顯示基板及其制作方法以及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種顯示基板、一種顯示裝置和一種顯示基板制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]IGZO是一種含有銦、鎵和鋅的氧化物，載流子迀移率是非晶硅的20?30倍，用于制作TFT (即薄膜晶體管)的有源層可以極大地提高TFT對(duì)像素電極的充放電速率，提高像素的響應(yīng)速度，實(shí)現(xiàn)更快的刷新率，同時(shí)更快的響應(yīng)也大大提高了像素的行掃描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成為可能。另外，由于晶體管數(shù)量減少和提高了每個(gè)像素的透光率，IGZO顯示器具有更高的能效水平，而且效率更高。
[0003]但是在通過IGZO制作薄膜晶體管中的有源層時(shí)，由于IGZO容易受外界光照影響，如圖1所示，會(huì)使得有源層不穩(wěn)定，導(dǎo)致薄膜晶體管在存在外界光的環(huán)境下工作性能不穩(wěn)定。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，如何避免薄膜晶體管中的有源層受到外界光的影響。
[0005]為此目的，本發(fā)明提出了一種顯示基板，包括:
[0006]薄膜晶體管，在所述薄膜晶體管中設(shè)置有有源層；
[0007]遮光層，設(shè)置在所述有源層之上，用于遮擋射向所述有源層的光線。
[0008]優(yōu)選地，還包括:
[0009]第一鈍化層，設(shè)置在所述有源層之上；
[0010]樹脂層，設(shè)置在所述第一鈍化層之上；
[0011]像素電極，設(shè)置在所述樹脂層之上，材料為金屬氧化物，
[0012]其中，所述遮光層與所述像素電極位于同一層，由所述像素電極中的金屬氧化物還原形成。
[0013]優(yōu)選地，還包括:
[0014]第一鈍化層，設(shè)置在所述有源層之上；
[0015]樹脂層，設(shè)置在所述第一鈍化層之上；
[0016]公共電極，設(shè)置在所述樹脂層之上，材料為金屬氧化物，
[0017]其中，所述遮光層與所述公共電極位于同一層，由所述公共電極中的金屬氧化物還原形成。
[0018]優(yōu)選地，還包括:
[0019]第一鈍化層，設(shè)置在所述有源層之上；
[0020]樹脂層，設(shè)置在所述第一鈍化層之上；
[0021]公共電極，設(shè)置在所述樹脂層之上，材料為金屬氧化物；
[0022]第二鈍化層，設(shè)置在所述公共電極之上；
[0023]像素電極，設(shè)置在所述第二鈍化層之上，
[0024]其中，所述遮光層包括:
[0025]第一遮光層，與所述公共電極位于同一層，由所述公共電極中的金屬氧化物還原形成，
[0026]第二遮光層，與所述像素電極位于同一層，由所述像素電極中的金屬氧化物還原形成。
[0027]優(yōu)選地，所述薄膜晶體管還包括:
[0028]源極和漏極，設(shè)置在所述有源層之上，
[0029]其中，所述源極和漏極分別遮擋所述有源層的部分區(qū)域，則所述遮光層的面積大于所述有源層未被所述源極和漏極遮擋區(qū)域的面積。
[0030]優(yōu)選地，所述金屬氧化物為ITO，所述遮光層的材料為金屬銦。
[0031]本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，包括上述任一項(xiàng)所述的顯示基板。
[0032]本發(fā)明還提出了一種顯示基板制作方法，包括:
[0033]形成薄膜晶體管中的有源層；
[0034]在有源層之上形成遮光層，以遮擋射向所述有源層的光線。
[0035]優(yōu)選地，還包括:
[0036]在所述有源層之上形成第一鈍化層；
[0037]在所述第一鈍化層之上形成樹脂層；
[0038]在所述樹脂層之上形成材料為金屬氧化物的像素電極，
[0039]則形成所述遮光層包括:
[0040]對(duì)所述像素電極的第一區(qū)域進(jìn)行還原處理，以作為所述遮光層。
[0041]優(yōu)選地，形成所述遮光層包括:
[0042]在所述像素電極的第一區(qū)域之上形成半色調(diào)掩膜，在所述像素電極的其他區(qū)域之上形成全色調(diào)掩膜；
[0043]對(duì)所述像素電極所在層進(jìn)行蝕刻，以得到所述像素電極的圖案；
[0044]對(duì)所述像素電極的圖案進(jìn)行灰化工藝，以去除所述像素電極的第一區(qū)域之上的半色調(diào)掩膜；
[0045]對(duì)所述像素電極的第一區(qū)域進(jìn)行等離子還原處理，以作為所述遮光層。
[0046]優(yōu)選地，還包括:
[0047]在所述有源層之上形成第一鈍化層；
[0048]在所述第一鈍化層之上形成樹脂層；
[0049]在所述樹脂層之上形成材料為金屬氧化物的公共電極，
[0050]則形成所述遮光層包括:
[0051]對(duì)所述公共電極的第二區(qū)域進(jìn)行還原處理，以作為所述遮光層。
[0052]優(yōu)選地，形成所述遮光層包括:
[0053]在所述公共電極的第二區(qū)域之上形成半色調(diào)掩膜，在所述公共電極的其他區(qū)域之上形成全色調(diào)掩膜；
[0054]對(duì)所述公共電極所在層進(jìn)行蝕刻，以得到所述公共電極的圖案；
[0055]對(duì)所述公共電極的圖案進(jìn)行灰化工藝，以去除所述公共電極的第二區(qū)域之上的半色調(diào)掩膜；
[0056]對(duì)所述公共電極的第二區(qū)域進(jìn)行等離子還原處理，以作為所述遮光層。
[0057]優(yōu)選地，還包括:
[0058]在所述有源層之上形成第一鈍化層；
[0059]在所述第一鈍化層之上形成樹脂層；
[0060]在所述樹脂層之上形成材料為金屬氧化物的公共電極；
[0061 ] 在所述公共電極之上形成第二鈍化層；
[0062]在所述第二鈍化層之上形成材料為金屬氧化物的像素電極，
[0063]則形成所述遮光層包括:形成第一遮光層和第二遮光層，
[0064]其中，形成所述第一遮光層包括:
[0065]對(duì)所述公共電極的第二區(qū)域進(jìn)行還原處理，以作為所述第一遮光層，
[0066]形成所述第二遮光層包括:
[0067]對(duì)所述像素電極的第一區(qū)域進(jìn)行還原處理，以作為所述第二遮光層。
[0068]優(yōu)選地，形成所述第一遮光層包括:
[0069]在所述公共電極的第二區(qū)域之上形成半色調(diào)掩膜，在所述公共電極的其他區(qū)域之上形成全色調(diào)掩膜；
[0070]對(duì)所述公共電極所在層進(jìn)行蝕刻，以得到所述公共電極的圖案；
[0071]對(duì)所述公共電極的圖案進(jìn)行灰化工藝，以去除所述公共電極的第二區(qū)域之上的半色調(diào)掩膜；
[0072]對(duì)所述公共電極的第二區(qū)域進(jìn)行等離子還原處理，以作為所述第一遮光層，
[0073]形成所述第二遮光層包括:
[0074]在所述像素電極的第一區(qū)域之上形成半色調(diào)掩膜，在所述像素電極的其他區(qū)域之上形成全色調(diào)掩膜；
[0075]對(duì)所述像素電極所在層進(jìn)行蝕刻，以得到所述像素電極的圖案；
[0076]對(duì)所述像素電極的圖案進(jìn)行灰化工藝，以去除所述像素電極的第一區(qū)域之上的半色調(diào)掩膜；
[0077]對(duì)所述像素電極的第一區(qū)域進(jìn)行等離子還原處理，以作為所述第二遮光層。
[0078]優(yōu)選地，通過流量大于800sccm的行還原處理。
[0079]根據(jù)上述技術(shù)方案，通過在有源層之上設(shè)置遮光層，可以有效避免外界光線照射到薄膜晶體管中的有源層，從而避免有源層受到外界光照影響造成的薄膜晶體管性能不穩(wěn)定。
【附圖說明】
[0080]通過參考附圖會(huì)更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0081]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0082]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0083]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0084]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0085]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的形成遮光層的示意流程圖；
[0086]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的形成遮光層的示意流程圖；
[0087]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的形成遮光層的示意流程圖；
[0088]圖8至圖12示出了根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的形成遮光層的具體示意流程圖。
[0089]附圖標(biāo)號(hào)說明:
[0090]1-有源層；2_遮光層；21_第一遮光層；22_第