蔽引線鍵合51的上部，從而形成具有RF屏蔽體的RF隔離結(jié)構(gòu)2。
[0084]在圖3J1和3J2的示例的配置50中，RF屏蔽引線鍵合51示出為形成在裸芯(36)和SMT器件(43)所在的區(qū)域的周圍的周邊。其它周邊的配置也是可能的。例如，周邊可通過在裸芯周圍、在一個或者多個SMT器件周圍、或者其組合的周圍的RF引線鍵合形成。在一些實現(xiàn)方式中，基于RF引線鍵合的周邊可形成在任何期望RF隔離的電路、器件、部件或者區(qū)域的周圍。
[0085]在圖3J1和3J2的示例的配置50中，RF屏蔽引線鍵合51示出為具有被配置為在如此處描述的模制工藝中促進控制的變形的不對稱的側(cè)面輪廓。關(guān)于這樣的引線鍵合的附加細節(jié)可在例如題為“SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH INTEGRATED INTERFERENCE SHIELDINGAND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF.”的 PCT 公開N0.WO 2010/014103 中找到。在一些實施例中，也可使用其它形狀的RF屏蔽引線鍵合。例如，如題為“0VERM0LDED SEMICONDUCTORPACKAGE WITH A WIREBOND CAGE FOR EMI SHIELDING, ”的美國專利 N0.8071431 描述的大體對稱的弧形引線鍵合可被用作為RF屏蔽引線鍵合而代替示出的不對稱引線鍵合或者與其結(jié)合使用。在一些實施例中，RF屏蔽引線鍵合并不一定需要形成環(huán)形并且具有在模塊基板的表面上的兩端。例如，也可以使用具有一端在模塊基板上的表面上和另一端位于在表面(用于連接至上導電層)上方的引線延伸。
[0086]在圖3J1和3J2的示例的配置50中，RF屏蔽引線鍵合51示出為具有大體高于裸芯連接引線鍵合(49)的高度的類似高度。這樣的配置允許通過如此處描述的模塑料包封裸芯連接引線鍵合(49)，并將其從在模制工藝之后待形成的上導電層隔離。
[0087]在圖2的方框121中，上?？尚纬稍赟MT部件、裸芯和RF屏蔽引線鍵合上方。圖3K示出了可促進這樣的上模形成的示例配置52。模帽53示出為位于模塊基板20上方，使得模帽53的下表面54和模塊基板20的上表面21限定引入模塑料的體55。
[0088]在一些實現(xiàn)方式中，模帽53可被置于使得其下表面54嚙合并向下推到RF屏蔽引線鍵合51的上部上。這樣的配置允許移除RF屏蔽引線鍵合51的任何高度變化，使得上部在基本上相同的高度接觸模帽53的下表面54。當引入模塑料和形成上模時，前述技術(shù)保持包封的RF屏蔽引線鍵合51的上部處在或者接近上模結(jié)構(gòu)的所產(chǎn)生的上表面。
[0089]在圖3K的示例的模制配置52中，可從如箭頭56所示的模體55的一個或者多個側(cè)引入模塑料。在一些實現(xiàn)方式中，可在加熱和真空條件下執(zhí)行該模塑料的引入，以促進加熱模塑料更容易地流入體55中。
[0090]圖3L示出了示例的配置58，其中如參考圖3K所描述地將模塑料引入體55中并且移除模帽以產(chǎn)生包封各種部分(例如，裸芯、裸芯連接引線鍵合和SMT器件)的上模結(jié)構(gòu)59。RF屏蔽引線鍵合也示出為基本由上模結(jié)構(gòu)59包封。RF屏蔽引線鍵合的上部示出為處在或者接近上模結(jié)構(gòu)59的上表面60。
[0091]圖3M示出了具有形成在多陣列區(qū)上方的上模結(jié)構(gòu)59的示例面板62。可參考圖3K至3L如此處描述的形成每個陣列區(qū)的上模結(jié)構(gòu)。所產(chǎn)生的上模結(jié)構(gòu)59示出為限定覆蓋給定陣列區(qū)的多個模塊的共用上表面60。
[0092]參考圖3K-3M的在此處描述的模制工藝可產(chǎn)生包封的RF屏蔽引線鍵合的上部處在或者接近上模結(jié)構(gòu)的上表面的配置。該配置可以導致或者可以不導致RF屏蔽引線鍵合形成與待形成在其上的導電層的可靠的電連接。
[0093]在圖2的方框12m中，可移除上模結(jié)構(gòu)的頂部以更好地暴露RF屏蔽引線鍵合的頂部。圖3N示出了已經(jīng)執(zhí)行了該移除的示例的配置64。在該示例中，上模結(jié)構(gòu)59的上部示出為被移除以產(chǎn)生低于原上表面60(從模制工藝)的新上表面65。這樣的材料的移除示出為更好地暴露RF屏蔽引線鍵合51的上部66。
[0094]可以以多種方式實現(xiàn)前述將材料從上模結(jié)構(gòu)59的上部移除。圖30示出了通過噴砂實現(xiàn)材料的移除的示例的配置68。在該示例中，較淺陰影的部分是已經(jīng)移除材料以產(chǎn)生新的上表面65并且更好地暴露RF屏蔽引線鍵合的上部66的位置。較深陰影的部分是尚未移除材料從而仍保留原表面60的位置。示出為69的區(qū)域是正在執(zhí)行材料移除的位置。
[0095]在圖30示出的示例中，容易地示出了對應(yīng)于在下面的模塊基板20 (以虛線框22描述)的模塊化結(jié)構(gòu)。在導電層形成在新形成的上表面65上方后，這樣的模塊將會被分離。
[0096]在圖2的方框12η中，可清洗由移除材料所產(chǎn)生的新暴露的表面。
[0097]在圖2的方框12ο中，電導電層可形成在上模結(jié)構(gòu)的新暴露的上表面上，使得導電層與RF屏蔽引線鍵合的上部電接觸。這樣的導電層可由包括例如噴涂或者印刷的方法的多種不同的技術(shù)形成。
[0098]圖3Ρ示出了示例的配置70，其中電導電層71已經(jīng)形成在上模結(jié)構(gòu)59的上表面65上方。如此處描述的，上表面65更好地暴露RF屏蔽引線鍵合51的上部66。相應(yīng)地，形成的導電層71形成與RF屏蔽引線鍵合51的上部66改善的接觸。
[0099]如參考圖3J描述的，RF屏蔽引線鍵合51和接地面30可在由RF屏蔽引線鍵合51限定的區(qū)域的側(cè)面和底側(cè)面產(chǎn)生相互連接的RF隔離結(jié)構(gòu)。由于上導電層71與RF屏蔽引線鍵合51電接觸，在該區(qū)域上方的上側(cè)現(xiàn)在也被屏蔽，從而產(chǎn)生屏蔽的體。
[0100]圖3Q示出了已經(jīng)噴涂有導電涂料以產(chǎn)生覆蓋多陣列區(qū)的電導電層71的示例面板72。如參考圖3Μ所描述的，每個陣列區(qū)包括將被分離的多個模塊。
[0101]在圖2的方框12ρ中，在具有共用導電層(例如，導電涂料層)的陣列區(qū)中的模塊可被分割為獨立的封裝模塊?？梢砸园ǜ钿徏夹g(shù)的多種方式實現(xiàn)這樣的模塊的分割。
[0102]圖3R示出了示例的配置74，其中已經(jīng)將此處描述的模塊化區(qū)20分割為分開的模塊75。上模部分示出為包括側(cè)壁77 ;并且模塊基板部分示出為包括側(cè)壁76。側(cè)壁77和76被共同地示出為限定分開的模塊75的側(cè)壁78。分開的模塊75的上部保持由導電層71覆蓋。如參考圖3Β在此處描述的，分開的模塊75的下表面27包括接觸焊盤28和29以促進在模塊75和例如電話板的電路板之間的電連接。
[0103]圖3S1、3S2和3S3示出了分割的模塊75的前(此處也稱為頂)、后(此處也稱為底)和透視圖。如此處描述的，這樣的模塊包括包封在上模結(jié)構(gòu)中的RF屏蔽結(jié)構(gòu)；以及在一些實現(xiàn)方式中，模塊75的整體尺寸并不一定比沒有RF屏蔽功能的模塊更大。相應(yīng)地，由于不需要外部RF屏蔽結(jié)構(gòu)，具有集成的RF屏蔽功能的模塊可以有利地產(chǎn)生更緊湊的組裝的電路板。此外，在操作和組裝的工藝中，封裝模塊化形式允許更容易地處理模塊。
[0104]在圖2的方框12q中，可測試分割的模塊的合適功能。如上描述的，模塊化形式允許更容易地執(zhí)行這樣的測試。此外，模塊的內(nèi)部RF屏蔽功能允許在沒有外部RF屏蔽設(shè)備中執(zhí)行這樣的測試。
[0105]圖3T示出了在一些實施例中，包括在例如無線電話板的電路板中的一個或者多個模塊可配置為具有如此處描述的一個或者多個封裝特征?？蓮脑摲庋b特征中受益的模塊的非限制示例包括但不限于，控制器模塊、應(yīng)用處理器模塊、音頻模塊、顯示界面模塊、存儲器模塊、數(shù)字基帶處理器模塊、GPS模塊、加速器模塊、電源管理模塊、收發(fā)器模塊、開關(guān)模塊和功率放大器(PA)模塊。
[0106]圖4A示出了可實施的將具此處描述的一個或者多個特征的封裝模塊的組裝在電路板上的工藝80。在方框82a中，可提供封裝模塊。在一些實施例中，封裝模塊可代表參考圖3T描述的模塊。在方框82b中，封裝模塊可被安裝在電路板(例如，電話板)上。圖4B示意地描述了具有模塊I安裝在其上而產(chǎn)生的電路板90。雖然一個模塊示出為被安裝在電路板90上，但將理解的是，一個或者多個其它模塊也可被安裝在其上。電路板90也可包括例如多個連接92的其它特征，該連接組件安裝在其上的各種模塊的操作。
[0107]在方框82c中，具有模塊安裝在其上的電路板可安裝在無線設(shè)備中，圖4C示意地描述了具有電路板90 (例如，電話板)的無線設(shè)備94 (例如，蜂窩電話)。電路板90示出為包括具有此處描述的一個或者多個特征的模塊91。無線設(shè)備示出為進一步包括例如天線95、用戶界面96和電源97的其它部件。
[0108]圖4D示意性地描述了具有例如芯片或者模塊的封裝模塊I的無線設(shè)備94。無線設(shè)備94例如可以是智能電話的移動設(shè)備。圖4D示出的無線設(shè)備94可包括圖4C示出的一個或者多個特征，出于說明的目的，其中一些已經(jīng)從圖4D中省略。在一些實施例中，封裝模塊I可包括此處描述的任意模塊。如所示出的，封裝模塊I包括RF部件116和形成在RF部件116的周圍的RF隔離結(jié)構(gòu)2，以提供RF隔離特性。RF隔離結(jié)構(gòu)2可布置在封裝模塊I的周邊的周圍或者布置在封裝模塊I的其它合適的區(qū)域上、在RF部件116的周圍。RF隔離結(jié)構(gòu)2可提供一個或者多個RF隔離功能，例如將RF部件116從來自在電子設(shè)備110上的另一個設(shè)備118的RF影響(箭頭112)中隔離、將RF部件116從在電子設(shè)備100的外面的外部RF源隔離(箭頭114)、和/或防止來自RF信號的電磁輻射(箭頭119a和119b)和/或來自RF部件116的噪音進入在電子設(shè)備110上的其它設(shè)備118和/或去到電子設(shè)備100的外面的外部RF源(未示出)。RF部件116可包括配置為發(fā)送和/或接收RF信號的一個或者多個電路元件。RF部件116的非限制的示例包括電源放大器、電壓控制振蕩器、濾波器、開關(guān)等。例如，在圖1A示出的實施例中，RF部件可包括高頻段部分3和/或低頻段部分4。
[0109]盡管圖4D示出了一個RF部件116，將理解的是，兩個或者多個部件可包括在由RF隔離結(jié)構(gòu)2產(chǎn)生的RF隔離體中。根據(jù)一些實施例，封裝模塊I可包括具有專用RF隔離結(jié)構(gòu)的兩個或者多個RF部件。
[0110]圖5A是確定軌道布局的示意性工藝120的流程示意圖。工藝120的特征的任何組合或者此處描述的任何其它工藝可具體化在非瞬時性計算機可讀媒介中并儲存在存儲器中。當由一個或者多個處理器執(zhí)行時，該非瞬時性計算機可讀媒介可導致工藝120和/或其它工藝的一些或者全部被執(zhí)行。將理解的是，此處描述的任何方法可包括更多或者更少的操作。還應(yīng)理解的是，只要合適，此處描述的任何方法可以包括以任何順序執(zhí)行的操作。
[0111]工藝120可決定沿著封裝模塊的周邊的軌道的布局。軌道可以是在封裝模塊的一個或者多個RF部件的周圍形成RF隔離體的RF隔離結(jié)構(gòu)的一部分。軌道可以配置為接地電位。軌道可形成在基板的一個或者多個層中。在一些實施例中，軌道可以是在例如如圖1B所示的RF部件下的印刷電路板的一部分。
[0112]軌道的寬度可以是非均勻的。在封裝模塊的周邊的周圍的選定的限定區(qū)域中具有較窄和/或較寬的軌道可根據(jù)封裝模塊的具體需要定制RF隔離結(jié)構(gòu)。軌道的較窄區(qū)域和/或在軌道中的中斷可被包括在封裝模塊的一個或者多個低輻射區(qū)域中。代替地或者附加地，軌道的較寬區(qū)域可被包括在封裝模塊的熱點中。工藝120可決定封裝模塊的一個或者多個選定區(qū)域，其中軌道的部分可被寬化、窄化、包括中斷或者其任意組合。用工藝120定制軌道布局可減小封裝模塊的整體區(qū)域，而不顯著地影響封裝模塊的電磁干擾(EMI)性會K。
[0113]工藝120可包括在方框122獲得用于模塊的EMI數(shù)據(jù)、在方框124識別與相對高的BO和/或相對低的BO相關(guān)聯(lián)的模塊的區(qū)域、以