電子光學裝置、電子光學裝置的制造方法、電子設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子光學裝置、該電子光學裝置的制造方法、以及搭載有該電子光學裝置的電子設備。
【背景技術】
[0002]例如，提出有一種具有使特定波長的光放大的共振結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光(以下，稱為有機EL)裝置(專利文獻I)。專利文獻I所記載的有機EL裝置具有如下結(jié)構(gòu)，即，在像素的發(fā)光區(qū)域內(nèi)，依次層疊了低反射膜、反射膜、絕緣層、像素電極、具有開口的絕緣膜、發(fā)光功能層、對置電極。通過發(fā)光功能層發(fā)出的光在反射膜與對置電極之間被反復反射，而使與反射膜與對置電極之間的光路長度相對應的共振波長的光的強度被增強，并作為顯示光被射出。
[0003]通過向像素電極與對置電極之間施加有電壓從而使發(fā)光功能層發(fā)光。但是，由于在絕緣膜的開口的內(nèi)側(cè)與開口的周緣部處，反射膜與對置電極之間的光路長度至少因絕緣膜的與光學距離相當?shù)拈L度而不同，因此將射出共振波長(色樣)不同的顯示光，從而產(chǎn)生顯示的色純度降低的不良狀況。
[0004]因此，在專利文獻I所記載的有機EL裝置中，通過將反射膜配置在開口的內(nèi)側(cè)而使由開口的內(nèi)側(cè)的發(fā)光功能層發(fā)出的光容易被反射，并將低反射膜配置在開口的周緣部而使由開口的周緣部的發(fā)光功能層發(fā)出的光不易被反射，由此來抑制顯示的色純度降低這種不良狀況。
[0005]在專利文獻I所記載的有機EL裝置中，反射膜由鋁或以鋁為主體的合金等構(gòu)成。在于反射膜之上形成了絕緣層的情況下，將因形成絕緣層時的熱或絕緣層的應力等而容易在鋁或以鋁為主體的合金等上產(chǎn)生突起或空隙等。因此，反射膜的表面凹凸變大，而使由發(fā)光功能層發(fā)出的光被反射膜漫反射，不易被反射在成為顯示光的方向上，從而存在顯示光的亮度降低的問題。
[0006]而且，在反射膜以及低反射膜中，由于每像素被圖案形成為島狀而在每像素中產(chǎn)生由反射膜以及低反射膜造成的階梯，因此在反射膜之上形成的絕緣層的膜厚的均勻性變差。因此，還存在反射膜與對置電極之間的光路長度的均勻性降低的問題。
[0007]專利文獻1:日本特開2013-165014號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是為了解決上述的問題的至少一部分而完成的發(fā)明，且能夠作為下述的方式或應用例來實現(xiàn)。
[0009]應用例I
[0010]本應用例所涉及的電子光學裝置的特征在于為，配置有多個像素的電子光學裝置，其中，所述像素具有在第一方向上依次層疊的反射層、光學距離調(diào)整層、像素電極、絕緣膜、發(fā)光功能層和對置電極，所述絕緣膜具有與所述像素電極的一部分重疊的開口，所述反射層以跨及多個所述像素的方式而被配置，且具有反射率較高的部分和與所述反射率較高的部分相比反射率較低的部分，所述反射率較高的部分以在俯視觀察時與所述開口的至少一部分重疊的方式而被配置。
[0011 ] 當在像素電極與對置電極之間施加有電壓時，開口的內(nèi)側(cè)的發(fā)光功能層與開口的周緣部的發(fā)光功能層將發(fā)光。由發(fā)光功能層發(fā)出的光在反射層與對置電極之間被反復反射，并被放大為特定的波長(共振波長)，進而作為顯示光而被射出。
[0012]由于在開口的內(nèi)側(cè)的至少一部分上配置有反射率較高的反射層，因此由開口的內(nèi)側(cè)的發(fā)光功能層發(fā)出的光在反射率較高的反射層與對置電極之間被反復反射，并被放大為與反射層和對置電極之間的光路長度相對應的共振波長，進而作為顯示光而被射出。因此，能夠解決公知技術(日本特開2013-165014號公報)中的課題，即，能夠抑制反射層的表面凹凸變大而使光向成為顯不光的方向反射的情況。
[0013]由于在開口的外側(cè)(周緣部)配置有反射率較低的反射層，因此由開口的外側(cè)的發(fā)光功能層發(fā)出的光不易被反射，不易作為顯示光而被射出。由于在開口的內(nèi)側(cè)與開口的外側(cè)處反射層與對置電極之間的光路長度有所不同，因此共振波長(色樣)不同的光將作為顯示光而被射出。由于由開口的外側(cè)的發(fā)光功能層發(fā)出的光不易作為顯示光而被射出，因此能夠抑制由與開口的內(nèi)側(cè)不同的共振波長(色樣)的顯示光所產(chǎn)生的顯示的色純度降低(畫質(zhì)降低)，并能夠提供高畫質(zhì)的顯示的電子光學裝置。
[0014]應用例2
[0015]在本應用例所涉及的電子光學裝置中，優(yōu)選為，所述反射層具有在所述第一方向上依次層疊的基底膜與反射膜，所述反射率較高的部分的所述基底膜的構(gòu)成材料為鈦，所述反射率較低的部分的所述基底膜的構(gòu)成材料為氮化鈦或氧化鈦，所述反射膜的構(gòu)成材料為鋁或以鋁為主要成分的合金。
[0016]開口的內(nèi)側(cè)的反射層通過由鈦形成的基底膜、和由鋁或以鋁為主要成分的合金形成的反射膜而被構(gòu)成。在所涉及的結(jié)構(gòu)中于反射層之上形成了光學距離調(diào)整層的情況下，基底膜的鈦向反射膜一側(cè)擴散，不易因形成光學距離調(diào)整層時的熱或光學距離調(diào)整層的應力等而產(chǎn)生突起或空隙。因此，即使在反射層之上形成光學距離調(diào)整層，開口的內(nèi)側(cè)的反射層也將維持反射率較高的狀態(tài)，并能夠在開口的內(nèi)側(cè)配置反射率較高的反射層。
[0017]開口的外側(cè)的反射層通過由氮化鈦或氧化鈦形成的基底膜、和由鋁或以鋁為主要成分的合金形成的反射膜而被構(gòu)成。在所涉及的結(jié)構(gòu)中于反射層之上形成光學距離調(diào)整層的情況下，抑制了鈦向反射膜一側(cè)的擴散，并容易因形成光學距離調(diào)整層時的熱或光學距離調(diào)整層的應力等而在反射層上產(chǎn)生突起或空隙。因此，當在反射層之上形成光學距離調(diào)整層時，反射層的表面凹凸變大，由開口的外側(cè)的發(fā)光功能層發(fā)出的光不易被反射向成為顯示光的方向。即，能夠在開口的外側(cè)配置反射率較低的反射層。
[0018]應用例3
[0019]在上述應用例所涉及的電子光學裝置中，優(yōu)選為，所述反射層具有在所述第一方向上依次層疊的基底膜與反射膜，所述基底膜的構(gòu)成材料為鈦，所述反射膜的構(gòu)成材料為鋁或以鋁為主要成分的合金，所述反射率較低的部分的所述基底膜的所述反射膜一側(cè)的面通過氮化鈦或氧化鈦而被覆蓋。
[0020]開口的內(nèi)側(cè)的反射層通過由鈦形成的基底膜、和由鋁或以鋁為主要成分的合金形成的反射膜而被構(gòu)成。在所涉及的結(jié)構(gòu)中于反射層之上形成光學距離調(diào)整層的情況下，基底膜的鈦向反射膜一側(cè)擴散，不易因形成光學距離調(diào)整層時的熱或光學距離調(diào)整層的應力等而在反射層上產(chǎn)生突起或空隙。因此，即使在反射層之上形成光學距離調(diào)整層，開口的內(nèi)側(cè)的反射層也將維持反射率較高的狀態(tài)，并能夠在開口的內(nèi)側(cè)配置反射率較高反射層。
[0021]開口的外側(cè)的反射層通過由鈦形成的基底膜、和由鋁或以鋁為主要成分的合金形成的反射膜而被構(gòu)成，基底膜的反射膜一側(cè)的面通過氮化鈦或氧化鈦而被覆蓋。在所涉及的結(jié)構(gòu)中于反射層之上形成光學距離調(diào)整層的情況下，通過氮化鈦或氧化鈦而抑制了鈦向反射膜一側(cè)的擴散，容易因形成光學距離調(diào)整層時的熱或光學距離調(diào)整層的應力等而在反射層上產(chǎn)生突起或空隙。因此，當在反射層之上形成光學距離調(diào)整層時，反射層的表面凹凸變大，由開口的外側(cè)的發(fā)光功能層發(fā)出的光不易被反射向成為顯示光的方向。即，能夠在開口的外側(cè)配置反射率較低的反射層。
[0022]應用例4
[0023]在上述應用例的電子光學裝置中，優(yōu)選為，所述反射層具有在所述第一方向上依次層疊的基底膜與反射膜，所述基底膜的構(gòu)成材料為鈦，所述反射膜的構(gòu)成材料為鋁或以鋁為主要成分的合金，在所述反射率較低的部分的所述基底膜的所述反射膜一側(cè)的面中被導入有氮或氧。
[0024]開口的內(nèi)側(cè)的反射層通過由鈦形成的基底膜、和由鋁或以鋁為主要成分的合金形成的反射膜而被構(gòu)成。在所涉及的結(jié)構(gòu)中于反射層之上形成光學距離調(diào)整層的情況下，基底膜的鈦向反射膜一側(cè)擴散，不易因形成光學距離調(diào)整層時的熱或光學距離調(diào)整層的應力等而在反射層上產(chǎn)生突起或空隙。因此，即使在反射層之上形成光學距離調(diào)整層，開口的內(nèi)側(cè)的反射層也將維持反射率較高的狀態(tài)，并能夠在開口的內(nèi)側(cè)配置反射率較高的反射層。
[0025]開口的外側(cè)的反射層通過由鈦形成的基底膜、和由鋁或以鋁為主要成分的合金形成的反射膜而被構(gòu)成，并在基底膜的反射膜一側(cè)的面中導入有氮或氧。在所涉及的結(jié)構(gòu)中于反射層之上形成光學距離調(diào)整層的情況下，利用氮或氧而抑制了鈦向反射膜一側(cè)的擴散，容易因形成光學距離調(diào)整層時的熱或光學距離調(diào)整層的應力等而在反射層上產(chǎn)生突起或空隙。因此，當在反射層之上形成光學距離調(diào)整層時，反射層的表面凹凸變大，由開口的外側(cè)的發(fā)光功能層發(fā)出的光不易被反射向成為顯示光的方向。即，能夠在開口的外側(cè)配置反射率較低的反射層。
[0026]應用例5
[0027]優(yōu)選為，在上述應用例的電子光學裝置中，所述反射層具有在所述第一方向上依次層疊的基底膜與反射膜，所述基底膜被配置于所述反射率較高的部分，所述反射膜被配置于所述反射率較高的部分以及所述反射率較低的部分，所述基底膜的構(gòu)成材料為鈦，所述反射膜的構(gòu)成材料為鋁或以鋁為主要成分的合金。
[0028]開口的內(nèi)側(cè)的反射層通過由鈦形成的基底膜、和由鋁或以鋁為主要成分的合金形成的反射膜而被構(gòu)成。在所涉及的結(jié)構(gòu)中于反射層之上形成光學距離調(diào)整層的情況下，基底膜的鈦向反射膜一側(cè)擴散，不易因形成光學距離調(diào)整層時的熱或光學距離調(diào)整層的應力等而在反射層上產(chǎn)生突起或空隙。因此，即使在反射層之上形成光學距離調(diào)整層，開口的內(nèi)側(cè)的反射層也將維持反射率較高的狀態(tài)，并能夠在開口的內(nèi)側(cè)配置反射率較高的反射層。
[0029]由于開口的外側(cè)的反射層由鋁或以鋁為主要成分的合金構(gòu)成，因此在反射層之上形成光學距離調(diào)整層的情況下，容易因形成光學距離調(diào)整層時的熱或光學距離調(diào)整層的應力等而在反射層上產(chǎn)生突起或空隙。因此，當在反射層之上形成光學距離調(diào)整層時，反射層的表面凹凸變大，由開口的外側(cè)的發(fā)光功能層發(fā)出的光不易被反射向成為顯示光的方向。即，能夠在開口的外側(cè)配置反射率較低的反射層。
[0030]應用例6
[0031]本應用例的電子設備的特征在于，具備上述應用例所述的電子光學裝置。
[0032]在上述應用例所記載的電子光學裝置中，通過使由開口的內(nèi)側(cè)的發(fā)光功能層發(fā)出的光容易被反射，使由開口的外側(cè)的發(fā)光功能層發(fā)出的光不易被反射，將由開口的內(nèi)側(cè)的發(fā)光功能層發(fā)出的光在反射層與對置電極之間進行反射，并放大至特定波長(共振波長)，且作為顯示光而射出，從而提供了高畫質(zhì)的顯示。因此，具備了上述應用例所述的電子光學裝置的電子設備，能夠提供高畫質(zhì)的顯示。例如，在頭戴式顯示器、平視顯示器、數(shù)碼照相機的電子取景器、便攜式信息終端、導航裝置等的具有顯示部的電子設備中，能夠應用上述應用例所述的電子光學裝置，并能夠提供高畫質(zhì)的顯示。
[0033]應用例7
[0034]本應用例的電子光學裝置的制造方法的特征在于，所述電子光學裝置為，將基底膜、反射膜、光學距離調(diào)整層、像素電極、具有與所述像素電極重疊的開口的絕緣膜、發(fā)光功能層、對置電極在第一方向上依次層疊而成的像素配置成矩陣狀的裝置，所述電子光學裝置的制造方法具有:堆積鈦而形成所述基底膜的工序；形成在俯視觀察時與所述開口的至少一部分重疊的保護膜的工序；在未被所述保護膜覆蓋的部分的所述基底膜中導入氮或氧的工序；去除所述保護膜的工序；堆積鋁或以鋁為主要成分的合金而形成所述反射膜的工序。
[0035]在堆積鈦而形成跨及多個像素的基底膜之后，通過保護膜來覆蓋與開口的至少一部分重疊的部分的基底膜，并向未被保護膜覆蓋的部分的基底膜中導入氮或氧。接下來，如果去除保護膜，則與開口的至少一部分重疊的部分為鈦，除與開口的至少一部分重疊的部分以外，能夠形成被導入有氮或氧的鈦、亦即基底膜。換言之，對除與開