本發(fā)明涉及短距離無(wú)線通訊領(lǐng)域，具體地，涉及一種基于金屬后殼的無(wú)天線的nfc結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

nfc是一種提供輕松、安全、迅速的通信的無(wú)線連接技術(shù)。nfc具有距離近、帶寬高、能耗低等特點(diǎn)。其次，nfc與現(xiàn)有非接觸智能卡技術(shù)兼容，目前已經(jīng)成為得到越來(lái)越多主要廠商支持的正式標(biāo)準(zhǔn)。再次，nfc還是一種近距離連接協(xié)議，提供各種設(shè)備間輕松、安全、迅速而自動(dòng)的通信。與無(wú)線世界中的其他連接方式相比，nfc是一種近距離的私密通信方式。nfc在門禁、公交、手機(jī)支付等領(lǐng)域內(nèi)發(fā)揮著巨大的作用。大部分nfc手機(jī)為內(nèi)置nfc芯片，外加nfc天線，隨著手機(jī)環(huán)境的日益惡劣，手機(jī)內(nèi)部空間越來(lái)越小，很難提供外加nfc天線的空間，手機(jī)金屬后殼將會(huì)成為主流，常規(guī)nfc天線在金屬后殼環(huán)境下的性能都會(huì)遭到嚴(yán)重干擾，因?yàn)榻饘俸髿?duì)電磁場(chǎng)的屏蔽使常規(guī)nfc天線形成渦流，因此有必要提出一種基于金屬后殼無(wú)天線的結(jié)構(gòu)來(lái)解決目前的難題，使用手機(jī)原本有的金屬來(lái)輻射nfc性能，不需要nfc天線，故而可以滿足手機(jī)為金屬后殼的環(huán)境。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種基于金屬后殼的無(wú)天線的nfc結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明提供的一種基于金屬后殼的無(wú)天線的nfc結(jié)構(gòu)，包括nfc模塊、二段金屬以及雙絞線，其中：所述二段金屬包括上段金屬和下段金屬，所述上段金屬和下段金屬之間設(shè)置有橫向槽；所述下段金屬還包括豎槽和鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域通過(guò)所述豎槽連通所述橫向槽；所述雙絞線包括連接所述下段金屬和所述nfc模塊的兩根導(dǎo)電線。

優(yōu)選地，還包括第一nfc彈片和第二nfc彈片，所述第一nfc彈片和第二nfc彈片分別設(shè)置于所述下段金屬的頂部的兩端，用于連接所述導(dǎo)電線。

優(yōu)選地，還包括第一去耦電感和第二去耦電感，其中：第一去耦電感一端連接nfc模塊一端，另一端通過(guò)導(dǎo)電線連接第一nfc彈片；所述第二去耦電感一端連接nfc模塊的另一端，另一端通過(guò)導(dǎo)電線連接所述第二nfc彈片。

優(yōu)選地，所述第一nfc彈片和第二nfc彈片的高度一致且第一nfc彈片和第二nfc彈片連接形成的直線位置不低于鏤空區(qū)域。

優(yōu)選地，所述上段金屬和下段金屬為不導(dǎo)通狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述上段金屬和下段金屬為部分導(dǎo)通狀態(tài)，所述上段金屬和下段金屬通過(guò)部分連根連接，所述部分連根的寬度不超過(guò)2mm。

優(yōu)選地，所述橫向槽的寬度大于1mm；所述豎槽的寬度大于1mm，長(zhǎng)度大于3mm。

優(yōu)選地，所述nfc模塊包括依次連接的nfc芯片、濾波電路、疊層天線以及調(diào)試匹配電路。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下的有益效果：

1、通過(guò)無(wú)天線的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)nfc功能，無(wú)需nfc天線和鐵氧體，節(jié)省成本，節(jié)約手機(jī)空間；

2、巧妙地利用金屬后殼代替天線，nfc在金屬后殼上的走線形式相當(dāng)于是在豎槽以及鏤空區(qū)域饒了一圈；

3、大大增加了nfc在金屬后殼的有效面積，提高了性能。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1為基于金屬后殼的無(wú)天線的nfc結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為基于金屬后殼的無(wú)天線的nfc結(jié)構(gòu)的nfc模塊的匹配電路原理圖。

圖中示出：

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變化和改進(jìn)。這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明提供的一種基于金屬后殼的無(wú)天線的nfc結(jié)構(gòu)，包括nfc模塊4、二段金屬以及雙絞線2，其中：二段金屬包括上段金屬1和下段金屬3，上段金屬1和下段金屬3的連通關(guān)系可以是不導(dǎo)通狀態(tài)，也可以是部分導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)上段金屬1和下段金屬3為部分導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，上段金屬1和下段金屬3通過(guò)部分連根連接。為更好的實(shí)現(xiàn)nfc功能，部分連根的寬度不超過(guò)2mm。

上段金屬1和下段金屬3之間設(shè)置有橫向槽5；下段金屬3還包括豎槽6和鏤空區(qū)域7，鏤空區(qū)域7通過(guò)豎槽6連通橫向槽5；為了更好的實(shí)現(xiàn)nfc功能，設(shè)定橫向槽5的寬度大于1mm；豎槽6的寬度大于1mm，長(zhǎng)度大于3mm。

雙絞線2包括連接下段金屬3和nfc模塊4的兩根導(dǎo)電線?；诮饘俸髿さ臒o(wú)天線的nfc結(jié)構(gòu)還包括第一nfc彈片9和第二nfc彈片10，第一nfc彈片9和第二nfc彈片10分別設(shè)置于下段金屬3的頂部的兩端，用于連接導(dǎo)電線。

進(jìn)一步說(shuō)明，基于金屬后殼的無(wú)天線的nfc結(jié)構(gòu)還包括第一去耦電感l(wèi)1和第二去耦電感l(wèi)2，其中：第一去耦電感l(wèi)1一端連接nfc模塊4一端，另一端通過(guò)導(dǎo)電線連接第一nfc彈片9；第二去耦電感l(wèi)2一端連接nfc模塊4的另一端，另一端通過(guò)導(dǎo)電線連接第二nfc彈片10。下段金屬3和橫向槽5、豎槽6以及鏤空區(qū)域7輻射性能。

進(jìn)一步所述，第一nfc彈片9和第二nfc彈片10的高度一致且第一nfc彈片9和第二nfc彈片10連接形成的直線位置不低于鏤空區(qū)域7。保證nfc天線的電流走向8能夠完整的圍繞鏤空區(qū)域7。同時(shí)，增大鏤空區(qū)域7的尺寸有助于增加nfc在金屬后殼的有效面積。此外，第一nfc彈片9和第二nfc彈片10的位置越偏兩側(cè)，越靠近橫向槽5，實(shí)現(xiàn)nfc的效果越好。

如圖2所示，所述nfc模塊4包括依次連接的nfc芯片、濾波電路、疊層天線c以及調(diào)試匹配電路。所述濾波電路包括依次串聯(lián)的電感l(wèi)3、電容c1、電容c2以及電感l(wèi)4，電感l(wèi)3和電感l(wèi)4連接nfc芯片兩端；電容c1和電容c2連接處接地；所述調(diào)試匹配電路包括依次串聯(lián)的電容c5、電容c3、電容c4以及電容c6，其中電容c3和電容c4連接處接地。

所述疊層天線c一端分別連接電容c1、電感l(wèi)3的連接處和電容c2、電感l(wèi)4的連接處；另一端分別連接電容c5和電容c6。

電容c5和電容c3的連接處連接第一去耦電感l(wèi)1的一端；電容c6和電容c4的連接處連接第二去耦電感l(wèi)2的一端。

以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變化或修改，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。在不沖突的情況下，

本技術(shù)：
的實(shí)施例和實(shí)施例中的特征可以任意相互組合。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種基于金屬后殼的無(wú)天線的NFC結(jié)構(gòu)，包括NFC模塊、二段金屬以及雙絞線，其中：所述二段金屬包括上段金屬和下段金屬，所述上段金屬和下段金屬之間設(shè)置有橫向槽；所述下段金屬還包括豎槽和鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域通過(guò)所述豎槽連通所述橫向槽；所述雙絞線包括連接所述下段金屬和所述NFC模塊的兩根導(dǎo)電線。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)：通過(guò)無(wú)天線的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)NFC功能，無(wú)需NFC天線和鐵氧體，節(jié)省成本，節(jié)約手機(jī)空間；巧妙地利用金屬后殼代替天線，NFC在金屬后殼上的走線形式相當(dāng)于是在豎槽以及鏤空區(qū)域饒了一圈；大大增加了NFC在金屬后殼的有效面積，提高了性能。

技術(shù)研發(fā)人員：梁浩;馬超;潘英鶴;王宗順
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海德門電子科技有限公司;深圳市海德門電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.04
技術(shù)公布日：2017.09.22