本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片封裝，具體涉及一種玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)其制備方法。

背景技術(shù)：

1、射頻芯片和其他常規(guī)芯片通常在集成封裝時會考慮到射頻信號的特殊性和對環(huán)境的敏感性。在傳統(tǒng)的集成電路封裝技術(shù)中，將射頻芯片和其他常規(guī)芯片封裝在一起的工藝步驟如下：

2、（1）先提供基板，然后在基板表面做沉槽和通孔；

3、（2）在沉槽和通孔內(nèi)以及基板表面做線路層；

4、（3）將射頻芯片和其他常規(guī)芯片芯片貼于基板表面的線路層上并進(jìn)行塑封。

5、該工藝中，為了降低射頻芯片的射頻損耗，通常將射頻芯片貼于沉槽內(nèi)的線路層上。然而在該工藝中，存在的主要問題是在沉槽內(nèi)做線路層比較困難。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的之一在于提供一種玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法，可以實(shí)現(xiàn)射頻芯片和其他非射頻芯片的異構(gòu)集成，且射頻芯片緊貼玻璃板，可降低射頻信號損耗；本發(fā)明無需開沉槽做線路，線路制作簡便。

2、本發(fā)明的目的之二在于提供一種玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法，可以實(shí)現(xiàn)射頻芯片和其他常規(guī)芯片的異構(gòu)集成，并能降低玻璃板翹曲，提高了玻璃板強(qiáng)度。

3、本發(fā)明的目的之三在于提供一種玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)，其強(qiáng)度高，不易產(chǎn)生翹曲現(xiàn)象。

4、為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

5、一方面，本發(fā)明提供一種玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法，提供玻璃板，在所述玻璃板的至少一側(cè)制作第一重布線層，將所述第一重布線層劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，并在所述第一區(qū)域上制作第二重布線層，然后分別在所述第一重布線層的第二區(qū)域的焊盤區(qū)和所述第二重布線層的焊盤區(qū)植入芯片，其中，植入所述第一重布線層的第二區(qū)域的焊盤區(qū)的芯片為射頻芯片，植入所述第二重布線層的焊盤區(qū)的芯片為非射頻芯片。

6、作為玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法的進(jìn)一步的方案，包括以下步驟：

7、s10、提供玻璃板，在所述玻璃板的一面制備第一重布線層，并將所述第一重布線層劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域；

8、s20、在所述第一重布線層的表面壓制介電層；

9、s30、對所述介電層開孔處理，形成使位于第一區(qū)域的部分第一重布線層外露的第一窗口和使位于第二區(qū)域的所述第一重布線層和部分所述玻璃板同時外露的第二窗口；

10、s40、在所述第一窗口內(nèi)制備與所述第一重布線層電連接的導(dǎo)電柱以及在所述介電層的表面制備與所述導(dǎo)電柱連接的第二重布線層；

11、s50、分別在外露的所述第一重布線層表面壓制第二阻焊層以及在外露的所述第二重布線層表面壓制第一阻焊層，并使所述第一重布線層和所述第二重布線層的焊盤區(qū)外露；

12、s60、提供若干第一芯片和若干第二芯片，將所述第一芯片植入所述第二重布線層的焊盤區(qū)以及將所述第二芯片植入所述第一重布線層的第二區(qū)域的焊盤區(qū)，所述第一芯片為非射頻芯片，所述第二芯片為射頻芯片。

13、在本發(fā)明的另一可選方案中，本發(fā)明提供一種玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

14、s10、提供玻璃板，在所述玻璃板的一面制備第一重布線層，另一面制備第二重布線層，并使所述第一重布線層和所述第二重布線層通過貫穿所述玻璃板的第一導(dǎo)電柱相連接，將所述第一重布線層劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域；

15、s20、在所述第一重布線層的表面壓制第一介電層以及在所述第二重布線層的表面壓制第二介電層；

16、s30、對所述第一介電層開孔處理，形成使第一區(qū)域的部分第一重布線層外露的第一窗口和使第二區(qū)域的所述第一重布線層和部分所述玻璃板同時外露的第二窗口；

17、s40、在所述第一窗口內(nèi)制備與所述第一重布線層電連接的第二導(dǎo)電柱以及在所述第一介電層的表面制備與所述第二導(dǎo)電柱電連接的第三重布線層；

18、s50、分別在外露的所述第一重布線層表面壓制第二阻焊層以及在外露的所述第三重布線層表面壓制第一阻焊層，并使所述第一重布線層和所述第三重布線層的焊盤區(qū)外露；

19、s60、提供若干第一芯片和若干第二芯片，將所述第一芯片植入所述第三重布線層的焊盤區(qū)以及將所述第二芯片植入所述第一重布線層的第二區(qū)域的焊盤區(qū)，所述第一芯片為非射頻芯片，所述第二芯片為射頻芯片。

20、作為玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法的進(jìn)一步的方案，所述第一重布線層、所述第一介電層以及所述第一阻焊層的厚度之和與所述第二重布線層和所述第二介電層的厚度之和相等。

21、作為玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法的進(jìn)一步的方案，步驟s10具體包括：

22、s10a、提供玻璃板，在所述玻璃板的待開孔區(qū)域進(jìn)行激光改性；

23、s10b、對所述玻璃板進(jìn)行蝕刻處理，形成貫穿所述玻璃板的通孔；

24、s10c、在所述通孔表面以及所述玻璃板表面制作種子層；

25、s10d、在位于所述玻璃板表面的種子層的表面壓制感光膜；

26、s10e、對所述感光膜曝光、顯影處理，形成使部分種子層外露的窗口；

27、s10f、在通孔內(nèi)制作第一導(dǎo)電柱、在鄰近玻璃板其中一側(cè)的窗口內(nèi)制作第一重布線層以及在鄰近玻璃板另一側(cè)的窗口內(nèi)制作第二重布線層；

28、s10g、去除殘留的感光膜，并蝕刻掉外露的種子層。

29、作為玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法的進(jìn)一步的方案，步驟s40具體包括：

30、s40a、在所述第一介電層的第一窗口內(nèi)壁以及所述第一介電層的表面制作種子層；

31、s40b、在位于所述第一介電層表面的種子層表面壓制感光膜；

32、s40c、對所述感光膜曝光、顯影處理，形成使部分種子層外露的第三窗口；

33、s40d、在第一窗口內(nèi)制作第二導(dǎo)電柱以及在第三窗口內(nèi)制作第三重布線層；

34、s40e、去除殘留的感光膜，并蝕刻掉外露的種子層。

35、作為玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法的進(jìn)一步的方案，步驟s50具體包括：

36、s50a、分別在外露的所述第一重布線層表面壓制第二阻焊層以及在外露的所述第三重布線層表面壓制第一阻焊層；

37、s50b、對所述第二阻焊層進(jìn)行曝光、顯影處理，形成使所述第一重布線層的焊盤區(qū)外露的第一孔位，以及對所述第一阻焊層進(jìn)行曝光、顯影處理，形成使所述第一重布線層的焊盤區(qū)外露的第二孔位。

38、再一方面，本發(fā)明提供一種采用所述的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法制得的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)，包括：

39、玻璃板，所述玻璃板的至少一側(cè)具有第一重布線層，所述第一重布線層分為第一區(qū)域和第二區(qū)域；

40、第二重布線層，位于所述玻璃板其中一側(cè)的所述第一重布線層的第一區(qū)域并與所述第一重布線層連接；

41、多個芯片，分別植入所述第一重布線層的第二區(qū)域的焊盤區(qū)和所述第二重布線層的焊盤區(qū)，且植入所述第一重布線層的第二區(qū)域的焊盤區(qū)的芯片為射頻芯片。

42、作為玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步方案，還包括：

43、介電層，位于所述第一重布線層的第一區(qū)域和所述第二重布線層之間，且所述第一重布線層和所述第二重布線層通過嵌入至所述介電層的導(dǎo)電柱連接；

44、第一阻焊層，覆蓋所述第二重布線層，且所述第二重布線層的焊盤區(qū)外露于所述第一阻焊層。

45、在本發(fā)明的另一可選方案中，本發(fā)明提供一種采用所述的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法制得的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)，包括：

46、玻璃板，所述玻璃板其中一面設(shè)置有第一重布線層，另一面設(shè)置有第二重布線層，且所述第一重布線層通過嵌入至所述玻璃板的第一導(dǎo)電柱與所述第二重布線層連接，所述第一重布線層分為第一區(qū)域和第二區(qū)域；

47、第一介電層，覆蓋所述第一重布線層的第一區(qū)域；

48、第二介電層，覆蓋所述第二重布線層；

49、第三重布線層，位于所述第一介電層上并通過嵌入至所述第一介電層中的第二導(dǎo)電柱與所述第一重布線層電連接；

50、第一阻焊層，覆蓋所述第三重布線層，且所述第三重布線層的焊盤區(qū)外露于所述第一阻焊層；

51、第二阻焊層，覆蓋所述第一重布線層的第二區(qū)域，且所述第一重布線層的焊盤區(qū)外露于所述第二阻焊層；

52、若干屬于非射頻芯片的第一芯片和若干屬于射頻芯片的第二芯片，所述第一芯片倒裝于所述第三重布線層上，且所述第一芯片的i/o口與所述第三重布線層的焊盤區(qū)連接，所述第二芯片倒裝于所述第一重布線層的第二區(qū)域，且所述第二芯片的i/o口與所述第一重布線層的焊盤區(qū)連接。

53、作為玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步的方案，所述第一重布線層、所述第一介電層以及所述第一阻焊層的厚度之和與所述第二重布線層和所述第二介電層的厚度之和相等。

54、本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明通過在玻璃板上獨(dú)立多區(qū)域差分布線，以實(shí)現(xiàn)玻璃基多芯片異構(gòu)集成；射頻芯片安裝于緊貼玻璃板的第一重布線層上，降低了射頻信號損耗；玻璃板的兩側(cè)厚度對稱，降低了玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的翹曲現(xiàn)象，提高了玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度。