陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，其包括由下而上依次設(shè)置的鈍化層、緩沖層和金屬反射層，該緩沖層包括至少一層第一緩沖層和設(shè)置在其上的至少一層第二緩沖層，二者的致密度不同。本發(fā)明提供的陣列基板，其可以避免下層金屬層被金屬刻蝕液腐蝕的問(wèn)題，從而可以提高產(chǎn)品良率，降低產(chǎn)品成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
陣列基板及其制作方法、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)已被廣泛的應(yīng)用于各種平板顯示、移動(dòng)顯不、電視等廣品中。
[0003]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參閱圖1，陣列基板由下而上依次包括柵電極層1、柵絕緣層2、有源層3、S/D金屬層(4，5)、鈍化層6、兩個(gè)11'0層(7，8)和金屬反射層9。
[0004]在制作上述陣列基板的過(guò)程中，兩個(gè)ITO層(7，8)設(shè)置在壓接區(qū)域，且覆蓋在鈍化層6的過(guò)孔10，用以作為走線搭接層，搭接控制電路(1C)。金屬反射層9用作反射層和電極層，其僅設(shè)置在顯示區(qū)域，而不設(shè)置在壓接區(qū)域(未覆蓋在鈍化層6的過(guò)孔10)，以避免控制電路壓接脫離，因此，在制作金屬反射層9的過(guò)程中，需要采用金屬刻蝕液將壓接區(qū)域中的金屬層去除。
[0005]但是，由于兩個(gè)ITO層(7，8)的膜質(zhì)(致密度)相同，在使用金屬刻蝕液刻蝕壓接區(qū)域(過(guò)孔10位于該區(qū)域內(nèi))的金屬層時(shí)，金屬刻蝕液會(huì)透過(guò)兩個(gè)ITO層(7，8)，腐蝕下層金屬層，例如通過(guò)過(guò)孔10滲透到S/D金屬層，從而引起線路接觸不良，產(chǎn)生暗線等缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提出了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，其可以避免下層金屬層被金屬刻蝕液腐蝕的問(wèn)題，從而可以提高產(chǎn)品良率，降低產(chǎn)品成本。
[0007]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種陣列基板，包括由下而上依次設(shè)置的鈍化層、緩沖層和金屬反射層，所述緩沖層包括至少一層第一緩沖層和設(shè)置在其上的至少一層第二緩沖層，二者的致密度不同。
[0008]可選的，所述第一緩沖層為ITO的結(jié)晶體;所述第二緩沖層為ITO的非結(jié)晶體。
[0009]可選的，所述第一緩沖層和第二緩沖層均為ITO的結(jié)晶體;或者，
[0010]所述第一緩沖層和第二緩沖層均為ITO的非結(jié)晶體。
[0011]可選的，所述第一緩沖層為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體，且在所述第一緩沖層的與所述第二緩沖層相接觸的表面形成有經(jīng)等離子處理后的平整層；
[0012]所述第二緩沖層為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體，且所述平整層與所述第二緩沖層的致密度不同。
[0013]可選的，所述金屬反射層包括Al、Mo、Cu、T1、Nb中的任意一種或者任意至少兩種組成的合金。
[0014]可選的，所述鈍化層包括SiNx、S1x或者S1N。
[0015]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟:
[0016]在所述鈍化層上形成緩沖層；
[0017]在所述緩沖層上形成金屬反射層；
[0018]其中，所述緩沖層包括至少一層第一緩沖層和設(shè)置在其上的至少一層第二緩沖層，二者的致密度不同。
[0019]可選的，所述第一緩沖層為ITO的結(jié)晶體;所述第二緩沖層為ITO的非結(jié)晶體。
[0020]可選的，所述第一緩沖層和第二緩沖層均為ITO的結(jié)晶體;或者，
[0021 ]所述第一緩沖層和第二緩沖層均為ITO的非結(jié)晶體。
[0022]可選的，形成所述第一緩沖層所采用的成膜功率低于形成所述第二緩沖層所采用的成膜功率；同時(shí)，形成所述第一緩沖層所采用的成膜氣壓高于形成所述第二緩沖層所采用的成膜氣壓。
[0023]可選的，所述第一緩沖層為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體;所述第二緩沖層為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體；
[0024]在形成所述第一緩沖層之后，且形成所述第二緩沖層之前，還包括:
[0025]對(duì)所述第一緩沖層的與所述第二緩沖層相接觸的表面進(jìn)行等離子處理，以形成平整層;并且，所述平整層與所述第二緩沖層的致密度不同。
[0026]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括陣列基板，所述陣列基板采用本發(fā)明提供的上述陣列基板。
[0027]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0028]本發(fā)明提供的陣列基板，其設(shè)置在鈍化層和金屬反射層之間的緩沖層包括至少一層第一緩沖層和設(shè)置在其上的至少一層第二緩沖層，并且通過(guò)使二者的致密度不同，可以避免第一緩沖層和第二緩沖層的晶界缺陷重疊，從而可以避免金屬刻蝕液穿過(guò)緩沖層，并腐蝕下層金屬層，進(jìn)而可以提高產(chǎn)品良率，降低產(chǎn)品成本。
[0029]本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法，其設(shè)置在鈍化層和金屬反射層之間的緩沖層包括至少一層第一緩沖層和設(shè)置在其上的至少一層第二緩沖層，并且通過(guò)使二者的致密度不同，可以避免第一緩沖層和第二緩沖層的晶界缺陷重疊，從而可以避免金屬刻蝕液穿過(guò)緩沖層，并腐蝕下層金屬層，進(jìn)而可以提高產(chǎn)品良率，降低產(chǎn)品成本。
[0030]本發(fā)明提供的顯示裝置，其通過(guò)采用本發(fā)明提供的上述陣列基板，可以避免金屬刻蝕液穿過(guò)緩沖層，并腐蝕下層金屬層，進(jìn)而可以提高產(chǎn)品良率，降低產(chǎn)品成本。
【附圖說(shuō)明】
[0031 ]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明提供的陣列基板及其制作方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0034]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參閱圖2，陣列基板由下而上依次包括柵電極層1、柵絕緣層2、有源層3、S/D金屬層(4，5)、鈍化層6、緩沖層和金屬反射層9。其中，金屬反射層9位于陣列基板的反射區(qū)，且位于鈍化層6的過(guò)孔10的右側(cè)。
[0035]在本實(shí)施例中，緩沖層包括第一緩沖層11和設(shè)置在其上的第二緩沖層12，二者的致密度不同。這可以避免第一緩沖層11和第二緩沖層12的晶界缺陷重疊，從而可以避免位于緩沖層之上的金屬反射層9的刻蝕液穿過(guò)該緩沖層，并腐蝕下層金屬層，進(jìn)而可以提高產(chǎn)品良率，降低產(chǎn)品成本。
[0036]下面對(duì)第一緩沖層11和第二緩沖層12的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)描述。具體地，第一種實(shí)施方式，第一緩沖層11為ITO的結(jié)晶體(P-1TO);第二緩沖層12為ITO的非結(jié)晶體(Α-?ΤΟ)。 由于 ITO 的結(jié)晶體的致密度高于 ITO 的非結(jié)晶體，二者的致密度不同 ，從而可以避免第一緩沖層11和第二緩沖層12的晶界缺陷重疊，而且由于ITO的結(jié)晶體的致密度更高，通過(guò)使其更貼近下層的鈍化層6，更有利于保護(hù)下層金屬層，從而可以進(jìn)一步增強(qiáng)對(duì)金屬刻蝕液的阻擋作用。
[0037]第二種實(shí)施方式，第一緩沖層11和第二緩沖層12均為ITO的結(jié)晶體;或者，第一緩沖層和第二緩沖層均為ITO的非結(jié)晶體。也就是說(shuō)，第一緩沖層11和第二緩沖層12均采用ITO的結(jié)晶體或ITO的非結(jié)晶體，但是二者的致密度不同，這同樣可以避免第一緩沖層11和第二緩沖層12的晶界缺陷重疊。優(yōu)選的，可以使第一緩沖層11的致密度高于第二緩沖層12，以進(jìn)一步增強(qiáng)對(duì)金屬刻蝕液的阻擋作用。
[0038]第三種實(shí)施方式，第一緩沖層11為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體，且在第一緩沖層11的與第二緩沖層12相接觸的表面形成有經(jīng)等離子處理后的平整層。第二緩沖層12為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體，且該平整層與第二緩沖層12的致密度不同，從而可以避免第一緩沖層11和第二緩沖層12的晶界缺陷重疊。所謂等離子體處理，是指通過(guò)等離子體與第一緩沖層11的與第二緩沖層12相接觸的表面發(fā)生物理、化學(xué)反應(yīng)，從而在該表面上形成表面更清潔、平整的平整層。
[0039]需要說(shuō)明的是，在上述三種實(shí)施方式中，第一緩沖層11和第二緩沖層12各自數(shù)量可以為一層或者兩層以上。
[0040]在實(shí)際應(yīng)用中，可選的，金屬反射層9包括Al,Mo,Cu,T1、Nb中的任意一種或者任意至少兩種組成的合金。
[0041]在實(shí)際應(yīng)用中，可選的，鈍化層6包括SiNx、S1x或者S1N等等。
[0042]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，其包括以下步驟:
[0043]在鈍化層上形成緩沖層。
[0044]在緩沖層上形成金屬反射層。
[0045]其中，緩沖層包括至少一層第一緩沖層和設(shè)置在其上的至少一層第二緩沖層，二者的致密度不同。這可以避免第一緩沖層和第二緩沖層的晶界缺陷重疊，從而可以避免位于緩沖層之上的金屬反射層的刻蝕液穿過(guò)該緩沖層，并腐蝕下層金屬層，進(jìn)而可以提高產(chǎn)品良率，降低產(chǎn)品成本。
[0046]可選的，上述第一緩沖層為ITO的結(jié)晶體;第二緩沖層為ITO的非結(jié)晶體。由于ITO的結(jié)晶體的致密度高于ITO的非結(jié)晶體，二者的致密度不同，從而可以避免第一緩沖層和第二緩沖層的晶界缺陷重疊，而且由于ITO的結(jié)晶體的致密度更高，通過(guò)將其設(shè)置在ITO的非結(jié)晶體的下層，可以進(jìn)一步增強(qiáng)對(duì)金屬刻蝕液的阻擋作用。
[0047]可選的，第一緩沖層和第二緩沖層均為ITO的結(jié)晶體;或者，第一緩沖層和第二緩沖層均為ITO的非結(jié)晶體。也就是說(shuō)，第一緩沖層和第二緩沖層均采用ITO的結(jié)晶體或ITO的非結(jié)晶體，但是二者的致密度不同，這同樣可以避免第一緩沖層和第二緩沖層的晶界缺陷重疊。優(yōu)選的，可以使第一緩沖層的致密度高于第二緩沖層，以進(jìn)一步增強(qiáng)對(duì)金屬刻蝕液的阻擋作用。
[0048]優(yōu)選的，使第一緩沖層的致密度高于第二緩沖層的方法具體為:形成第一緩沖層所采用的成膜功率低于形成第二緩沖層所采用的成膜功率；同時(shí)，形成第一緩沖層所采用的成膜氣壓高于形成第二緩沖層所采用的成膜氣壓。
[0049]可選的，第一緩沖層為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體;第二緩沖層為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體。而且，在形成第一緩沖層之后，且形成第二緩沖層之前，還包括:
[0050]對(duì)第一緩沖層的與第二緩沖層相接觸的表面進(jìn)行等離子處理，以形成平整層，該平整層與第二緩沖層的致密度不同，從而可以避免第一緩沖層和第二緩沖層的晶界缺陷重疊。所謂等離子體處理，是指通過(guò)等離子體與第一緩沖層的與第二緩沖層相接觸的表面發(fā)生物理、化學(xué)反應(yīng)，從而在該表面上形成表面更清潔、平整的平整層。
[0051]采用本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法獲得的陣列基板的結(jié)構(gòu)與本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)相同，如圖2所示，由于在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的前述技術(shù)方案中已有了詳細(xì)描述，在此不再詳細(xì)描述。
[0052]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，其可以避免第一緩沖層和第二緩沖層的晶界缺陷重疊，從而可以避免金屬刻蝕液穿過(guò)緩沖層，并腐蝕下層金屬層，進(jìn)而可以提高產(chǎn)品良率，降低產(chǎn)品成本。
[0053]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括陣列基板，該陣列基板采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。
[0054]本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，其通過(guò)采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，可以避免金屬刻蝕液穿過(guò)緩沖層，并腐蝕下層金屬層，進(jìn)而可以提高產(chǎn)品良率，降低產(chǎn)品成本。
[0055]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括由下而上依次設(shè)置的鈍化層、緩沖層和金屬反射層，其特征在于，所述緩沖層包括至少一層第一緩沖層和設(shè)置在其上的至少一層第二緩沖層，二者的致密度不同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一緩沖層為ITO的結(jié)晶體;所述第二緩沖層為ITO的非結(jié)晶體。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一緩沖層和第二緩沖層均為ITO的結(jié)晶體;或者， 所述第一緩沖層和第二緩沖層均為ITO的非結(jié)晶體。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一緩沖層為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體，且在所述第一緩沖層的與所述第二緩沖層相接觸的表面形成有經(jīng)等離子處理后的平整層； 所述第二緩沖層為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體，且所述平整層與所述第二緩沖層的致密度不同。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬反射層包括Al、Mo、Cu、T1、Nb中的任意一種或者任意至少兩種組成的合金。6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層包括SiNx、S1x 或者 S1N。7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 在所述鈍化層上形成緩沖層； 在所述緩沖層上形成金屬反射層； 其中，所述緩沖層包括至少一層第一緩沖層和設(shè)置在其上的至少一層第二緩沖層，二者的致密度不同。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一緩沖層為ITO的結(jié)晶體;所述第二緩沖層為ITO的非結(jié)晶體。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一緩沖層和第二緩沖層均為ITO的結(jié)晶體;或者， 所述第一緩沖層和第二緩沖層均為ITO的非結(jié)晶體。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，形成所述第一緩沖層所采用的成膜功率低于形成所述第二緩沖層所采用的成膜功率；同時(shí)，形成所述第一緩沖層所采用的成膜氣壓高于形成所述第二緩沖層所采用的成膜氣壓。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一緩沖層為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體;所述第二緩沖層為ITO的結(jié)晶體或者ITO的非結(jié)晶體； 在形成所述第一緩沖層之后，且形成所述第二緩沖層之前，還包括: 對(duì)所述第一緩沖層的與所述第二緩沖層相接觸的表面進(jìn)行等離子處理，以形成平整層;并且，所述平整層與所述第二緩沖層的致密度不同。12.—種顯示裝置，包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK106057822SQ201610618971
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年7月29日
【發(fā)明人】沈武林, 賀偉, 謝瀕鋒, 呂耀軍, 蘇彥新
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司