有機el元件密封膜的形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機EL元件密封膜的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]使用有機EL元件的有機EL顯示裝置的電力消耗低，為自然發(fā)光型，能夠得到源于有機發(fā)光材料的多彩色調(diào)的光，因此作為下一代的顯示裝置得到關(guān)注。
[0003]有機EL元件以在基板上矩陣狀設(shè)置的多個元件形成區(qū)域中，以作為發(fā)光層的有機EL層和電極層等疊層的狀態(tài)形成。形成有機EL層的有機化合物一般會由于水分、氧等而劣化，因此以防止水分、氧等混入有機EL層界面為目的，在與有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域，以不會對有機EL層造成影響的程度的溫度形成密封膜。
[0004]作為有機EL元件的密封膜，使用疊層有無機膜和有機膜的膜。在專利文獻1中提出了下述技術(shù):使用用于形成圖案的硬質(zhì)掩模形成有機膜和無機膜，從而防止水分、氧侵入有機EL元件。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2007 - 5189號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明想要解決的技術(shù)問題
[0009]但是，如上述技術(shù)所述，使用硬質(zhì)掩模有選擇地形成用于密封膜的有機膜時，在成膜時在硬質(zhì)掩模上形成大量的堆積物(沉積物)，這成為顆粒而導致產(chǎn)品的生產(chǎn)率下降。此夕卜，由于像這樣容易在硬質(zhì)掩模上形成堆積物，因此必須頻繁更換硬質(zhì)掩模，會導致運轉(zhuǎn)率的下降和運行成本的上升。并且，在這樣使用硬質(zhì)掩模進行選擇成膜時，會發(fā)生成膜顆粒潛入掩模下方的情況，而且由于硬質(zhì)掩模導致中心與端部的不均勻更為嚴重，因此難以進行均勻的成膜。這樣的不均勻在基板大型化時更為顯著。
[0010]由此，本發(fā)明的課題在于，對于有機EL元件，在形成疊層有無機膜和有機膜的密封膜時，解決由于使用硬質(zhì)掩模對有機膜進行選擇成膜所導致的問題的有機EL元件密封膜的形成方法。
[0011]用于解決課題的技術(shù)方案
[0012]為了解決上述課題，本發(fā)明的第一方面在于提供一種有機EL元件密封膜的形成方法，其特征在于，在形成有多個有機EL元件的基板上，以覆蓋與上述有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域的方式形成疊層有無機膜和有機膜的構(gòu)造的密封膜，至少在形成構(gòu)成上述密封膜的上述有機膜時，在上述基板的整個面形成膜之后，通過干蝕刻將與上述有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域以外的部分除去。
[0013]在上述第一方面中，能夠在上述基板的整個面，將上述無機膜和上述有機膜交替一次以上地成膜而形成疊層膜，通過干蝕刻將上述疊層膜的與上述有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域以外的部分除去。
[0014]本發(fā)明的第二方面在于提供一種有機EL元件密封膜的形成方法，其特征在于，在形成有多個有機EL元件的基板上，以覆蓋與上述有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域的方式形成疊層有無機膜和有機膜的構(gòu)造的密封膜，
[0015]上述有機EL元件密封膜的形成方法包括:
[0016]在上述基板的整個面將上述無機膜和上述有機膜交替一次以上地成膜而形成疊層膜的步驟；
[0017]通過干蝕刻將上述疊層膜中與上述有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域以外的部分除去的步驟；和
[0018]以遮蔽上述疊層膜的上述有機膜的側(cè)端面的方式形成覆蓋留下的疊層膜的遮蔽無機膜，完成密封膜的步驟。
[0019]在上述第二方面中，上述疊層膜的最下層能夠為無機膜。此外，上述疊層膜的最上層可以為無機膜也可以為有機膜。
[0020]在上述第一方面和第二方面的任一者中，上述干蝕刻能夠通過使用蝕刻用的硬質(zhì)掩模的等離子體蝕刻來進行。
[0021]發(fā)明效果
[0022]根據(jù)本發(fā)明，在以覆蓋與有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域的方式形成疊層有無機膜和有機膜的構(gòu)造的密封膜時，至少在形成構(gòu)成密封膜的有機膜時，在基板的整個面成膜之后，通過干蝕刻將與有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域以外的部分除去，因此不需要使用硬質(zhì)掩模有選擇地形成有機膜，能夠解決在使用硬質(zhì)掩模有選擇地形成有機膜時產(chǎn)生顆粒、必須以高頻率更換掩模、難以均勻成膜的問題。
[0023]此外，在基板的整個面將上述無機膜和上述有機膜交替一次以上地成膜而形成疊層膜之后，通過干蝕刻將疊層膜中與上述有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域以外的部分除去，以遮蔽疊層膜的有機膜的側(cè)端面的方式形成覆蓋剩下的疊層膜的遮蔽無機膜，完成密封膜，因此能夠解決使用硬質(zhì)掩模有選擇地形成有機膜時的上述問題，并且能夠形成能夠可靠地防止水分、氧經(jīng)由有機膜的侵入的密封膜。
【附圖說明】
[0024]圖1是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的有機EL元件密封膜的形成方法的流程圖。
[0025]圖2是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的有機EL元件密封膜的形成方法的步驟截面圖。
[0026]圖3是用于說明現(xiàn)有的有機EL元件密封膜的形成方法的步驟截面圖。
[0027]圖4是用于說明本發(fā)明的第二實施方式的有機EL元件密封膜的形成方法的步驟截面圖。
[0028]附圖標記說明
[0029]1:基板
[0030]2:有機EL元件
[0031]3:堤邊
[0032]11:無機膜
[0033]12:有機膜
[0034]13、13’:疊層膜
[0035]14、14’:留下疊層膜
[0036]15:遮蔽無機膜
[0037]16、16，:密封膜。
【具體實施方式】
[0038]以下參照【附圖說明】本發(fā)明的實施方式。
[0039](第一實施方式)
[0040]首先說明第一實施方式。
[0041]圖1是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的有機EL元件密封膜的形成方法的流程圖，圖2是其步驟截面圖。
[0042]在形成密封膜之前，在基板1上形成多個包含發(fā)光層的有機EL元件2 (步驟1，圖2(a)),該發(fā)光層包含有機EL層。
[0043]基板1的材料沒有特別限定，例如能夠舉出玻璃板、陶瓷板、塑料膜、金屬板等。在基板1矩陣狀地形成有形成為邊框狀的堤邊3，在堤邊3內(nèi)形成有機EL元件2。由此，多個有機EL元件2在基板1上島狀地形成。
[0044]有機EL元件2通過疊層包含有機EL層的發(fā)光層和在其上下設(shè)置的電極而形成，在形成于基板1的驅(qū)動電路(未圖示)上形成。
[0045]有機EL層包含有機發(fā)光物質(zhì)，該有機發(fā)光物質(zhì)能夠從電極被注入電子和空穴，注入的電荷移動、空穴和電子再結(jié)合從而能夠發(fā)光。作為有機發(fā)光物質(zhì)，只要是一般在發(fā)光層中使用的低分子或高分子的有機物質(zhì)即可，沒有特別限定。
[0046]在像這樣形成有機EL元件2之后，在形成密封膜時，首先在包含有機EL元件2的基板1整個面形成無機膜11，接著形成有機膜12，反復進行它們的形成，從而形成作為密封膜的主要部分的疊層膜13(步驟2，圖2(b))。此時的反復次數(shù)是任意的，有機膜12可以為一層。但是，在本實施方式中，疊層膜13的最上層是無機膜11。
[0047]無機膜11具有密封水分、氧的功能，此外也要求絕緣性。作為滿足這樣的特性的材料，能夠舉出A1203、SiN、Si02等。成膜方法并沒有特別限定，能夠適用化學蒸鍍法(CVD法)、原子層堆積法(ALD法)、濺射等物理蒸鍍法(PVD法)。作為CVD法，能夠使用熱CVD、等離子體CVD、微波CVD等各種方法。
[0048]作為有機膜12，能夠舉出丙烯酸類的單體等，能夠舉出通常使用的材料。成膜方法沒有特別限定，能夠舉出真空蒸鍍法、等離子體CVD。
[0049]疊層膜13中實現(xiàn)密封性能的主要是無機膜11，但無機膜硬，容易產(chǎn)生缺陷，因此在無機膜11上疊層具有緩沖功能的有機膜12。
[0050]在疊層膜13的成膜結(jié)束后，通過干蝕刻將疊層膜13的與有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域以外的部分除去(步驟3，圖2(c)、(d))。在進行干蝕刻時，如圖2(c)所示，在蝕刻裝置內(nèi)安裝蝕刻用的硬質(zhì)掩模20，僅有選擇地蝕刻疊層膜13的與有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域以外的部分。由此，如圖2(d)所示，疊層膜13中僅是與有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域作為留下疊層膜14留下。作為此時的干蝕刻，能夠采用通常的等離子體蝕刻。此時的等離子體形成方法沒有特別限定。此處，與有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域是指足夠覆蓋有機EL元件的區(qū)域。在像本實施方式這樣在堤邊內(nèi)形成有機EL元件的情況下，也可以以在與有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域中包含堤邊的方式，將直至堤邊外側(cè)的與有機EL元件鄰接的部分的區(qū)域作為與有機EL元件對應(yīng)的區(qū)域。
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