及在方框126確定軌道布局?？扇我夂线m次數(shù)地迭代該工藝以實(shí)現(xiàn)期望的EMI性能。
[0114]在方框122可獲得用于模塊的EMI數(shù)據(jù)。在一些實(shí)施例中，可執(zhí)行電磁掃描/探針以獲得EMI數(shù)據(jù)。例如，可執(zhí)行近場掃描。EMI數(shù)據(jù)可與RF應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。根據(jù)某些實(shí)施例，EMI數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)模塊的RF部件的兩個(gè)或者多個(gè)操作模式。例如，EMI數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)操作的高頻段模式和操作的低頻段模式，其中RF部件在低頻段模式中比在高頻段模式中以更低的頻率中操作。不同的RF隔離考慮可應(yīng)用于操作的不同頻段。例如，在較高的頻段，RF信號(hào)可具有較小的波長。所期望的是具有較寬的軌道區(qū)和/或在接近模塊的高頻段部分沒有中斷的軌道。作為操作的不同模式的另一個(gè)實(shí)施例，EMI數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于操作的低功率模式和操作的高功率模式。
[0115]EMI數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于任何合適的模塊配置。例如，EMI數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于沒有RF隔離結(jié)構(gòu)的未屏蔽的模塊。作為另一個(gè)實(shí)施例，EMI數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于具有均勻?qū)挾鹊囊粋€(gè)或者多個(gè)軌道的模塊。在某些實(shí)現(xiàn)方式中，EMI數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于具有可被包括在模塊中的最大軌道寬度的軌道的模塊。根據(jù)一些其它的實(shí)現(xiàn)方式，EMI數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于具有軌道的模塊，所述軌道具有最小寬度的基板的特定的金屬層，所述基板包括所述軌道。在另一個(gè)實(shí)施例中，EMI數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于具有一個(gè)或者多個(gè)中斷、一個(gè)或者多個(gè)更窄的選定窄化區(qū)、一個(gè)或者多個(gè)寬化的選定部分、或者其任意組合的非均勻軌道的模塊。
[0116]在方框124可識(shí)別與相對(duì)高和/或相對(duì)低EMI相關(guān)聯(lián)的區(qū)域。例如，可識(shí)別與最低EMI值相關(guān)聯(lián)的模塊的區(qū)域。具有最低EMI值的區(qū)域可被歸類為低輻射區(qū)域。作為另一個(gè)實(shí)施例，可識(shí)別與低于預(yù)先限定的下臨界值的EMI值相關(guān)聯(lián)的模塊的一個(gè)或者多個(gè)區(qū)域。具有低于預(yù)先限定的下臨界值的EMI值的模塊的區(qū)域可被歸類為低輻射區(qū)域。代替地或者附加地，可識(shí)別與高于預(yù)先限定的上臨界值的EMI值相關(guān)聯(lián)的模塊的一個(gè)或者多個(gè)區(qū)域。具有高于預(yù)先限定的上臨界值的EMI值的模塊的區(qū)域可被歸類為熱點(diǎn)。而在另一示例中，可識(shí)別具有最高EMI值的模塊的區(qū)域。這樣的區(qū)域被歸類為熱點(diǎn)。
[0117]相比于模塊的其它區(qū)域，與相對(duì)高的EMI相關(guān)聯(lián)的模塊的區(qū)域可受益于較強(qiáng)的RF隔離。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，與相對(duì)高的EMI相關(guān)聯(lián)的模塊的區(qū)域可以是熱點(diǎn)和/或RF隔離結(jié)構(gòu)提供比模塊的其它區(qū)域更少RF隔離的區(qū)域。該區(qū)域可提供比產(chǎn)品規(guī)格限定的和/或特定區(qū)域期望的更少的RF隔離。根據(jù)一些實(shí)施例，熱點(diǎn)可發(fā)生在或者接近產(chǎn)生具有高功率級(jí)別的信號(hào)的模塊的區(qū)域，該區(qū)域例如功率放大器(PA)的輸出或者低噪音放大器(LNA)的輸入。代替地或者附加地，熱點(diǎn)可發(fā)生在或者接近具有高活性因素的封裝模塊的區(qū)域，該區(qū)域例如振蕩器(例如，電壓控制振蕩器)和/或LNA。
[0118]與相對(duì)低的EMI相關(guān)聯(lián)的模塊的區(qū)域可在或者接近軌道中的中斷和/或軌道的相對(duì)薄的區(qū)域提供足夠的RF隔離級(jí)別。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，與相對(duì)低的EMI相關(guān)聯(lián)的模塊的區(qū)域可以是低輻射區(qū)域和/或RF隔離結(jié)構(gòu)提供比模塊的其它區(qū)域更多RF隔離的區(qū)域。這樣的區(qū)域可提供比產(chǎn)品規(guī)格限定的和/或特定應(yīng)用期望的更多的RF隔離。在低輻射區(qū)域中，可以不產(chǎn)生信號(hào)或者只產(chǎn)生具有低功率級(jí)別的信號(hào)。根據(jù)一些實(shí)施例，低輻射區(qū)域可發(fā)生在或者接近沒有信號(hào)傳播或者只具有低功率級(jí)別的信號(hào)傳播通過的模塊的區(qū)域。代替地或者附加地，低輻射區(qū)可發(fā)生在或者接近具有低活性因素的封裝模塊的區(qū)域。
[0119]包括一個(gè)或者多個(gè)軌道的RF隔離結(jié)構(gòu)可通過例如電連接至在RF部件下方的、配置為接地面的下導(dǎo)電層的連接至接地面接地。接地面可被包括在模塊中。雖然接地面理想地具有的寄生電感為零，但是在實(shí)際中，接地面具有非零寄生電感。寬化軌道的一部分可減小與接地面相關(guān)聯(lián)的電感。例如，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明具有140微米均勻?qū)挾鹊能壍老啾扔谠谀K中具有60微米均勻?qū)挾鹊能壍缹⒃谀K的某些區(qū)域的EMI性能改善了大約2dB。相反地，窄化和/或移除軌道的一部分可增加接地面的電感。在例如低輻射區(qū)域的封裝模塊的一個(gè)或者多個(gè)選定區(qū)域中，軌道可具有中斷和/或相對(duì)于軌道的其它部分被減薄，而不引起RF隔離結(jié)構(gòu)的性能的顯著效應(yīng)。
[0120]與接地面相關(guān)聯(lián)的較高的電感可導(dǎo)致較不穩(wěn)定的RF隔離結(jié)構(gòu)，影響由該RF隔離結(jié)構(gòu)隔離的RF部件產(chǎn)生的信號(hào)。例如，當(dāng)具有與接地面相對(duì)弱的連接時(shí)，RF隔離結(jié)構(gòu)可起到類似天線的作用。這可導(dǎo)致RF隔離結(jié)構(gòu)放大輻射，而不是提供RF隔離。這樣的影響可發(fā)生在對(duì)應(yīng)于相對(duì)高EMI的模塊的位置。當(dāng)軌道在一區(qū)域太薄和/或包括太大的中斷時(shí)，RF隔離結(jié)構(gòu)會(huì)由于弱接地連接浮動(dòng)。弱接地連接可使得模塊的部分與高EMI相關(guān)聯(lián)。因此，所期望的是，相對(duì)于軌道的其它部分，寬化在與高EMI相關(guān)聯(lián)的軌道的部分中的軌道。
[0121]在上臨界值寬度，寬化軌道也許不會(huì)顯著改善RF隔離。在上臨界值寬度以上，寬化軌道的優(yōu)點(diǎn)也許不會(huì)提供在輻射功率的顯著下降和結(jié)果上的RF隔離結(jié)構(gòu)的RF隔離。結(jié)果，所期望的是，軌道寬度低于用于特定面積的上臨界值，以及高于RF隔離結(jié)構(gòu)由于弱接地連接開始浮動(dòng)的點(diǎn)。在這樣的軌道布局中，軌道也可包括一個(gè)或者多個(gè)中斷和/或在選定區(qū)域中窄化的一個(gè)或者多個(gè)部分，而不明顯影響RF隔離結(jié)構(gòu)的RF隔離性能。該原則可用于識(shí)別根據(jù)模塊的特定RF隔離需要定制的軌道布局。在某些實(shí)施例中，軌道可大約具有用于滿足封裝部件的電磁屏蔽干擾需求的最小寬度，其中軌道寬度是非均勻的。
[0122]繼續(xù)參考圖5A，在方框126可確定軌道布局。在軌道布局中，在與高EMI相關(guān)聯(lián)的區(qū)域中的軌道的寬度可以比在與低EMI相關(guān)聯(lián)的區(qū)域中的軌道的寬度大。例如，如圖6B、6C和6F所示，軌道7可具有在與低EMI相關(guān)聯(lián)的區(qū)域中的一個(gè)或者多個(gè)中斷145。作為另一示例，如圖6D、6E和6F所示，軌道7具有與EMI相關(guān)聯(lián)的區(qū)域中的一個(gè)或者多個(gè)窄化區(qū)。在確定的軌道布局中，軌道寬度可足夠?qū)?，使得RF隔離結(jié)構(gòu)不表現(xiàn)為像弱接地面和在上臨界值以下，在上臨界值以上增加的軌道寬度不應(yīng)顯著改善RF隔離。附加地，確定的軌道布局可包括至少一中斷和/或窄化區(qū)，例如如圖6B至6G所示。
[0123]通過執(zhí)行工藝120，可確定軌道布局，使得與封裝模塊相關(guān)聯(lián)的EMI滿足規(guī)格，而不使用過多的區(qū)域和用于軌道的導(dǎo)電材料。相應(yīng)地，工藝120可導(dǎo)致具有軌道的封裝模塊，該軌道被配置為提供具有裸芯面積的有效利用的RF隔離。
[0124]圖5B是確定軌道布局的示意性的工藝130的流程示意圖。除了工藝120的方框124被工藝130的方框134替換以及在方框126可基于方框134確定軌道布局以外，工藝130和工藝120基本相同。因此，工藝130可包括參考在方框122以獲得EMI數(shù)據(jù)和/或在方框126確定軌道布局的先前描述的特征的任意組合。工藝130可包括在方框122獲得EMI數(shù)據(jù)、在方框134確定模塊的區(qū)域?qū)ν獠枯椛涞拿舾卸纫约霸诜娇?26確定軌道布局。工藝130可以被迭代任意合適的次數(shù)。應(yīng)理解的是，根據(jù)一些實(shí)施例，可一起、串行、并行或者其任意組合地執(zhí)行工藝120和工藝130。因此，確定的軌道布局可基于與模塊的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域和/或模塊的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域?qū)ν獠枯椛涞拿舾卸认嚓P(guān)聯(lián)的EMI的相對(duì)級(jí)別。
[0125]在方框134，聯(lián)系與相對(duì)低和/或相對(duì)高EMI相關(guān)聯(lián)的封裝模塊的區(qū)域描述的原則和優(yōu)點(diǎn)可在應(yīng)用于對(duì)外部輻射相對(duì)敏感和/或相對(duì)不敏感的封裝模塊的區(qū)域。例如，可獲得敏感度數(shù)據(jù)以及可識(shí)別對(duì)電磁輻射相對(duì)更敏感的區(qū)域和/或?qū)﹄姶泡椛湎鄬?duì)更不敏感的區(qū)域。在一些實(shí)施例中，敏感度數(shù)據(jù)可包括EMI數(shù)據(jù)和/或源自例如這樣的EMI數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)。對(duì)外部輻射敏感的封裝模塊的區(qū)域可視作與相對(duì)高EMI相關(guān)聯(lián)的封裝模塊的區(qū)域相似。例如，在方框126，可寬化在被識(shí)別為在方框134中對(duì)外部輻射敏感的區(qū)域中的軌道。代替地或者附加地，對(duì)外部輻射不敏感的封裝模塊的區(qū)域可視為與相對(duì)低EMI相關(guān)聯(lián)的封裝模塊的區(qū)域相似。例如，在方框126中，可添加中斷至軌道和/或窄化在方框134中被識(shí)別為對(duì)外部輻射不敏感的區(qū)域中的軌道。對(duì)外部輻射敏感的區(qū)域可包括，例如模塊的輸出。例如，功率放大器模塊的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)(OMN)區(qū)域和/或VCO的輸出可對(duì)外部輻射相對(duì)敏感。相反地，對(duì)外部輻射不敏感的區(qū)域可包括，例如輸入?yún)^(qū)域和/或DC路徑。
[0126]出于說明的目的，將參考包括在選定區(qū)域中的軌道中的中斷和/或窄化沿著基板的周邊的選定部分中的軌道提供更多細(xì)節(jié)。盡管為說明的目的描述窄化和/或包括在軌道中的中斷，此處描述的一個(gè)或者多個(gè)特征可應(yīng)用于寬化在一個(gè)或者多個(gè)選定區(qū)域中的軌道。
[0127]圖6A至6G示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在圖1B中基板沿著線140-140的軌道布局的截面。示出的軌道布局的一個(gè)或者多個(gè)特征可應(yīng)用于在基板的不同層中的一個(gè)或者多個(gè)軌道。在一些實(shí)施例中，可根據(jù)工藝120和/或工藝130確定示出的軌道布局。
[0128]如圖6A至6G所示，軌道7是形成在被配置為接地電位的基板中的導(dǎo)電特征。如所示出的，軌道7沿著在基板中的封裝模塊I的周邊布置。軌道7可以是在封裝模塊I的RF組件的周圍提供RF隔離體的RF隔離結(jié)構(gòu)的一部分。軌道7可以是具有高導(dǎo)電率的低損耗導(dǎo)電材料，例如銅、金或者銀。例如，在某些實(shí)現(xiàn)方式中，軌道7是銅。
[0129]圖6A是示出了沿著圖1B的線140-140的封裝模塊I的截面的俯視圖。如圖6A所示，軌道7可具有均勻的寬度。根據(jù)此處描述的原則和優(yōu)勢，圖6A示出的軌道7可大約具有以滿足規(guī)格和/或提供RF隔離的期望的級(jí)別所要求的最小寬度。
[0130]圖6B示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的沿著圖1B的線140-140的封裝模塊I的截面的俯視圖。圖6B示出的軌道7具有中斷145。根據(jù)某些些實(shí)現(xiàn)方式，中斷145可包括在封裝模塊I的低輻射區(qū)域。例如，中斷145可在具有低活性因子的封裝模塊I的區(qū)域中。中斷145可包括在與在用于封裝模塊I的EMI數(shù)據(jù)中的最低EMI值相關(guān)聯(lián)的封裝模塊I的區(qū)域。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，中斷145可包括在對(duì)外部輻射相對(duì)不敏感的封裝模塊I的區(qū)域。
[0131]圖6C示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的沿著圖1B的線140-140的封裝模塊I的截面的俯視圖。軌道7在某些實(shí)施例中的具有多個(gè)中斷。例如，如圖6C所示，軌道7具有三個(gè)中斷145。軌道7可包括長度基本相同的兩個(gè)或者多個(gè)中斷145。代替地或者附加地，軌道7可包括長度不同的兩個(gè)或者多個(gè)中斷145。中斷145可布置在封裝模塊I的低輻射區(qū)域和/或?qū)ν獠枯椛湎鄬?duì)不敏感的封裝模塊的區(qū)域。
[0132]圖6D和6E示出了根據(jù)某些實(shí)施例的沿著圖1B的線140-140的封裝模塊I的截面的其它俯視圖。窄化區(qū)窄化區(qū)150可布置在封裝模塊I的低輻射區(qū)域和/或?qū)ν獠枯椛湎鄬?duì)不敏感的封裝模塊的區(qū)域。如圖6D所示，軌道7可包括窄化區(qū)窄化區(qū)150。如圖6E所示，軌道7可包括多個(gè)窄化區(qū)窄化區(qū)150。例如，軌道7可包括長度基本相同的兩個(gè)或者多個(gè)窄化區(qū)窄化區(qū)150。代替地或者附加地，軌道7可包括長度不同的兩個(gè)或者多個(gè)窄化區(qū)窄化區(qū)150?？稍诿鎸?duì)RF部件的內(nèi)邊緣上減薄窄化區(qū)窄化區(qū)150。這可提供用于將要包括在基板中的在和軌道7相同的層中的其它特征的附加區(qū)域。在某些實(shí)施例中，軌道7可具有大約是在窄化區(qū)窄化區(qū)150中的基板的特定層中的金屬層的最小寬度的寬度。在基板的特定層中的金屬層的最小寬度可以例如是大約30μηι到大約60μηι。
[0133]圖6F示出了根據(jù)另一實(shí)施例的沿著圖1B的線140-140的封裝模塊I的截面的另一個(gè)俯視圖。如圖6F所示，軌道7可包括中斷145和窄化區(qū)窄化區(qū)150。軌道7可包括兩個(gè)或者多個(gè)中斷145和一個(gè)或者多個(gè)窄化區(qū)窄化區(qū)150。軌道7可包括一個(gè)或者多個(gè)中斷145和兩個(gè)或者多個(gè)窄化區(qū)窄化區(qū)150。
[0134]圖6G示出了根據(jù)又一實(shí)施例的沿著圖1B的線140-1