一種陣列基板及oled顯示面板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及OLED顯示面板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de，簡稱0LED)顯示面板具有自發(fā)光、低功耗、無視角死角、響應(yīng)快、高對比度等優(yōu)點(diǎn)，與液晶顯示面板相比具有很強(qiáng)的競爭力。因此，被認(rèn)為是今后顯示面板的主流發(fā)展趨勢。
[0003]對于頂發(fā)射OLED顯示面板，如圖1所示，其陣列基板01包括設(shè)置在襯底基板10上且位于非發(fā)光區(qū)03的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT) 11、與薄膜晶體管的漏極電連接且位于發(fā)光區(qū)02的陽極12、設(shè)置在所述陽極12上方的有機(jī)發(fā)光層13、設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層13上方的陰極14。其中，陽極12不透明，陰極14透明。
[0004]其工作原理為:有機(jī)發(fā)光層13發(fā)出的光一方面從透明的陰極14出射，另一方面到達(dá)不透明的陽極12后，經(jīng)陽極12反射從透明的陰極14出射。
[0005]然而，由于從有機(jī)發(fā)光層13發(fā)出的光并不都是垂直于襯底基板10的，因而導(dǎo)致有部分光會射向非發(fā)光區(qū)，并被非發(fā)光區(qū)的金屬結(jié)構(gòu)例如薄膜晶體管11、信號線等反射后射出，從而導(dǎo)致顯示對比度下降，影響顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及OLED顯示面板，可改善現(xiàn)有技術(shù)中存在的顯示對比度下降的問題。
[0007]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0008]—方面，提供一種陣列基板，包括發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)，所述發(fā)光區(qū)包括設(shè)置在襯底基板上的陽極、有機(jī)發(fā)光層和陰極，所述非發(fā)光區(qū)包括設(shè)置在所述襯底基板上的金屬結(jié)構(gòu)；所述陣列基板還包括設(shè)置在所述非發(fā)光區(qū)的第一吸光層，所述第一吸光層用于吸收所述有機(jī)發(fā)光層射到所述非發(fā)光區(qū)的光；其中，所述陰極透光，所述陽極透光或不透光。
[0009]優(yōu)選的，所述第一吸光層設(shè)置在所述金屬結(jié)構(gòu)與所述陽極之間。
[0010]優(yōu)選的，所述非發(fā)光區(qū)包括第一非發(fā)光區(qū)；所述金屬結(jié)構(gòu)包括位于所述第一非發(fā)光區(qū)的薄膜晶體管的柵極、源極和漏極、與所述薄膜晶體管的柵極相連的柵線、與所述薄膜晶體管的源極相連的數(shù)據(jù)線；所述第一吸光層位于所述第一非發(fā)光區(qū)。
[0011]基于上述，可選的，所述陽極包括第一透明導(dǎo)電層、第二透明導(dǎo)電層、以及位于二者之間的不透明金屬層。
[0012]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述陰極為半透明。
[0013]可選的，所述陽極的材料為透明導(dǎo)電材料。
[0014]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述非發(fā)光區(qū)的第二吸光層，且所述第二吸光層位于所述金屬結(jié)構(gòu)與所述襯底基板之間，或者位于所述襯底基板遠(yuǎn)離所述金屬結(jié)構(gòu)一側(cè)。
[0015]進(jìn)一步優(yōu)選的，在所述非發(fā)光區(qū)包括第一非發(fā)光區(qū)的情況下，所述第二吸光層位于所述第一非發(fā)光區(qū)。
[0016]優(yōu)選的，所述第一吸光層和所述第二吸光層的材料均為黑矩陣材料。
[0017]另一方面，提供一種OLED顯示面板，包括上述的陣列基板。
[0018]再一方面，提供一種顯示裝置，包括上述OLED顯示面板。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及OLED顯示面板，通過設(shè)置所述第一吸光層，可以吸收有機(jī)發(fā)光層射到非發(fā)光區(qū)的光，從而可以避免這些光經(jīng)金屬結(jié)構(gòu)反射而從非發(fā)光區(qū)射出，因此可改善現(xiàn)有技術(shù)中存在的顯示對比度下降的問題。此外，所述第一吸光層還可以吸光射向非發(fā)光區(qū)的外界環(huán)境光，從而避免外界環(huán)境光被金屬結(jié)構(gòu)反射后射出，因而可以進(jìn)一步的增加顯示對比度。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖；
[0023]圖2b為圖2a中A-A’向剖視示意圖；
[0024]圖2c為在圖2a的基礎(chǔ)上提供的一種第一吸光層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2d為在圖2a的基礎(chǔ)上提供的另一種第一吸光層的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0026]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]附圖標(biāo)記:
[0029]01-陣列基板；02_發(fā)光區(qū)；03_非發(fā)光區(qū)；04_顯示區(qū)域；11_薄膜晶體管；12_陽極；13_有機(jī)發(fā)光層；14_陰極；15_柵線；16_數(shù)據(jù)線；17_第一吸光層；18_第二吸光層；19-像素界定層；31_第一非發(fā)光區(qū)；32_第二非發(fā)光區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0031]除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請說明書以及權(quán)利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀薄ⅰ跋隆钡戎甘镜姆轿换蛭恢藐P(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板01，如圖2a和2b所示，該陣列基板01包括發(fā)光區(qū)02和非發(fā)光區(qū)03，所述發(fā)光區(qū)02包括設(shè)置在襯底基板10上的陽極12、有機(jī)發(fā)光層13和陰極14，所述非發(fā)光區(qū)03包括設(shè)置在所述襯底基板10上的金屬結(jié)構(gòu)；如圖2c和2d所示，所述陣列基板01還包括設(shè)置在所述非發(fā)光區(qū)03的第一吸光層17，所述第一吸光層17用于吸收所述有機(jī)發(fā)光層13射到所述非發(fā)光區(qū)03的光；其中，所述陰極14透光，所述陽極12透光或不透光。
[0033]需要說明的是，第一，如圖2a和2b所示，所述發(fā)光區(qū)02位于顯示區(qū)域04內(nèi)。具體的，所述顯示區(qū)域04可以由呈矩陣排布的多個(gè)顯示單元構(gòu)成的，每個(gè)顯示單元可以由薄膜晶體管11、陽極12、有機(jī)發(fā)光層13和陰極14等構(gòu)成。在此情況下，所述發(fā)光區(qū)02是由各個(gè)顯示單元中的陽極12、有機(jī)發(fā)光層13和陰極14限定的部分構(gòu)成。
[0034]所述非發(fā)光區(qū)03由第一非發(fā)光區(qū)31和第二非發(fā)光區(qū)32構(gòu)成，所述第一非發(fā)光區(qū)31位于顯示區(qū)域04內(nèi)，所述第二非發(fā)光區(qū)32為非顯示區(qū)域。
[0035]其中，所述第一非發(fā)光區(qū)31包括設(shè)置在所述襯底基板10上的薄膜晶體管11的柵極、源極和漏極、與所述薄膜晶體管的柵極相連的柵線15、與源極相連的數(shù)據(jù)線16等金屬結(jié)構(gòu)，此外還包括用于隔離相鄰顯示單元的有機(jī)發(fā)光層13的像素界定層19。所述第二非發(fā)光區(qū)32包括金屬布線等金屬結(jié)構(gòu)。
[0036]此處，不對所述薄膜晶體管11的結(jié)構(gòu)進(jìn)行限定，可以是頂柵型，也可以是底柵型。此外，也不對所述半導(dǎo)體有源層的材料進(jìn)行限定，其可以采用非晶硅、多晶硅、金屬氧化物、有機(jī)材料等半導(dǎo)體材料。
[0037]此外，針對任一個(gè)顯示單元，不對其中包含的薄膜晶體管11的個(gè)數(shù)進(jìn)行限定。當(dāng)任一個(gè)所述顯示單元中的薄膜晶體管11的個(gè)數(shù)為至少兩個(gè)時(shí)，所述第一非發(fā)光區(qū)31還包括所述至少兩個(gè)薄膜晶體管相互連接的連接線。
[0038]第二，基于上述描述，所述金屬結(jié)構(gòu)可以包括位于第一非發(fā)光區(qū)31的薄膜晶體管
11、柵線15、數(shù)據(jù)線16以及連接線等。當(dāng)然，也可以包括位于第二非發(fā)光區(qū)32的金屬布線等。
[0039]第三，所述第一吸光層17用于吸收所述有機(jī)發(fā)光層13射到所述非發(fā)光區(qū)03的光，具體的，所述第一吸光層17可以用于吸收反射光，所述反射光為所述有機(jī)發(fā)光層13發(fā)出并經(jīng)所述金屬結(jié)構(gòu)反射后射向所述非發(fā)光區(qū)03的光，也可以是所述第一吸光層17即吸收所述有機(jī)發(fā)光層13射向所述非發(fā)光區(qū)03的光，也吸收上述反射光。
[0040]基于此，本發(fā)明實(shí)施例中不對所述第一吸光層17的設(shè)置位置進(jìn)行限定，即:不對所述第一吸光層17具體位于哪層進(jìn)行限定，也不對所述第一吸光層17是位于第一非發(fā)光區(qū)31，還是位于第一非發(fā)光區(qū)31和第二非發(fā)光區(qū)32進(jìn)行限定。
[0041]此外，不對第一吸光層17的材料進(jìn)行限定，其可以為油墨、石墨、黑色樹脂(黑矩陣材料)等。
[0042]第四，當(dāng)所述陰極14透光，陽極12不透光，且當(dāng)該陣列基板01應(yīng)