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一種玻璃基多芯片異構集成結構及其制備方法與流程

文檔序號:39526766發(fā)布日期:2024-09-27 17:03閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種玻璃基多芯片異構集成結構的制備方法,其特征在于,提供玻璃板,在所述玻璃板的至少一側制作第一重布線層,將所述第一重布線層劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域,并在所述第一區(qū)域上制作第二重布線層,然后分別在所述第一重布線層的第二區(qū)域的焊盤區(qū)和所述第二重布線層的焊盤區(qū)植入芯片,其中,植入所述第一重布線層的第二區(qū)域的焊盤區(qū)的芯片為射頻芯片,植入所述第二重布線層的焊盤區(qū)的芯片為非射頻芯片。

2.根據(jù)權利要求1所述的玻璃基多芯片異構集成結構的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

3.一種玻璃基多芯片異構集成結構的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

4.根據(jù)權利要求3所述的玻璃基多芯片異構集成結構的制備方法,其特征在于,所述第一重布線層、所述第一介電層以及所述第一阻焊層的厚度之和與所述第二重布線層和所述第二介電層的厚度之和相等。

5.根據(jù)權利要求3所述的玻璃基多芯片異構集成結構的制備方法,其特征在于,步驟s10具體包括:

6.根據(jù)權利要求3至5任一項所述的玻璃基多芯片異構集成結構的制備方法,其特征在于,步驟s40具體包括:

7.一種玻璃基多芯片異構集成結構,采用權利要求1或2所述的玻璃基多芯片異構集成結構的制備方法制得,其特征在于,包括:

8.根據(jù)權利要求7所述的玻璃基多芯片異構集成結構,其特征在于,還包括:

9.一種玻璃基多芯片異構集成結構,采用權利要求3-6任一項所述的玻璃基多芯片異構集成結構的制備方法制得,其特征在于,包括:

10.根據(jù)權利要求9所述的玻璃基多芯片異構集成結構,其特征在于,所述第一重布線層、所述第一介電層以及所述第一阻焊層的厚度之和與所述第二重布線層和所述第二介電層的厚度之和相等。


技術總結
本發(fā)明涉及半導體芯片封裝技術領域,公開一種玻璃基多芯片異構集成結構及其制備方法。其中,玻璃基多芯片異構集成結構的制備方法包括:提供玻璃板,在玻璃板的至少一側制作第一重布線層,將第一重布線層劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域,并在第一區(qū)域上制作第二重布線層,然后分別在第一重布線層和第二重布線層的焊盤區(qū)植入芯片,其中,植入第一重布線層的第二區(qū)域的焊盤區(qū)的芯片為射頻芯片,植入第二重布線層的焊盤區(qū)的芯片為非射頻芯片。本發(fā)明可以實現(xiàn)射頻芯片和其他非射頻芯片的異構集成,且射頻芯片緊貼玻璃板,降低了射頻信號損耗;本發(fā)明無需開沉槽做線路,線路制作簡便;本發(fā)明的玻璃基多芯片異構集成結構的強度高,不易出現(xiàn)翹曲現(xiàn)象。

技術研發(fā)人員:楊斌,何健豪,華顯剛,鄒其昱,王展博
受保護的技術使用者:廣東佛智芯微電子技術研究有限公司
技術研發(fā)日:
技術公布日:2024/9/26
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