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一種I類冶金鍵合二極管設(shè)計(jì)與制造技術(shù)的制作方法

文檔序號:11252645閱讀:1811來源:國知局
一種I類冶金鍵合二極管設(shè)計(jì)與制造技術(shù)的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及電子元件的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種i類冶金鍵合二極管設(shè)計(jì)與制造技術(shù)。



背景技術(shù):

二極管是電子元件當(dāng)中一種具有兩個電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓),反向時阻斷(稱為逆向偏壓)。因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。

美軍標(biāo)定義的冶金鍵合產(chǎn)品分為三類,i類是銀、硅合金冶金鍵合,ⅱ類是用合金焊片焊接的冶金鍵合,ⅲ類是壓接結(jié)構(gòu)。目前國內(nèi)大多數(shù)廠商采用的都是ⅱ類、ⅲ類鍵合封裝形式,而國外目前已經(jīng)開始普遍采用i類冶金鍵合封裝,i類冶金鍵合封裝的產(chǎn)品芯片與鎢柱表面不加焊片,其可靠性要比ⅱ類、ⅲ類鍵合封裝的產(chǎn)品高很多,而且我國的i類冶金鍵合并沒有十分的普及,i類冶金鍵合的體積也相對較大,產(chǎn)品的質(zhì)量重,其可靠性低下,無法滿足各種環(huán)境和質(zhì)量等級要求,達(dá)不到i類冶金鍵合的效果。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

(一)解決的技術(shù)問題

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供了一種i類冶金鍵合二極管設(shè)計(jì)與制造技術(shù),解決了i類冶金鍵合的體積也相對較大,產(chǎn)品的質(zhì)量重,其可靠性低下,無法滿足各種環(huán)境和質(zhì)量等級要求的問題。

(二)技術(shù)方案

為實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):一種i類冶金鍵合二極管設(shè)計(jì)與制造技術(shù),包括臺面管芯,所述臺面管芯上的兩側(cè)均設(shè)置有純化層,所述臺面管芯的兩側(cè)均固定連接有鍍銀鎢柱,并且臺面管芯和鍍銀鎢柱的表面均固定連接有玻殼,所述玻殼的兩側(cè)且與鍍銀鎢柱相對應(yīng)的位置通過合金焊材均固定連接有紫銅丁頭引線。

優(yōu)選的,所述臺面管芯和鍍銀鎢柱以及玻殼和紫銅丁頭引線均通過高溫?zé)Y(jié)在一起。

優(yōu)選的,所述臺面管芯的兩面做al-ag金屬化。

本發(fā)明還公開了一種i類冶金鍵合二極管設(shè)計(jì)與制造技術(shù),包括以下步驟:

s1、臺面管芯的制造:將n型單晶通過擴(kuò)散、光刻、臺面腐蝕、cvd、蒸發(fā)、劃片工藝制成臺面管芯,擴(kuò)散采用表面涂b30的方式,在通過高溫分布形成pn結(jié);cvd鈍化層采用sipos+氮化硅+mto二氧化硅的復(fù)合鈍化層,蒸發(fā)在芯片表面先蒸發(fā)一層薄鋁,再蒸發(fā)銀;

s2、臺面管芯與鍍銀鎢柱燒結(jié):臺面管芯與鍍銀鎢柱之間不加合金片,通過高溫將臺面管芯與鍍銀鎢柱燒結(jié)在一起,使臺面管芯與鍍銀鎢柱之間形成共晶,燒結(jié)溫度為960℃;

s3、玻殼與鍍銀鎢柱的燒結(jié):將燒結(jié)好的臺面管芯和鍍銀鎢柱與玻殼通過高溫?zé)Y(jié)在一起,燒結(jié)溫度為800℃;

s4、紫銅丁頭引線的燒結(jié):紫銅丁頭引線采用高溫金88鍺12合金焊料與鍍銀鎢柱釬焊連接,焊接溫度為410℃。

優(yōu)選的,所述步驟s1中,擴(kuò)散用雜質(zhì)源的選擇原則:導(dǎo)電類型、雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)的大小、擴(kuò)散掩蔽、容易獲得純度高且有較高蒸氣壓、毒性較小的雜質(zhì)源。

(三)有益效果

本發(fā)明提供了一種i類冶金鍵合二極管設(shè)計(jì)與制造技術(shù)。具備以下有益效果:該i類冶金鍵合二極管設(shè)計(jì)與制造技術(shù),通過臺面管芯的兩側(cè)均固定連接有鍍銀鎢柱,并且臺面管芯和鍍銀鎢柱的表面均固定連接有玻殼,所述玻殼的兩側(cè)且與鍍銀鎢柱相對應(yīng)的位置通過合金焊材均固定連接有紫銅丁頭引線,以及制造技術(shù)包括:s1、臺面管芯的制造、s2、臺面管芯與鍍銀鎢柱燒結(jié)、s3、玻殼與鍍銀鎢柱的燒結(jié)和s4、紫銅丁頭引線的燒結(jié),解決了目前國內(nèi)大多數(shù)廠商采用的都是ⅱ類、ⅲ類鍵合封裝形式的情況,i類冶金鍵合封裝的產(chǎn)品芯片與鎢柱表面不加焊片,其可靠性要比ⅱ類、ⅲ類鍵合封裝的產(chǎn)品高很多,促進(jìn)了我國的i類冶金鍵合并的普及,改變了現(xiàn)有的i類冶金鍵合的體積也相對較大的問題,產(chǎn)品的質(zhì)量輕,其可靠性能高,更好的滿足了各種環(huán)境和質(zhì)量等級要求,達(dá)到了i類冶金鍵合的效果,根據(jù)過往的生產(chǎn)統(tǒng)計(jì),采用老的加工線路,最高合格率為75.2%,而新的加工方法合格率提升到98%;提高了檢驗(yàn)效率,降低了制造成本,使用本發(fā)明制造技術(shù)后,材料費(fèi)用大大減少,增加了公司收益。

附圖說明

圖1為本發(fā)明i類冶金鍵合成品管裝配示意圖;

圖2為本發(fā)明管芯制造縱向剖面示意圖;

圖中,1臺面管芯、2純化層、3鍍銀鎢柱、4玻殼、5合金焊材、6紫銅丁頭引線。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種i類冶金鍵合二極管,包括臺面管芯1,臺面管芯1的兩面做al-ag金屬化,臺面管芯1上的兩側(cè)均設(shè)置有純化層2,臺面管芯1和鍍銀鎢柱3以及玻殼4和紫銅丁頭引線6均通過高溫?zé)Y(jié)在一起,臺面管芯1的兩側(cè)均固定連接有鍍銀鎢柱3,臺面管芯1和鍍銀鎢柱3燒結(jié)時不用焊片,并且臺面管芯1和鍍銀鎢柱3的表面均固定連接有玻殼4,玻殼4的兩側(cè)且與鍍銀鎢柱3相對應(yīng)的位置通過合金焊材5均固定連接有紫銅丁頭引線6。

本實(shí)施例還提出了一種i類冶金鍵合二極管制造技術(shù),其加工方法包括以下步驟:

s1、臺面管芯1的制造:將n型單晶通過擴(kuò)散、光刻、臺面腐蝕、cvd、蒸發(fā)、劃片工藝制成臺面管芯1,擴(kuò)散采用表面涂b30的方式,在通過高溫分布形成pn結(jié);cvd鈍化層采用sipos+氮化硅+mto二氧化硅的復(fù)合鈍化層2,蒸發(fā)在芯片表面先蒸發(fā)一層薄鋁,再蒸發(fā)銀;

s2、臺面管芯1與鍍銀鎢柱3燒結(jié):臺面管芯1與鍍銀鎢柱3之間不加合金片,通過高溫將臺面管芯1與鍍銀鎢柱3燒結(jié)在一起,使臺面管芯1與鍍銀鎢柱3之間形成共晶,燒結(jié)溫度為960℃;

s3、玻殼4與鍍銀鎢柱3的燒結(jié):將燒結(jié)好的臺面管芯1和鍍銀鎢柱3與玻殼4通過高溫?zé)Y(jié)在一起,燒結(jié)溫度為800℃;

s4、紫銅丁頭引線6的燒結(jié):紫銅丁頭引線6采用高溫金88鍺12合金焊料與鍍銀鎢柱3釬焊連接,焊接溫度為410℃。

這種封裝結(jié)構(gòu)只有在高等級產(chǎn)品采用,其突出的熱傳導(dǎo)特性和高可靠的機(jī)械連接特性,保證器件在惡劣工作環(huán)境下可靠工作。

需要說明的是,在本文中,諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實(shí)體或者操作與另一個實(shí)體或操作區(qū)分開來,而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且,術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下。由語句“包括一個......限定的要素,并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素”。

盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。

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