本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地，涉及一種實(shí)時(shí)監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體制造的前道工藝中，金屬雜質(zhì)可能導(dǎo)致器件電性的變化，尤其在圖形傳感器的器件制作中，金屬雜質(zhì)的管控更是影響產(chǎn)品良率的重要影響因素。因此，對(duì)于前道刻蝕腔體，金屬雜質(zhì)的管控就尤為重要。

請(qǐng)參閱圖1和圖2，圖1是現(xiàn)有技術(shù)的監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的過(guò)程示意圖，圖2是現(xiàn)有技術(shù)的監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的方法示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)刻蝕腔體金屬雜質(zhì)監(jiān)控的方法是定期(通常1天1次)準(zhǔn)備一枚金屬測(cè)試硅片(氧化膜片或硅光片)，將其放入刻蝕腔體中，采用機(jī)臺(tái)正常作業(yè)時(shí)的反應(yīng)條件(包括反應(yīng)物種類(lèi)及流量、壓強(qiáng)、溫度及反應(yīng)時(shí)間等)刻蝕金屬測(cè)試硅片，待反應(yīng)完成后，取出金屬測(cè)試硅片，對(duì)其進(jìn)行電感耦合等離子質(zhì)譜分析(icp-ms)或全反射x射線(xiàn)熒光分析(txrf)，最后，根據(jù)測(cè)試分析結(jié)果反饋到生產(chǎn)控制系統(tǒng)，通過(guò)生產(chǎn)控制系統(tǒng)控制機(jī)臺(tái)繼續(xù)作業(yè)或停機(jī)。如圖2所示，金屬監(jiān)控片測(cè)試結(jié)果確認(rèn)，如果金屬雜質(zhì)含量正常，則繼續(xù)進(jìn)行工藝；否則，停止工藝，并確認(rèn)受影響產(chǎn)品范圍。通常對(duì)從上次監(jiān)控ok到本次監(jiān)控ng期間作業(yè)的所有產(chǎn)品逐個(gè)進(jìn)行質(zhì)量鑒定。通過(guò)以上描述可以看出，現(xiàn)有方法存在一定的局限性：(1)無(wú)法實(shí)時(shí)監(jiān)控；(2)結(jié)果反饋耗時(shí)久；(3)使用大量測(cè)試硅片且無(wú)法循環(huán)使用，監(jiān)控成本高；(4)ng后需要耗費(fèi)長(zhǎng)時(shí)間對(duì)可疑產(chǎn)品進(jìn)行質(zhì)量鑒定，嚴(yán)重降低了生產(chǎn)效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種實(shí)時(shí)監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的系統(tǒng)及方法，通過(guò)將實(shí)時(shí)監(jiān)控的測(cè)試光譜曲線(xiàn)與預(yù)先收集的基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)進(jìn)行比對(duì)，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控刻蝕腔體中金屬雜質(zhì)含量的目的，既能節(jié)省用于監(jiān)控的硅片成本和測(cè)試時(shí)間成本，同時(shí)又能使監(jiān)控頻度從定期監(jiān)控升級(jí)到實(shí)時(shí)監(jiān)控，在腔體出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，能第一時(shí)間知曉，從而將影響范圍控制到最小。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種實(shí)時(shí)監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的系統(tǒng)，其中，包括：刻蝕腔體，其內(nèi)具有支撐硅片的硅片放置平臺(tái)；光譜收集器，其探頭安裝于刻蝕腔體的側(cè)壁或頂部，用來(lái)收集刻蝕腔體內(nèi)反應(yīng)物和生成物的光譜強(qiáng)度，并通過(guò)光纖傳送到光譜分析儀中；光譜分析儀，其與光譜收集器相連，用于接收來(lái)自光譜收集器的光譜強(qiáng)度并將其轉(zhuǎn)換為光譜曲線(xiàn)，通過(guò)將實(shí)時(shí)監(jiān)控的測(cè)試光譜曲線(xiàn)與預(yù)先收集的基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)進(jìn)行比對(duì)，計(jì)算出測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異，并判斷上述相對(duì)差異是否在誤差允許范圍內(nèi)；及工藝控制電腦，其與光譜分析儀相連，用于接收來(lái)自光譜分析儀的結(jié)果，并根據(jù)結(jié)果對(duì)刻蝕腔體內(nèi)的工藝進(jìn)行繼續(xù)或停止的操作。

優(yōu)選地，所述基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)是在金屬含量正常的刻蝕腔體內(nèi)所得到的曲線(xiàn)。

優(yōu)選地，所述光譜強(qiáng)度表征對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)的物質(zhì)含量。

優(yōu)選地，所述測(cè)試光譜曲線(xiàn)和基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)為刻蝕特定時(shí)間段內(nèi)，特定波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨時(shí)間變化的曲線(xiàn)。

優(yōu)選地，所述測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異為在特定時(shí)間段內(nèi)，特定波長(zhǎng)的光譜強(qiáng)度總和的相對(duì)差異。

優(yōu)選地，所述測(cè)試光譜曲線(xiàn)和基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)為刻蝕特定時(shí)間點(diǎn)時(shí)，不同波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨波長(zhǎng)變化的曲線(xiàn)。

優(yōu)選地，所述測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異為特定時(shí)間點(diǎn)時(shí)，特定波長(zhǎng)的光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異。

優(yōu)選地，所述光譜分析儀通過(guò)對(duì)波長(zhǎng)的分析能確定超標(biāo)的金屬種類(lèi)，進(jìn)一步確定導(dǎo)致該金屬雜質(zhì)超標(biāo)的工藝環(huán)節(jié)。

優(yōu)選地，所述金屬雜質(zhì)包括鈉、鉀、鐵、鎳、銅、鋁、鎂、鉛、鋅。

一種實(shí)時(shí)監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的方法，包括以下步驟：

步驟s01：將產(chǎn)品或非產(chǎn)品片放入金屬含量正常的刻蝕腔體內(nèi)進(jìn)行作業(yè)，并由光譜收集器收集反應(yīng)物和生成物的光譜強(qiáng)度，經(jīng)光譜分析儀對(duì)接收到的光譜強(qiáng)度進(jìn)行分析轉(zhuǎn)換，得到基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)，可以通過(guò)icp-ms測(cè)試驗(yàn)證刻蝕腔體內(nèi)的金屬含量是否正常；

步驟s02：機(jī)臺(tái)正常作業(yè)產(chǎn)品或非產(chǎn)品片；

步驟s03：在作業(yè)產(chǎn)品或非產(chǎn)品片的同時(shí)，光譜收集器收集反應(yīng)物和生成物的光譜強(qiáng)度；

步驟s04：光譜分析儀接收來(lái)自光譜收集器的光譜強(qiáng)度信息，將其轉(zhuǎn)換成測(cè)試光譜曲線(xiàn)，并與步驟s01得到的基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)進(jìn)行比對(duì)，計(jì)算出測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異，并判斷上述相對(duì)差異是否在誤差允許范圍內(nèi)；

步驟s05：將光譜分析儀的結(jié)果傳送給工藝控制電腦，工藝控制電腦根據(jù)結(jié)果對(duì)刻蝕腔體內(nèi)的工藝作出判斷，若結(jié)果為測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異小于誤差允許范圍，則監(jiān)控ok，工藝控制電腦控制刻蝕腔體內(nèi)的工藝?yán)^續(xù)執(zhí)行步驟s02-s05；若結(jié)果為測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異大于等于誤差允許范圍，則監(jiān)控ng，工藝控制電腦發(fā)出異常警報(bào)并停止機(jī)臺(tái)作業(yè)。

從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供了一種新的監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的系統(tǒng)及方法，通過(guò)在刻蝕腔體內(nèi)安裝光譜收集器，收集生成物和反應(yīng)物的光譜強(qiáng)度，并通過(guò)光譜分析儀轉(zhuǎn)換為測(cè)試光譜曲線(xiàn)，并與基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)進(jìn)行對(duì)比，得到金屬雜質(zhì)是否超標(biāo)的結(jié)果，再通過(guò)工藝控制電腦根據(jù)上述結(jié)果對(duì)刻蝕腔體內(nèi)的工藝進(jìn)行繼續(xù)或停止的操作。該方法能夠?qū)涛g腔體中的金屬雜質(zhì)的含量實(shí)時(shí)進(jìn)行監(jiān)控，既能節(jié)省用于監(jiān)控的硅片成本和測(cè)試時(shí)間成本，同時(shí)更能使監(jiān)控頻度從定期監(jiān)控升級(jí)到實(shí)時(shí)監(jiān)控，在腔體出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，能第一時(shí)間知曉，從而將影響范圍控制到最小。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的過(guò)程示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)的監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的方法示意圖；

圖3是本發(fā)明的一種監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的一種監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的方法示意圖；

圖5是基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)為刻蝕特定時(shí)間段內(nèi)，特定波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨時(shí)間變化的示意圖；

圖6是基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)為刻蝕特定時(shí)間點(diǎn)，不同波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨波長(zhǎng)變化的示意圖；

圖7是測(cè)試光譜曲線(xiàn)和基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)為刻蝕特定時(shí)間段內(nèi)，特定波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨時(shí)間變化的曲線(xiàn)時(shí)，測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的比較示意圖。

圖8是測(cè)試光譜曲線(xiàn)和基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)為為刻蝕特定時(shí)間點(diǎn)，不同波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨波長(zhǎng)變化的曲線(xiàn)時(shí)，測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的比較示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。

需要說(shuō)明的是，在下述的具體實(shí)施方式中，在詳述本發(fā)明的實(shí)施方式時(shí)，為了清楚地表示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)以便于說(shuō)明，特對(duì)附圖中的結(jié)構(gòu)不依照一般比例繪圖，并進(jìn)行了局部放大、變形及簡(jiǎn)化處理，因此，應(yīng)避免以此作為對(duì)本發(fā)明的限定來(lái)加以理解。

在以下本發(fā)明的具體實(shí)施方式中，請(qǐng)參閱圖3，圖3是本發(fā)明的一種監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，一種實(shí)時(shí)監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的系統(tǒng)，包括：刻蝕腔體，其內(nèi)具有支撐硅片的硅片放置平臺(tái)；光譜收集器，其探頭安裝于刻蝕腔體的側(cè)壁或頂部，用來(lái)收集刻蝕腔體內(nèi)反應(yīng)物和生成物的光譜強(qiáng)度，并通過(guò)光纖傳送到光譜分析儀中；光譜分析儀，其與光譜收集器相連，用于接收來(lái)自光譜收集器的光譜強(qiáng)度并將其轉(zhuǎn)換為光譜曲線(xiàn)，通過(guò)將實(shí)時(shí)監(jiān)控的測(cè)試光譜曲線(xiàn)與預(yù)先收集的基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)進(jìn)行比對(duì)，計(jì)算出測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異，并判斷上述相對(duì)差異是否在誤差允許范圍內(nèi)；及工藝控制電腦，其與光譜分析儀相連，用于接收來(lái)自光譜分析儀的結(jié)果，并根據(jù)結(jié)果對(duì)刻蝕腔體內(nèi)的工藝進(jìn)行繼續(xù)或停止的操作。

請(qǐng)參閱圖4，圖4是本發(fā)明的一種監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的方法示意圖。如圖4所示，一種實(shí)時(shí)監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的方法，包括以下步驟：

步驟s01：將產(chǎn)品或非產(chǎn)品片放入金屬含量正常的刻蝕腔體內(nèi)，并由光譜收集器收集反應(yīng)物和生成物的光譜強(qiáng)度，經(jīng)光譜分析儀對(duì)接收到的光譜強(qiáng)度進(jìn)行分析轉(zhuǎn)換，得到基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)。

在此步驟中，可以通過(guò)icp-ms測(cè)試驗(yàn)證刻蝕腔體內(nèi)的金屬含量是否正常，其中金屬雜質(zhì)包括鈉、鉀、鐵、鎳、銅、鋁、鎂、鉛、鋅或者其他任意影響產(chǎn)品或非產(chǎn)品片刻蝕的金屬。

在此步驟中，如圖5所示，基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)是刻蝕特定時(shí)間段內(nèi)，特定波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨時(shí)間變化的曲線(xiàn)，即在t1-tn時(shí)間段內(nèi)，波長(zhǎng)λ1的特定波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨時(shí)間變化的曲線(xiàn)。因此，在基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)中，橫坐標(biāo)為時(shí)間t，縱坐標(biāo)為特定波長(zhǎng)的光強(qiáng)i；對(duì)特定波長(zhǎng)λ1選取特定時(shí)間段t1-tn，截取相應(yīng)的光譜強(qiáng)度i形成基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)。

如圖6所示，基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)是刻蝕特定時(shí)間點(diǎn)時(shí)，不同波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨波長(zhǎng)變化的曲線(xiàn)，即在一個(gè)特定的時(shí)間點(diǎn)，波長(zhǎng)λ1-λn的光譜強(qiáng)度與其對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)的曲線(xiàn)。因此，在基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)中，橫坐標(biāo)為波長(zhǎng)λ，縱坐標(biāo)為不同波長(zhǎng)的光強(qiáng)i；在特定的時(shí)間點(diǎn)t1截取相應(yīng)的光譜強(qiáng)度i形成基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)。

每種反應(yīng)物和有其特定波長(zhǎng)，通過(guò)對(duì)波長(zhǎng)的分析，可以確定該波長(zhǎng)所對(duì)應(yīng)的物質(zhì)，光譜強(qiáng)度表征對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)的物質(zhì)含量。通過(guò)對(duì)金屬含量正常的刻蝕腔體進(jìn)行反應(yīng)物和生成物取樣，得到正常工藝下的各反應(yīng)物和生成物的含量信息，將其作為標(biāo)準(zhǔn)，以后機(jī)臺(tái)作業(yè)得到的反應(yīng)物和生成物的含量與其作對(duì)比，可以方便地比較出各反應(yīng)物和生成物的含量變化。

步驟s02：機(jī)臺(tái)正常作業(yè)產(chǎn)品或非產(chǎn)品片。

步驟s03：在作業(yè)產(chǎn)品或非產(chǎn)品片的同時(shí)，光譜收集器收集反應(yīng)物和生成物的光譜強(qiáng)度。

在該步驟中，光譜收集器位于刻蝕腔體的側(cè)壁或頂部，能夠?qū)崟r(shí)收集被刻蝕硅片周?chē)姆磻?yīng)物和生成物的光譜強(qiáng)度。

步驟s04：光譜分析儀接收來(lái)自光譜收集器的光譜強(qiáng)度，將其轉(zhuǎn)換成測(cè)試光譜曲線(xiàn)，并與步驟s01得到的基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)進(jìn)行比對(duì)，計(jì)算出測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異，并判斷上述相對(duì)差異是否在誤差允許范圍內(nèi)。

在該步驟中，基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)有兩種，相對(duì)應(yīng)的，測(cè)試光譜曲線(xiàn)也有兩種，即刻蝕特定時(shí)間段內(nèi)，特定波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨時(shí)間變化的曲線(xiàn)以及刻蝕特定時(shí)間點(diǎn)時(shí)，不同波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨波長(zhǎng)變化的曲線(xiàn)。

如圖5和圖7所示，當(dāng)測(cè)試光譜曲線(xiàn)和基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)為刻蝕特定時(shí)間段內(nèi)，特定波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨時(shí)間變化的曲線(xiàn)時(shí)，在實(shí)時(shí)監(jiān)控的生產(chǎn)過(guò)程中，對(duì)特定波長(zhǎng)λ1選取特定時(shí)間段t1-tn，截取相應(yīng)的光譜強(qiáng)度i2形成測(cè)試光譜曲線(xiàn)，對(duì)波長(zhǎng)λ1在時(shí)間點(diǎn)t1-tn段對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度i0和測(cè)試光譜強(qiáng)度i2分別求和σi0和σi2；計(jì)算出測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異，計(jì)算公式：d1＝(σi2－σi0)/σi0×100％，判斷上述相對(duì)差異是否在誤差允許范圍內(nèi)。在此種方案中，通過(guò)對(duì)一段時(shí)間的整體信號(hào)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，以降低信號(hào)干擾帶來(lái)的誤差。

如圖6和圖8所示，當(dāng)測(cè)試光譜曲線(xiàn)和基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)為刻蝕特定時(shí)間點(diǎn)，不同波長(zhǎng)的強(qiáng)度隨波長(zhǎng)變化的曲線(xiàn)時(shí)，在實(shí)時(shí)監(jiān)控的生產(chǎn)過(guò)程中，在特定的時(shí)間點(diǎn)t1截取相應(yīng)的光譜強(qiáng)度i1形成測(cè)試光譜曲線(xiàn)，在時(shí)間點(diǎn)t1，波長(zhǎng)λ1對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度和測(cè)試光譜強(qiáng)度分別是i0和i1；計(jì)算出測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異，計(jì)算公式：d1＝(i1－i0)/i0×100％，判斷上述相對(duì)差異是否在誤差允許范圍內(nèi)。在此中方案中，計(jì)算比較過(guò)程比較迅速，但誤差風(fēng)險(xiǎn)會(huì)因可能發(fā)生的信號(hào)干擾而增加。

該光譜分析儀通過(guò)對(duì)波長(zhǎng)的分析能確定超標(biāo)的金屬是哪一種金屬，以及確定該種金屬的增量。既然知曉超標(biāo)金屬為何種金屬，則可以反推工藝過(guò)程，進(jìn)一步確定導(dǎo)致該金屬雜質(zhì)超標(biāo)的工藝環(huán)節(jié)，便于查找事故原因，及時(shí)改善工藝環(huán)境，提高成品率。

步驟s05：將光譜分析儀的結(jié)果傳送給工藝控制電腦，工藝控制電腦根據(jù)結(jié)果對(duì)刻蝕腔體內(nèi)的工藝作出判斷，若結(jié)果為測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異小于誤差允許范圍，則監(jiān)控ok，工藝控制電腦控制刻蝕腔體內(nèi)的工藝?yán)^續(xù)執(zhí)行步驟s02-s05；若結(jié)果為測(cè)試光譜強(qiáng)度與基準(zhǔn)光譜強(qiáng)度的相對(duì)差異大于等于誤差允許范圍，則監(jiān)控ng，工藝控制電腦發(fā)出異常警報(bào)并停止機(jī)臺(tái)作業(yè)。

在該步驟中，工藝控制電腦與光譜分析儀相連，用來(lái)接收來(lái)自光譜分析儀的結(jié)果，若監(jiān)控到金屬雜質(zhì)超標(biāo)，即監(jiān)控ng，則立即觸發(fā)工藝控制電腦的報(bào)警裝置，同時(shí)停止機(jī)臺(tái)作業(yè)，則只有當(dāng)前作業(yè)的一片產(chǎn)品的質(zhì)量不合格，不僅提高了產(chǎn)品的成品率，而且節(jié)約了產(chǎn)品檢驗(yàn)的時(shí)間成本，提高了生產(chǎn)效率。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種新的監(jiān)控刻蝕腔體金屬雜質(zhì)含量的系統(tǒng)及方法，通過(guò)在刻蝕腔體內(nèi)安裝光譜收集器，收集反應(yīng)物和生成物的光譜強(qiáng)度，并通過(guò)光譜分析儀將其轉(zhuǎn)換成測(cè)試光譜曲線(xiàn)，并與基準(zhǔn)光譜曲線(xiàn)進(jìn)行對(duì)比，得到金屬雜質(zhì)是否超標(biāo)的結(jié)果，再通過(guò)工藝控制電腦根據(jù)上述結(jié)果對(duì)刻蝕腔體內(nèi)的工藝進(jìn)行繼續(xù)或停止的操作。該方法能夠?qū)涛g腔體中的金屬雜質(zhì)的含量實(shí)時(shí)進(jìn)行監(jiān)控，既能節(jié)省用于監(jiān)控的硅片成本和測(cè)試時(shí)間成本，同時(shí)更能使監(jiān)控頻度從定期監(jiān)控升級(jí)到實(shí)時(shí)監(jiān)控，在腔體出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，能第一時(shí)間知曉，從而將影響范圍控制到最小。

以上所述的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，所述實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，因此凡是運(yùn)用本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。