檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路制造過程中，許多道工藝都會用到噴頭對晶圓進行噴霧、噴水等制程用以達到對晶圓進行清洗或去氧化層等效果。
[0003]請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，所述清洗裝置包括金屬托盤10和噴嘴30。其中，晶圓20放置于所述金屬托盤10的表面,所述噴嘴30位于所述晶圓20的上方，用于進行噴霧或者噴水對所述晶圓20進行清洗。
[0004]然而，當所述噴頭30使用時間過長時，所述噴頭30的表面會老化，在其老化的表面容易積累靜電荷。在對所述晶圓20進行清洗時，靜電荷就容易隨著所述噴頭30轉(zhuǎn)移到所述晶圓20上，從而對所述晶圓20造成破壞性的傷害，嚴重時，則會導致所述晶圓20的報廢。
[0005]因此，如何檢測噴頭靜電，便成為本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)和方法，能夠檢測噴頭的是否存在靜電積聚現(xiàn)象，是否回對晶圓造成損傷。
[0007]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)，形成于晶圓的表面，所述結(jié)構(gòu)包括:第一測試盤和第二測試盤，所述第一測試盤連接有第一金屬線，所述第二測試盤連接有第二金屬線，所述第一金屬線和第二金屬線之間保持預定間隔。
[0008]進一步的，在所述的檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)中，所述第一金屬線和第二金屬線為梳狀結(jié)構(gòu)，兩者交錯排列。
[0009]進一步的，在所述的檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)中，在所述晶圓的表面形成多個均勻排列的所述檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)。
[0010]進一步的，在所述的檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)中，所述第一測試盤、第二測試盤、第一金屬線和第二金屬線均為導電材料。
[0011]進一步的，本發(fā)明還提出了一種檢測噴頭靜電方法，用于對清洗裝置的噴頭進行靜電檢測，所述方法包括:
[0012]將形成有如上文所述的任意一種檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)的晶圓放置于待檢測的噴頭下進行清洗工藝；
[0013]在所述第一測試盤和第二測試盤上施加預定區(qū)間的掃描電壓；
[0014]測量所述第一測試盤和第二測試盤之間的電流，以電流的大小來判斷噴頭的靜電強弱。
[0015]進一步的，在所述的檢測噴頭靜電方法中，所述掃描電壓的預定區(qū)間范圍是0.1V ?20V。
[0016]進一步的，在所述的檢測噴頭靜電方法中，當掃描電壓達到20V時，若電流小于0.1 μ A，則說明所述噴頭無靜電積聚現(xiàn)象；若電流大于0.1 μ Α，則說明所述噴頭存在靜電積聚現(xiàn)象。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:在晶圓的表面形成具有預定間距的第一金屬線和第二金屬線，分別連接第一測試盤和第二測試盤，在進行清洗工藝時，若噴頭存在靜電積聚現(xiàn)象則靜電在轉(zhuǎn)移至晶圓的表面時，會使第一金屬線和第二金屬線之間導通，通過測試第一測試盤和第二測試盤之間的電流大小即可判斷噴頭是否存在靜電積聚現(xiàn)象，是否會對晶圓造成損傷。
【附圖說明】
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明一實施例中單個檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明一實施例中晶圓表面形成有多個檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0021]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)和方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0022]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0023]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0024]請參考圖2，在本實施例中，提出了一種檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)100，形成于晶圓的表面，所述結(jié)構(gòu)包括:第一測試盤111和第二測試盤112，所述第一測試盤111連接有第一金屬線121，所述第二測試盤112連接有第二金屬線122，所述第一金屬線121和第二金屬線122之間保持預定間隔。
[0025]在本實施例中，所述第一金屬線121和第二金屬線122為梳狀結(jié)構(gòu)，兩者交錯排列；所述第一測試盤111、第二測試盤112、第一金屬線121和第二金屬線122均為導電材料。
[0026]請參考圖3，在本實施例中，在晶圓200的表面形成多個均勻排列的所述檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)100，所述檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)100以一組(shot)為單位均勻排列在所述晶圓200的表面，可以檢測到噴頭的靜電對整片晶圓200的影響。同時，為了實現(xiàn)對不同程度的靜電進行檢測，所述第一金屬線121和第二金屬線122之間保持的預定間隔最小可以為工藝設(shè)計下的最小尺寸，可以選取不同的尺寸，以方便達到對不同程度的靜電進行檢測的目的。
[0027]在本實施例中，還提出了一種檢測噴頭靜電方法，用于對清洗裝置的噴頭進行靜電檢測，所述方法包括:
[0028]將形成有如上文所述的任意一種檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)100的晶圓200放置于待檢測的噴頭下進行清洗工藝；
[0029]在所述第一測試盤111和第二測試盤112上施加預定區(qū)間的掃描電壓；
[0030]測量所述第一測試盤111和第二測試盤112之間的電流，以電流的大小來判斷噴頭的靜電強弱。
[0031]在本實施例中，所述掃描電壓的預定區(qū)間范圍是0.1V?20V，即掃描電壓從0.1V逐漸增至20V，于此同時，測量所述第一測試盤111和第二測試盤112之間的電流；當掃描電壓達到20V時，若電流小于0.1 μ Α，則說明所述噴頭無靜電積聚現(xiàn)象，不會對晶圓200造成損傷；若電流大于0.1 μ Α，則說明所述噴頭存在靜電積聚現(xiàn)象，會對晶圓200造成損傷，存在使晶圓200報廢的可能。
[0032]綜上，在本發(fā)明實施例提供的檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)和方法中，在晶圓的表面形成具有預定間距的第一金屬線和第二金屬線，分別連接第一測試盤和第二測試盤，在進行清洗工藝時，若噴頭存在靜電積聚現(xiàn)象則靜電在轉(zhuǎn)移至晶圓的表面時，會使第一金屬線和第二金屬線之間導通，通過測試第一測試盤和第二測試盤之間的電流大小即可判斷噴頭是否存在靜電積聚現(xiàn)象，是否會對晶圓造成損傷。
[0033]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不對本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)，形成于晶圓的表面，所述結(jié)構(gòu)包括:第一測試盤和第二測試盤，所述第一測試盤連接有第一金屬線，所述第二測試盤連接有第二金屬線，所述第一金屬線和第二金屬線之間保持預定間隔。2.如權(quán)利要求1所述的檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬線和第二金屬線為梳狀結(jié)構(gòu)，兩者交錯排列。3.如權(quán)利要求2所述的檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述晶圓的表面形成多個均勻排列的所述檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)。4.如權(quán)利要求1所述的檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一測試盤、第二測試盤、第一金屬線和第二金屬線均為導電材料。5.一種檢測噴頭靜電方法，用于對清洗裝置的噴頭進行靜電檢測，所述方法包括: 將形成有如權(quán)利要求1至4中所述的任意一種檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)的晶圓放置于待檢測的噴頭下進行清洗工藝； 在所述第一測試盤和第二測試盤上施加預定區(qū)間的掃描電壓； 測量所述第一測試盤和第二測試盤之間的電流，以電流的大小來判斷噴頭的靜電強尋層。6.如權(quán)利要求5所述的檢測噴頭靜電方法，其特征在于，所述掃描電壓的預定區(qū)間范圍是0.1V?20V。7.如權(quán)利要求5所述的檢測噴頭靜電方法，其特征在于，當掃描電壓達到20V時，若電流小于0.1 μ A，則說明所述噴頭無靜電積聚現(xiàn)象；若電流大于0.1 μ Α，則說明所述噴頭存在靜電積聚現(xiàn)象。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種檢測噴頭靜電結(jié)構(gòu)和方法，在晶圓的表面形成具有預定間距的第一金屬線和第二金屬線，分別連接第一測試盤和第二測試盤，在進行清洗工藝時，若噴頭存在靜電積聚現(xiàn)象則靜電在轉(zhuǎn)移至晶圓的表面時，會使第一金屬線和第二金屬線之間導通，通過測試第一測試盤和第二測試盤之間的電流大小即可判斷噴頭是否存在靜電積聚現(xiàn)象，是否會對晶圓造成損傷。
【IPC分類】G01R31/00, H01L21/66, H01L23/544
【公開號】CN104952845
【申請?zhí)枴緾N201410123971
【發(fā)明人】夏禹, 劉麗麗
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司, 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2014年3月28日