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發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):9328870閱讀:352來源:國知局
發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于LED封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法。
技術(shù)背景
[0002]目前,由于發(fā)光二極管(LED)具有高安全性、低能耗、高光效、壽命長、環(huán)保等多種優(yōu)點(diǎn)被越來越廣泛地應(yīng)用于電腦、液晶顯示器、手機(jī)、大尺寸液晶電視及室內(nèi)照明和室外照明領(lǐng)域。隨著LED應(yīng)用越廣泛,對(duì)其品質(zhì)要求的越高。傳統(tǒng)的LED封裝結(jié)構(gòu)為在金屬支架上固晶、焊線、封熒光膠。近來使用倒裝芯片級(jí)封裝非常流行,這種封裝不使用基板,也不需要焊線,直接在芯片上覆蓋熒光膠,然后切割即可。它發(fā)光角較大,適合于球泡燈等應(yīng)用,但是在其他一些應(yīng)用上,如射燈、背光等方面,發(fā)光角大成為其缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要目的在于:提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,可以實(shí)現(xiàn)無基板封裝兼具碗杯的結(jié)構(gòu),具有熱阻降低、成本降低、可靠性高和光效高的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]根據(jù)本發(fā)明的第一方面,發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于包括: 提供一熒光膜;
將若干個(gè)倒裝芯片與所述熒光膜貼合,所述倒裝芯片的電極遠(yuǎn)離熒光膜;
在所述熒光膜之上形成透明材料層,包圍所述倒裝芯片除電極之外的側(cè)表面,其中位于相鄰倒裝芯片之間的透明材料層側(cè)表面呈U型或V型;
在所述倒裝芯片、透明材料層之上填充第一反光材料層;
將所述第一反光材料層進(jìn)行研磨或噴砂,直至露出倒裝芯片的電極,使得所述第一反光材料層的上表面不高于所述倒裝芯片的電極上表面;
沿所述相鄰倒裝芯片之間的中心線切割成若干個(gè)單元,即得到發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]優(yōu)選地,所述熒光膜至少一面有粘性,且與所述倒裝芯片的貼合面為粘性面。
[0006]優(yōu)選地,所述形成透明材料層的方式為點(diǎn)膠或者印刷或熱壓成型或其組合。
[0007]優(yōu)選地,所述透明材料層U型或V型的側(cè)表面藉由前端帶有傾斜角的刀片切割形成。
[0008]優(yōu)選地,所述透明材料層U型或V型的側(cè)表面藉由包圍所述倒裝芯片側(cè)表面的透明材料層的表面張力形成。
[0009]優(yōu)選地,所述第一反光材料層的上表面與倒裝芯片的電極上表面齊平。
[0010]優(yōu)選地,所述第一反光材料層通過熱壓成型方式填充。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的第二方面,發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于包括:
提供一第一反光材料層,并將所述第一反光材料層制作出通孔;
將若干個(gè)倒裝芯片貼合于所述第一反光材料層之上,且使得所述倒裝芯片的電極鑲嵌于所述第一反光材料層的通孔;
在所述倒裝芯片之上罩上一具有網(wǎng)格狀的金屬蝕刻片,所述金屬蝕刻片在相鄰的倒裝芯片的中心線方向上具有開孔結(jié)構(gòu);
沿所述開孔結(jié)構(gòu)填充第二反光材料層,使得所述第二反光材料層側(cè)表面呈梯形或碗杯狀;
移除所述金屬蝕刻片,在所述倒裝芯片與所述第二反光材料層的間隙填充透明材料層,直至所述透明材料層的上表面與倒裝芯片的上表面齊平;
在所述透明材料層的上表面與倒裝芯片的上表面之上覆蓋一熒光膜;
沿所述相鄰倒裝芯片之間的中心線切割成若干個(gè)單元,即得到發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0012]優(yōu)選地,所述第二反光材料層通過熱壓成型方式填充。
[0013]優(yōu)選地,所述金屬蝕刻片為鋼網(wǎng)。
【附圖說明】
[0014]附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。此外,附圖數(shù)據(jù)是描述概要,不是按比例繪制。
[0015]圖1~圖5為本發(fā)明之實(shí)施例1制作所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。
[0016]圖6~圖12為本發(fā)明之實(shí)施例2制作所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的工藝流程圖,其中圖9為圖8中所示的金屬蝕刻片俯視圖。
[0017]圖中各標(biāo)號(hào)表示如下:101:熒光膜;102:倒裝芯片;1021、1022:電極;103:透明材料層;104:第一反光材料層;1041、1042:通孔;105:金屬蝕刻片;1051:開孔結(jié)構(gòu);106:第二反光材料層。
[0018]實(shí)施例1
如圖1~圖5為本實(shí)施例1制作所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。
[0019]如圖1所示,提供一熒光膜101,熒光膜上表面有粘性,下表面無粘性;
如圖2所示,將若干個(gè)倒裝芯片102與所述熒光膜101貼合,所述倒裝芯片的電極1021、1022遠(yuǎn)離熒光膜,其中熒光膜101與倒裝芯片102的貼合面為粘性面;
如圖3所示,在所述熒光膜101之上印刷透明材料層103,包圍所述倒裝芯片除電極之外的側(cè)表面;
如圖4所示,藉由前端帶有傾斜角的刀片,將位于相鄰倒裝芯片之間的透明材料層103側(cè)表面切割成V型,所述透明材料層選用透明硅膠;
如圖5所示,在所述倒裝芯片102、透明材料層103之上,通過熱壓成型方式填充第一反光材料層104 ;將所述第一反光材料層104進(jìn)行研磨或噴砂等,直至露出倒裝芯片的電極1021、1022,使得所述第一反光材料層的上表面與所述倒裝芯片的電極上表面齊平,其中所述第一反光材料層選用高反白膠;最后,沿所述相鄰倒裝芯片之間的中心線切割成若干個(gè)單元,即得到發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0020]本實(shí)施例省去基板,也無需使用固晶膠,而是芯片電極直接裸露,有效地降低了熱阻和成本;保留第一反光材料層作為碗杯結(jié)構(gòu),有利于使倒裝芯片的光向上反射,具有較高的光效。
[0021]實(shí)施例2
如圖6~圖12為本實(shí)施例2制作所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。
[0022]如圖6所示,提供一第一反光材料層104,并將所述第一反光材料層制作出通孔1041、1042,該通孔尺
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