發(fā)光裝置及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置及其制作方法，發(fā)光裝置包括一電路板、一發(fā)光單元以及一異方性導(dǎo)電層。電路板包括多個(gè)電極墊。發(fā)光單元包括一半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層、一第一電極以及一第二電極。第一電極以及第二電極分別配置于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的同一側(cè)上。第一電極以及第二電極通過異方性導(dǎo)電層與這些電極墊電性連接。本發(fā)明提供的發(fā)光裝置及其制作方法，不易在水平方向上發(fā)生短路或是漏電，且其良率佳。
【專利說明】
發(fā)光裝置及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光裝置及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的覆晶發(fā)光二極管封裝的結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的邊緣會(huì)切齊于基板的邊緣或內(nèi)縮，而N電極與P電極的邊緣會(huì)切齊半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的邊緣或是與半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的邊緣相隔一垂直距離，也就是說，N電極與P電極于基板上的正投影面積小于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層于基板上的正投影面積，在這樣的配置下，當(dāng)欲將覆晶發(fā)光二極管封裝組裝至一外部電路時(shí)，由于N電極與P電極的電極面積相對(duì)較小，因此發(fā)光二極管封裝在組裝時(shí)易有對(duì)位不精準(zhǔn)以及電極接觸不良的問題產(chǎn)生。
[0003]另外，現(xiàn)有的覆晶發(fā)光二極管的組裝方法除了可以將發(fā)光二極管封裝組裝至外部電路，也可以將發(fā)光二極管磊晶薄膜直接組裝至外部電路。一般而言，可以將發(fā)光二極管封裝或發(fā)光二極管磊晶薄膜直接接合至外部電路，或者是通過焊錫接合至外部電路。然而，在焊錫接合的過程中，焊錫因加熱而產(chǎn)生流動(dòng)性，而容易導(dǎo)致組裝完成的發(fā)光裝置在水平方向上發(fā)生短路的情形。此外，以現(xiàn)有接合方式以及接合材料組裝完成的發(fā)光裝置在進(jìn)行后續(xù)加工時(shí)，容易因后續(xù)加工所產(chǎn)生的應(yīng)力而造成發(fā)光裝置發(fā)生漏電或損壞的情形，使得發(fā)光裝置良率低落。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置及其制作方法，不易在水平方向上發(fā)生短路或是漏電，且其良率佳。
[0005]本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置，其不易在水平方向上發(fā)生短路或是漏電，且其良率佳。
[0006]本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置的制造方法，其制作的發(fā)光裝置不易在水平方向上發(fā)生短路或是漏電，且其良率佳。
[0007]本發(fā)明的一種發(fā)光裝置，包括一電路板、一發(fā)光單元以及一異方性導(dǎo)電層。電路板包括多個(gè)電極墊。發(fā)光單元包括一半導(dǎo)體嘉晶結(jié)構(gòu)層、一第一電極以及一第二電極。第一電極以及第二電極分別配置于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的同一側(cè)上。第一電極以及第二電極通過異方性導(dǎo)電層與這些電極墊電性連接。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，發(fā)光單元還包括一基板。半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層配置于基板上，且第一電極以及第二電極配置于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)上。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，發(fā)光裝置還包括一透光層。發(fā)光單元配置于透光層上，發(fā)光單元配置于透光層與第一電極之間，且配置于透光層與第二電極之間。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，發(fā)光裝置還包括一封裝體。封裝發(fā)光單元并至少曝露部分第一電極及部分第二電極。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，異方性導(dǎo)電層包括一絕緣膠體以及分散于絕緣膠體的多個(gè)導(dǎo)電體。
[0012]本發(fā)明的一種發(fā)光裝置的制造方法，包括提供包括多個(gè)電極墊的一電路板。提供一發(fā)光單元。發(fā)光單元包括一半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層以及配置于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上的一第一電極以及一第二電極。以一異方性導(dǎo)電層貼附電路板與發(fā)光單元。使第一電極以及第二電極對(duì)位這些電極墊。對(duì)異方性導(dǎo)電層進(jìn)行一處理，使第一電極以及第二電極與這些電極墊電性連接。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，處理包括對(duì)異方性導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)于第一電極以及第二電極的部分加壓，使異方性導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)于第一電極以及第二電極的部分分別電性連接至第一電極以及第二電極。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，處理包括對(duì)異方性導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)于第一電極以及第二電極的部分加熱，使異方性導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)于第一電極以及第二電極的部分分別電性連接至第一電極以及第二電極。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，發(fā)光單元還包括一基板。半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層配置于基板上。發(fā)光裝置的制造方法還包括使第一電極以及第二電極與這些電極墊電性連接后，移除基板。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，移除基板的方法包括利用雷射剝離法移除基板。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，異方性導(dǎo)電層包括一絕緣膠體以及分散于絕緣膠體的多個(gè)導(dǎo)電體。
[0018]本發(fā)明的一種發(fā)光裝置，包括一電路板、一發(fā)光單元、一透光層、一封裝層以及一異方性導(dǎo)電層。發(fā)光單元包括一基板、一配置于基板上的半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層，以及一第一電極與第二電極，分別配置于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的同一側(cè)上。發(fā)光單元配置于透光層上且至少曝露第一電極及第二電極。封裝體封裝發(fā)光單元并至少曝露部分第一電極及部分第二電極，第一電極與第二電極分別由半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上向外延伸且分別覆蓋至少封裝體的部分上表面。第一電極以及第二電極通過異方性導(dǎo)電層與電路板電性連接。
[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，異方性導(dǎo)電層包括一絕緣膠體以及分散于絕緣膠體的多個(gè)導(dǎo)電體。
[0020]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極包括連接半導(dǎo)體嘉晶結(jié)構(gòu)層的一第一電極部以及連接第一電極部的一第一電極延伸部，而第二電極包括連接半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的一第二電極部以及連接第二電極部的一第二電極延伸部，第一電極延伸部與第二電極延伸部分別向外延伸于至少部分封裝體的上表面。
[0021]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極延伸部與第二電極延伸部切齊于或內(nèi)縮于封裝體的上表面的邊緣。
[0022]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極部與第二電極部切齊于或內(nèi)縮于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的邊緣。
[0023]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，發(fā)光裝置還包括一或多個(gè)平坦的表面，每一平坦的表面包括透光層及封裝體。
[0024]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極延伸部包括多個(gè)第一柵狀電極，而第二電極延伸部包括多個(gè)第二柵狀電極，這些第一柵狀電極分布在第一電極部與封裝體的部分上表面上，這些第二柵狀電極分布在第二電極部與封裝體的部分上表面上。
[0025]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，至少部分第一電極延伸部由第一電極部的邊緣往遠(yuǎn)離第二電極部的方向延伸，且至少部分第二電極延伸部由第二電極部的邊緣往遠(yuǎn)離第一電極部的方向延伸。
[0026]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極延伸部與第二電極延伸部分別包括多個(gè)彼此分離的子電極。
[0027]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極延伸部的這些子電極位于封裝體的上表面上遠(yuǎn)離第二電極的至少一角落，且第二電極延伸部的這些第二子電極位于封裝體的上表面上遠(yuǎn)離第一電極的至少一角落。
[0028]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極延伸部、第二電極延伸部的頂面與封裝體的上表面實(shí)質(zhì)上共平面。
[0029]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極部與第一電極延伸部為無接縫連接，第二電極部與第二電極延伸部為無接縫連接。
[0030]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極延伸部與第二電極延伸部分別包括一接著層及一配置于接著層與封裝體之間的阻障層。
[0031]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，接著層的材質(zhì)包括金、錫、鋁、銀、銅、銦、鉍、鉑、金錫合金、錫銀合金、錫銀銅合金(SAC alloy)或其組合，且阻障層的材質(zhì)包括鎳、鈦、鎢、金或其組合的合金。
[0032]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極與第二電極分別還包括一反射層，分別配置于這些電極延伸部與封裝體之間。
[0033]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，反射層的材質(zhì)包括金、鋁、銀、鎳、鈦或其組合的合金。
[0034]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，發(fā)光裝置還包括一反射層，配置于封裝體的表面上。
[0035]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，至少部分反射層位于這些電極與封裝體之間。
[0036]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，反射層的材質(zhì)包括金、招、銀、鎳、鈦、布拉格反射鏡(Distributed Bragg Ref lector，簡(jiǎn)稱DBR)、摻有具高反射率的反射粒子的樹脂層或其組入口 ο
[0037]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，發(fā)光裝置還包括一波長轉(zhuǎn)換材料，包覆發(fā)光單元并至少曝露部分第一電極及部分第二電極。
[0038]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換材料包括熒光材料或量子點(diǎn)材料。
[0039]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換材料是形成在發(fā)光單元的表面、形成在封裝體的表面或混合在封裝體中。
[0040]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，這些第一子電極與這些第二子電極為層狀電極、球狀電極或柵狀電極。
[0041]本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種發(fā)光裝置，包括一電路板、一發(fā)光單元、一透光層、一封裝層以及一異方性導(dǎo)電層。發(fā)光單元包括一基板、一配置于基板上半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層，以及一第一電極與第二電極，分別配置于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層而相反于基板的同一側(cè)上。透光層配置于發(fā)光單元上且位于基板的一側(cè)相反于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層、第一電極及第二電極。封裝體位于發(fā)光單元與透光層之間。封裝體封裝發(fā)光單元并至少曝露部分第一電極及部分第二電極。第一電極與第二電極分別由半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上向外延伸且分別覆蓋至少封裝體的部分上表面。第一電極以及第二電極通過異方性導(dǎo)電層與電路板電性連接。
[0042]本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種發(fā)光裝置，包括一電路板、一發(fā)光單、一封裝層以及異方性導(dǎo)電層。發(fā)光單元包括一基板、一配置于基板上的半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層，以及一第一電極及一第二電極，配置于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的同一側(cè)上。封裝體封裝發(fā)光單元并至少曝露部分第一電極及部分第二電極。第一電極與第二電極分別由半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上向上延伸且不覆蓋封裝體的一上表面。第一電極以及第二電極通過異方性導(dǎo)電層與電路板電性連接
[0043]本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種發(fā)光裝置，包括一電路板、發(fā)光單元、一封裝層以及一異方性導(dǎo)電層。發(fā)光單元包括一基板、一配置于基板上的半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層，以及一第一電極與第二電極，分別配置于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的同一側(cè)上。封裝體封裝發(fā)光單元并至少曝露部分第一電極及部分第二電極。第一電極與第二電極分別由半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上向外延伸且分別覆蓋至少封裝體的部分上表面。第一電極以及第二電極通過異方性導(dǎo)電層與電路板電性連接。
[0044]本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種發(fā)光裝置，包括一電路板、一發(fā)光單元、一透光層、一封裝層以及異方性導(dǎo)電層。發(fā)光單元包括一基板、一配置于基板上的半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層，以及一第一電極與第二電極，分別配置于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的同一側(cè)上。發(fā)光單元配置于透光層上且至少曝露第一電極及第二電極。封裝體封裝發(fā)光單元并至少曝露部分第一電極及部分第二電極。第一電極與第二電極分別由半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層向上延伸而不覆蓋封裝體的一上表面。第一電極以及第二電極通過異方性導(dǎo)電層與電路板電性連接。
[0045]本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種發(fā)光裝置，包括一電路板、一發(fā)光單元、一透光層、一封裝層以及一異方性導(dǎo)電層。發(fā)光單元包括一基板、一配置于基板上的半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層，以及一第一電極與第二電極，分別配置于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層而相反于基板的同一側(cè)上。透光層配置于發(fā)光單元上且位于基板的一側(cè)相反于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層、第一電極及第二電極。封裝體位于發(fā)光單元與透光層之間。封裝體封裝發(fā)光單元并至少曝露部分第一電極及部分第二電極。第一電極與第二電極分別由半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層向上延伸而不覆蓋封裝體的一上表面。第一電極以及第二電極通過異方性導(dǎo)電層與電路板電性連接。
[0046]基于上述，由于本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光單元的第一電極與第二電極是從半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上向外延伸并可覆蓋至少部分封裝膠體，也就是說，相較于現(xiàn)有第一電極與第二電極的設(shè)計(jì)而言，本發(fā)明的發(fā)光裝置(發(fā)光二極管封裝)可具有較大的電極面積，且當(dāng)后續(xù)欲組裝至一外部電路上時(shí)，也可有效提高組裝時(shí)的對(duì)位精準(zhǔn)度。由于本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光單元的第一電極與第二電極是從半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上向上延伸而凸出于封裝較體，因此有利于后續(xù)的固晶接合制程。另外，在本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置及其制作方法中，發(fā)光單元的第一電極以及第二電極通過異方性導(dǎo)電層與電路板電性連接。因此，發(fā)光裝置不易在水平方向上發(fā)生短路或是漏電，且發(fā)光裝置的良率佳。
[0047]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0048]圖1A為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0049]圖1B為沿圖1A的線A-A的剖面示意圖；
[0050]圖2A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0051 ]圖2B為沿圖2A的線B-B的剖面示意圖；
[0052]圖3A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0053]圖3B為沿圖3A的線C-C的剖面示意圖；
[0054]圖4A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0055]圖4B為沿圖4A的線D-D的剖面示意圖；
[0056]圖5A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0057]圖5B為沿圖5A的線E-E的剖面示意圖；
[0058]圖6A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0059]圖6B為沿圖6A的線F-F的剖面示意圖；
[0060]圖7A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0061 ]圖7B為沿圖7A的線G-G的剖面示意圖；
[0062]圖8A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0063]圖8B為沿圖8A的線H-H的剖面示意圖；
[0064]圖9A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0065]圖9B為沿圖9A的線1-1的剖面示意圖；
[0066]圖1OA為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0067]圖1OB為沿圖1OA的線J-J的剖面示意圖；
[0068]圖1lA為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0069]圖1IB為沿圖1IA的線K-K的剖面示意圖；
[0070]圖12A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0071]圖12B為沿圖12A的線L-L的發(fā)光裝置覆晶接合至電路板剖面示意圖；
[0072]圖13為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0073]圖14為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的剖面示意圖；
[0074]圖15A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0075]圖15B為沿圖15A的線M-M的發(fā)光裝置的剖面示意圖；
[0076]圖16A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0077]圖16B為沿圖16A的線N-N的發(fā)光裝置的剖面示意圖；
[0078]圖17A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖；
[0079]圖17B為沿圖17A的線P-P的發(fā)光裝置的剖面示意圖；
[0080]圖18A為本發(fā)明的一實(shí)施例采圖1B的發(fā)光裝置覆晶接合至電路板的剖面示意圖；[0081 ]圖18B為圖18A中區(qū)域Ml的局部放大圖；
[0082]圖18C為本發(fā)明的另一實(shí)施例采圖1B的發(fā)光裝置覆晶接合至電路板的剖面示意圖。
[0083]圖19A至19D為本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光裝置的制作過程的示意圖；
[0084]圖20為本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造方法的步驟流程圖。
[0085]附圖標(biāo)記說明:
[0086]50、50a:電路板；
[0087]52、52a:電極墊；
[0088]60:錫膏；
[0089]100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、1001、100j、100k、1001、100m、 UL
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[0122]S1、S1’、S1”、S1”’:第一上表面;
[0123]S2、S2’、S2”、S2”’:第二上表面;
[0124]SlOO、S200、S300、S400、S500:發(fā)光裝置的制造方法的步驟；
[0125]Tl:第一頂面；
[0126]T2:第二頂面；
[0127]d:間隔。
【具體實(shí)施方式】
[0128]圖1A為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖。圖1B為沿圖1A的線A-A的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖1A與圖1B，在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置10a其包括一透光層110、一發(fā)光單兀120a以及一封裝體130a。發(fā)光單兀120a例如是一發(fā)光二極管，包括一基板122、一磊晶結(jié)構(gòu)層124、一第一電極126a以及一第二電極128a。磊晶結(jié)構(gòu)層124配置于基板122上。在本實(shí)施例中，嘉晶結(jié)構(gòu)層124為半導(dǎo)體嘉晶結(jié)構(gòu)層。嘉晶結(jié)構(gòu)層124的周圍切齊于基板122的周圍。第一電極126a配置于磊晶結(jié)構(gòu)層124的一側(cè)上。第二電極128a配置于磊晶結(jié)構(gòu)層124上，且與第一電極126a設(shè)置于磊晶結(jié)構(gòu)層124上相反于基板122的同一側(cè)，其中第一電極126a與第二電極128a之間具有一間隔d。發(fā)光單元120a配置于透光層110上且透光層110位于發(fā)光單元120a的基板122相反于磊晶結(jié)構(gòu)層124、第一電極126a以及第二電極128a的一偵U，而至少曝露出部分第一電極126a及部分第二電極128a。封裝體130a配置于透光層110上，且位于發(fā)光單元120a與透光層110之間，其中封裝體130a封裝發(fā)光單元120a而曝露出至少部分第一電極126a與部分第二電極128a，而第一電極126a與第二電極128a由磊晶結(jié)構(gòu)層124上分別向外延伸且覆蓋至少部分封裝體130a的一上表面132a。更詳細(xì)的說，磊晶結(jié)構(gòu)層124至少包括依序電性連接的第一型半導(dǎo)體層(未示出)、發(fā)光層(未示出)及第二型半導(dǎo)體層(未示出)，第一電極126a與第一型半導(dǎo)體層電性連接，且第二電極128a與第二型半導(dǎo)體層電性連接。在本實(shí)施例中，封裝體130a的邊緣切齊透光層110的邊緣，使得發(fā)光裝置10a形成有一或多個(gè)平坦的表面。
[0129]詳細(xì)來說，本實(shí)施例的透光層110適于引導(dǎo)發(fā)光單元120a所發(fā)出的光并讓光穿透，其中透光層110的材質(zhì)例如是可透光的無機(jī)材料，包括但不限于玻璃或陶瓷;或可透光的有機(jī)材料，包括但不限于硅膠、環(huán)氧樹脂或各種樹脂，而透光層110的透光率最佳至少為50%。透光層110的型態(tài)可以是平坦的透光板或其他形狀的透光層。在本發(fā)明其他實(shí)施例中，發(fā)光裝置10a可以不包括透光層110，并且封裝體130a形成有一或多個(gè)平坦的表面。發(fā)光單元120a例如是為一覆晶式發(fā)光二極管芯片，其中發(fā)光單元120a的基板122的材質(zhì)例如是藍(lán)寶石、氮化鎵、氧化鎵、碳化娃或氧化鋅，但并不以此為限。再者，本實(shí)施例的第一電極126a包括一第一電極部126al以及一第一電極延伸部126a2。第二電極128a包括一第二電極部128al以及一第二電極延伸部128a2。第一電極部126al與第二電極部128al的邊緣切齊于或不切齊于(例如內(nèi)縮于)磊晶結(jié)構(gòu)層124的邊緣。第一電極延伸部126a2位于第一電極部126al上且向外延伸而覆蓋封裝體130a的上表面132a。第二電極延伸部128a2位于第二電極部128al上且向外延伸而覆蓋封裝體130a的上表面132a。此處，第一電極部126al與第一電極延伸部126a2可采用相同或不同材質(zhì)，而第二電極部128al與第二電極延伸部128a2可采用相同或不同材質(zhì)，在此并不加以限制。在本實(shí)施例中，第一電極延伸部126a2分別由第一電極部126al向上延伸以及往遠(yuǎn)離第二電極部128al的方向延伸，且第二電極延伸部128a2分別由第二電極部128al向上延伸以及往遠(yuǎn)離第一電極部126a的方向延伸。
[0130]此外，本實(shí)施例的封裝體130a的材質(zhì)例如是可透光的無機(jī)材料或有機(jī)材料，其中無機(jī)材料包括但不限于玻璃或陶瓷，有機(jī)材料包括但不限于硅膠、環(huán)氧樹脂或各種樹脂。發(fā)光裝置10a還包括有至少一波長轉(zhuǎn)換材料，波長轉(zhuǎn)換材料包括但不限于熒光體或量子點(diǎn)。波長轉(zhuǎn)換材料134a可摻雜在封裝體130a內(nèi)，用來改變發(fā)光單元120a所發(fā)出的光的波長。在本發(fā)明其他實(shí)施例中，也可以在發(fā)光單元120a的表面直接形成波長轉(zhuǎn)換材料層，并至少曝露出部分第一電極126a與部分第二電極128a，使得波長轉(zhuǎn)換材料層位于封裝體130a與發(fā)光單元120a之間，形成的方法包括但不限于噴涂或貼附。而在本發(fā)明其他另一實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換材料層也可以形成在封裝體130a的表面，并至少曝露出部分第一電極126a與部分第二電極128a，使得封裝體130a位于波長轉(zhuǎn)換材料層與發(fā)光單元120a之間，形成的方法包括但不限于噴涂或貼附。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，發(fā)光裝置10a可以不包括波長轉(zhuǎn)換材料，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，仍不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。
[0131]簡(jiǎn)言之，由于本實(shí)施例的第一電極126a與第二電極128a具有覆蓋于封裝體130a的上表面132a的第一電極延伸部126a2與第二電極延伸部128a2的設(shè)計(jì)，因此相較于現(xiàn)有第一電極與第二電極的設(shè)計(jì)而言，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10a可具有較大的電極面積。此外，當(dāng)后續(xù)欲將發(fā)光裝置10a組裝至一外部電路(未示出)上時(shí)，第一電極126a與第二電極128a的設(shè)計(jì)也可提高發(fā)光二極管封裝進(jìn)行組裝時(shí)的對(duì)位精準(zhǔn)度，且也可避免現(xiàn)有電極接觸不良的問題產(chǎn)生。具體而言，由于第一電極延伸部126a2及第二電極延伸部128a2分別擴(kuò)大了第一電極部126al與第二電極部128al的面積，發(fā)光裝置當(dāng)使用錫膏使發(fā)光裝置10a與電路板接合時(shí)，可減少或避免錫膏溢流而造成短路的狀況，能確保接合可靠度。此外。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10a也可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10a的第一電極126a以及第二電極128a可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0132]值得一提的是，在此實(shí)施例中，第一電極延伸部126a2的邊緣與第二電極延伸部128a2的邊緣切齊于封裝體130a的邊緣以及透光層110的邊緣，除了電極面積變大，以增加對(duì)位精準(zhǔn)度之外，這樣的設(shè)計(jì)在制程上可更為簡(jiǎn)便，進(jìn)而節(jié)省制程時(shí)間，原因在于封裝體130a可一次封裝多個(gè)具有第一電極部126al與第二電極部128al的發(fā)光單元120a，之后同時(shí)鍍上第一電極延伸部126a2與第二電極延伸部128a2后，再直接加以切割形成發(fā)光裝置10a0
[0133]在此必須說明的是，下述實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號(hào)來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。
[0134]圖2A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖。圖2B為沿圖2A的線B-B的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖2A與圖2B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10b與圖1A及圖1B中的發(fā)光裝置10a相似，二者主要差異之處在于:本實(shí)施例的第一電極126b的第一電極延伸部126b2是由多個(gè)第一柵狀電極Rl所組成，而第二電極128b的第二電極延伸部128b2是由多個(gè)第二柵狀電極R2所組成。部分第一柵狀電極Rl與第二柵狀電極R2分別由第一電極部126bl與第二電極部128bl向上延伸，部分第一柵狀電極Rl與第二柵狀電極R2配置于封裝體130a的上表面132a上。
[0135]其中，第一柵狀電極Rl呈間隔排列(例如是等間距排列)且暴露出部分第一電極部126bl以及部分封裝體130a。第二柵狀電極R2呈間隔排列(例如是等間距排列)且暴露出部分第二電極部128bl以及部分封裝體130a。特別是，每一第一柵狀電極Rl具有一第一頂面Tl，而每一第二柵狀電極R2具有一第二頂面T2。第一柵狀電極Rl的第一頂面Tl與第二柵狀電極R2的第二頂面T2實(shí)質(zhì)上共平面。如此一來，當(dāng)后續(xù)將發(fā)光裝置10b組裝至一外部電路(未示出)上時(shí)，發(fā)光單元120b的第一電極126b與第二電極128b的設(shè)計(jì)可提供較佳的組裝平整度以及較大的電極面積，以利于發(fā)光裝置10b進(jìn)行后續(xù)的組裝。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10b可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10b的第一電極126b以及第二電極128b可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0136]圖3A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖。圖3B為沿圖3A的線C-C的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖3A與圖3B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10c與圖2A及圖2B中的發(fā)光裝置100b相似，二者主要差異之處在于:本實(shí)施例的第一電極延伸部126c2是由多個(gè)第一柵狀電極R1’所組成，而第二電極延伸部128c2是由多個(gè)第二柵狀電極R2’所組成，其中第一柵狀電極Rl ’與第二柵狀電極R2’還延伸配置于第一電極126c與第二電極128c之間的間隔d處。如此一來，發(fā)光單元120c的電極面積可由磊晶結(jié)構(gòu)層124延伸至封裝體130a上，以使發(fā)光裝置10c可具有較大的電極面積，制程簡(jiǎn)易，且有助于提高后續(xù)組裝上的對(duì)位精準(zhǔn)度，需說明的是，柵狀電極與電路板的連接在實(shí)際應(yīng)用上可用異方性導(dǎo)電膠來實(shí)現(xiàn)。舉例而言，發(fā)光裝置10c的第一電極126c以及第二電極128c可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0137]圖4A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖。圖4B為沿圖4A的線D-D的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖4A與圖4B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10d與圖1A及圖1B中的發(fā)光裝置10a相似，二者主要差異之處在于:本實(shí)施例的封裝體130d還包覆第一電極126d、第二電極128d而暴露出上述電極的上表面，且封裝體130d填滿第一電極126d與第二電極128d之間的間隔d，其中第一電極延伸部126d2的側(cè)壁與第二電極延伸部128d2的側(cè)壁也被封裝體130d所包覆。此外，第一電極延伸部126d2的邊緣與第二電極延伸部128d2的邊緣內(nèi)縮于封裝體130d的邊緣與透光層110的邊緣。第一電極延伸部126d2的一第一上表面S1、第二電極延伸部128d2的一第二上表面S2與封裝體130d的上表面132d實(shí)質(zhì)上共平面。也就是說，第一電極延伸部126d2配置于第一電極部126dl上，且第一電極延伸部126d2的第一上表面SI與封裝體130d的上表面132d實(shí)質(zhì)上共平面。第二電極延伸部128d2配置于第二電極部128dl上，且第二電極延伸部128d2的第二上表面S2與封裝體130d的上表面132d實(shí)質(zhì)上共平面。如此一來，當(dāng)發(fā)光裝置10d與一外部電路(未示出)電性連接時(shí)，發(fā)光單元120d的第一電極126d與第二電極128d的設(shè)計(jì)，可使發(fā)光裝置10d在組裝時(shí)沒有組裝間隙(gap)，可有效防止水氣與氧氣進(jìn)入發(fā)光裝置10d中。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10d可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10d的第一電極126d以及第二電極128d可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0138]圖5A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖。圖5B為沿圖5A的線E-E的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖5A與圖5B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10e與圖4A及圖4B中的發(fā)光裝置10d相似，二者主要差異之處在于:本實(shí)施例的第一電極延伸部126e2與第一電極部126el之間為無接縫連接，而第二電極延伸部128e2與第二電極部128el之間為無接縫連接。也就是說，發(fā)光單兀120e的第一電極126e的第一電極延伸部126e2與第一電極部126el—體成型，而第一電極128e的第二電極延伸部128e2與第二電極部128el—體成型，如此可使發(fā)光裝置10e結(jié)構(gòu)完整度較佳，具有較好的信賴性。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10e可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10e的第一電極126e以及第二電極128e可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0139]圖6A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖。圖6B為沿圖6A的線F-F的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖6A與圖6B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10f與圖4A及圖4B中的發(fā)光裝置10d相似，二者主要差異之處在于:本實(shí)施例的第一電極延伸部126f2的邊緣與第二電極延伸部128f 2的邊緣切齊于封裝體130f的邊緣以及透光單元110的邊緣，而未被封裝體130f包覆。此時(shí)，發(fā)光單元120f的第一電極延伸部126f2配置于第一電極部126Π上，且第一電極延伸部126f2的第一上表面SI’與封裝體130f的上表面132f實(shí)質(zhì)上共平面。發(fā)光單元120f的第二電極延伸部128f2配置于第二電極部128Π上，且第二電極延伸部128f2的第二上表面S2’與封裝體130f的上表面132f實(shí)質(zhì)上共平面。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10f可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10f的第一電極126f以及第二電極128f可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0140]圖7A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖。圖7B為沿圖7A的線G-G的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖7A與圖7B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10g與圖6A及圖6B中的發(fā)光裝置10f相似，二者主要差異之處在于:本實(shí)施例的第一電極延伸部126g2與第一電極部126gl之間為無接縫連接，而第二電極延伸部128g2與第二電極部128gl之間為無接縫連接。也就是說，發(fā)光單元120g的第一電極126g的第一電極延伸部126g2與第一電極部126gl—體成型，而第一電極128g的第二電極延伸部128g2與第二電極部128gl—體成型。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10g可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10g的第一電極126g以及第二電極128g可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0141]圖8A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖。圖SB為沿圖8A的線H-H的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖8A與圖8B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10h與圖7A及圖7B中的發(fā)光裝置10g相似，二者主要差異之處在于:本實(shí)施例的發(fā)光單元120h的第一電極126h還包括連接第一電極部126hl與第一電極延伸部126h2的一第一連接部126h3。第一連接部126h3的延伸方向垂直于第一電極部126hl的延伸方向與第一電極延伸部126h2的延伸方向。第一電極部126hl、第一連接部126h3以及第一電極延伸部126h2之間可以是無接縫連接。發(fā)光單元120h的第二電極128h還包括連接第二電極部128hl與第二電極延伸部128h2的一第二連接部128h3。第二連接部128h3的延伸方向垂直于第二電極部128hl的延伸方向與第二電極延伸部128h2的延伸方向。第二電極部128hl、第二連接部128h3以及第二電極延伸部128h2之間可以是無接縫連接。第一電極延伸部126h2的第一上表面SI”、第二電極延伸部128h2的第二上表面S2”與封裝體130h的上表面132h實(shí)質(zhì)上共平面。封裝體130h填滿第一電極126h與第二電極128h之間的間隔d。此處，第一電極延伸部126h2的邊緣與第二電極延伸部128h2的邊緣切齊于封裝體130h的邊緣以及透光層110的邊緣。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10h可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10h的第一電極126h以及第二電極128h可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0142]圖9A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖。圖9B為沿圖9A的線1-1的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖9A與圖9B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10i與圖8A及圖8B中的發(fā)光裝置10h相似，二者主要差異之處在于:本實(shí)施例的第一電極延伸部126i2的側(cè)壁與第二電極延伸部128i2的側(cè)壁被封裝體130i所包覆。也就是說，本實(shí)施例的發(fā)光單元120i的第一電極126 1、第二電極128 1、磊晶結(jié)構(gòu)層124以及基板122被封裝體130 i所封裝，但暴露出上述電極的上表面。此處，第一電極126i的第一電極延伸部126i2通過第一連接部126i3與第一電極部126il相連接，且第一電極延伸部126i2的第一表面SI”’與封裝體130i的上表面132i實(shí)質(zhì)上共平面。而，第二電極128i的第二電極延伸部128i2通過第二連接部128i3與第二電極部128il相連接，且第二電極延伸部128i2的第二表面S2”’與封裝體130i的上表面132i實(shí)質(zhì)上共平面。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10i可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10i的第一電極126i以及第二電極128i可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0143]圖1OA為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視不意圖，而圖1OB為沿圖1OA的線J-J的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1OA與圖10B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10j類似于圖1A的發(fā)光裝置100a，而兩者的差異如下所述。在本實(shí)施例的發(fā)光裝置10j中，第一電極延伸部126j2包括多個(gè)彼此分離的第一子電極126 j21、126 j22，且第二電極延伸部128 j2包括多個(gè)彼此分離的第二子電極128」21、128」22。在本實(shí)施例中，這些第一子電極126」21、126」22位于封裝體的二相鄰角落，且這些第二子電極128j21、128j22位于封裝體的另二相鄰角落。換言之，這些第一子電極126j21、126j22由第一電極部126jl邊緣朝向遠(yuǎn)離第二電極部128jl的方向延伸，且這些第二子電極128 j21、128 j22由第二電極部128 jl的邊緣朝向遠(yuǎn)離第一電極部126」1的方向延伸，因而這些子電極126」21、126」22、128」21、128」22分別延伸于發(fā)光裝置10j上表面的的四個(gè)角落。另外，在本實(shí)施例中，封裝體130j封裝第一電極部126jl與第二電極部128」1，而這些子電極126」21、126」22、128」21、128」22延伸至并覆蓋在封裝體130]_上。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置10j可還包括透光層110，而封裝體130j配置于透光層110上。相較于圖1B，圖1OB只是示出了將發(fā)光裝置10j翻轉(zhuǎn)過來，以利于覆晶接合的情形。
[0144]在本實(shí)施例的發(fā)光裝置10j中，由于配置于發(fā)光裝置10j上表面的四個(gè)角落的這些子電極126 j21、126 j22、128 j21、128 j22可分別通過四個(gè)錫膏接合至電路板，而四個(gè)配置于四個(gè)角落的錫膏在回焊(reflow)時(shí)可以分散應(yīng)力。如此一來，當(dāng)發(fā)光裝置10j接合至電路板而冷卻后，不至于對(duì)于預(yù)設(shè)位置偏轉(zhuǎn)一個(gè)角度，進(jìn)而確保接合制程的良率。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10j可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10j的第一電極(第一電極部126jl以及第一電極延伸部126j2)以及第二電極(第二電極部128jl以及第二電極延伸部128j2)可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0145]圖1lA為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖，而圖1lB為沿圖1lA的線K-K的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1lA與圖11B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10k類似于圖1OA與圖1OB的發(fā)光裝置10j，而兩者的差異如下所述。在本實(shí)施例的發(fā)光裝置10k中，第一電極延伸部126 j 2的第一子電極126 j 21、126 j 22覆蓋第一電極部126 j I的面積較小，其分別覆蓋第一電極部126jl的兩個(gè)相鄰角落，這兩個(gè)相鄰角落分別靠近發(fā)光裝置10k上表面的兩個(gè)相鄰角落。此外，第二電極延伸部128j2的第二子電極128j21、128j22覆蓋第二電極部128jl的面積較小，其分別覆蓋第二電極部128jl的兩個(gè)相鄰角落，這兩個(gè)相鄰角落分別靠近發(fā)光裝置10k上表面的兩個(gè)相鄰角落。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10k可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10k的第一電極(第一電極部126 j I以及第一電極延伸部126k2)以及第二電極(第二電極部128jl以及第二電極延伸部128k2)可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0146]圖12A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖，而圖12B為沿圖12A的線L-L的發(fā)光裝置覆晶接合至電路板剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D12A與圖12B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置1001類似于圖1lA與圖1lB的發(fā)光裝置100k，而兩者的差異如下所述。在本實(shí)施例的發(fā)光裝置1001中，第一電極延伸部12612的這些第一子電極126121?126128分為二個(gè)第一子電極組1261a、1261b，每一第一子電極組1261a、126 Ib分別包括部分復(fù)數(shù)個(gè)第一子電極。舉例而言，如圖所不，第一子電極組1261a包括四個(gè)第一子電極126121-126124，而第一子電極組1261b包括四個(gè)第一子電極126125-126128。此外，第二電極延伸部12812的這些第二子電極128121?128128分為二個(gè)第二子電極組1281a、1281b，每一第二子電極組1281a、1281b分別包括部分復(fù)數(shù)個(gè)第二子電極。舉例而言，如圖所示，第二子電極組1281a包括四個(gè)第二子電極128121-128124，而第二子電極組1281b包括四個(gè)第二子電極128125-128128。在本實(shí)施例中，此二個(gè)第一子電極組1261a、1261b分別配置于發(fā)光裝置1001上表面的二相鄰角落，且此二個(gè)第二子電極組1281a、1281b分別配置于發(fā)光裝置1001上表面的另二相鄰角落。
[0147]發(fā)光裝置1001可通過覆晶接合的方式接合于電路板50。舉例而言，兩個(gè)第一子電極組1261a、1261b分別通過兩個(gè)固化后的錫膏60接合至電路板50上的電極墊52(如圖12B所示位于左方的電極墊52)，且兩個(gè)第二子電極組1281a、1281b分別通過兩個(gè)固化后的錫膏60接合至電路板50上的電極墊52(如圖12B所示位于右方的電極墊52)。由于錫膏60在固化前可填入相鄰兩子電極間的間隙，因此錫膏60與第一子電極126121-126128的接合力及錫膏60與第二子電極128121-128128的接合力可以被有效地提升，進(jìn)而提升發(fā)光裝置1001接合至電路板50的可靠度。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置1001可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置1001的第一電極(第一電極部126jl以及第一電極延伸部12612)以及第二電極(第二電極部128 jl以及第二電極延伸部12812)可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0148]圖13為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D13，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10m類似于圖1OA的發(fā)光裝置100j，而兩者的差異如下所述。在本實(shí)施例的發(fā)光裝置10m中，第一電極延伸部126m2的第一子電極126m21、126m23分別配置于發(fā)光裝置10m上表面的相鄰兩角落，而第一子電極126m22配置于第一子電極126m21與第一子電極126m23之間。此外，第二電極延伸部128m2的第二子電極128m21、128m23分別配置于發(fā)光裝置10m上表面的另二相鄰角落，而第二子電極128m22配置于第二子電極128m21與第二子電極128m23之間。
[0149]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，第一子電極與第二子電極的數(shù)量與配置方式也可以是其他各種方式，本發(fā)明不以此為限。另外，在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10m可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10m的第一電極(第一電極部126 jl以及第一電極延伸部126m2)以及第二電極(第二電極部128jl以及第二電極延伸部128m2)可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0150]圖14為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D14，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10n與圖1B的發(fā)光裝置10a類似，而兩者的差異如下所述。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置10n還包括一反射層140η，至少配置于封裝體130a的上表面132a上。在本實(shí)施例中，至少部分反射層140η配置于第一電極126a與封裝體130a的上表面132a之間，且配置于第二電極128a與封裝體130a的上表面132a之間。具體而言，反射層140η可配置于第一電極延伸部126a2與封裝體130a的上表面132a之間，且配置于第二電極延伸部128a2與封裝體130a的上表面132a之間。反射層140η例如為金、鋁、銀、鎳、鈦、布拉格反射鏡、摻有具高反射率的反射粒子的樹脂層(例如硅膠層或環(huán)氧樹脂層)或其組合。反射層140η可將發(fā)光單元120a所發(fā)出的光往透光層110的方向反射，以使光較有效率地從透光層110側(cè)出光。當(dāng)反射層140η是由絕緣材料形成時(shí)，反射層140η可連成一片而覆蓋整個(gè)封裝體130a的上表面132a。然而，當(dāng)反射層140η為導(dǎo)電材質(zhì)或金屬材質(zhì)時(shí)，反射層140η配置于第一電極延伸部126a2下的部分要與反射層140η配置于第二電極延伸部128a2下的部分分開，以避免短路。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10n可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10n的第一電極126a以及第二電極128a可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0151]圖15A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖，而圖15B為沿圖15A的線M-M的發(fā)光裝置的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D15A與圖15B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10p與圖6A及圖6B的發(fā)光裝置10f類似，而兩者的差異如下所述。在本實(shí)施例的發(fā)光裝置10p中，第一電極126p與第二電極128p由磊晶結(jié)構(gòu)層124上向上延伸而凸出于封裝體130a的上表面132a。在本實(shí)施例中，第一電極126p與第二電極128p皆不覆蓋封裝體130a的上表面132a。
[0152]具體而言，第一電極126p的第一電極延伸部126p2位于第一電極部126al上且凸出于封裝體130a的上表面132a，第二電極128p的第二電極延伸部128p2位于第二電極部128al上且凸出于封裝體130a的上表面132a。在本實(shí)施例中，第一電極延伸部126p2與第二電極延伸部128p2皆不覆蓋封裝體130a的上表面132a，且兩者實(shí)質(zhì)上共平面。在其他實(shí)施例中，第一電極126p與第二電極128p也可以是由磊晶結(jié)構(gòu)層124上向上延伸而不凸出于封裝體130a的上表面132a。舉例而言，第一電極延伸部126p2的上表面(即背對(duì)磊晶結(jié)構(gòu)層124的表面)、第二電極延伸部128p2的上表面(即背對(duì)磊晶結(jié)構(gòu)層124的表面)與封裝體130a的上表面132a可以實(shí)質(zhì)上共平面。
[0153]在本實(shí)施例中，通過第一電極延伸部126p2與第二電極延伸部128p2使第一電極126p與第二電極128p增高，將有助于固晶接合制程的進(jìn)行。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10p可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10p的第一電極126p以及第二電極128p可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0154]圖16A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視不意圖，而圖16B為沿圖16A的線N-N的發(fā)光裝置的剖面示意圖。本實(shí)施例的發(fā)光裝置10q類似于發(fā)光裝置ΙΟΟρ，而兩者的差異如下所述。在本實(shí)施例的發(fā)光裝置10q中，向上延伸的第一電極延伸部包括多個(gè)彼此分離的第一子電極126q2，且向上延伸的第二電極延伸部包括多個(gè)彼此分離的第二子電極128q2。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10q可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10q的第一電極(第一電極部126al以及第一子電極126q2)以及第二電極(第二電極部128al以及第二子電極128q2)可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0155]圖17A為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖，而圖17B為沿圖17A的線P-P的發(fā)光裝置的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D17A與圖17B，本實(shí)施例的發(fā)光裝置10r類似于發(fā)光裝置10q，而兩者的差異在于:發(fā)光裝置10q的第一子電極126q2與第二子電極128q2為層狀電極，而本實(shí)施例的發(fā)光裝置10r的第一子電極126r2與第二子電極128r2為球狀電極，其可利用植球技術(shù)來形成。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置10r可以采用異方性導(dǎo)電層來與外部電路電性連接。舉例而言，發(fā)光裝置10r的第一電極(第一電極部126al以及第一子電極126r2)以及第二電極(第二電極部128al以及第二子電極128r2)可以通過異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜來與外部電路電性連接。
[0156]圖18A為本發(fā)明的一實(shí)施例采圖1B的發(fā)光裝置覆晶接合至電路板的剖面示意圖，而圖18B為圖18A中區(qū)域Ml的局部放大圖。請(qǐng)參照?qǐng)D18A與圖18B，發(fā)光裝置10a可通過覆晶接合的方式接合于電路板50。舉例而言，第一電極延伸部126a2與第二電極延伸部128a2分別通過兩個(gè)固化后的錫膏60接合至電路板50上的兩個(gè)電極墊52。
[0157]在本實(shí)施例中，第一電極延伸部126a2與第二電極延伸部128a2各包括一接著層LI及一配置于接著層LI與封裝體130a之間的阻障層L2。接著層的材質(zhì)包括金、錫、鋁、銀、銅、銦、鉍、鉑、金錫合金、錫銀合金、錫銀銅合金(SAC alloy)或其組合，且阻障層的材質(zhì)包括鎳、鈦、鎢、金或其組合的合金。接著層LI有利于與錫膏60接合，而阻障層L2可有效避免錫膏60的材料在接合制程中侵入封裝體130a而污染了發(fā)光裝置100a。
[0158]在本實(shí)施例中，第一電極延伸部126a2與第二電極延伸部128a2各還包括一反射層L3，至少配置于阻障層L2與封裝體130a之間。反射層L3可反射來自磊晶結(jié)構(gòu)層124的光，以提升光利用率。在本實(shí)施例中，反射層L3的材質(zhì)包括金、鋁、銀、鎳、鈦或其組合的合金。
[0159]圖18C為本發(fā)明的另一實(shí)施例采圖1B的發(fā)光裝置覆晶接合至電路板的剖面示意圖，請(qǐng)參照?qǐng)D18C，發(fā)光裝置10a可通過覆晶接合的方式接合于電路板50，而形成發(fā)光裝置200a。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置200a包括電路板50、發(fā)光裝置10a以及異方性導(dǎo)電層150。具體而言，發(fā)光裝置10a的第一電極126a以及第二電極128a通過異方性導(dǎo)電層150接合至電路板50上，且第一電極126a以及第二電極128a與電路板50上的電極墊52電性連接。
[0160]在本實(shí)施例中，異方性導(dǎo)電層150包括一絕緣膠體152以及分散于絕緣膠體152的多個(gè)導(dǎo)電體154。具體而言，異方性導(dǎo)電層150可以是異方性導(dǎo)電膠(An isotropicConductive Adhesive，簡(jiǎn)稱ACA)、異方性導(dǎo)電膜(Anisotropic Conductive Film,簡(jiǎn)稱ACF)或是其他同時(shí)具備導(dǎo)電與粘合功能的材料，本發(fā)明并不以此為限。在本實(shí)施例中，異方性導(dǎo)電層150例如是異方性導(dǎo)電膠。通過對(duì)異方性導(dǎo)電層150于第一電極126a與對(duì)應(yīng)的電極墊52之間的對(duì)應(yīng)位置加壓或加熱，可以使得這些導(dǎo)電體154相連接并且接觸第一電極126a與對(duì)應(yīng)的電極墊52，進(jìn)而使第一電極126a與對(duì)應(yīng)的電極墊52電性連接。另外，通過對(duì)異方性導(dǎo)電層150于第二電極128a與對(duì)應(yīng)的電極墊52之間的對(duì)應(yīng)位置加壓或加熱，可以使第二電極128a與對(duì)應(yīng)的電極墊52電性連接。在本實(shí)施例中，在異方性導(dǎo)電層150未加壓或加熱的位置上，這些導(dǎo)電體154是無法電性連接的，使得發(fā)光裝置200a在水平方向不易發(fā)生短路。
[0161]圖19A至19D為本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光裝置的制作過程的示意圖，請(qǐng)先參考圖19A。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置的制造方法包括提供電路板50a。電路板50a包括多個(gè)電極墊52a以及連接這些電極墊52a的電路結(jié)構(gòu)(未示出)。具體而言，電路板50a可以是印刷電路板(printed circuit board,簡(jiǎn)稱PCB)、次粘著基臺(tái)(Submount)、金屬芯印刷電路板(metalcore printed circuit board，簡(jiǎn)稱MCPCB)或其他具有導(dǎo)電線路的承載板，本發(fā)明并不以此為限。接著，提供發(fā)光單元120 j。發(fā)光單元120 j包括磊晶結(jié)構(gòu)層124a以及配置于磊晶結(jié)構(gòu)層124a上的第一電極126q以及第二電極128q。在本實(shí)施例中，磊晶結(jié)構(gòu)層124a為半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層。第一電極126q以及第二電極128q分別配置于磊晶結(jié)構(gòu)層124a的同一側(cè)上。具體而言，發(fā)光單元120 j還包括基板122a。磊晶結(jié)構(gòu)層124a配置于基板122a上，且第一電極126q以及第二電極128q配置于磊晶結(jié)構(gòu)層124a遠(yuǎn)離基板122a的一側(cè)上。之后，以異方性導(dǎo)電層150’貼附電路板50a與發(fā)光單元120 j。具體而言，可以將異方性導(dǎo)電層150’貼附電路板50a上且覆蓋第一電極126q以及第二電極128q預(yù)定接合的電極墊52a位置。在一些實(shí)施例中，也可以將異方性導(dǎo)電層150’貼附發(fā)光單元52a靠近電路板50a的一側(cè)表面上。具體而言，可以將異方性導(dǎo)電層150’覆蓋第一電極126q以及第二電極128q。在本實(shí)施例中，異方性導(dǎo)電層150 ’包括絕緣膠體152 ’以及分散于絕緣膠體152 ’的多個(gè)導(dǎo)電體154’。
[0162]接著請(qǐng)參考圖19A以及圖19B。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置的制造方法還包括使第一電極126q以及第二電極128q對(duì)位這些電極墊52a。具體而言，使發(fā)光單元120 j配置于異方性導(dǎo)電層150’上，第一電極126q對(duì)位于一電極墊52a，且第二電極128q對(duì)位于另一電極墊52a。接著，對(duì)異方性導(dǎo)電層150’進(jìn)行一處理，使第一電極126q以及第二電極128q與這些電極墊52a電性連接。在本實(shí)施例中，此處理包括對(duì)異方性導(dǎo)電層150’對(duì)應(yīng)于第一電極126q以及第二電極128q的部分加壓或加熱而形成經(jīng)處理過的異方性導(dǎo)電層150”。具體而言，經(jīng)處理過的異方性導(dǎo)電層150”對(duì)應(yīng)于第一電極126q以及第二電極128q的部分分別電性連接至第一電極126q以及第二電極128q。
[0163]接著請(qǐng)參考圖19C以及圖19D。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置的制造方法還包括使第一電極126q以及第二電極128q與這些電極墊52a電性連接后，移除基板122a，以形成發(fā)光裝置200b。在本實(shí)施例中，移除基板122a的方法包括利用雷射剝離法(laser lift-off)，以雷射光束LL移除基板122a。在本實(shí)施例中，通過發(fā)光裝置的制造方法得以將發(fā)光二極管磊晶薄膜直接接合至外部電路。然而，在一些實(shí)施例中，也可以通過本實(shí)施例之發(fā)光裝置的制造方法將發(fā)光裝置 100a、100b、100c、10cU 100e、10f、100g、100h、101、10j、100k、1001、100m、100n、100p、100q、100r或是其他形式的發(fā)光二極管封裝接合至外部電路，本發(fā)明并不以此為限。
[0164]在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置200b的第一電極126q以及第二電極128q通過異方性導(dǎo)電層150”接合至電路板50a上，且第一電極126q以及第二電極128q通過異方性導(dǎo)電層150”與電路板50a上的電極墊52a電性連接。由于異方性導(dǎo)電層150”不會(huì)因加壓或加熱而產(chǎn)生如焊錫經(jīng)加熱而產(chǎn)生的流動(dòng)性，因此發(fā)光裝置200b不易在水平方向上發(fā)生短路或是漏電。另外，異方性導(dǎo)電層150”提供較一般焊錫好的緩沖能力，舉例而言，在本實(shí)施例中，使第一電極126q以及第二電極128q與這些電極墊52a電性連接后，還利用雷射光束LL移除基板122a。具體而言，異方性導(dǎo)電層150”于雷射光束LL加工的過程中得以輕微形變，而至少緩沖磊晶結(jié)構(gòu)層124a、第一電極126q以及第二電極128q，使得緩沖磊晶結(jié)構(gòu)層124a、第一電極126q以及第二電極128q不會(huì)在加工的過程中損壞。因此，發(fā)光裝置200b的良率得以提升。
[0165]圖20為本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造方法的步驟流程圖，請(qǐng)參考圖20。所述發(fā)光裝置的制造方法至少例如是應(yīng)用在圖18C的發(fā)光裝置200a、圖19A至19D的發(fā)光裝置200b 以及應(yīng)用于使圖1A 至 17B 的發(fā)光裝置 100a、100b、100c、10cU 10e、10f、100g、10h、101、10j、100k、1001、100m、100n、100p、100q、10r。所述發(fā)光裝置的制造方法如下步驟。在步驟SlOO中，提供包括多個(gè)電極墊的電路板。接著，在步驟S200中，提供發(fā)光單元。發(fā)光單元包括半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層以及配置于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上的第一電極以及第二電極。之后，在步驟S300中，以異方性導(dǎo)電層貼附電路板與發(fā)光單元。在步驟S400中，使第一電極以及第二電極對(duì)位這些電極墊。之后在步驟S500中，對(duì)異方性導(dǎo)電層進(jìn)行處理，使第一電極以及第二電極與這些電極墊電性連接。
[0166]另外，本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造方法可以由圖1A至圖18C實(shí)施例之?dāng)⑹鲋蝎@致足夠的教示、建議與實(shí)施說明，因此不再贅述。
[0167]綜上所述，由于本發(fā)明的發(fā)光單元的第一電極與第二電極是從半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上向外延伸并覆蓋于封裝體上，也就是說，本發(fā)明的發(fā)光裝置可具有較大的電極面積，且當(dāng)后續(xù)欲組裝至一外部電路上時(shí)，也可有效提高組裝時(shí)的對(duì)位精準(zhǔn)度。由于本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光單元的第一電極與第二電極是從半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上向上延伸而凸出于封裝體，因此有利于后續(xù)的固晶接合制程。另外，本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置中發(fā)光單元的第一電極以及第二電極通過異方性導(dǎo)電層與這些電極墊電性連接。因此，發(fā)光裝置不易在水平方向上發(fā)生短路或是漏電，且發(fā)光裝置的良率佳。此外，本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造方法包括以異方性導(dǎo)電層貼附電路板與發(fā)光單元，以及對(duì)異方性導(dǎo)電層進(jìn)行處理，使第一電極以及第二電極與這些電極墊電性連接。因此，發(fā)光裝置的制造方法所制作的發(fā)光裝置不易在水平方向上發(fā)生短路或是漏電，且其良率佳。
[0168]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制;盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括: 一電路板，包括多個(gè)電極墊； 一發(fā)光單元，包括一半導(dǎo)體嘉晶結(jié)構(gòu)層、一第一電極以及一第二電極，所述第一電極以及所述第二電極分別配置于所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的同一側(cè)上；以及 一異方性導(dǎo)電層，所述第一電極以及所述第二電極通過所述異方性導(dǎo)電層與該些電極墊電性連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光單元還包括一基板，所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層配置于所述基板上，且所述第一電極以及所述第二電極配置于所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包括一透光層，所述發(fā)光單元配置于所述透光層上，所述發(fā)光單元配置于所述透光層與所述第一電極之間，且配置于所述透光層與所述第二電極之間。4.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，包括: 提供包括多個(gè)電極墊的一電路板； 提供一發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括一半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層以及配置于所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上的一第一電極以及一第二電極； 以一異方性導(dǎo)電層貼附所述電路板或所述發(fā)光單元； 使所述第一電極以及所述第二電極對(duì)位該些電極墊；以及 對(duì)所述異方性導(dǎo)電層進(jìn)行一處理，使所述第一電極以及所述第二電極與該些電極墊電性連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述處理包括對(duì)所述異方性導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)于所述第一電極以及所述第二電極的部分加壓，使所述異方性導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)于所述第一電極以及所述第二電極的部分分別電性連接至所述第一電極以及所述第二電極。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述處理包括對(duì)所述異方性導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)于所述第一電極以及所述第二電極的部分加熱，使所述異方性導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)于所述第一電極以及所述第二電極的部分分別電性連接至所述第一電極以及所述第二電極。7.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括: 一電路板； 一發(fā)光單元，包括: 一基板； 一半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層，配置于所述基板上；以及 一第一電極與第二電極，分別配置于所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的同一側(cè)上； 一透光層，所述發(fā)光單元配置于所述透光層上； 一封裝體，位于所述透光層與所述發(fā)光單元之間且封裝所述發(fā)光單元并至少曝露部分所述第一電極及部分所述第二電極，所述第一電極與所述第二電極分別由所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上向外延伸且分別覆蓋至少所述封裝體的部分上表面；以及 一異方性導(dǎo)電層，所述第一電極以及所述第二電極通過所述異方性導(dǎo)電層與所述電路板電性連接。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述異方性導(dǎo)電層包括一絕緣膠體以及分散于所述絕緣膠體的多個(gè)導(dǎo)電體。9.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括: 一電路板； 一發(fā)光單元，包括: 一基板； 一半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層，配置于所述基板上； 一第一電極及一第二電極，配置于所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的同一側(cè)上； 一封裝體，封裝所述發(fā)光單元并至少曝露部分所述第一電極及部分所述第二電極，所述第一電極與所述第二電極分別由所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上向上延伸且分別不覆蓋所述封裝體的一上表面；以及 一異方性導(dǎo)電層，所述第一電極以及所述第二電極通過所述異方性導(dǎo)電層與所述電路板電性連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述異方性導(dǎo)電層包括一絕緣膠體以及分散于所述絕緣膠體的多個(gè)導(dǎo)電體。11.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括: 一電路板； 一發(fā)光單元，包括 一基板； 一半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層，配置于所述基板上；以及 一第一電極與一第二電極，分別配置于所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的同一側(cè)上； 一封裝體，封裝所述發(fā)光單元并至少曝露部分所述第一電極及部分所述第二電極，所述第一電極與所述第二電極分別由所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層上向外延伸且分別覆蓋至少所述封裝體的部分上表面；以及 一異方性導(dǎo)電層，所述第一電極以及所述第二電極通過所述異方性導(dǎo)電層與所述電路板電性連接。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述異方性導(dǎo)電層包括一絕緣膠體以及分散于所述絕緣膠體的多個(gè)導(dǎo)電體。13.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括: 一電路板； 一發(fā)光單元，包括 一基板； 一半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層，配置于所述基板上；以及 一第一電極與一第二電極，分別配置于所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層的同一側(cè)上； 一透光層，所述發(fā)光單元配置于所述透光層上； 一封裝體，位于所述透光層與所述發(fā)光單元之間且封裝所述發(fā)光單元并至少曝露部分所述第一電極及部分所述第二電極，所述第一電極與所述第二電極分別由所述半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)層向上延伸而不覆蓋所述封裝體的一上表面；以及 一異方性導(dǎo)電層，所述第一電極以及所述第二電極通過所述異方性導(dǎo)電層與所述電路板電性連接。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述異方性導(dǎo)電層包括一絕緣膠體以及分散于所述絕緣膠體的多個(gè)導(dǎo)電體。
【文檔編號(hào)】H01L33/54GK105895769SQ201610089250
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年2月17日
【發(fā)明人】丁紹瀅, 黃靖恩, 黃逸儒, 黃冠杰
【申請(qǐng)人】新世紀(jì)光電股份有限公司