閉動作的腔室蓋部10，通過使腔室蓋部10相對于基材放置部20為關(guān)閉狀態(tài)，形成容納被處理基材W的容納部30 (參照圖2，也稱為腔室2內(nèi))。
[0037]基材放置部20形成為表面積比被處理基材W更大的平板狀，在該表面放置形成有涂布膜C的被處理基材W。具體來說，在基材放置部20設(shè)置有使被處理基材W進(jìn)行升降動作的基板升降裝置，通過該基板升降裝置，被處理基材W在維持被供給時的姿勢的狀態(tài)下被放置。本實(shí)施方式中，在基材放置部20的放置被處理基材W的放置面21，在放置被處理基材W的區(qū)域形成有多個銷孔22，在該銷孔22中埋設(shè)有能夠在Z軸方向進(jìn)行升降動作的升降銷40。并且，該升降銷40連接有驅(qū)動裝置41，通過驅(qū)動該驅(qū)動裝置41，升降銷40從放置面21突出至特定高度位置(上升位置)。由此，在將被處理基材W放置于放置面21時，在將升降銷40上升至上升位置的狀態(tài)下，用升降銷40的前端部分保持所供給的被處理基材W，由該狀態(tài)通過使升降銷40下降而能夠?qū)⒈惶幚砘腤放置于放置面21。
[0038]另外，在基材放置部20設(shè)置有作為加熱裝置50的加熱器51。該加熱器51以片狀形成，以與放置面21平行的狀態(tài)埋入基材放置部20中而設(shè)置。本實(shí)施方式中，作為加熱器51，例如設(shè)有云母加熱器，通過使加熱器51工作，從而基材放置部20的整個表面被加熱，被處理基材W整體被加熱。該加熱器51的控制利用后述的控制裝置進(jìn)行，通過控制裝置將被處理基材W維持為設(shè)定溫度。
[0039]腔室蓋部10具有覆蓋放置于放置面21的被處理基材W的形狀，具備:與放置面21相對的平板部11 ;和從該平板部11的端部處的邊緣部Ila向放置面21側(cè)突出的容納壁部
12ο
[0040]上述平板部11形成為與被處理基材W的形狀對應(yīng)的形狀、即矩形。該平板部11以一定的厚度形成，與放置面21相對的面(基材放置部側(cè)表面Ilb)相對于放置面21大致平行且平坦地形成。另外，容納壁部12分別從平板部11的4個邊緣部Ila向放置面21側(cè)延伸而形成，并以包圍所放置的被處理基材W的方式形成。S卩，容納壁部12以與平板部11垂直的方式由邊緣部Ila突出而形成。
[0041]該腔室蓋部10以能進(jìn)行升降動作的方式構(gòu)成。即，對腔室蓋部10設(shè)置有驅(qū)動裝置7，通過驅(qū)動該驅(qū)動裝置7，從而腔室蓋部10對于基材放置部20的放置面21能夠接觸或離開。并且，容納壁部12的底面12a按照與放置面21大致平行的方式形成，通過使該容納壁部12的底面12a與按照在放置面21的表面包圍被處理基材W的方式所設(shè)置的密封材料13抵接，從而容納部30 (腔室2內(nèi))被密閉。即，若對驅(qū)動裝置7進(jìn)行驅(qū)動而使腔室蓋部10下降，則容納壁部12的底面12a和密封材料13發(fā)生密合，從而容納部30和其外部被密封材料13所阻斷，而形成關(guān)閉狀態(tài)。由此，容納部30 (腔室2內(nèi))被密閉。
[0042]在該腔室蓋部10設(shè)置有作為加熱裝置50的加熱器52。S卩，加熱裝置50由上述的基材放置部20的加熱器51和該腔室蓋部10的加熱器52所形成。該腔室蓋部10的加熱器52以片狀形成，對應(yīng)腔室蓋部10的形狀被埋入設(shè)置。具體來說，加熱器52埋入腔室蓋部10的平板部11和容納壁部12中來進(jìn)行設(shè)置。即，若腔室蓋部10為關(guān)閉狀態(tài)，則以覆蓋腔室2內(nèi)的被處理基材W的方式來設(shè)置加熱器52。該腔室蓋部10的加熱器52也設(shè)置云母加熱器，通過控制裝置來控制溫度。并且，若通過控制裝置使加熱器52工作，則形成于被處理基材W上的涂布膜C被維持為設(shè)定溫度(干燥溫度)。即，維持為形成被處理基材W的涂布膜C的涂布材料的溶劑、即水的沸點(diǎn)以上的溫度。
[0043]另外，對腔室蓋部10設(shè)置有干燥調(diào)節(jié)閥60。通過該干燥調(diào)節(jié)閥60來調(diào)節(jié)腔室2內(nèi)的干燥氣氛。該干燥調(diào)節(jié)閥60通過進(jìn)行開閉動作，可以將腔室2內(nèi)和排氣配管61連結(jié)及阻斷。即，通過使干燥調(diào)節(jié)閥60為打開狀態(tài)，腔室2內(nèi)與排氣配管61連通，腔室2內(nèi)被排氣。另外，通過使干燥調(diào)節(jié)閥60為關(guān)閉狀態(tài)，從而腔室2內(nèi)與排氣配管61被阻斷，可以將腔室2內(nèi)維持為密封狀態(tài)。該干燥調(diào)節(jié)閥60的開閉狀態(tài)利用后述的控制裝置來控制，通過控制開閉狀態(tài)，可以調(diào)節(jié)腔室2內(nèi)的干燥氣氛。
[0044]另外，在該薄膜加熱干燥裝置I中設(shè)置有控制裝置，通過該控制裝置來控制各驅(qū)動裝置。具體來說，控制裝置對進(jìn)行腔室蓋部10的升降動作的驅(qū)動裝置7、以及使基板升降裝置的升降銷40升降驅(qū)動的驅(qū)動裝置41進(jìn)行控制，使這些裝置適當(dāng)?shù)仳?qū)動。另外，控制裝置還對各加熱器52和干燥調(diào)節(jié)閥60的開閉動作進(jìn)行驅(qū)動控制。
[0045]本實(shí)施方式中，控制裝置可以通過對加熱裝置50(加熱器52)進(jìn)行控制，將腔室2內(nèi)調(diào)節(jié)為特定的溫度。即，通過調(diào)節(jié)加熱器52的輸出功率，調(diào)節(jié)為形成于被處理基材W上的涂布膜C的溶劑發(fā)生蒸發(fā)的干燥溫度。具體來說，由于含有聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)的涂布材料的溶劑為水，因此，控制裝置按照溶劑的溫度達(dá)到水的沸點(diǎn)即100°C以上的方式來調(diào)節(jié)加熱器52。將此時的加熱器52的設(shè)定溫度稱為干燥溫度。艮P，在將干燥溫度設(shè)定為100°C的情況下，按照涂布膜C的溫度達(dá)到100°C的方式來調(diào)節(jié)加熱器52。
[0046]另外，控制裝置通過對干燥調(diào)節(jié)閥60的開閉動作進(jìn)行控制，從而調(diào)節(jié)腔室2內(nèi)的干燥氣氛。具體來說，從關(guān)閉干燥調(diào)節(jié)閥60的狀態(tài)(關(guān)閉狀態(tài))至全開的狀態(tài)調(diào)節(jié)干燥調(diào)節(jié)閥60的開口比例，從而調(diào)節(jié)腔室2內(nèi)的干燥氣氛。例如，在關(guān)閉干燥調(diào)節(jié)閥60的狀態(tài)下，腔室2內(nèi)形成密閉狀態(tài)，因此加熱中蒸發(fā)的溶劑無處可逃，可以形成為難以干燥的狀態(tài)。另一方面，通過打開干燥調(diào)節(jié)閥60，可以促進(jìn)涂布膜C的溶劑的蒸發(fā)。即，通過調(diào)節(jié)干燥調(diào)節(jié)閥60的開口比例，可以調(diào)節(jié)干燥促進(jìn)狀態(tài)。
[0047]此處，控制裝置中存儲有一系列的加熱干燥程序，根據(jù)該加熱干燥程序來控制各驅(qū)動裝置、加熱器52、干燥調(diào)節(jié)閥60。本實(shí)施方式中，存儲有基于干燥延遲處理和干燥促進(jìn)處理的加熱干燥程序。
[0048]干燥延遲處理是在使形成涂布膜C的分子的活動活躍的同時，有意延遲干燥的處理。即，通過加熱涂布膜C而使分子的活動活躍，并且通過妨礙涂布膜C的溶劑的蒸發(fā)而使涂布膜C的干燥延遲。本實(shí)施方式中，在將腔室2內(nèi)密封的狀態(tài)下，利用加熱裝置50將涂布膜C加熱，從而使其干燥。具體來說，控制裝置按照下述方式進(jìn)行控制:使干燥調(diào)節(jié)閥60為關(guān)閉狀態(tài)，使作為加熱裝置50的加熱器51、52進(jìn)行加熱。由此，被處理基材W上的涂布膜C被加熱，溶劑蒸發(fā)。并且，通過使腔室2內(nèi)達(dá)到溶劑的飽和蒸氣壓，從而溶劑的蒸發(fā)與氣化后的溶劑恢復(fù)為液體的反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)。即，溶劑的蒸發(fā)的促進(jìn)被抑制，形成為腔室2內(nèi)的溶劑難以干燥的氣氛。在該狀態(tài)下，以在涂布膜C中存在溶劑的狀態(tài)被加熱，由此可促進(jìn)分子的活動，因而認(rèn)為分子基本上能夠自由運(yùn)動，形成涂布膜C的分子排列整齊。因此認(rèn)為，通過將該狀態(tài)保持一定時間，原本無序的分子排列變得整齊，成為導(dǎo)電性提高的主要因素。該一定時間是為了進(jìn)行分子排列所需要的時間，根據(jù)涂布材料的種類、涂布膜C的厚度、溶劑的量而確定，預(yù)先通過實(shí)驗(yàn)等求出。
[0049]需要說明的是，對于干燥延遲處理中的干燥調(diào)節(jié)閥60來說，通過如上所述為關(guān)閉狀態(tài)，可以形成難以干燥的氣氛，但通過使干燥調(diào)節(jié)閥60由關(guān)閉狀態(tài)慢慢地為打開狀態(tài)，也可以形成難以干燥的氣氛。即，可以按照氣化后的溶劑的排氣量比加熱涂布膜C所產(chǎn)生的溶劑的蒸發(fā)量少這種程度來調(diào)節(jié)干燥調(diào)節(jié)閥60的開口比例的方式進(jìn)行控制。該慢慢地為打開狀態(tài)的方法由于能夠平穩(wěn)地過渡至后述的干燥促進(jìn)處理，因此可以防止從干燥延遲處理轉(zhuǎn)變?yōu)楦稍锎龠M(jìn)處理時的急劇變化所導(dǎo)致的干燥不均，從這方面出發(fā)是優(yōu)選的。
[0050]另外，干燥促進(jìn)處理是通常的加熱干燥處理，該處理通過一邊加熱一邊促進(jìn)涂布膜C的溶劑的蒸發(fā)，從而使干燥積極地進(jìn)行。具體來說，控制裝置按照下述方式進(jìn)行控制:使干燥調(diào)節(jié)閥60為打開狀態(tài)，利用加熱裝置50將涂布膜C加熱，從而使其干燥。由此，通過蒸發(fā)而氣化的溶劑通過干燥調(diào)節(jié)閥60而被排氣，因而可促進(jìn)涂布膜C的干燥。通過將該狀態(tài)保持一定時間，涂布膜C的溶劑蒸發(fā)，涂布膜C的干燥完成。此處，干燥調(diào)節(jié)閥60的開閉比例可以由干燥延遲處理終止時的干燥調(diào)節(jié)閥60的開閉狀態(tài)慢慢地為打開狀態(tài)，也可以由干燥延遲處理終止時的干燥調(diào)節(jié)閥60的開閉狀態(tài)立即為全開。即，按照氣化后的溶劑的排氣量比加熱涂布膜C所產(chǎn)生的溶劑的蒸發(fā)量大的方式使干燥調(diào)節(jié)閥60的開口比例由關(guān)閉狀態(tài)慢慢地為打開狀態(tài)的情況下，可以抑制腔室2內(nèi)的干燥氣氛急劇變化，可以抑制干燥氣氛快速變化所引起的干燥不均的發(fā)生。并且，與干燥延遲處理同樣，干燥促進(jìn)處理所需要的時間是為了進(jìn)行分子排列所需要的時間，根據(jù)涂布材料的種類、涂布膜C的厚度、溶劑的量來確定，預(yù)先通過實(shí)驗(yàn)等求出。
[0051]接著，對薄膜加熱干燥裝置I的工作(透明導(dǎo)電膜的形成方法)進(jìn)行說明。此處，圖3是示出薄膜加熱干燥裝置I的各工序中的工作流程的結(jié)構(gòu)圖。
[0052]首先，在a.基材搬入工序中，被處理基材W被搬入薄膜加熱干燥裝置I。在該被處理基材W上形成有涂布膜C，在上游工序中，利用狹縫涂布機(jī)等涂布裝置在被處理基材W上形成