管芯檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種管芯檢測(cè)方法，特別是涉及一種管芯檢測(cè)方法，其提供一可發(fā)出一第一光線的第一光源位于第一待測(cè)管芯下方，其中部分第一光線經(jīng)由第一待測(cè)管芯的一側(cè)表面入射第一待測(cè)管芯，部分第一光線經(jīng)由第一待測(cè)管芯的一下表面入射第一待測(cè)管
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【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light Emitting D1de, LED)為固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光元件，其優(yōu)點(diǎn)為功耗低，產(chǎn)生的熱能低，工作壽命長，防震，體積小，反應(yīng)速度快和具有良好的光電特性，例如穩(wěn)定的發(fā)光波長。因此發(fā)光二極管被廣泛應(yīng)用于家用電器，設(shè)備指示燈，及光電產(chǎn)品等。
[0003]在發(fā)光二極管的半導(dǎo)體制作工藝中，往往會(huì)因?yàn)橐恍o法避免的原因形成缺陷，因此為了維持產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定，在進(jìn)行半導(dǎo)體制作工藝時(shí)，需針對(duì)所生產(chǎn)的產(chǎn)品依客戶或使用者需求規(guī)格進(jìn)行缺陷檢測(cè)，再根據(jù)檢測(cè)的結(jié)果將不符合客戶或使用者需求規(guī)格的產(chǎn)品檢出，或是分析造成缺陷的原因，再通過制作工藝參數(shù)的調(diào)整來避免或減少缺陷的產(chǎn)生，以達(dá)到提升制作工藝良率以及可靠度的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種管芯檢測(cè)方法，包含:提供一第一待測(cè)管芯，包含一下表面、一側(cè)表面和一上表面；以及提供一可發(fā)出一第一光線的第一光源位于第一待測(cè)管芯下方，其中部分第一光線經(jīng)由側(cè)表面入射第一待測(cè)管芯，部分第一光線經(jīng)由下表面入射第一待測(cè)管芯。
[0005]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0006]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例中所揭示的管芯檢測(cè)裝置的示意圖。
[0007]圖2A是本發(fā)明一實(shí)施例所揭示的標(biāo)準(zhǔn)管芯的一電極結(jié)構(gòu)的上視圖。
[0008]圖2B是本發(fā)明一實(shí)施例所揭示的管芯檢測(cè)裝置的部分示意圖。
[0009]圖3A是本發(fā)明一實(shí)施例所揭示的待測(cè)管芯的一電極結(jié)構(gòu)的上視圖。
[0010]圖3B是本發(fā)明一實(shí)施例所揭示的管芯檢測(cè)裝置的部分示意圖。
[0011]圖4是本發(fā)明一實(shí)施例所揭示的管芯檢測(cè)方法的流程圖。
[0012]圖5是本發(fā)明依據(jù)一標(biāo)準(zhǔn)管芯的一影像示意圖。
[0013]圖6是本發(fā)明依據(jù)一待測(cè)管芯的一影像示意圖。
[0014]圖7是本發(fā)明依據(jù)一待測(cè)管芯的一影像示意圖。
[0015]圖8A是本發(fā)明依據(jù)一標(biāo)準(zhǔn)管芯的一影像示意圖。
[0016]圖SB是本發(fā)明依據(jù)一待測(cè)管芯的一影像示意圖。
[0017]圖8C是本發(fā)明依據(jù)一待測(cè)管芯的一缺陷面積示意圖。
[0018]圖9是本發(fā)明一實(shí)施例中所揭示的管芯檢測(cè)結(jié)果。
[0019]符號(hào)說明
[0020]1:管芯檢測(cè)裝置
[0021]2:管芯承載部
[0022]3:管芯
[0023]3a:標(biāo)準(zhǔn)管芯
[0024]3b:第一待測(cè)管芯
[0025]d:切割道
[0026]S1:下表面
[0027]S2:側(cè)表面
[0028]S3:上表面
[0029]11:感光元件
[0030]12:第四光源
[0031]121:第四光線
[0032]13:第二光源
[0033]131:第二光線
[0034]14:第一光源
[0035]141:第一光線
[0036]15:第三光源
[0037]151:第三光線
[0038]30:半導(dǎo)體疊層
[0039]31:第一型半導(dǎo)體層
[0040]32:第二型半導(dǎo)體層
[0041]33:主動(dòng)層
[0042]34:反射結(jié)構(gòu)
[0043]35a:電極結(jié)構(gòu)
[0044]35b:電極結(jié)構(gòu)
[0045]351:缺陷
[0046]36:基板
[0047]5:待測(cè)管芯
[0048]50:電極墊
[0049]51:半導(dǎo)體疊層
[0050]6:待測(cè)管芯
[0051]60:電極墊
[0052]61:半導(dǎo)體疊層
[0053]61a:影像
[0054]7:標(biāo)準(zhǔn)管芯
[0055]70:電極墊
[0056]71:半導(dǎo)體疊層
[0057]71a:影像
[0058]61b:缺陷影像
[0059]7a:第一方向
[0060]7b:第二方向
【具體實(shí)施方式】
[0061]為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，請(qǐng)參照下列實(shí)施例的描述并配合相關(guān)圖示。以下所示的實(shí)施例只是用于例示本發(fā)明的發(fā)光元件，并非將本發(fā)明限定于以下的實(shí)施例。本說明書記載于實(shí)施例中的構(gòu)成零件的尺寸、材質(zhì)、形狀、相對(duì)配置等在沒有限定的記載下，本發(fā)明的范圍并非限定于此，而僅是單純的說明而已。且各圖示所示構(gòu)件的大小或位置關(guān)系等，會(huì)由于為了明確說明有加以夸大的情形。而且，在以下的描述中，為了適切省略詳細(xì)說明，對(duì)于同一或同性質(zhì)的構(gòu)件用同一名稱、符號(hào)顯示。
[0062]一光電元件，例如發(fā)光二極管，其制造是由一晶片經(jīng)過前段制作工藝中的鍍膜、黃光光刻制作工藝定義后，再經(jīng)過切割步驟，最后形成多顆獨(dú)立的管芯。此多顆獨(dú)立的管芯需依客戶或使用者需求規(guī)格，再經(jīng)過一連串的管芯檢測(cè)，將不符合客戶或使用者需求規(guī)格的管芯揀出。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，此晶片包括用以成長磷化鋁鎵銦(AlGaInP)的砷化鎵(GaAs)晶片，或用以成長氮化銦鎵(InGaN)的藍(lán)寶石(Al2O3)晶片、氮化鎵(GaN)晶片或碳化硅(SiC)晶片，或用以成長II1-V族太陽能電池疊層的硅晶片、鍺晶片、或砷化鎵晶片。于此晶片上可利用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD )、分子束外延(MBE )、氫化物氣相沉積法(HVPE)、蒸鍍法或離子電鍍方法形成一具有光電特性的半導(dǎo)體疊層，例如發(fā)光(light-emitting)疊層或光伏(photovoltaic)疊層。在晶片外延完成后,會(huì)經(jīng)過蒸鍍制作工藝形成電極，再經(jīng)過黃光、蝕刻制作工藝形成切割道，最后沿著切割道經(jīng)過刀切或激光切割步驟，使各管芯彼此分離，即形成多顆獨(dú)立的管芯。
[0063]承上所述，晶片經(jīng)過切割形成多顆獨(dú)立的管芯后，此多顆獨(dú)立的管芯可貼附于一管芯承載部，其中管芯承載部可為具有黏性或是延展性的膠材，例如藍(lán)膜膠帶或紫外光膠帶，在本發(fā)明的一實(shí)施例中是選用藍(lán)膜膠帶做為管芯承載部。前述的切割步驟也可于晶片貼附于管芯承載部之后再進(jìn)行。圖1是本發(fā)明一實(shí)施例中所揭示的管芯檢測(cè)裝置I的示意圖。如圖1所示，以單顆待測(cè)管芯為例，管芯檢測(cè)裝置I包含一第一待測(cè)管芯3b、一管芯承載部2以承載第一待測(cè)管芯3b，其中第一待測(cè)管芯3b包含一下表面S1、一上表面S3以及一側(cè)表面S2。管芯檢測(cè)裝置I包含一背向光裝置100和一正向光裝置110以檢測(cè)管芯缺陷，其中背向光裝置100位于管芯承載部2下方,正向光裝置110位于管芯承載部2上方。背向光裝置100包含一可發(fā)出一第一光線141的第一光源14位于第一待測(cè)管芯3b下方、一可發(fā)出一第二光線131的第二光源13位于第一待測(cè)管芯3b下方，其中第一光線141是以一斜角入射第一待測(cè)管芯3b，第二光線131大致上垂直入射第一待測(cè)管芯3b，換言之，第二光線131入射下表面SI的角度小于第一光線141入射下表面SI的角度。具體而言，第一光線141是以一斜角，部分入射于下表面SI,部分入射于側(cè)表面S2,而第二光線131大致上垂直入射于下表面SI。正向光裝置110包含一可發(fā)出一第三光線151的第三光源15位于第一待測(cè)管芯3b上方，一可發(fā)出一第四光線121的第四光源12位于第一待測(cè)管芯3b上方，其中第四光線121是以一斜角入射第一待測(cè)管芯3b，第三光線151大致上垂直入射第一待測(cè)管芯3b，換言之，第三光線151入射上表面S3的角度小于第四光線121入射上表面S3的角度。管芯檢測(cè)裝置I包含一感光元件11位于第一待測(cè)管芯3b的上方以收集被第一待測(cè)管芯3b反射或折射的第一光線141、第二光線131、第三光線151、或第四光線121。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一光源14、第二光源13、第三光源15、或第四光源12為一脈沖式氙氣閃光燈。第一光源14或第四光源12為一具有一中央孔徑的環(huán)形結(jié)構(gòu)。
[0064]如圖1所示，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一待測(cè)管芯3b包含一基板36，一半導(dǎo)體疊層30位于基板36的一側(cè)上，以及一電極結(jié)構(gòu)35b位于半導(dǎo)體疊層30的上表面S3上?；?6可為藍(lán)寶石基板或II1- V族半導(dǎo)體基板。半導(dǎo)體疊層30包含一第一型半導(dǎo)體層31，一第二型半導(dǎo)體層32，以及一主動(dòng)層33位于第一型半導(dǎo)體層31及第二型半導(dǎo)體層32之間。第一型半導(dǎo)體層31與第二型半導(dǎo)體層32,例如為包覆層(cladding layer)或限制層(confinement layer),可分別提供電子與空穴，電子與空穴于一電流驅(qū)動(dòng)下在主動(dòng)層(有源層)33復(fù)合以發(fā)出一光線。半導(dǎo)體疊層30的材料包含II1- V族半導(dǎo)體材料，例如AlxInyGa(1_x_y)N 或 AlxInyGa(1_x_y)P,其中 O 彡 x, y 彡 I ; (x+y) ( I。依據(jù)主動(dòng)層 33 的材料，半導(dǎo)體疊層30可發(fā)出波長介于610nm及650nm之間的紅光，波長介于530nm