和柵絕緣層40而位于基板（基材）1(H則。
[0116] 下面，依次對(duì)各部的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。
[0117] 基板（基材）10用于支持構(gòu)成薄膜晶體管1的各層（各部）。
[0118] 對(duì)于基板10,例如可以使用玻璃基板、由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲 酸乙二醇酯（PEN)、聚醚砜（PES)、芳香族聚酯（液晶聚合物）、聚酰亞胺（PI)等構(gòu)成的塑料 基板（樹(shù)脂基板）、石英基板、硅基板、金屬基板、砷化鎵基板等。
[0119] 在賦予薄膜晶體管1撓性的情況下，可以選擇塑料基板或薄的（膜厚較薄的）金 屬基板作為基板10。
[0120] 基板10的平均厚度并沒(méi)有特別限定，但優(yōu)選為0. 5 ym以上且500 ym以下，更優(yōu) 選為10 ym以上且300 ym以下。
[0121] 在基板10上設(shè)置有源電極20a和漏電極20b (-對(duì)電極）。即，源電極20a和漏電 極20b被設(shè)置在大致同一平面上。
[0122] 作為源電極20a和漏電極20b的構(gòu)成材料，只要是公知的電極材料，對(duì)種類就沒(méi)有 特別限定。具體而言，可以使用諸如Cr、Al、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Au、Pd、In、Ni、Nd、Co或含 有它們的合金之類的金屬材料、以及它們的氧化物等。
[0123] 另外，源電極20a、漏電極20b也可以由導(dǎo)電性有機(jī)材料構(gòu)成。
[0124] 另外，在有機(jī)半導(dǎo)體層30為P型的情況下，作為源電極20a和漏電極20b的構(gòu)成 材料，分別優(yōu)選以Au、Ag、Cu、Pt或含有它們的合金為主。對(duì)于這些材料，由于功函數(shù)大，所 以通過(guò)由這些材料構(gòu)成源電極20a，可以提高空穴（載流子）向有機(jī)半導(dǎo)體層30的注入效 率。
[0125] 另外，源電極20a和漏電極20b的平均厚度并沒(méi)有特別限定，分別優(yōu)選為10nm以 上且2000nm以下，更優(yōu)選為50nm以上且lOOOnm以下。
[0126] 源電極20a和漏電極20b的距離，即圖2所示的溝道長(zhǎng)度L優(yōu)選為2 y m以上且 30 ym以下，更優(yōu)選為2 ym以上且20 ym以下。通過(guò)將溝道長(zhǎng)度L的值設(shè)定在這樣的范圍 內(nèi)，可以實(shí)現(xiàn)提高薄膜晶體管1的特性（特別是0N電流值的上升）。
[0127] 另外，源電極20a和漏電極20b的長(zhǎng)度，即圖2所示的溝道寬度W優(yōu)選為0. 1mm以 上且5mm以下，更優(yōu)選為0. 3mm以上且3mm以下。通過(guò)將溝道寬度W的值設(shè)定在這樣的范 圍內(nèi)，可以降低寄生電容，可以防止薄膜晶體管1的特性發(fā)生劣化。另外，也可以防止薄膜 晶體管1的大型化。
[0128] 在含有源電極20a和漏電極20b的基板10上，以覆蓋源電極20a和漏電極20b的 方式設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體層（有機(jī)半導(dǎo)體膜）30,以與源電極20a和漏電極20b接觸。該有機(jī)半 導(dǎo)體層30具有通過(guò)由柵電極50施加的電場(chǎng)使電流從源電極20a流向漏電極20b的功能。
[0129] 另外，有機(jī)半導(dǎo)體層30也可以不以覆蓋源電極20a和漏電極20b的方式設(shè)置，只 要至少設(shè)置在源電極20a和漏電極20b之間的區(qū)域（溝道區(qū)域）即可。
[0130] 在有機(jī)半導(dǎo)體層30的上面（柵電極50與源電極20a和漏電極20b之間）形成有 柵絕緣層40。
[0131] 該柵絕緣層40是使柵電極50相對(duì)于源電極20a和漏電極20b絕緣的層。
[0132] 作為柵絕緣層40的構(gòu)成材料，只要是公知的柵絕緣體材料，對(duì)種類就沒(méi)有特別限 定，可以使用有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。
[0133] 作為有機(jī)材料，可以舉出：聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯基苯酚、聚酰亞胺、聚苯乙 烯、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯基苯酚等，可以使用它們中的1種或組合2種以上使 用。
[0134] 另一方面，作為無(wú)機(jī)材料，可以舉出：二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鉭等金屬氧 化物，鈦酸鍶鋇、鋯鈦酸鉛等金屬?gòu)?fù)合氧化物，可以使用它們中的1種或組合2種以上使用。
[0135] 柵絕緣層40的平均厚度并沒(méi)有特別限定，但優(yōu)選為10nm以上且5000nm以下，更 優(yōu)選為l〇〇nm以上且2000nm以下。通過(guò)將柵絕緣層40的厚度設(shè)為上述范圍，可以使源電 極20a和漏電極20b與柵電極50可靠地絕緣，并且可以降低薄膜晶體管1的工作電壓。
[0136] 另外，柵絕緣層40并不限于單層結(jié)構(gòu)，也可以是多個(gè)層的層疊結(jié)構(gòu)。
[0137] 在柵絕緣層40的與源電極20a和漏電極20b之間的區(qū)域?qū)?yīng)的位置設(shè)置有柵電 極50。
[0138] 作為該柵電極50的構(gòu)成材料，可以使用與上述源電極20a和漏電極20b中列舉的 材料同樣的材料。
[0139] 柵電極50的平均厚度并沒(méi)有特別限定，但優(yōu)選為0. lnm以上且2000nm以下，更優(yōu) 選為lnm以上且lOOOnm以下。
[0140] 另外，也可以在柵電極50上設(shè)置由聚乙烯基苯酚、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、 聚乙稀醇等聚稀徑系聚合物構(gòu)成的受容層（absorbinglayer)(未圖示出）。
[0141] 在這樣的薄膜晶體管1中，在對(duì)源電極20a和漏電極20b之間施加了電壓的狀態(tài) 下，如果對(duì)柵電極50施加?xùn)烹妷?，則在有機(jī)半導(dǎo)體層30的與柵絕緣層40的界面附近形成 溝道，載流子（空穴）在溝道區(qū)域移動(dòng)，從而電流在源電極20a和漏電極20b之間流通。
[0142] 即，在未對(duì)柵電極50施加電壓的OFF狀態(tài)下，即使在源電極20a和漏電極20b之 間施加電壓，由于有機(jī)半導(dǎo)體層30中幾乎不存在載流子，所以也僅有微小的電流流通。
[0143] 另一方面，在對(duì)柵電極50施加了電壓的0N狀態(tài)下，在有機(jī)半導(dǎo)體層30的面向柵 絕緣層40的部分誘導(dǎo)產(chǎn)生電荷，形成溝道（載流子的流路）。如果在該狀態(tài)下在源電極20a 和漏電極20b之間施加電壓，則通過(guò)溝道區(qū)域電流流通。
[0144] 這樣的薄膜晶體管1例如可以通過(guò)以下方式制造。下面對(duì)薄膜晶體管1的制造方 法進(jìn)行說(shuō)明。
[0145] 圖3是用于說(shuō)明圖2所示的薄膜晶體管的制造方法的圖（縱截面圖）。
[0146] 圖3所示的薄膜晶體管1的制造方法具有以下工序：在基板10上形成源電極20a 和漏電極20b的工序（源電極和漏電極形成工序）[A1];以覆蓋源電極20a和漏電極20b的 方式在基板10上以規(guī)定的圖案施與液狀組合物（有機(jī)半導(dǎo)體膜用組合物）30'的工序（液 狀組合物施與工序）[A2]，所述液狀組合物30'是使有機(jī)半導(dǎo)體材料31溶解或分散在溶劑 中而成的；使構(gòu)成液狀組合物30'的第1溶劑32揮發(fā)的工序（第1溶劑除去工序）[A3];在 基板10的被施與了液狀組合物30'的區(qū)域施與第2溶劑33的工序（第2溶劑施與工序） [A4];將第2溶劑33除去的工序（第2溶劑除去工序）[A5];在有機(jī)半導(dǎo)體層30的與基板 10相反的一側(cè)形成柵絕緣層40的工序（柵絕緣層形成工序）[A6];以及在柵絕緣層40上 形成柵電極50的工序（柵電極形成工序）[A7]。
[0147] [A1]源電極和漏電極形成工序
[0148] 首先，如圖3(a)所示，在基板10的上面形成源電極20a和漏電極20b。
[0149] 源電極20a和漏電極20b例如可以通過(guò)諸如等離子體CVD、熱CVD、激光CVD之類 的化學(xué)蒸鍍法（CVD)，真空蒸鍍、電子束蒸鍍、脈沖激光蒸鍍、濺射（低溫濺射）、離子鍍等干 式鍍法，電解鍍、浸漬鍍、無(wú)電解鍍等濕式鍍法，熱噴涂法、溶膠?凝膠法、MOD法、金屬箔的 接合、光刻法等來(lái)形成。
[0150] 另外，源電極20a和漏電極20b也可以通過(guò)以下方式來(lái)形成：在基板10上涂布（供 給）含有例如導(dǎo)電性粒子、導(dǎo)電性有機(jī)材料的導(dǎo)電性材料而形成涂膜，然后根據(jù)需要對(duì)該 涂膜實(shí)施后處理（例如加熱、紅外線照射、超聲波施與等）。
[0151] 作為含有導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性材料，可以舉出：使金屬微粒分散了的分散液、含有 導(dǎo)電性粒子的聚合物混合物等。
[0152]另外，作為含有導(dǎo)電性有機(jī)材料的導(dǎo)電性材料，可舉出導(dǎo)電性有機(jī)材料的溶液或 分散液。
[0153] 作為在基板10上涂布（供給）導(dǎo)電性材料的方法，例如可以舉出：諸如旋涂法、 流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂法、浸涂法、噴涂法之類的涂布 法，諸如絲網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、噴墨法、微接觸印刷法之類的印刷法等，可 以使用它們中的1種或組合2種以上使用。
[0154] [A2]液狀組合物施與工序
[0155] 然后，如圖3(b)所示，以覆蓋源電極20a和漏電極20b的方式在基板10的上面施 與液狀組合物30'。
[0156] 本工序可以通過(guò)上述的《有機(jī)半導(dǎo)體膜的制造方法》中說(shuō)明的方法來(lái)進(jìn)行。
[0157] 另外，液狀組合物30'的施與區(qū)域不限于圖示的構(gòu)成，也可以僅在源電極20a和漏 電極20b之間的區(qū)域（溝道區(qū)域）形成。由此，在同一基板上并設(shè)多個(gè)薄膜晶體管1的情 況下，通過(guò)獨(dú)立地形成各薄膜晶體管1的有機(jī)半導(dǎo)體層30,可以抑制漏電流、各元件間的串 擾。另外，可以減少有機(jī)半導(dǎo)體材料31的使用量，也可以實(shí)現(xiàn)降低制造成本。
[0158] [A3]第1溶劑除去工序
[0159] 然后，使第1溶劑32從液狀組合物30'中揮發(fā)。
[0160] 本工序可以通過(guò)上述的《有機(jī)半導(dǎo)體膜的制造方法》中說(shuō)明的方法來(lái)進(jìn)行。
[0161] [A4]第2溶劑施與工序
[0162] 然后，在基板10的被施與了液狀組合物30'的區(qū)域施與第2溶劑33。
[0163] 本工序可以通過(guò)上述的《有機(jī)半導(dǎo)體膜的制造方法》中說(shuō)明的方法來(lái)進(jìn)行。
[0164] [A5]第2溶劑除去工序
[0165] 然后，使第2溶劑33揮發(fā)。由此可以獲得有機(jī)半導(dǎo)體層（有機(jī)半導(dǎo)體膜）30。
[0166] 本工序可以通過(guò)上述的《有機(jī)半導(dǎo)體膜的制造方法》中說(shuō)明的方法來(lái)進(jìn)行。
[0167] [A6]柵絕緣層形成工序
[0168] 然后，如圖3(f)所示，在有機(jī)半導(dǎo)體層30上形成柵絕緣層40。
[0169] 例如，在由有機(jī)高分子材料構(gòu)成柵絕緣層40的情況下，柵絕緣層40可以通過(guò)以下 方式形成：以覆蓋在有機(jī)半導(dǎo)體層30上的方式涂布（供給）含有有機(jī)高分子材料或其前體 的液體，然后根據(jù)需要對(duì)該涂膜實(shí)施后處理（例如加熱、紅外線照射、超聲波施與等）。
[0170] 作為在柵電極50上涂布（供給）含有有機(jī)高分子材料或其前體的液體的方法，例 如可以使用諸如旋涂法、浸涂法之類的涂布法，諸如噴墨印刷法（液滴噴出法）、絲網(wǎng)印刷 法之類的印刷法等。
[0171] 另外，也可以通過(guò)使用CVD法使前體