基板處理裝置、貼合基板的剝離方法以及粘接劑的除去方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施方式涉及一種基板處理裝置、貼合基板的剝離方法以及粘接劑的除去方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，使用如下多芯片封裝(MCP;Multi Chip Package)，對多個半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體晶片)進(jìn)行層疊，用接合線(bonding wire)或娃穿孔電極(TSV;Through Silicon Via)等而安裝于I個封裝內(nèi)。用于這樣的多芯片封裝的半導(dǎo)體元件與通常的半導(dǎo)體元件相比一般厚度尺寸被做成更小。
另外，從半導(dǎo)體裝置的高集成化等觀點考慮，也存在半導(dǎo)體元件的厚度尺寸變小的傾向。
[0003]為了制造這樣的厚度尺寸較小的半導(dǎo)體元件，例如，需要在進(jìn)行切割之前減小基板的厚度尺寸。但是，由于如果減小基板的厚度尺寸，則機械強度下降，在將基板的厚度加工為較小的尺寸時基板有可能發(fā)生破損。
因此，為了在將基板的厚度尺寸加工為較小時給予必要的強度，形成對形成有圖案的基板(以下，稱為設(shè)備基板)與支撐基板進(jìn)行粘接的貼合基板，加工完厚度尺寸之后從支撐基板剝離設(shè)備基板(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0004]但是，難以從支撐基板剝離設(shè)備基板。
另外，如果簡單地從支撐基板剝離設(shè)備基板，則有可能一部分粘接劑殘留于支撐基板及設(shè)備基板。
此時，如果一部分粘接劑殘留于支撐基板，則變得難以直接再利用支撐基板。
如果一部分粘接劑殘留于設(shè)備基板，則有可能變得難以進(jìn)行之后的工序(例如切割等)O
[0005]專利文獻(xiàn)I:日本國特表2010-531385號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠容易剝離粘接劑的基板處理裝置、貝占合基板的剝離方法以及粘接劑的除去方法。
[0007]實施方式所涉及的基板處理裝置具備:處理槽，貯存浸漬處理物的處理液；搬運部，搬運所述處理物;及溫度控制部，設(shè)置在所述處理槽與離開所述處理槽的位置當(dāng)中的至少一方，對所述處理物進(jìn)行加熱與冷卻當(dāng)中的至少一個。
所述處理物是，具有設(shè)備基板、支撐基板、設(shè)置在所述設(shè)備基板與所述支撐基板之間的粘接劑的貼合基板，及附著有所述粘接劑的所述設(shè)備基板，及附著有所述粘接劑的所述支撐基板當(dāng)中的至少一個。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供一種能夠容易剝離粘接劑的基板處理裝置、貼合基板的剝離方法以及粘接劑的除去方法。
【附圖說明】
[0009]圖1是用于例示第I實施方式所涉及的基板處理裝置I的模式圖。
圖2(a)?(C)是用于例示基板處理裝置I的作用及貼合基板100的剝離方法的模式圖。 圖3(a)?(d)是用于例示基板處理裝置I的作用及粘接劑102的除去方法的模式圖。
圖4(a)是用于例示通過保持爪202來保持貼合基板100的狀態(tài)的模式圖。圖4(b)是用于例示保持爪202放開的狀態(tài)的模式圖。
圖5是用于例示第2實施方式所涉及的基板處理裝置Ia的模式圖。
圖6是用于例示設(shè)置有溫度不同的區(qū)域的處理液110的模式剖視圖。
【具體實施方式】
[0010]以下，參照附圖對實施方式進(jìn)行例示。并且，各附圖中，對同樣的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號并適當(dāng)省略詳細(xì)說明。
第I實施方式
圖1是用于例示第I實施方式所涉及的基板處理裝置I的模式圖。
基板處理裝置I能夠剝離貼合基板100以及能夠從附著有粘接劑102的基板10a上除去粘接劑102 (例如，參照圖2及圖3)。
此時，例如圖2(a)及圖3(a)所示，貼合基板100具有:形成有圖案的設(shè)備基板101;支撐基板103;設(shè)置在設(shè)備基板101與支撐基板103之間且粘接設(shè)備基板101與支撐基板103的粘接劑102。
在此，作為一個例子，雖然例示了處理貼合基板100的情況，但是能夠使處理附著有粘接劑102的基板10a的情況也相同。
[0011]如圖1所示，基板處理裝置I中設(shè)置有容器2、收容部3、溫度控制部4、處理部5、供給部6、回收部7、搬運部8、搬運部9及控制部10。
能夠使容器2呈箱狀且具有氣密結(jié)構(gòu)。并且，氣密結(jié)構(gòu)的程度為例如能夠防止來自外部的顆粒侵入即可。另外，也能夠設(shè)置使容器2內(nèi)部的壓力稍微高于外部壓力的未圖示的加壓裝置。如果通過設(shè)置未圖示的加壓裝置來使容器2內(nèi)部壓力稍微高于外部壓力，則容易抑制來自外部的顆粒侵入。
[0012]從外部裝拆自如地將收容部3安裝于設(shè)置在容器2側(cè)壁上的開口。收容部3的容器2側(cè)的端部可開口，通過開口能夠交接貼合基板100。另外，在收容部3以層疊狀(多層狀)設(shè)置有保持貼合基板100的未圖示的保持部。即，收容部3能夠以層疊狀(多層狀)收容多個貼合基板100。
收容部3例如可以是在潔凈微環(huán)境方式的半導(dǎo)體工廠中使用的以基板的搬運、保管為目的的正面開口式載體(carrier)即F0UP(Front_0pening Unified Pod)等。
并且，收容于收容部3的貼合基板100是處理前的貼合基板100及處理后的貼合基板
100。
另外，收容部3的數(shù)量并不局限于I個，也可以設(shè)置2個以上的收容部3。
[0013]在如圖1所例示的裝置的情況下，溫度控制部4設(shè)置于容器2內(nèi)部的底面。溫度控制部4的上面是放置貼合基板100的放置面。在溫度控制部4的內(nèi)部設(shè)置有未圖示的加熱裝置、冷卻裝置，能夠改變放置于溫度控制部4上面的貼合基板100的溫度。即，溫度控制部4對貼合基板100(基板100a)進(jìn)行加熱及冷卻當(dāng)中的至少一個。
并不特意限定設(shè)置于溫度控制部4的未圖示的加熱裝置、冷卻裝置。未圖示的加熱裝置，例如可適當(dāng)?shù)剡x擇用焦耳熱的裝置、使熱介質(zhì)循環(huán)的裝置、用輻射熱的裝置等各種形式的裝置。未圖示的冷卻裝置可適當(dāng)?shù)剡x擇利用帕爾貼效應(yīng)的裝置、使熱介質(zhì)循環(huán)的裝置等各種形式的裝置。
另外，由控制部10對溫度控制部4進(jìn)行控制，能夠調(diào)整貼合基板100的溫度。
另外，溫度控制部4既可以使貼合基板100面內(nèi)的溫度分布趨于均勻的方式進(jìn)行溫度控制，也可以以使貼合基板100面內(nèi)的溫度分布趨于不均勻的方式進(jìn)行溫度控制。
在使貼合基板100面內(nèi)的溫度分布趨于不均勻時，即在貼合基板100的面內(nèi)形成溫度不同的多個區(qū)域時，例如，將貼合基板100的面內(nèi)分成多個區(qū)域并調(diào)整多個區(qū)域中的溫度即可。
并且，以下，作為一個例子例示了通過溫度控制部4對貼合基板100進(jìn)行加熱的情況。
[0014]在處理部5設(shè)置有處理槽5a、供給閥5b、供給閥5c及配管5d。
處理槽5a呈箱狀且設(shè)置于容器2內(nèi)部的底面。處理槽5a具有液密結(jié)構(gòu)。在處理槽5a的內(nèi)部貯存有處理液110。處理槽5a的上端可開口，能夠?qū)①N合基板100浸漬于貯存在處理槽5a內(nèi)部的處理液110。處理液110通過與粘接劑102接觸，從而例如使粘接劑102溶解(分解)或軟化，具有減弱粘接力的作用。
處理液110例如可以是純水(01胃;06丨011丨26(1 witer)、臭氧水、過飽和氣體溶解水、APM(ammonium hydrogen-peroxide mixture:氨水.過氧化氫水混合液)、SPM(sulfuricacid-hydrogen peroxide mixture:硫酸.過氧化氫水混合液)等。并且，在處理液110不是純水時，能夠?qū)⑻幚硪?10的濃度做成不會對設(shè)備基板101的產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生影響的程度的濃度。
[00? 5 ]能夠根據(jù)粘接劑102的成分而適當(dāng)選擇處理液110。
例如，只要粘接劑102含有有機材料，則優(yōu)選具有對有機材料的分解作用的處理液。
如果這樣，則能夠更加有效地剝離貼合基板100或除去粘接劑102。
具有對有機材料的分解作用的處理液110是例如臭氧水、APM、SPM等。
并且，在粘接劑102由無機材料所構(gòu)成時，也可以使用例示的處理液110當(dāng)中的任意一個。
[0016]另外，如果使用過飽和氣體溶解水，則能夠在后述的被剝離的部分或裂紋等中產(chǎn)生氣體。
并且，并不特意限定溶解于過飽和氣體溶解水的氣體。溶解于過飽和氣體溶解水的氣體可以是例