低電阻高膨脹半導電單面阻水帶制造方法
【專利說明】低電阻高膨脹半導電單面阻水帶制造方法
[0001]
技術領域
[0002]本發(fā)明涉及一種電纜阻水帶制造方法，特別是涉及一種低電阻高膨脹半導電單面阻水帶制造方法。
【背景技術】
[0003]電纜運行中，由于纜芯強大的電流作用，絕緣層內的雜質、氣孔以及內外屏蔽層的凸刺和損壞部位都會由于水的滲入發(fā)生水樹現(xiàn)象，使絕緣層內部產(chǎn)生放電甚至擊穿電纜，這就需要一種具有阻水功能的半導電材料來緩沖電場。
[0004]為解決上述問題，目前通常采用半導電阻水帶。雖然起到了半導電屏蔽緩沖電場的作用，但由于有覆蓋層，大大延緩了膨脹過程，阻水效果不理想。而采用單面半導電阻水帶一般體積電阻較大，表面容易積聚電荷，產(chǎn)生放電現(xiàn)象而帶來隱患。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種低電阻高膨脹半導電單面阻水帶制造方法，本發(fā)明制備的阻水帶產(chǎn)品集電場緩沖、機械緩沖和阻水功能于一體，提高了產(chǎn)品的膨脹速度，使得阻水效果更可靠，同時降低了表面電阻和體積電阻，使得電性能增強。
[0006]本發(fā)明是通過以下技術方案實現(xiàn)的:
低電阻高膨脹半導電單面阻水帶的制造方法，所述方法包括下列工藝步驟:
(1)基材的制作，按產(chǎn)品的規(guī)格要求制成符合要求的基材；
(2)施半導電膠；半導電膠液施于待加工基材的一面上，線速10-30米/min；
(3)施半導電阻水粉；半導電阻水粉自制，在三口瓶中先后加入氫氧化鈉、丙烯酸經(jīng)中和反應生成丙烯酸鹽；加入由分散劑壬基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉、失水山梨醇脂肪酸酯S-40和導電劑爐黑組成的導電性漿料；加入交聯(lián)劑聚乙二醇二丙烯酸酯、N，N-亞甲基雙丙烯酰胺，通氮氣30min，置換出反應器內部氧氣，再加入引發(fā)劑過硫酸鈉、亞硫酸氫鈉靜態(tài)聚合后得到水凝膠；經(jīng)烘干、粉碎、篩分得半導電高阻水粉。上述半導電阻水粉施于上述步驟(2)所得的產(chǎn)品的一面上，線速10-30米/min。
[0007](4)烘干；將上述步驟(3)所制得的的產(chǎn)品在120_200°C下烘干，整理得低電阻高膨脹半導電單面阻水帶。
[0008]本發(fā)明制備的阻水帶半導電材料層附著在基材層的一個表面上，通過粘接、涂覆、浸漬等方式與基材層結合，半導電吸水材料層附著于半導電材料層的另一個表面上，半導電吸水材料層通過粘接、涂覆、浸漬等方式與半導電材料層結合。
[0009]本發(fā)明的優(yōu)點與效果是:
本發(fā)明的產(chǎn)品膨脹速度快，阻水效果可靠，降低了產(chǎn)品的表面電阻和體積電阻，提高了電性能，起到屏蔽和緩沖電場的作用，且生產(chǎn)工藝簡單，技術性能穩(wěn)定，實用性強。
【具體實施方式】
[0010]實施例1
(1)基材的制作:粘合布，單重:40g/m2,厚度0.16mm ；
(2)施半導電膠；通過復合方式涂覆在步驟I的粘合布的一面上，線速15米/min;
(3)施半導電阻水粉；在三口瓶中先后加入3.2Kg的氫氧化鈉、7.2Kg丙烯酸經(jīng)部分中和反應生成丙烯酸鹽；加入由分散劑壬基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉0.4kg,0.4kg失水山梨醇脂肪酸酯S-40和4Kg導電劑爐黑組成的導電性漿料；加入交聯(lián)劑聚乙二醇二丙烯酸酯0.005kg、N，N-亞甲基雙丙烯酰胺0.005kg，通氮氣30min，置換出反應器內部氧氣；再加入引發(fā)劑過硫酸鈉0.15kg、亞硫酸氫鈉0.05kg靜態(tài)聚合后得到水凝膠；經(jīng)烘干、粉碎、篩分得半導電高阻水粉。上述半導電阻水粉施于上述步驟(2)所得的產(chǎn)品的一面上，線速15米/
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[0011](4)將步驟3所的產(chǎn)品材料在150°C下烘干，整理得低電阻高膨脹半導電單面阻水帶。
[0012]產(chǎn)品性能測試結果如下:
單重:120g/m2厚度:0.30mm
抗張強度:45N/cm延伸率:16%
表面電阻:420 Ω體積電阻:2.4*104Ω.cm
膨脹速度:12mm/lstmin膨脹高度:20mm/3mino
【主權項】
1.低電阻高膨脹半導電單面阻水帶的制造方法:其特征在于，所述方法包括下列工藝步驟: (1)基材的制作，按產(chǎn)品的規(guī)格要求制成符合要求的基材； (2)施半導電膠；半導電膠液施于待加工基材的一面上，線速10-30米/min； (3)施半導電阻水粉；半導電阻水粉自制，在三口瓶中先后加入氫氧化鈉、丙烯酸經(jīng)中和反應生成丙烯酸鹽；加入由分散劑壬基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉、失水山梨村脂肪酸酯S-40和導電劑爐黑組成的導電性漿料；加入交聯(lián)劑聚乙二醇二丙烯酸酯、N，N-亞甲基雙丙烯酰胺，通氮氣30min，置換出反應器內部氧氣，再加入引發(fā)劑過硫酸鈉、亞硫酸氫鈉靜態(tài)聚合后得到水凝膠；經(jīng)烘干、粉碎、篩分得半導電高阻水粉；所得半導電阻水粉施于上述步驟(2)所制得產(chǎn)品的一面上，線速10-30米/min ； (4)烘干；將上述步驟(3)所制得產(chǎn)品在120-200°C下烘干，整理得低電阻高膨脹半導電單面阻水帶。
【專利摘要】低電阻高膨脹半導單面阻水帶制造方法，涉及一種阻水帶制造方法，低電阻高膨脹半導電單面阻水帶，由基材層、半導電材料層和半導電吸水材料層組成。低電阻高膨脹半導電單面阻水帶的制造方法包括，制作基材，在基材上施半導電膠液和半導電阻水粉、烘干、分切、包裝。本發(fā)明制備的產(chǎn)品膨脹速度快，電性能好，且生產(chǎn)工藝簡單，技術性能穩(wěn)定，實用性強。適用于電纜使用，提高絕緣層、內外屏蔽層的防水滲入，阻水效果理想。
【IPC分類】H01B7/288, H01B7/17
【公開號】CN104934120
【申請?zhí)枴緾N201510311945
【發(fā)明人】俞飛, 張俠, 楊宏艷
【申請人】沈陽天榮電纜材料有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2015年6月9日