Cmos圖像傳感器的芯片級(jí)封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，包括：提供晶圓，所述晶圓具有多個(gè)圖像傳感器芯片，所述圖像傳感器芯片相互之間具有切割道，每個(gè)所述圖像傳感器芯片具有感光區(qū)域和非感光區(qū)域，所述感光區(qū)域上具有像素單元，所述非感光區(qū)域上具有第一電極；提供支撐框架，所述支撐框架固定在所述圖像傳感器芯片上，所述支撐框架的內(nèi)側(cè)開口暴露出所述感光區(qū)域，所述支撐框架不完全遮蓋第一電極，在第一電極和支撐框架的表面形成導(dǎo)電層，電學(xué)連接至支撐框架的頂部觸點(diǎn)；沿所述切割道切割所述晶圓形成封裝件。
【專利說明】
CMOS圖像傳感器的芯片級(jí)封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及圖像傳感器領(lǐng)域，特點(diǎn)是涉及一種CMOS圖像傳感器的芯片級(jí)封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]圖像傳感器是一種將光學(xué)信息(opticalinformat1n)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的半導(dǎo)體器件裝置?，F(xiàn)有圖像傳感器可以被進(jìn)一步分為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器和電荷耦合器件(CXD )圖像傳感器。
[0003]圖像傳感器正朝著微型化的趨勢(shì)發(fā)展，新一代電子產(chǎn)品對(duì)圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)有著更高的要求，例如更小的外形和更低的成本。然而傳統(tǒng)的圖像傳感器封裝方法通常是將圖像傳感器功能面的焊盤引到背面，再在背面制作導(dǎo)電焊球或者引腳，以使得所得到的圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)能夠與外部電路進(jìn)行連接。但是現(xiàn)有圖像傳感器封裝方法存在以下缺占.V.1.現(xiàn)有圖像傳感器封裝方法需要在圖像傳感器上制作背面引出結(jié)構(gòu)，即所述的背面引出結(jié)構(gòu)無法脫離圖像傳感器而先單獨(dú)制作完成，因此背面引出結(jié)構(gòu)的良率不容易單獨(dú)控制，并且背面引出結(jié)構(gòu)的制作良率不高，導(dǎo)致封裝工藝良率低；
2.現(xiàn)有圖像傳感器封裝方法除了需要設(shè)置背面引出結(jié)構(gòu)之外，還需要在圖像傳感器功能面設(shè)置保護(hù)基板進(jìn)行保護(hù)，這樣，圖像傳感器的功能面和背面都需要增加一定厚度，因此無法將圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)制作得較薄；
3.對(duì)圖像傳感器設(shè)置背面引出結(jié)構(gòu)時(shí)，需要在背面設(shè)置絕緣層和保護(hù)層等結(jié)構(gòu)，以保護(hù)相應(yīng)的導(dǎo)線，然而這些導(dǎo)線、絕緣層或保護(hù)層的設(shè)置，不僅增加圖像傳感器封裝的復(fù)雜程度和工藝成本，而且使所形成的圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能下降。
[0004]對(duì)應(yīng)的，現(xiàn)有圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)存在著可靠性低、厚度大和散熱性能差的問題。由于現(xiàn)有圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法存在上述問題，現(xiàn)有圖像傳感器模組形成方法同樣會(huì)存在制作工藝良率低、工藝復(fù)雜和工藝成本高的問題，現(xiàn)有圖像傳感器模組同樣存在厚度大和散熱性能差的問題。
[0005]更多關(guān)于圖像傳感器封裝的內(nèi)容可參考公開號(hào)為CN102544040A(2012年7月4號(hào)公開)的中國(guó)專利申請(qǐng)。
[0006]此外，中國(guó)發(fā)明專利CN201310217356.6，公開了一種采用框板的封裝方式，圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)包括:圖像傳感器，所述圖像傳感器的功能面具有感光區(qū)域和非感光區(qū)域，所述感光區(qū)域上具有像素單元，所述非感光區(qū)域上具有第一電極;與所述圖像傳感器固定連接的引線板，所述引線板具有框板和貫穿所述框板厚度的內(nèi)置導(dǎo)線，所述框板具有開口，所述開口暴露出所述感光區(qū)域，所述內(nèi)置導(dǎo)線的一端與所述第一電極電連接。這種圖像傳感器的封裝方式中，需要對(duì)框板中進(jìn)行穿孔并布置導(dǎo)線。
[0007]為此，亟需一種圖像傳感器的封裝方法，以解決現(xiàn)有圖像傳感器封裝方法工藝復(fù)雜和工藝成本高的問題，現(xiàn)有圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)厚度大和散熱性能差的問題，現(xiàn)有圖像傳感器模組形成方法工藝復(fù)雜和工藝成本高的問題，以及現(xiàn)有圖像傳感器模組厚度大和散熱性能差的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明解決的問題是提供一種CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，包括:提供晶圓，所述晶圓具有多個(gè)圖像傳感器芯片，所述圖像傳感器芯片相互之間具有切割道，每個(gè)所述圖像傳感器芯片具有感光區(qū)域和非感光區(qū)域，所述感光區(qū)域上具有像素單元，所述非感光區(qū)域上具有第一電極;提供支撐框架，所述支撐框架固定在所述圖像傳感器芯片上，所述支撐框架的內(nèi)側(cè)開口暴露出所述感光區(qū)域，所述支撐框架不完全遮蓋第一電極，在第一電極和支撐框架的表面形成導(dǎo)電層，電學(xué)連接至支撐框架的頂部觸點(diǎn)；沿所述切割道切割所述晶圓形成封裝件。
[0009]可選的，提供的所述支撐框架設(shè)置有:對(duì)應(yīng)于圖像傳感器芯片感光區(qū)域的透光蓋板。
[0010]可選的，所述支撐框架未設(shè)置透光蓋板，所述步驟還包括:
沿所述切割道切割所述晶圓，于支撐框架上粘接透光蓋板形成封裝件；
或者粘接透光蓋板于所述支撐框架，再沿所述切割道切割所述晶圓形成封裝件。
[0011]可選的，對(duì)應(yīng)每一導(dǎo)電彈性體于支撐框架上形成至少兩個(gè)頂部觸點(diǎn)，所述頂部觸點(diǎn)的寬度為I微米至20微米，長(zhǎng)度為5微米至20微米;最外側(cè)頂部觸點(diǎn)之間間隔為10微米以上；以增加導(dǎo)電彈性體壓靠于頂部觸點(diǎn)的壓強(qiáng)，同時(shí)減少導(dǎo)電彈性體的扭動(dòng)、翹曲。
[0012]可選的，對(duì)應(yīng)每一導(dǎo)電彈性體于支撐框架上形成一個(gè)頂部觸點(diǎn)，所述頂部觸點(diǎn)的寬度為I微米至20微米，長(zhǎng)度為100微米至300微米，增加導(dǎo)電彈性體壓靠于頂部觸點(diǎn)的壓強(qiáng)，同時(shí)減少導(dǎo)電彈性體的扭動(dòng)、翹曲。
[0013]可選的，于所述支撐側(cè)墻內(nèi)側(cè)形成透氣結(jié)構(gòu)。
[0014]可選的，所述透光蓋板為:紅外濾光膜、藍(lán)玻璃。
[0015]可選的，所述形成支撐框架的步驟包括:
SlOO:提供娃晶圓；
S200:于硅晶圓表面形成頂部觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)；
S300:刻蝕對(duì)應(yīng)于感光區(qū)區(qū)域的硅晶圓形成第一凹槽及第一凹槽內(nèi)的子凹槽，所述第一凹槽具有支撐界面適于粘合透光蓋板；
S400:粘合支撐晶圓與硅晶圓，背面研磨硅晶圓至暴露出子凹槽；
S500:將硅晶圓與圖像傳感器晶圓鍵合，去除支撐晶圓，形成支撐框架。
[0016]可選的，當(dāng)?shù)谝浑姌O位于支撐框架外側(cè)時(shí)，所述S300步驟還包括:刻蝕對(duì)應(yīng)于非感光區(qū)域的硅晶圓形成第二凹槽，第二凹槽的底部對(duì)應(yīng)于第一電極。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明所提供的圖像傳感器模組形成方法使用本發(fā)明實(shí)施例所提供的圖像傳感器封裝方法，因此，所述圖像傳感器模組形成方法具有工藝良率高、工藝簡(jiǎn)單和工藝成本低的特點(diǎn)，并且所述形成方法制作出的圖像傳感器模組厚度小。
[0018]本發(fā)明所提供的圖像傳感器模組由于具有本發(fā)明所提供的圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，因此，所述圖像傳感器模組可靠性高，散熱性能好，并且厚度小。
[0019]進(jìn)一步的，所述圖像傳感器模組還包括具有頂部觸點(diǎn)的支撐框架，支撐框架的側(cè)壁不完全覆蓋第一電極，并在第一電極和支撐框架的表面形成導(dǎo)電層，電學(xué)連接至支撐框架的頂部觸點(diǎn)能較好的保證圖像傳感器芯片的信號(hào)傳輸至頂部觸點(diǎn)再通過導(dǎo)電彈性體傳輸至外部，保證電學(xué)性能。此外采用硅材質(zhì)制作支撐框架能夠防止灰塵或者水分影響圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，并且能夠防止外力損壞圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)。
【附圖說明】
[0020]圖1至圖12為本發(fā)明實(shí)施例一CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法的示意圖；
圖13至圖23為本發(fā)明實(shí)施例二 CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法的示意圖；
圖24為本發(fā)明涉及一實(shí)施例中支撐框架的頂部觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖25為本發(fā)明涉及一實(shí)施例中支撐框架的頂部觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖26為本發(fā)明CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法的步驟示意圖；
圖27為本發(fā)明CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法中形成支撐框架的步驟示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021 ]本發(fā)明提供一種CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)的封裝方法，包括:提供晶圓，所述晶圓具有多個(gè)圖像傳感器芯片，所述圖像傳感器芯片相互之間具有切割道，每個(gè)所述圖像傳感器芯片具有感光區(qū)域和非感光區(qū)域，所述感光區(qū)域上具有像素單元，所述非感光區(qū)域上具有第一電極;提供支撐框架，所述支撐框架固定在所述圖像傳感器芯片上，所述支撐框架的內(nèi)側(cè)開口暴露出所述感光區(qū)域，所述支撐框架不完全遮蓋第一電極，在第一電極和支撐框架的表面形成導(dǎo)電層，電學(xué)連接至支撐框架的頂部觸點(diǎn)；沿所述切割道切割所述晶圓形成封裝件。
[0022]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。
[0023]需要說明的是，由于本說明書附圖中所涉及的各結(jié)構(gòu)對(duì)稱性較高，為更清楚地顯示，在標(biāo)記時(shí)，同一幅圖中相同結(jié)構(gòu)通常僅標(biāo)記一次。
[0024]本發(fā)明實(shí)施例一提供一種CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，請(qǐng)結(jié)合參考圖1至圖12。
[0025]請(qǐng)參考圖1，提供晶圓100，晶圓100用來形成后續(xù)的支撐框架結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例中采用硅晶圓100，圖2中對(duì)硅晶圓100進(jìn)行刻蝕，形成若干凸起結(jié)構(gòu)，該些凸起結(jié)構(gòu)作為支撐框架結(jié)構(gòu)的頂部觸點(diǎn)110，分別控制其中距離相對(duì)較遠(yuǎn)的相鄰兩個(gè)凸起結(jié)構(gòu)的距離以對(duì)應(yīng)于每一個(gè)圖像傳感器芯片單元。該些凸起結(jié)構(gòu)的高度為5微米至50微米，在本實(shí)施例中為20微米，圖3中對(duì)硅晶圓100再次刻蝕，形成若干第二凹槽120，第二凹槽120對(duì)應(yīng)于相鄰圖像傳感器芯片之間的區(qū)域；圖4中對(duì)硅晶圓100上對(duì)應(yīng)于同一個(gè)圖像傳感器芯片的感光區(qū)域進(jìn)行刻蝕形成第一凹槽140，其中第一凹槽140位于凸起結(jié)構(gòu)110之間。圖5中，在第一凹槽140中進(jìn)一步刻蝕形成子凹槽150，子凹槽150的內(nèi)側(cè)還可形成透氣結(jié)構(gòu)。圖6中，提供支撐晶圓200，支撐晶圓200的材質(zhì)可為玻璃，支撐晶圓200與硅晶圓100進(jìn)行臨時(shí)鍵合或臨時(shí)粘合，臨時(shí)鍵合或臨時(shí)粘合采用臨時(shí)鍵合膠、光敏膠、熱敏膠均可。圖7，背面研磨硅晶圓100至暴露出子凹槽150，形成支撐框架300。圖8將硅晶圓(即支撐框架300)與圖像傳感器晶圓400鍵合，去除支撐晶圓200，圖像傳感器晶圓400具有多個(gè)圖像傳感器芯片，在本實(shí)施例中截取了圖像傳感器晶圓400的兩個(gè)圖像傳感器芯片作為本發(fā)明的示意，圖像傳感器芯片相互之間具有切割道430，每個(gè)圖像傳感器芯片具有感光區(qū)域和非感光區(qū)域，感光區(qū)域上具有像素單元420，非感光區(qū)域上具有若干第一電極410，在本實(shí)施例中可以看到，形成的支撐框架300的外側(cè)表面130不完全覆蓋第一電極410。圖9中，在第一電極410和支撐框架300的外側(cè)表面130形成導(dǎo)電層160電學(xué)連接至支撐框架300的頂部觸點(diǎn)110，圖10中，提供透光蓋板500，透光蓋板500為紅外濾光膜、藍(lán)玻璃;粘結(jié)透光蓋板500于支撐框架300。在另一實(shí)施例中，于硅晶圓100與圖像傳感器晶圓400粘結(jié)之前，硅晶圓100已形成的支撐框架300上預(yù)先設(shè)置有對(duì)應(yīng)于圖像傳感器芯片感光區(qū)域的透光蓋板500。圖11，對(duì)圖像傳感器晶圓400的背面進(jìn)行減薄，采用研磨工藝(CMP、PMP)。圖12，沿切割道430對(duì)圖像傳感器晶圓400進(jìn)行切割，分別形成圖像傳感器芯片封裝件。在另一實(shí)施例中，支撐框架300未預(yù)先設(shè)置有透光蓋板500時(shí)，先沿切割道430切割圖像傳感器晶圓400，再于支撐框架300上粘結(jié)透光蓋板500形成圖像傳感器芯片封裝件。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例二提供另一種CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，請(qǐng)結(jié)合參考圖13至圖23。
[0027]請(qǐng)參考圖13，提供晶圓100’，晶圓100’用來形成后續(xù)的支撐框架結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例中采用硅晶圓100’，圖14中對(duì)硅晶圓100’進(jìn)行刻蝕，形成若干凸起結(jié)構(gòu)，該些凸起結(jié)構(gòu)作為支撐框架結(jié)構(gòu)的頂部觸點(diǎn)110’，分別控制其中距離相對(duì)較遠(yuǎn)的相鄰兩個(gè)凸起結(jié)構(gòu)的距離以對(duì)應(yīng)于每一個(gè)圖像傳感器芯片單元。該些凸起結(jié)構(gòu)的高度為5微米至50微米，在本實(shí)施例中為20微米，圖15中對(duì)硅晶圓100’上對(duì)應(yīng)于同一個(gè)圖像傳感器芯片的感光區(qū)域進(jìn)行刻蝕形成第一凹槽120’，其中第一凹槽120’位于凸起結(jié)構(gòu)110’之間。圖16中，在第一凹槽120’中進(jìn)一步刻蝕形成子凹槽130’，子凹槽130’內(nèi)側(cè)還可形成透氣結(jié)構(gòu)。圖17中，提供支撐晶圓200’，支撐晶圓200’的材質(zhì)可為玻璃，支撐晶圓200’與硅晶圓100’進(jìn)行臨時(shí)鍵合或臨時(shí)粘合，臨時(shí)鍵合或臨時(shí)粘合采用臨時(shí)鍵合膠、光敏膠、熱敏膠均可。圖18，背面研磨硅晶圓100’至暴露出子凹槽130’，形成支撐框架300’。圖19將硅晶圓(即支撐框架300’)與圖像傳感器晶圓400’鍵合，去除支撐晶圓200’，圖像傳感器晶圓400’具有多個(gè)圖像傳感器芯片，在本實(shí)施例中截取了圖像傳感器晶圓400’的兩個(gè)圖像傳感器芯片作為本發(fā)明的示意，圖像傳感器芯片相互之間具有切割道430’，每個(gè)圖像傳感器芯片具有感光區(qū)域和非感光區(qū)域，感光區(qū)域上具有像素單元420’，非感光區(qū)域上具有若干第一電極410’，在本實(shí)施例中可以看到，形成的支撐框架300’的內(nèi)側(cè)表面靠近子凹槽130’的側(cè)壁處不完全覆蓋第一電極410’。圖20中，在第一電極410’和支撐框架300’的內(nèi)側(cè)表面形成導(dǎo)電層160’電學(xué)連接至支撐框架300’的頂部觸點(diǎn)110 ’，圖21中，提供透光蓋板500，，透光蓋板500，為紅外濾光膜、藍(lán)玻璃，粘結(jié)透光蓋板500’于支撐框架300’。在另一實(shí)施例中，于硅晶圓100’與圖像傳感器晶圓400’粘結(jié)之前，硅晶圓100’已形成的支撐框架300’上預(yù)先設(shè)置有對(duì)應(yīng)于圖像傳感器芯片感光區(qū)域的透光蓋板500 ’。圖22，對(duì)圖像傳感器晶圓400 ’的背面進(jìn)行減薄，采用研磨工藝(CMP、PMP)。圖23，沿切割道430’對(duì)圖像傳感器晶圓400’進(jìn)行切割，分別形成圖像傳感器芯片封裝件。在另一實(shí)施例中，支撐框架300 ’未預(yù)先設(shè)置有透光蓋板500 ’時(shí)，先沿切割道430 ’切割圖像傳感器晶圓400 ’，再于支撐框架300 ’上粘結(jié)透光蓋板500 ’形成圖像傳感器芯片封裝件。
[0028]請(qǐng)繼續(xù)參考圖24，圖24為本發(fā)明涉及一實(shí)施例中支撐框架的頂部觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖24為圖3或圖15中沿A方向的俯視圖，設(shè)置導(dǎo)電彈性體壓靠于頂部觸點(diǎn)，頂部觸點(diǎn)隨圖像傳感器芯片移動(dòng)，導(dǎo)電彈性體不動(dòng);對(duì)應(yīng)每一導(dǎo)電彈性體于支撐框架300上形成至少兩個(gè)頂部觸點(diǎn)310，頂部觸點(diǎn)310的寬度W為I微米至20微米，長(zhǎng)度H為5微米至20微米;最外側(cè)頂部觸點(diǎn)之間間隔為10微米以上；以增加導(dǎo)電彈性體壓靠于頂部觸點(diǎn)的壓強(qiáng)，同時(shí)減少導(dǎo)電彈性體的扭動(dòng)、翹曲。
[0029]請(qǐng)繼續(xù)參考圖25，圖25為本發(fā)明涉及一實(shí)施例中支撐框架的頂部觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖25為圖3或圖15中沿A方向的俯視圖，設(shè)置導(dǎo)電彈性體壓靠于頂部觸點(diǎn)，頂部觸點(diǎn)隨圖像傳感器芯片移動(dòng)，導(dǎo)電彈性體不動(dòng)，對(duì)應(yīng)每一導(dǎo)電彈性體于支撐框架上形成一個(gè)頂部觸點(diǎn)，所述頂部觸點(diǎn)的寬度W為I微米至20微米，長(zhǎng)度H為100微米至300微米，增加導(dǎo)電彈性體壓靠于頂部觸點(diǎn)的壓強(qiáng)，同時(shí)減少導(dǎo)電彈性體的扭動(dòng)、翹曲。
[0030]請(qǐng)繼續(xù)參考圖26，圖26為本發(fā)明CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法的步驟示意圖。
[0031]S10:提供晶圓，所述晶圓具有多個(gè)圖像傳感器芯片，所述圖像傳感器芯片相互之間具有切割道，每個(gè)所述圖像傳感器芯片具有感光區(qū)域和非感光區(qū)域，所述感光區(qū)域上具有像素單元，所述非感光區(qū)域上具有第一電極；
S20:提供支撐框架，所述支撐框架固定在所述圖像傳感器芯片上，所述支撐框架的內(nèi)側(cè)開口暴露出所述感光區(qū)域，所述支撐框架不完全遮蓋第一電極，在第一電極和支撐框架的表面形成導(dǎo)電層，電學(xué)連接至支撐框架的頂部觸點(diǎn)；
S30:沿所述切割道切割所述晶圓形成封裝件。
[0032]請(qǐng)繼續(xù)參考圖27，圖27為本發(fā)明CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法中形成支撐框架的步驟示意圖。
[0033]SlOO:提供硅晶圓；
S200:于硅晶圓表面形成頂部觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)；
S300:刻蝕對(duì)應(yīng)于感光區(qū)區(qū)域的硅晶圓形成第一凹槽及第一凹槽內(nèi)的子凹槽，所述第一凹槽具有支撐界面適于粘合透光蓋板；
S400:粘合支撐晶圓與硅晶圓，背面研磨硅晶圓至暴露出子凹槽；
S500:將硅晶圓與圖像傳感器晶圓鍵合，去除支撐晶圓，形成支撐框架。
[0034]本發(fā)明所提供的圖像傳感器模組形成方法使用本發(fā)明實(shí)施例所提供的圖像傳感器封裝方法，因此，所述圖像傳感器模組形成方法具有工藝良率高、工藝簡(jiǎn)單和工藝成本低的特點(diǎn)，并且所述形成方法制作出的圖像傳感器模組厚度小。
[0035]本發(fā)明所提供的圖像傳感器模組由于具有本發(fā)明所提供的圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，因此，所述圖像傳感器模組可靠性高，散熱性能好，并且厚度小。
[0036]進(jìn)一步的，所述圖像傳感器模組還包括具有頂部觸點(diǎn)的支撐框架，支撐框架的側(cè)壁不完全覆蓋第一電極，并在第一電極和支撐框架的表面形成導(dǎo)電層，電學(xué)連接至支撐框架的頂部觸點(diǎn)能較好的保證圖像傳感器芯片的信號(hào)傳輸至頂部觸點(diǎn)再通過導(dǎo)電彈性體傳輸至外部，保證電學(xué)性能。此外采用硅材質(zhì)制作支撐框架能夠防止灰塵或者水分影響圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，并且能夠防止外力損壞圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)。
[0037]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種CMOS圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，包括: 提供晶圓，所述晶圓具有多個(gè)圖像傳感器芯片，所述圖像傳感器芯片相互之間具有切割道，每個(gè)所述圖像傳感器芯片具有感光區(qū)域和非感光區(qū)域，所述感光區(qū)域上具有像素單元，所述非感光區(qū)域上具有第一電極； 提供支撐框架，所述支撐框架固定在所述圖像傳感器芯片上，所述支撐框架的內(nèi)側(cè)開口暴露出所述感光區(qū)域，所述支撐框架不完全遮蓋第一電極，在第一電極和支撐框架的表面形成導(dǎo)電層，電學(xué)連接至支撐框架的頂部觸點(diǎn)； 沿所述切割道切割所述晶圓形成封裝件。2.據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，提供的所述支撐框架設(shè)置有:對(duì)應(yīng)于圖像傳感器芯片感光區(qū)域的透光蓋板。3.據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，所述支撐框架未設(shè)置透光蓋板，所述步驟還包括: 沿所述切割道切割所述晶圓，于支撐框架上粘接透光蓋板形成封裝件； 或者粘接透光蓋板于所述支撐框架，再沿所述切割道切割所述晶圓形成封裝件。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，包括: 對(duì)應(yīng)每一導(dǎo)電彈性體于支撐框架上形成至少兩個(gè)頂部觸點(diǎn)，所述頂部觸點(diǎn)的寬度為I微米至20微米，長(zhǎng)度為5微米至20微米;最外側(cè)頂部觸點(diǎn)之間間隔為10微米以上；以增加導(dǎo)電彈性體壓靠于頂部觸點(diǎn)的壓強(qiáng)，同時(shí)減少導(dǎo)電彈性體的扭動(dòng)、翹曲。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，包括: 對(duì)應(yīng)每一導(dǎo)電彈性體于支撐框架上形成一個(gè)頂部觸點(diǎn)，所述頂部觸點(diǎn)的寬度為I微米至20微米，長(zhǎng)度為100微米至300微米，增加導(dǎo)電彈性體壓靠于頂部觸點(diǎn)的壓強(qiáng)，同時(shí)減少導(dǎo)電彈性體的扭動(dòng)、翹曲。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于， 于所述支撐側(cè)墻內(nèi)側(cè)形成透氣結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于， 所述透光蓋板為:紅外濾光膜或藍(lán)玻璃。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，所述形成支撐框架的步驟包括: S100:提供娃晶圓； S200:于硅晶圓表面形成頂部觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)； S300:刻蝕對(duì)應(yīng)于感光區(qū)區(qū)域的硅晶圓形成第一凹槽及第一凹槽內(nèi)的子凹槽，所述第一凹槽具有支撐界面適于粘合透光蓋板； S400:粘合支撐晶圓與硅晶圓，背面研磨硅晶圓至暴露出子凹槽； S500:將硅晶圓與圖像傳感器晶圓鍵合，去除支撐晶圓，形成支撐框架。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CMOS圖像傳感器的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，當(dāng)?shù)谝浑姌O位于支撐框架外側(cè)時(shí)，所述S300步驟還包括:刻蝕對(duì)應(yīng)于非感光區(qū)域的硅晶圓形成第二凹槽，第二凹槽的底部對(duì)應(yīng)于第一電極。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK105914215SQ201610249479
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年4月21日
【發(fā)明人】趙立新, 鄧輝
【申請(qǐng)人】格科微電子（上海）有限公司