使用模型確定等離子體系統(tǒng)的rf傳輸系統(tǒng)中故障的位置的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及使用RF傳輸系統(tǒng)模型以定位在等離子體系統(tǒng)中的RF傳輸系統(tǒng)中的故 障。
【背景技術(shù)】
[0002] 在基于等離子體的系統(tǒng)中，在等離子體室內(nèi)產(chǎn)生等離子體以在晶片上執(zhí)行各種操 作，例如，蝕刻、清潔、沉積等。對(duì)等離子體進(jìn)行監(jiān)測(cè)和控制，從而控制各種操作的執(zhí)行。例 如，通過監(jiān)測(cè)等離子體的電壓來監(jiān)測(cè)等離子體，并通過控制提供給等離子體室的射頻（RF) 功率的量來控制等離子體。
[0003] 然而，使用電壓監(jiān)測(cè)和控制操作的執(zhí)行可能無法提供滿意的結(jié)果。此外，電壓的監(jiān) 測(cè)可能是昂貴和費(fèi)時(shí)的操作。
[0004] 在這種背景下，提出了本公開中所描述的實(shí)施方式。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本公開的實(shí)施方式提供了用于使用模型以確定在等離子體系統(tǒng)中的RF傳輸系統(tǒng) 中的故障的位置的裝置、方法和計(jì)算機(jī)程序。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的實(shí)施方式能以多種方式實(shí) 現(xiàn)，例如，以工藝、裝置、系統(tǒng)、一件硬件、或者計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的方法來實(shí)現(xiàn)。下面描述若 干實(shí)施方式。
[0006] -種實(shí)施方式提供了一種用于確定在RF傳輸系統(tǒng)中的故障的位置的方法，該方 法包括：表征所述RF傳輸系統(tǒng)以及選擇所述RF傳輸系統(tǒng)的區(qū)段中的一個(gè)作為初始選定區(qū) 段?？梢栽谒碚鞯乃鯮F傳輸系統(tǒng)中測(cè)量所述初始選定區(qū)段的輸出。傳播所述初始選 定區(qū)段的所測(cè)得的所述輸出通過基線RF模型以及確定在所述RF傳輸系統(tǒng)的所產(chǎn)生的RF 模型（resultingRFmodel)中的偏轉(zhuǎn)點(diǎn)。
[0007] 可以確定故障是定位在對(duì)應(yīng)于所述偏轉(zhuǎn)點(diǎn)的區(qū)段內(nèi)。所述基線RF模型可以是基 于在所述RF傳輸線中定義的電路部件的，所述基線RF模型具有輸入和輸出。替代地，所述 基線RF模型可以是基于在所述RF傳輸線中定義的電氣部件的，所述基線RF模型具有輸入 和輸出。所述RF傳輸線的電氣部件可以包括電容器、電感器、或它們的組合，所述RF模型 包括一個(gè)或多個(gè)元件，其中，所述RF模型的所述元件與所述RF傳輸線的所述電氣部件具有 相似的特征。
[0008] 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基線RF模型可以包括：RF傳輸線的模型； 阻抗匹配電路的模型，所述RF傳輸線耦合在RF發(fā)生器的輸出和所述阻抗匹配電路的輸入 之間；耦合到所述阻抗匹配電路的所述輸出的RF隧道模型；RF帶模型，所述RF隧道模型與 所述RF帶模型耦合；以及靜電卡盤模型，其具有耦合到所述RF帶的輸入。所述靜電卡盤可 以被包括在等尚子體處理室內(nèi)。所述RF傳輸系統(tǒng)被包括在等尚子體處理系統(tǒng)內(nèi)。
[0009] 表征所述RF傳輸系統(tǒng)可以包括：施加表征配方至在處理室中處理的成組晶片以 及在所述多個(gè)晶片的處理過程中測(cè)量所述RF傳輸系統(tǒng)中的所述區(qū)段的至少一個(gè)輸出的至 少一個(gè)參數(shù)。
[0010] 所述基線RF模型可以是理想的RF傳輸系統(tǒng)的理想的RF模型。替代地，所述基線 RF模型可以是在已知所述RF傳輸系統(tǒng)運(yùn)行正常時(shí)產(chǎn)生的所述RF傳輸系統(tǒng)的RF模型。產(chǎn) 生所述RF傳輸系統(tǒng)的所述基線RF模型可以包括施加表征配方至在處理室中處理的第二多 個(gè)晶片；在所述第二成組的晶片的處理過程中測(cè)量多個(gè)區(qū)段中的選定的至少一個(gè)區(qū)段的輸 出的至少一個(gè)參數(shù)；以及將所測(cè)得的所述多個(gè)區(qū)段中的選定的至少一個(gè)區(qū)段的輸出與所述 基線RF模型中的多個(gè)區(qū)段中的選定的至少一個(gè)區(qū)段的預(yù)測(cè)值比較。
[0011] 另一實(shí)施方式提供了一種等離子體系統(tǒng)，其包括：等離子體處理室；耦合到所述 等離子體處理室的RF輸入的RF傳輸系統(tǒng)；具有耦合到所述RF傳輸系統(tǒng)的輸出的RF發(fā)生 器；以及耦合到所述RF發(fā)生器和所述等離子體處理室的控制器。所述控制器包括在計(jì)算機(jī) 可讀介質(zhì)上的邏輯，所述邏輯是能執(zhí)行的以用于通過選擇多個(gè)區(qū)段中的一個(gè)區(qū)段并將所選 定的所述區(qū)段的測(cè)得的輸出傳播通過所述RF傳輸系統(tǒng)的基線RF模型來確定所述RF傳輸 系統(tǒng)中的故障。
[0012] 還有一實(shí)施方式提供了一種用于確定在RF傳輸系統(tǒng)中的故障的位置的方法，其 包括產(chǎn)生所述RF傳輸系統(tǒng)的基線RF模型，產(chǎn)生所述RF傳輸系統(tǒng)的基線RF模型包括：施加 表征配方至在處理室中處理的第一成組的晶片；在所述第一成組的晶片的處理過程中測(cè)量 所述RF傳輸系統(tǒng)中的所述多個(gè)區(qū)段中的選定的至少一個(gè)區(qū)段的輸出的至少一個(gè)參數(shù)；以 及將所測(cè)得的所述多個(gè)區(qū)段中的選定的至少一個(gè)區(qū)段的輸出與所述基線RF模型中的多個(gè) 區(qū)段中的選定的至少一個(gè)區(qū)段的預(yù)測(cè)值比較。將運(yùn)行失靈的RF傳輸系統(tǒng)表征第二次。選 擇作為初始選定區(qū)段的區(qū)段以及在所表征的運(yùn)行失靈的RF傳輸系統(tǒng)中測(cè)量所述初始選定 區(qū)段的輸出。傳播所述初始選定區(qū)段的所測(cè)得的所述輸出通過基線RF模型以確定所述RF 傳輸系統(tǒng)的所產(chǎn)生的RF模型中的偏轉(zhuǎn)點(diǎn)以及指出對(duì)應(yīng)于所述偏轉(zhuǎn)點(diǎn)的區(qū)段的故障。
[0013] 根據(jù)接下來的詳細(xì)描述，結(jié)合附圖，其它方面會(huì)變得顯而易見。
【附圖說明】
[0014] 通過參考接下來的描述，結(jié)合附圖，這些實(shí)施方式可被最好地理解。
[0015] 圖1是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于確定在阻抗匹配模型的輸出位置 的、在射頻（RF)傳輸模型中的部分的輸出位置的以及在靜電卡盤（ESC)模型的輸出位置的 變量的系統(tǒng)的框圖。
[0016] 圖2是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于確定在RF傳輸模型部分的輸出位 置的復(fù)電壓和電流的方法的流程圖。
[0017] 圖3A是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的系統(tǒng)的框圖，其用于圖解阻抗匹配電 路。
[0018] 圖3B是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的阻抗匹配模型的電路圖。
[0019]圖4是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的系統(tǒng)的圖形，其用于圖解RF傳輸線。
[0020] 圖5A是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的系統(tǒng)的框圖，其用于圖解RF傳輸線的 電路模型。
[0021] 圖5B是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的電路的圖形，其用于圖解RF傳輸模型 的隧道和帶（strap)模型。
[0022] 圖5C是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的電路的圖形，其用于圖解隧道和帶 (strap)模型。
[0023] 圖6是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的電路的圖形，其用于圖解圓柱形和ESC 模型。
[0024] 圖7是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的包括濾波器的用來確定變量的等離子 體系統(tǒng)的框圖。
[0025] 圖8A是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的系統(tǒng)的圖形，其用于圖解提高變量的 精度的濾波器的模型。
[0026] 圖8B是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的系統(tǒng)的圖形，其用于圖解濾波器的模 型。
[0027] 圖9是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于利用電流和電壓探針來測(cè)量在圖1 的系統(tǒng)的RF發(fā)生器的輸出位置的變量的系統(tǒng)的框圖。
[0028] 圖10是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的系統(tǒng)的框圖，其中電流和電壓探針和 通信設(shè)備位于RF發(fā)生器的外面。
[0029] 圖11是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的系統(tǒng)的框圖，其中使用了利用圖1的系 統(tǒng)確定的變量的值。
[0030] 圖12A是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的圖解當(dāng)XMHzRF發(fā)生器開通（on)時(shí) 在通過使用探針在圖1的系統(tǒng)內(nèi)的節(jié)點(diǎn)位置測(cè)得的變量和利用圖2的方法確定的變量之間 的相關(guān)性的圖形。
[0031] 圖12B是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的圖解當(dāng)yMHzRF發(fā)生器開通時(shí)在通 過使用探針在圖1的系統(tǒng)內(nèi)的節(jié)點(diǎn)位置測(cè)得的變量和利用圖2的方法確定的變量之間的相 關(guān)性的圖形。
[0032] 圖12C是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的圖解當(dāng)zMHzRF發(fā)生器開通時(shí)在通 過使用探針在圖1的系統(tǒng)內(nèi)的節(jié)點(diǎn)位置測(cè)得的變量和利用圖2的方法確定的變量之間的相 關(guān)性的圖形。
[0033] 圖13是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于確定阻抗匹配模型的、RF傳輸模 型的、或ESC模型的模型節(jié)點(diǎn)位置的晶片偏置的方法的流程圖。
[0034] 圖14是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的圖解用于生成晶片偏置的晶片偏置發(fā) 生器的狀態(tài)圖。
[0035] 圖15是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于確定沿著阻抗匹配的模型和ESC 的模型之間的路徑的某點(diǎn)處的晶片偏置的方法的流程圖。
[0036]圖16是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于確定在模型的節(jié)點(diǎn)位置的晶片偏 置的系統(tǒng)的框圖。
[0037]圖17是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于確定在系統(tǒng)的模型節(jié)點(diǎn)位置的晶 片偏置的方法的流程圖。
[0038] 圖18是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于圖解不是通過使用電壓探針而是 通過使用圖13、圖15、或圖17的方法來確定晶片偏置的優(yōu)點(diǎn)的系統(tǒng)的框圖。
[0039] 圖19A是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的圖解當(dāng)y和zMHzRF發(fā)生器開通時(shí) 在使用電壓探針在圖1的等離子體系統(tǒng)的節(jié)點(diǎn)位置測(cè)得的變量和利用圖2、13、15、或17的 方法確定的在相應(yīng)的模型節(jié)點(diǎn)輸出處的變量之間的相關(guān)性的圖形的實(shí)施方式。
[0040] 圖19B是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的圖解當(dāng)x和zMHzRF發(fā)生器開通時(shí) 在使用電壓探針在圖1的等離子體系統(tǒng)的節(jié)點(diǎn)位置測(cè)得的變量和利用圖2、13、15、或17的 方法確定的在相應(yīng)的模型節(jié)點(diǎn)輸出處的變量之間的相關(guān)性的圖形的實(shí)施方式。
[0041] 圖19C是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的圖解當(dāng)x和yMHzRF發(fā)生器開通時(shí) 在使用電壓探針在圖1的等離子體系統(tǒng)的節(jié)點(diǎn)位置測(cè)得的變量和利用圖2、13、15、或17的 方法確定的在相應(yīng)的模型節(jié)點(diǎn)輸出處的變量之間的相關(guān)性的圖形的實(shí)施方式。
[0042] 圖20A是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于圖解當(dāng)xMHzRF發(fā)生器開通時(shí)， 在利用傳感器工具測(cè)得的有線晶片偏置（wiredwaferbias)、利用圖13、15、或17的方法 確定的模型晶片偏置和該模型偏置中的誤差之間的相關(guān)性的圖形。
[0043] 圖20B是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于圖解當(dāng)yMHzRF發(fā)生器開通時(shí)， 在利用傳感器工具測(cè)得的有線晶片偏置、利用圖13、15、或17的方法確定的模型偏置和該 模型偏置中的誤差之間的相關(guān)性的圖形。
[0044] 圖20C是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于圖解當(dāng)zMHzRF發(fā)生器開通時(shí)， 在利用傳感器工具測(cè)得的有線晶片偏置、利用圖13、15、或17的方法確定的模型偏置和該 模型偏置中的誤差之間的相關(guān)性的圖形。
[0045] 圖20D是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于圖解當(dāng)x和yMHzRF發(fā)生器開通 時(shí)，在利用傳感器工具測(cè)得的有線晶片偏置、利用圖13、15、或17的方法確定的模型偏置和 該模型偏置中的誤差之間的相關(guān)性的圖形。
[0046] 圖20E是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于圖解當(dāng)x和zMHzRF發(fā)生器開 通時(shí)，在利用傳感器工具測(cè)得的有線晶片偏置、利用圖13、15、或17的方法確定的模型偏置 和該模型偏置中的誤差之間的相關(guān)性的圖形。
[0047] 圖20F是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于圖解當(dāng)y和zMHzRF發(fā)生器開 通時(shí)，在利用傳感器工具測(cè)得的有線晶片偏置、利用圖13、15、或17的方法確定的模型偏置 和該模型偏置中的誤差之間的相關(guān)性的圖形。
[0048] 圖20G是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的用于圖解當(dāng)x、y和zMHzRF發(fā)生器 開通時(shí)，在利用傳感器工具測(cè)得的有線晶片偏置、利用圖13、15、或17的方法確定的模型偏 置和該模型偏置中的誤差之間的相關(guān)性的圖形。
[0049] 圖21是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的圖1的系統(tǒng)的主機(jī)系統(tǒng)的框圖。
[0050] 圖22是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的RF傳輸系統(tǒng)的框圖。
[0051]圖23是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的RF傳輸系統(tǒng)的RF傳輸模型的精度圖。
[0052] 圖24是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的運(yùn)行失靈的RF傳輸系統(tǒng)的測(cè)得的RF 輸出的示例曲線圖。
[0053]圖25是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的圖解排除運(yùn)行失靈的RF傳輸系統(tǒng)的故 障時(shí)執(zhí)行的方法操作的流程圖。
[0054] 圖26是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的、在被測(cè)試的RF傳輸系統(tǒng)上的校準(zhǔn)配 方的處理過程中RF發(fā)生器的受監(jiān)控輸出的圖形。
[0055]圖27是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的、在被測(cè)試的RF傳輸系統(tǒng)上的校準(zhǔn)配 方的處理過程中RF饋電器第三部分（例如圓柱形RF饋電器）的受監(jiān)控輸出的圖形。
[0056]圖28是根據(jù)本公開中所描述的實(shí)施方式的、運(yùn)行失靈的RF傳輸系統(tǒng)的圓柱形RF 饋電器部分的示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0057] 下列實(shí)施方式描述了用于使用模型確定等離子體系統(tǒng)中的RF傳輸系統(tǒng)的故障的 位置的系統(tǒng)和方法。顯而易見，這些實(shí)施方式可在沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部的情 況下實(shí)施。另一方面，公知的工藝操作沒有被詳細(xì)描述以免不必要地使這些實(shí)施方式難以 理解。
[0058] 圖1是用于確定在阻抗匹配模型104的輸出位置的、在RF傳輸模型161的部分173 的輸出（例如，模型節(jié)點(diǎn)Nlm)位置的、以及在靜電卡盤（ESC)模型125的輸出（例如，模型 節(jié)點(diǎn)N6m)位置的變量的系統(tǒng)126的實(shí)施方式的框圖，RF傳輸模型161是RF傳輸線113的 模型。變量的例子包括復(fù)電壓、復(fù)電流、復(fù)電壓和電流、復(fù)功率、晶片偏置等。RF傳輸線113 具有輸出，例如節(jié)點(diǎn)N2。電壓和電流（VI)探針110測(cè)量在xMHzRF發(fā)生器的輸出（例如， 節(jié)點(diǎn)N3)位置的復(fù)電壓和電流Vx、lx和qpx，例如，第一復(fù)電壓和電流。應(yīng)當(dāng)注意，vx代表 電壓幅值，lx代表電流幅值，而中X代表Vx和Ix之間的相位。阻抗匹配模型104具有輸 出，例如，模型節(jié)點(diǎn)N4m。
[0059] 此外，電壓和電流探針111測(cè)量在yMHzRF發(fā)生器的輸出位置（例如，節(jié)點(diǎn)N5) 的復(fù)電壓和電流Vy、Iy和中》'^應(yīng)當(dāng)注意，Vy代表電壓幅值，Iy代表電流幅值，而<P_y代表 Vy和Iy之間的相位。
[0060] 在一些實(shí)施方式中，節(jié)點(diǎn)是設(shè)備的輸入點(diǎn)、設(shè)備的輸出點(diǎn)或者設(shè)備內(nèi)的點(diǎn)。下面描 述此處所使用的設(shè)備。
[0061]xMHz的示例包括 2MHz、27MHz和 60MHz。yMHz的示例包括 2MHz、27MHz和 60MHz。 xMHz不同于yMHz。例如，當(dāng)xMHz為2MHz時(shí)，yMHz為27MHz或者60MHz。當(dāng)xMHz為 27MHz時(shí)，yMHz是 60MHz。
[0062] 各個(gè)VI探針110和111的示例包括符合預(yù)設(shè)公式的VI探針。預(yù)設(shè)公式的示例包 括由開發(fā)用于傳感器的標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)會(huì)所遵循的標(biāo)準(zhǔn)。預(yù)設(shè)公式的另一示例包括美國國家標(biāo)準(zhǔn) 技術(shù)研究所（NIST)標(biāo)準(zhǔn)。所示VI探針110或111根據(jù)NIST標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行校準(zhǔn)。在該圖示中， VI探針110或111與開路、短路或者已知負(fù)載耦合以校準(zhǔn)VI探針110或111從而符合NIST 標(biāo)準(zhǔn)。VI探針110或111可首先與開路耦合，接著與短路耦合，然后與已知負(fù)載耦合從而 基于NIST標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)VI探針110。VI探針110或111可按任意順序耦合到已知負(fù)載、開路 和短路從而根據(jù)NIST標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)VI探針110或111。已知負(fù)載的示例包括50歐姆的負(fù)載、 100歐姆的負(fù)載、200歐姆的負(fù)載、靜態(tài)負(fù)載、直流（DC)負(fù)載、電阻器，等等。所示的各個(gè)VI 探針110和111根據(jù)NIST-可追溯標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行校準(zhǔn)。
[0063]VI探針110耦合到xMHzRF發(fā)生器的輸出，例如節(jié)點(diǎn)N3。xMHzRF發(fā)生器的輸 出，例如節(jié)點(diǎn)N3,經(jīng)由纜線150耦合到阻抗匹配電路114的輸入153。此外，VI探針111耦 合到y(tǒng)MHzRF發(fā)生器的輸出，例如節(jié)點(diǎn)N5。yMHzRF發(fā)生器的輸出（例如節(jié)點(diǎn)N5)經(jīng)由 纜線152耦合到阻抗匹配電路114的另一輸入155。
[0064] 阻抗匹配電路114的輸出（例如節(jié)點(diǎn)N4)耦合到RF傳輸線113的輸入。RF傳輸 線113包括部分169和另一部分195。部分169的輸入是RF傳輸線113的輸入。部分169 的輸出（例如節(jié)點(diǎn)N1)耦合到部分195的輸入。部分195的輸出（例如節(jié)點(diǎn)N2)耦合到等 離子體室175。部分195的輸出是RF傳輸線113的輸出。部分169的示例包括RF柱體和 RF帶（strap)。RF柱體親合到RF帶。部分195的示例包括RF桿和/或用于支撐等離子體 室175的支撐件，例如柱體等。
[0065]等離子體室175包括靜電卡盤（ESC) 177、上電極179和其它部件（未圖示），其它 部件例如圍繞上電極179的上介電環(huán)、圍繞該上介電環(huán)的上電極延伸部、圍繞ESC177的下 電極的下介電環(huán)、圍繞該下介電環(huán)的下電極延伸部、上等離子體禁區(qū)（PEZ)環(huán)、下PEZ環(huán)，等 等。上電極179位于ESC177的對(duì)面并面向ESC177。工件131，例如半導(dǎo)體晶片等，被支 撐在ESC177的上表面183上。上表面183包括ESC177的輸出N6。工件131被放置在輸 出N6上。在生產(chǎn)過程中，在工件131上執(zhí)行各種工藝，例如化學(xué)氣相沉積、清潔、沉積、濺射、 蝕刻、離子注入、抗蝕劑剝離等。在工件131上開發(fā)集成電路，例如專用集成電路（ASIC)、可 編程邏輯器件（PLD)等，且所述集成電路被用在各種電子產(chǎn)品中，例如蜂窩電話、平板式計(jì) 算機(jī)、智能電話、計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，等等。下電極和上電極179中的每一個(gè)均 由金屬（例如鋁、鋁合金、銅等）制成。
[0066] 在一實(shí)施方式中，上電極179包括耦合到中央氣體進(jìn)給裝置（未圖示）的孔。中 央氣體進(jìn)給裝置接收來自氣體供應(yīng)源（未圖示）的一或多種工藝氣體。工藝氣體的示例包 括含氧氣體，比如〇2。工藝氣體的其它示例包括含氟氣體，例如四氟甲烷（cf4)、六氟化硫 (SF6)、六氟乙烷（C2F6)等。上電極179接地。ESC177經(jīng)由阻抗匹配電路114耦合到XMHz RF發(fā)生器和yMHzRF發(fā)生器。
[0067] 當(dāng)工藝氣體被供應(yīng)到上電極179和ESC177之間且當(dāng)xMHzRF發(fā)生器和/或y MHzRF發(fā)生器經(jīng)由阻抗匹配電路114和RF傳輸線113提供RF信號(hào)給ESC177時(shí)，所述工 藝氣體被點(diǎn)燃以在等離子體室175內(nèi)產(chǎn)生等離子體。
[0068] 當(dāng)xMHzRF發(fā)生器產(chǎn)生RF信號(hào)并經(jīng)由節(jié)點(diǎn)N3、阻抗匹配電路114和RF傳輸線 113將RF信號(hào)提供給ESC177且當(dāng)yMHz發(fā)生器產(chǎn)生RF信號(hào)并經(jīng)由節(jié)點(diǎn)N5、阻抗匹配電 路114和RF傳輸線113將RF信號(hào)提供給ESC177時(shí)，VI探針110測(cè)量節(jié)點(diǎn)N3處的復(fù)電 壓和電流而VI探針111測(cè)量節(jié)點(diǎn)N5處的復(fù)電壓和電流。
[0069] 由VI探針110和111測(cè)得的復(fù)電壓和電流從相應(yīng)的VI探針110和111經(jīng)由相應(yīng) 的通信設(shè)備185和189被提供給主機(jī)系統(tǒng)130的用于存儲(chǔ)的存儲(chǔ)硬件單元（HU)。例如，由 VI探針110測(cè)得的復(fù)電壓和電流經(jīng)由通信設(shè)備185和纜線191提供給主機(jī)系統(tǒng)130而由 VI探針111測(cè)得的復(fù)電壓和電流經(jīng)由通信設(shè)備189和纜線193提供給主機(jī)系統(tǒng)130。通信 設(shè)備的示例包括將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成以太網(wǎng)數(shù)據(jù)包和將以太網(wǎng)數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)的以太網(wǎng)設(shè)備、 以太網(wǎng)控制自動(dòng)化技術(shù)（EtherCAT)的設(shè)備、串行傳輸數(shù)據(jù)的串行接口設(shè)備、并行傳輸數(shù)據(jù) 的并行接口設(shè)備、通用串行總線（USB)接口設(shè)備，等等。
[0070] 主機(jī)系統(tǒng)130的示例包括計(jì)算機(jī)，例如臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦、平板式計(jì)算機(jī)，等等。 所示的主機(jī)系統(tǒng)130包括處理器和存儲(chǔ)HU162。此處所使用的處理器可以是中央處理單元 (CPU)、微處理器、專用集成電路（ASIC)、可編程邏輯器件（PLD)等。存儲(chǔ)HU的示例包括只 讀存儲(chǔ)器（R0M)、隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（RAM)或者它們的組合。存儲(chǔ)HU可以是閃存、存儲(chǔ)磁盤冗 余陣列（RAID)、硬盤，等等。
[0071] 阻抗匹配模型104被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)HU162內(nèi)。阻抗匹配模型104具有與阻抗匹配 電路114的特征相似的特征，例如，電容、電感、復(fù)功率、復(fù)電壓和電流，等等。例如，阻抗匹 配模型104具有與阻抗匹配電路114中的電容器和/或電感器數(shù)量相同的電容器和/或電 感器，且該電容器和/或電感器以與阻抗匹配電路114中的方式相同的方式（例如串聯(lián)、并 聯(lián)等）彼此連接。舉例來說，當(dāng)阻抗匹配電路114包括與電感器串聯(lián)耦合的電容器時(shí)，阻抗 匹配模型104也包括與電感器串聯(lián)耦合的電容器。
[0072]作為一個(gè)例子，阻抗匹配電路114包括一或多個(gè)電氣部件而阻抗匹配模型104包 括阻抗匹配電路114的設(shè)計(jì)，例如計(jì)算機(jī)生成的模型。計(jì)算機(jī)生成的模型可由處理器基于 通過輸入硬件單元從用戶處接收的輸入信號(hào)而生成。所述輸入信號(hào)包括與哪些電氣部件 (例如電容器、電感器等）以電氣部件彼此耦合的模型和方式（例如串聯(lián)、并聯(lián)等）被包括 有關(guān)的信號(hào)。作為另一個(gè)例子，阻抗匹配電路11