半導體激光器陣列的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及半導體激光器陣列，尤其設(shè)及多波長半導體激光器陣列。
【背景技術(shù)】
[0002] 固體光源（例如，LED、半導體激光器、有機化等）具有高效率/長壽命該樣的優(yōu) 點，目前被廣泛應(yīng)用于各種用途。尤其是，在照明裝置或顯示裝置中，作為取代現(xiàn)有的燈的 光源已成為趨勢。在該固體光源中，半導體激光器的發(fā)光效率高且與投影儀的兼容性好，因 而作為下一代光源而受到極大期待。
[0003] 另一方面，作為將半導體激光器用作顯示裝置的光源時產(chǎn)生的問題，可列舉出散 斑噪聲。該是屏幕上的閃爍現(xiàn)象，是由于半導體激光的可干設(shè)性較高而造成的。該閃爍現(xiàn) 象尤其會使顯示裝置的圖像質(zhì)量顯著下降，因此，必須有抑制散斑噪聲的對策。作為降低散 斑噪聲的手段，可W在屏幕、顯示裝置內(nèi)的光學系統(tǒng)W及光源的各階段來進行研究。
[0004] 首先，作為屏幕的對策，存在通過使屏幕自身振動來降低散斑噪聲的方法。但由于 會使構(gòu)造大型化，不適合于使用場所不受限定的可移動式投影儀，從而是不現(xiàn)實的。此外， 作為光學系統(tǒng)的對策，已知有在光路內(nèi)中插入散射板的方法。由此，能夠利用簡單的構(gòu)造降 低散斑噪聲，但是，由于散射板處的光損耗較大，因而期待具有更高效率的對策。
[0005] 作為光源的對策，通過擴寬半導體激光器的光譜寬度，能夠減少散斑噪聲。該能夠 通過使光譜寬度較窄的半導體激光器的波長多重化來實現(xiàn)。如上所述，屏幕或光學系統(tǒng)的 散斑噪聲對策的問題較多，期望在光源方面研究對策。
[0006] 另外，作為使半導體激光器的波長多重化的手段，可W準備射出不同波長的光的 多個半導體激光光源，并使投影儀構(gòu)成為將該些光同時照射于同一屏幕上。不過，在該手 段中，雖然能夠簡單得到降低散斑噪聲的效果，但需要多個激光光源裝置，因而構(gòu)造變得復 雜，并且，在制造成本方面受到較大的制約。
[0007] 作為解決該問題的手段，存在利用一個半導體激光光源裝置射出多種波長的光的 多波長半導體激光器陣列。半導體激光器陣列是W并列方式排列多個半導體激光元件而構(gòu) 成的，其中，所述半導體激光元件由1個波導（導波路）和夾著該波導的1對反射鏡（即， 前端面和后端面）構(gòu)成。多波長半導體激光器陣列是構(gòu)成半導體激光器陣列的多個激光元 件射出彼此波長不同的光的光源裝置。
[000引作為多波長半導體激光器陣列，已知有單片式半導體激光器陣列。例如，專利文 獻1記載的單片式半導體激光器陣列是如下的多波長半導體激光器陣列；在同一GaAs基板 上，具有WAlGaAs為活性層的第1激光元件和WInGaP為活性層的第2激光元件。通過該 結(jié)構(gòu)，能夠從第1、第2激光元件射出與各個活性層的組成對應(yīng)的波長不同的光。該樣，通過 同一半導體基板上形成兩個W上的不同組成的活性層，能夠?qū)崿F(xiàn)多波長半導體激光器。
[0009] 此外，在專利文獻2記載的多波長半導體激光器陣列中，使半導體激光器陣列的 各波導配置為，在陣列中央部較密集，而在兩端部較疏松，由此，在陣列內(nèi)產(chǎn)生溫度分布，實 現(xiàn)多波長化。目P，在作為熱源的激光元件密集的陣列中央部，波長偏移量隨著溫度上升而增 大，因此，與陣列端部的激光元件相比，中央部的激光元件在長波側(cè)振蕩。此外，已知通常在 半導體激光器中，波導的溫度越高，則波長越向長波側(cè)偏移。
[0010] 專利文獻1 ;日本特開2000-11417號公報
[0011] 專利文獻2 ;日本特開2008-4743號公報
[0012] 但是，從專利文獻1中可看到，為了在同一半導體基板上形成具有不同組成的活 性層，需要伴隨多次半導體晶體生長的復雜的制造工序。復雜的制造工序不僅增加了工序 數(shù)量，而且導致半導體晶體質(zhì)量變差，因而成為損害生產(chǎn)性和產(chǎn)品可靠性的原因。
[0013] 此外，在專利文獻2的多波長半導體激光器陣列中，為了產(chǎn)生溫度分布，陣列中央 部的波導被配置得非常密集。因此，在形成具有較寬條紋（stripe)的高輸出半導體激光器 時，產(chǎn)生相鄰的波導之間的光的相互干設(shè)，導致激光器的動作不穩(wěn)定。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 本發(fā)明是為了解決W上那樣的問題而完成的，目的在于提供能夠W簡易的結(jié)構(gòu)降 低散斑噪聲的半導體激光器陣列。
[0015]本發(fā)明的半導體激光器陣列具有多個激光元件，其特征在于，多個激光元件被配 置為激光元件的波導并排，多個激光元件分別在作為波導的光出射面的前端面具有前端面 反射膜，多個激光元件分別在后端面具有后端面反射膜，該后端面是隔著波導與前端面相 反側(cè)的面，在多個激光元件中，至少兩個激光元件的前端面反射膜的反射率不同，在多個激 光元件中，后端面反射膜的反射率相等，多個激光元件由單一電源驅(qū)動。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的半導體激光器陣列，利用使前端面反射膜的反射率在多個激光元件 之間不同的簡易結(jié)構(gòu)，能夠使半導體激光器陣列多波長化，使散斑噪聲下降。由于前端面反 射膜的反射率能夠容易且準確地進行調(diào)節(jié)，因此，能夠更加容易地制造出多波長化的半導 體激光器陣列。
【附圖說明】
[0017] 圖1是實施方式1的半導體激光器陣列的立體圖。
[001引圖2是實施方式1的半導體激光器陣列的剖視圖。
[0019]圖3是示出實施方式1的半導體激光器陣列的前端面反射膜的反射率分布的圖。
[0020] 圖4是示出實施方式1的半導體激光器陣列的制造方法的圖。
[0021] 圖5是示出激光元件的電流與輸出之間的關(guān)系的圖。
[0022] 圖6是示出激光元件的輸出和波長偏移量與前端面反射膜的反射率的關(guān)聯(lián)性的 圖。
[0023] 圖7是示出實施方式2的半導體激光器陣列的前端面反射膜的反射率分布的圖。
[0024]圖8是示出實施方式3的半導體激光器陣列的前端面反射膜的反射率分布的圖。
[0025] 標號說明
[0026] 1半導體激光器陣列；2、3發(fā)光點；5、6前端面反射膜；7后端面反射膜；8下部包 層；9活性層；10上部包層；11上部電極；12下部電極；13絕緣胺；14基板；15掩板；16黒 鍛束；20a第1激光元件；2化第2激光元件；20c第3激光元件；20d第4激光元件；20e第 5激光元件。
【具體實施方式】
[0027] <實施方式1>
[002引 < 結(jié)構(gòu)>
[0029] 圖1是本實施方式中的半導體激光器陣列1的立體圖。此外，圖2是本實施方式 中的半導體激光器陣列1的剖視圖（圖1中的線段AB處的剖視圖）。如圖1所示，本實施 方式中的半導體激光器陣列1具有多個激光元件（即，第1~第5激光元件20a、20b、20c、 2(M、20e)。第1~第5激光元件被配置為陣列狀。配置為陣列狀意味著，在相鄰的激光元 件中，激光元件的波導（未圖示）彼此并排配置。
[0030] 第1激光元件20a在作為波導的光出射面的前端面具有前端面反射膜5。此外，第 1激光元件20a在后端面具有后端面反射膜7,其中，所述后端面是隔著波導與前端面相反 側(cè)的面。從前端面反射膜5的發(fā)光點2射出激光。目P，第1激光元件20a是在波導的兩端 具有反射膜的單元諧振器結(jié)構(gòu)。第2激光元件2化也同樣地構(gòu)成。
[0031] 第3激光元件20c在作為波導（未圖示）的光出射面的前端面具有前端面反射膜 6。此外，第3激光元件20c在后端面具有后端面反射膜7,其中，所述后端面是隔著波導與 前端面相反側(cè)的面。從前端面反射膜6的發(fā)光點3射出激光。目P，第3激光元件20c是在 波導的兩端具有反射膜的單元諧振器結(jié)構(gòu)。第4激光元件20d和第5激光元件20e也同樣 地構(gòu)成。
[0032] 如圖1所示，半導體激光器陣列1是使多個發(fā)光點2、3排列在一條直線上的結(jié)構(gòu)。 此外，在第1~第5激光元件20a、20b、20c、2(M、20e之間不存在物理意義上的邊界，因而， 在圖1和圖2中，為了方便，利用虛線劃分與各激光元件相當?shù)膮^(qū)域而示出。
[0033] 前