本發(fā)明涉及一種超材料及層疊體。

背景技術(shù)：

1、近年來，正在研究將具備基材及由導(dǎo)電性材料等構(gòu)成且設(shè)置于基材表面的圖案的超材料適用于頻率0.1～10thz(波長為30～3000μ同)的電磁波(以下，還記載為太赫茲頻段的電磁波。)用光學(xué)元件。

2、例如，在日本特開2021-114647號公報中，公開了一種超材料，其具備超表面基材及設(shè)置于超表面基材表面的金屬膜的圖案。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、日本特開2021-114647號公報中記載的超材料所具備的上述圖案對太赫茲頻段的電磁波發(fā)揮諧振器的作用。對太赫茲頻段的電磁波發(fā)揮諧振器的作用的部分止于從圖案的表面沿厚度方向0.5μm左右的部分，因此，在今后的開發(fā)中，從降低成本等觀點(diǎn)出發(fā)，可預(yù)想到要減小圖案的厚度。

3、近來，本發(fā)明人得到了如下見解：當(dāng)減小了圖案厚度時，圖案的剛性降低，溫濕度的變化等引起的基材變形導(dǎo)致產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力，從而有可能在圖案中產(chǎn)生裂紋。

4、本發(fā)明是根據(jù)上述見解完成的，本發(fā)明的一實施方式所要解決的課題在于提供一種超材料及層疊體，其能夠抑制裂紋的產(chǎn)生(以下，還稱為裂紋抑制性。)。

5、用于解決技術(shù)課題的手段

6、用于解決課題的具體方法如下。

7、<1>一種超材料，其具備基材及設(shè)置于上述基材表面的圖案，

8、上述圖案由導(dǎo)電性材料及從非導(dǎo)體變化成導(dǎo)體的材料中的至少一者構(gòu)成，上述基材的熱膨脹系數(shù)為80ppm/k以下。

9、<2>根據(jù)上述<1>所述的超材料，其中，

10、上述基材的介電損耗角正切為0.01以下。

11、<3>根據(jù)上述<1>或<2>所述的超材料，其中，

12、上述圖案的厚度小于5μm。

13、<4>根據(jù)上述<1>至<3>中任一項所述的超材料，其中，

14、上述圖案的厚度及25℃下的儲存彈性模量的乘積與上述基材的厚度及25℃下的儲存彈性模量的乘積之比小于10。

15、<5>根據(jù)上述<1>至<4>中任一項所述的超材料，其中，

16、上述圖案包含多個結(jié)構(gòu)體，且上述結(jié)構(gòu)體為開口環(huán)諧振器。

17、<6>根據(jù)上述<1>至<5>中任一項所述的超材料，其中，

18、上述圖案由上述導(dǎo)電性材料構(gòu)成，且上述導(dǎo)電性材料包含金屬。

19、<7>根據(jù)上述<1>至<6>中任一項所述的超材料，其中，

20、上述基材含有選自氟系聚合物及液晶聚合物中的至少1種。

21、<8>一種層疊體，其具備上述<1>至<7>中任一項所述的超材料及設(shè)置于上述超材料的上述圖案側(cè)表面的有機(jī)膜。

22、<9>根據(jù)上述<8>所述的層疊體，其中，

23、上述有機(jī)膜在溫度40℃、相對濕度90％的環(huán)境下的透濕度為3000g/(m2·24小時)以下。

24、<10>根據(jù)上述<8>或<9>所述的層疊體，其中，

25、上述有機(jī)膜含有紫外線吸收劑。

26、發(fā)明效果

27、根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，能夠提供一種超材料及層疊體，其能夠抑制裂紋的產(chǎn)生。

技術(shù)特征：

1.一種超材料，其具備基材及設(shè)置于所述基材表面的圖案，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超材料，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超材料，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超材料，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超材料，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超材料，其中，

8.一種層疊體，其具備權(quán)利要求1或2所述的超材料及設(shè)置于所述超材料的所述圖案側(cè)表面的有機(jī)膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊體，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的層疊體，其中，

技術(shù)總結(jié)
一種超材料及具備上述超材料的層疊體，上述超材料具備介電損耗角正切為0.01以下的基材及由導(dǎo)電性材料及從非導(dǎo)體變化成導(dǎo)體的材料中的至少一者構(gòu)成且設(shè)置于上述基材表面的圖案，且上述基材的熱膨脹系數(shù)為80ppm/K以下。

技術(shù)研發(fā)人員：佐佐田泰行
受保護(hù)的技術(shù)使用者：富士膠片株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/26