出部744c為截頂?shù)膱A錐，且凸出部744c的剖面形狀包含具有底基體744cBl的寬度W1大于I/3倍的頂基體744cB2的寬度胃2的梯形時(shí)，多個(gè)孔穴745的總底面積，亦即，全部的多個(gè)孔穴745的底表面745a的總面積是介于發(fā)光疊層76的面積的50%以及90%之間。也就是說(shuō)，所有的多個(gè)孔穴745在發(fā)光疊層76上的投影面積是介于發(fā)光疊層76的一表面的面積的50%以及90%之間。于蝕刻步驟之后，可以使用去離子水將化學(xué)溶液自第一透明層744沖洗掉。在蝕刻第一透明層744以形成多個(gè)孔穴745之后，本方法可選擇性地包含對(duì)第一透明層744進(jìn)行熱處理以降低第一透明層744的片電阻。[0091 ]接著，請(qǐng)參閱圖7C，本方法還包含在第一透明層744上形成一反射層742。因?yàn)榭籽?45的開孔夠小，反射層742不會(huì)填入孔穴745中，因此孔穴745中會(huì)留有空隙。反射層742包含金屬材料，例如金、銀或招。于一實(shí)施例中，反射層742包含布拉格反射鏡(DistributedBragg Reflector)結(jié)構(gòu)。布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)包含多個(gè)布拉格反射鏡組，其中每一布拉格反射鏡組由一高折射率層以及一低折射率層組成。反射層742、第一透明層744和/或第二透明層746共同形成一全方位反射鏡(Omn1-Direct1nal Reflector(ODR)。
[0092]接著，請(qǐng)參閱圖7D，本方法還包含在反射層742上形成一第一粘結(jié)層72a。如圖7E所示，本方法還包含提供一基板70，以及在基板上形成一第二粘結(jié)層72b。基板70包含一導(dǎo)電基板，例如硅基板。第一粘結(jié)層72a以及第二粘結(jié)層72b包含金(Au)、銦(In)、錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉍(Bi)或其等的合金。然后，如圖7F所示，第一粘結(jié)層72a與第二粘結(jié)層72b結(jié)合共同形成一粘著層72。于結(jié)合之后，如圖7G所示，移除成長(zhǎng)基板701。接著，在第二半導(dǎo)體層766上形成一第一電極墊70E1以及一延伸電極70E1’。在基板70上形成一第二電極墊70E2。可選擇性地對(duì)第二半導(dǎo)體層766進(jìn)行粗化制作工藝以形成一粗化表面70R，用于增加光取出效率。接著，進(jìn)行光刻制作工藝以及蝕刻制作工藝以移除發(fā)光疊層76的周圍以及裸露第二透明層746 ο可能會(huì)些許的過(guò)蝕刻第二透明層746。最后，一保護(hù)層77覆蓋粗化表面70R以及發(fā)光疊層76的側(cè)壁以保護(hù)發(fā)光元件免于大氣中造成的損害。于本實(shí)施例中，為了更佳的保護(hù)，保護(hù)層77也覆蓋發(fā)光疊層76的多個(gè)側(cè)壁。
[0093]圖7G繪示本發(fā)明案的發(fā)光元件的剖面示意圖。發(fā)光元件7依序包含基板70、粘著層72、反射層742、第一透明層744、第二透明層746以及發(fā)光疊層76。發(fā)光疊層76依序包含第一半導(dǎo)體層762、活性層764以及具有粗化表面70R的第二半導(dǎo)體層766。第一電極墊70E1以及延伸電極70E1’在第二半導(dǎo)體層766上。第二電極墊70E2在基板70上。保護(hù)層77覆蓋粗化表面70R以及發(fā)光疊層76的側(cè)壁。第一透明層744包含被多個(gè)孔穴745圍繞的凸出部744c。多個(gè)孔穴745以及多個(gè)凸出部744c形成一多孔結(jié)構(gòu)。當(dāng)發(fā)光疊層76發(fā)出的光到達(dá)第一透明層744時(shí)，通過(guò)具有空隙在其中的孔穴745以及第一透明層744之間的界面的全反射，光會(huì)被孔穴745反射或是散射，因而增加發(fā)光元件7的光取出效率。發(fā)光元件7的各結(jié)構(gòu)的詳細(xì)敘述已在前述圖7A至圖7F中詳述。
[0094]圖8A至圖SE為本發(fā)明案另一實(shí)施例的發(fā)光元件的制造方法。圖8F繪示發(fā)光元件的上視圖。圖SE繪示發(fā)光元件沿著如圖8F中所示的DD剖面線的剖面示意圖。如圖8A所示，本實(shí)施例的發(fā)光元件的制造方法包括提供一個(gè)基板80，例如藍(lán)寶石基板。發(fā)光元件的制造方法還包括于基板80上形成一發(fā)光疊層86。發(fā)光疊層86包含半導(dǎo)體疊層，其依序包含一第一半導(dǎo)體層862、一活性層864以及一第二半導(dǎo)體層866。第一半導(dǎo)體層862以及第二半導(dǎo)體層866具有不同的導(dǎo)電型態(tài)。例如，第一半導(dǎo)體層862為P型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層866為η型半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層862、活性層864以及第二半導(dǎo)體層866包含三五族化合物材料，例如AlxInyGa(px—y)N(0SxSl，0Sy S I，0Sx+yS I)。接著，進(jìn)行光刻制作工藝以及蝕刻制作工藝以移除位于裸露區(qū)域86E、86E’的第一半導(dǎo)體層862以及活性層864，用于裸露部分的第二半導(dǎo)體層866。經(jīng)過(guò)蝕刻，可能蝕刻掉部分深度的第二半導(dǎo)體層866。接著，如圖SB所示，一第一介電層Dl實(shí)質(zhì)上形成在發(fā)光疊層86的多個(gè)側(cè)壁。接著，一第一透明層844實(shí)質(zhì)上形成于第一半導(dǎo)體層862上。于第一透明層844形成之前，可以選擇性地形成一第二透明層846。于一實(shí)施例中，第二透明層846與第一半導(dǎo)體層862形成歐姆接觸。于另一實(shí)施例中，第二透明層846增加第一透明層844以及發(fā)光疊層86之間的粘著力或是電流擴(kuò)散的能力。第一透明層844以及第二透明層846的材料可讓發(fā)光疊層86發(fā)出的光穿透。第一透明層844以及第二透明層846的材料包含一透明導(dǎo)電材料，透明導(dǎo)電材料包含，但不限于，氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅共摻雜鎵鋁(GAZO)或其等的組合。第一透明層844以及第二透明層846的材料還可包含磷化鎵或類鉆碳(DLC)。于本實(shí)施例中，第一透明層844包含氧化銦錫(ITO)，第二透明層846包含氧化銦鋅(IZO)。于另一實(shí)施例中，第一透明層844包含一第一透明導(dǎo)電氧化物，第二透明層846包含一不同于第一透明導(dǎo)電氧化物的第二透明導(dǎo)電氧化物。
[0095]接著，請(qǐng)參閱圖SC，本方法還包括于第一透明層844中形成多個(gè)孔穴845。同樣地，第一透明層844包含多個(gè)凸出部844c，為了清楚說(shuō)明，其中一凸出部844c表示在右下圓圈內(nèi)的放大圖中。凸出部844c被多個(gè)孔穴845圍繞。形成孔穴845和凸出部844c的詳細(xì)方法以及孔穴845和凸出部844c的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上與前述的實(shí)施例的內(nèi)容相同，在此不再贅述。形成孔穴845之后，可以使用去離子水潤(rùn)洗第一透明層844。本方法可選擇性地包含對(duì)第一透明層844進(jìn)行熱處理以降低第一透明層844的片電阻。接著，在第一透明層844上形成一反射層842。因?yàn)榭籽?45的開孔夠小，反射層842不會(huì)填入孔穴845中，因此孔穴845中會(huì)留有空隙。于本實(shí)施例中，反射層84也包覆第一透明層844以及第二透明層846的側(cè)壁。反射層842包含金屬材料，例如金(Au)、銀(Ag)或鋁(Al)。反射層842、第一透明層844和/或第二透明層846共同形成一全方位反射鏡(Omn1-Direct1nal Reflector(ODR)。
[0096]如圖8D所示，本方法還包含于反射層842、第一介電層Dl以及發(fā)光疊層86上形成一第二介電層D2。移除位于裸露區(qū)域D2E、D2E’的第二介電層D2以裸露第二半導(dǎo)體層866以及部分的反射層842，其中裸露區(qū)域D2E實(shí)質(zhì)上對(duì)應(yīng)裸露區(qū)域86E。本方法還包含于第二介電層D2以及第二半導(dǎo)體層866上形成一導(dǎo)電層Ml。導(dǎo)電層Ml與第二半導(dǎo)體層866接觸。
[0097 ]接著，如圖8E所示，本方法還包含于第二介電層D2上、導(dǎo)電層Ml、反射層842以及第二半導(dǎo)體層866上形成一第三介電層D3。移除實(shí)質(zhì)上位于裸露區(qū)域D2E’的第三介電層D3以裸露反射層842。本方法還包含于第三介電層D3、反射層842以及導(dǎo)電層Ml上形成一第二導(dǎo)電層，接著再移除實(shí)質(zhì)上位于區(qū)域M2E的第二導(dǎo)電層以形成一第一電極墊80E1以及一第二電極墊80E2。第一電極墊80E1接觸導(dǎo)電層Ml，導(dǎo)電層Ml接觸第二半導(dǎo)體層866。換言之，導(dǎo)電層Ml作為一個(gè)中間導(dǎo)電材料且電連接至第一電極墊80E1以及第二半導(dǎo)體層866。一電源供應(yīng)器通過(guò)第一電極墊80E1以及導(dǎo)電層Ml提供一電流至第二半導(dǎo)體層866。第二電極墊80E2接觸反射層842。一電源供應(yīng)器通過(guò)第二電極墊80E2、反射層842以及第一透明層844提供一電流至第一半導(dǎo)體層862。
[0098]圖9A至圖9E繪示本發(fā)明案另一實(shí)施例的發(fā)光元件及其制造方法。圖9F繪示發(fā)光元件的上視圖。圖9E繪示發(fā)光元件沿著如圖9F中所示的HI JK剖面線的剖面示意圖。如圖9A所示，制造發(fā)光元件的方法包含提供一基板90，例如藍(lán)寶石基板。制造發(fā)光元件的方法還包含于基板90上形成一發(fā)光疊層96。發(fā)光疊層96包含半導(dǎo)體疊層，其依序包含一第一半導(dǎo)體層962、一活性層964以及一第二半導(dǎo)體層966。第一半導(dǎo)體層962以及第二半導(dǎo)體層966具有不同的導(dǎo)電型態(tài)。例如，第一半導(dǎo)體層962為P型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層966為η型半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層962、活性層964以及第二半導(dǎo)體層966包含三五族化合物材料，例如AlxInyGa(px—y)N(OSxSl，OSy S I，OSx+yS I)。接著，進(jìn)行光刻制作工藝以及蝕刻制作工藝以移除位于裸露區(qū)域96E、96E’的第一半導(dǎo)體層962以及活性層964，用于裸露部分的第二半導(dǎo)體層966。因?yàn)槁懵秴^(qū)域96E，96E ’經(jīng)過(guò)蝕刻，可能蝕刻掉部分深度的第二半導(dǎo)體層966。接著，如圖9B所示，可以選擇性地形成一電流阻擋層90CB。電流阻擋層90CB包含一介電材料以阻擋電流流過(guò)。接著，形成一第一透明層944于第一半導(dǎo)體層962以及電流阻擋層90CB上。于第一透明層944形成之前，可以選擇性形成一第二透明層946。于一實(shí)施例中，第二透明層946與第一半導(dǎo)體層962形成歐姆接觸。于另一實(shí)施例中，第二透明層946增加第一透明層944以及發(fā)光疊層96之間的粘著力或是電流擴(kuò)散的能力。第一透明層944以及第二透明層946的材料可讓發(fā)光疊層96發(fā)出的光穿透。第一透明層944以及第二透明層946的材料包含一透明導(dǎo)電材料，透明導(dǎo)電材料包含，但不限于，氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅共摻雜鎵鋁(GAZO)或其等的組合。第一透明層944以及第二透明層946的材料還可包含磷化鎵或類鉆碳(DLC)。于本實(shí)施例中，第一透明層944包含氧化銦錫(ITO)，第二透明層946包含氧化銦鋅(IZO)。于另一實(shí)施例中，第一透明層944包含一第一透明導(dǎo)電氧化物，第二透明層846包含一不同于第一透明導(dǎo)電氧化物的第二透明導(dǎo)電氧化物。
[0099]接著，如圖9C所示，本方法還包含于第一透明層944中形成多個(gè)孔穴945。同樣地，第一透明層944包含多個(gè)凸出部944c，為了清楚說(shuō)明，其中一凸出部944c表示在右下圓圈內(nèi)的放大圖中。凸出部944c被多個(gè)孔穴945圍繞。形成孔穴945和凸出部944c的詳細(xì)方法以及孔穴945和凸出部944c的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上與前述的實(shí)施例的內(nèi)容相同，在此不再贅述。值得注意的是，于本實(shí)施例中，孔穴945并未形成在第一透明層944的位于電流阻擋層90CB上的區(qū)域中。形成孔穴945之后，可以使用去離子水潤(rùn)洗第一透明層944。本方法可選擇性地包含對(duì)第一透明層944進(jìn)行熱處理以降低第一透明層944的片電阻。接著，通過(guò)使用光刻制作工藝以及蝕刻制作工藝形成以圖案化導(dǎo)電層，用于形成中間導(dǎo)電層MFl、MF1E。如圖9F的上視圖所示，中間導(dǎo)電層MFlE是自形狀為圓形的中間導(dǎo)電層MFl延伸的延伸電極。同時(shí)形成一中間導(dǎo)電層MFl ’、MF1’E(MF1’E并未繪示于圖9C中但繪示于圖9F中)，如圖9F所示，中間導(dǎo)電層MFl ’E是自形狀為圓形的中間導(dǎo)電層MFI’延伸的延伸電極。中間導(dǎo)電層MFI，MFIE形成在裸露區(qū)域96E以及于第二半導(dǎo)體層966上。中間導(dǎo)電層MFl，MF1E接觸第二半導(dǎo)體層966。中間導(dǎo)電層MF1’，MF1’E形成在第一透明層944上且接觸第一透明層944，其中中間導(dǎo)電層MFl是位于如前所述的電流阻擋層90CB上，而中間導(dǎo)電層MFl，E下并未有電流阻擋層90CB。
[0100]接著，如圖9D所示，本方法還包含形成一反射層942。因?yàn)榭籽?45的開孔夠小，反射層942不會(huì)填入孔穴945中，因此孔穴945中會(huì)留有空隙。于本實(shí)施例中，形成一布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector)結(jié)構(gòu)942以包覆前述結(jié)構(gòu)裸露的部分，且通過(guò)光刻制作工藝以及蝕刻制作工藝移除位于裸露區(qū)域942E的布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)942。裸露區(qū)域942E實(shí)質(zhì)上對(duì)應(yīng)于中間導(dǎo)電層MFl ,MFl ’的位置。布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)942包含多個(gè)布拉格反射鏡組，其中每一布拉格反射鏡組由一具有高折射率的層以及一具有低折射率的層組成。本實(shí)施例中，各布拉格反射鏡組由一氧化鈦層(Ti tanium Oxide，T1x)以及一氧化娃層(Silicon 0xide，Si0x)所組成。
[0101]接著，如圖9E所示，本方法還包含于布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)942上形成一導(dǎo)電層，以及移除實(shí)質(zhì)上位于區(qū)域M2E的導(dǎo)電層以形成一第一電極墊90E1以及一第二電極墊90E2。第一電極墊90EI接觸中間導(dǎo)電層MFI，中間導(dǎo)電層MFI接觸第二半導(dǎo)體層966。換言之，中間導(dǎo)電層MFl作為一個(gè)中間導(dǎo)電媒介且電連接第一電極墊90E1以及第二半導(dǎo)體層966。除此之外，中間導(dǎo)電層MFlE作為一增加電流擴(kuò)散的延伸電極。一電源供應(yīng)器通過(guò)第一電極墊90E1以及中間導(dǎo)電層MF1、MF1E提供電流至第二半導(dǎo)體層966。第二電極墊90E2接觸中間導(dǎo)電層MF1’，且中間導(dǎo)電層MF1’接觸第一透明層944。第一透明層944電連接至第一半導(dǎo)體層962。除此之夕卜，如圖9F所示，中間導(dǎo)電層MFl’E作為增加電流擴(kuò)散的延伸電極。一電源供應(yīng)器通過(guò)第二電極墊90E2、中間導(dǎo)電層MF1’、MF1’E以及第一透明層944(以及第二透明層946，如果有形成第二透明層946)提供電流至第一半導(dǎo)體層962。
[0102]以上各附圖與說(shuō)明雖僅分別對(duì)應(yīng)特定實(shí)施例，然而，各個(gè)實(shí)施例中所說(shuō)明或揭露的元件、實(shí)施方式、設(shè)計(jì)準(zhǔn)則、及技術(shù)原理除在彼此顯相沖突、矛盾、或難以共同實(shí)施之外，吾人當(dāng)可依其所需任意參照、交換、搭配、協(xié)調(diào)、或合并。
[0103]雖然本發(fā)明揭示的內(nèi)容已說(shuō)明如上，然而其并非用以限制本發(fā)明的范圍、實(shí)施順序、或使用的材料與制作工藝方法。對(duì)于本
【發(fā)明內(nèi)容】
所作的各種修飾與變更，皆不脫本
【發(fā)明內(nèi)容】
的精神與范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一發(fā)光元件，其包括: 反射層； 位于該反射層上的第一透明層，其包含一凸出部； 位于該第一透明層上且包含一活性層的發(fā)光疊層；以及 多個(gè)孔穴，位于該第一透明層中，其中該凸出部被該多個(gè)孔穴圍繞。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該凸出部其剖面形狀實(shí)質(zhì)上為一倒置的梯形。3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，其中該凸出部包含一底基體以及一位于該底基體上的頂基體，該底基體的一寬度大于該頂基體的一寬度的1/3倍。4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該多個(gè)孔穴其中之一的剖面形狀實(shí)質(zhì)上為三角形或是梯形。5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其中該多個(gè)孔穴具有一第一部分以及一較該第一部分遠(yuǎn)離發(fā)光疊層的第二部分，該第一部分的一寬度大于該第二部分的一寬度。6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包含第二透明層，位于該第一透明層以及該發(fā)光疊層之間。7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該凸出部的形狀為一倒置的截頂圓錐或倒置的角錐。8.一種發(fā)光元件的制造方法，其包括步驟: 提供一發(fā)光疊層，其包含第二半導(dǎo)體層、位于該第二半導(dǎo)體層上的活性層以及位于該活性層的第一半導(dǎo)體層； 于該第一半導(dǎo)體層上形成一第一透明層；以及 蝕刻該第一透明層以形成多個(gè)孔穴以及一被該多個(gè)孔穴圍繞的凸出部。9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件的制造方法，于蝕刻該第一透明層之后，還包括對(duì)該第一透明層進(jìn)行熱處理。10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件的制造方法，于形成該第一透明層之前，還包括蝕刻部分的第一半導(dǎo)體層以及部分的活性層以裸露部分的第二半導(dǎo)體層。
【文檔編號(hào)】H01L33/46GK105914281SQ201610081356
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年2月5日
【發(fā)明人】謝明勛, 廖文祿
【申請(qǐng)人】晶元光電股份有限公司