1.一種光伏裝置，其特征在于，包含：
一基板，具有相對的一第一側(cè)及一第二側(cè)，該基板具有一第一摻雜型；
一第一摻雜區(qū)，位于該基板的該第一側(cè)，該第一摻雜區(qū)具有一第二摻雜型，該第二摻雜型的摻雜類型相反于該第一摻雜型；
一第二摻雜區(qū)，位于該基板的該第一側(cè)且與該第一摻雜區(qū)至少部分重迭，該第二摻雜區(qū)具有該第一摻雜型，且該第二摻雜區(qū)的摻雜濃度大于該基板的摻雜濃度；
一第三摻雜區(qū)，位于該基板的該第一側(cè)，該第三摻雜區(qū)至少部分重迭該第一摻雜區(qū)及至少部分重迭該第二摻雜區(qū)，該第三摻雜區(qū)具有該第二摻雜型，且該第三摻雜區(qū)的摻雜濃度大于該第一摻雜區(qū)的摻雜濃度；
一第一電極，設(shè)置該基板的該第一側(cè)上，該第一電極電連接該第三摻雜區(qū)；以及
一第二電極，設(shè)置該基板的該第一側(cè)上，該第二電極電連接該第二摻雜區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其特征在于，更包含：
一第四摻雜區(qū)，位于該基板的該第一側(cè)且與該第三摻雜區(qū)部分重迭，
其中，該第四摻雜區(qū)部分重迭該第一摻雜區(qū)及部分重迭該第二摻雜區(qū)，該第四摻雜區(qū)具有該第一摻雜型，且該第四摻雜區(qū)的摻雜濃度大于該第二摻雜區(qū)的摻雜濃度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光伏裝置，其特征在于，該第二摻雜區(qū)通過電連接該第四摻雜區(qū)以電連接該第二電極。
4.一種光伏裝置，其特征在于，包含：
一基板，具有相對的一第一側(cè)及一第二側(cè)，該基板具有一第一摻雜型；
多數(shù)第一摻雜區(qū)，沿一第一方向間隔設(shè)置于該基板的該第一側(cè)，各該第一摻雜區(qū)具有一第二摻雜型，該第二摻雜型的摻雜類型相反于該第一摻雜型；
多數(shù)第二摻雜區(qū)，沿該第一方向間隔設(shè)置于該基板的該第一側(cè)，且各該第二摻雜區(qū)部分重迭相鄰的該第一摻雜區(qū)，該第二摻雜區(qū)具有該第一摻雜型，且該第二摻雜區(qū)的摻雜濃度大于該基板的摻雜濃度；
多數(shù)第三摻雜區(qū)，沿與該第一方向相交的一第二方向間隔設(shè)置于該基板的該第一側(cè)，各該第三摻雜區(qū)橫越該多數(shù)第一摻雜區(qū)及該多數(shù)第二摻雜區(qū)，該第三摻雜區(qū)具有該第二摻雜型，且該第三摻雜區(qū)的摻雜濃度大于該第一摻雜區(qū)的摻雜濃度；
一第一電極，設(shè)置于該基板的該第一側(cè)上，該第一電極電連接各該第三摻雜區(qū)；以及
一第二電極，設(shè)置該基板的該第一側(cè)上，該第二電極電連接各該第二摻雜區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光伏裝置，其特征在于，更包含：
多數(shù)第四摻雜區(qū)，沿該第二方向間隔設(shè)置于該基板的該第一側(cè)，各該第四摻雜區(qū)橫越該多數(shù)第一摻雜區(qū)及該多數(shù)第二摻雜區(qū)，且各該第四摻雜區(qū)部分重迭相鄰的該第三摻雜區(qū)，該第四摻雜區(qū)具有該第一摻雜型，且該第四摻雜區(qū)的摻雜濃度大于該第二摻雜區(qū)的摻雜濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光伏裝置，其特征在于，各該第二摻雜區(qū)通過電連接對應(yīng)的該第四摻雜區(qū)以電連接該第二電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光伏裝置，其特征在于，該第一電極包含：
多數(shù)第一接點部，分別位于該多數(shù)第三摻雜區(qū)上；
多數(shù)第一線路，沿該第一方向間隔設(shè)置且沿該第二方向延伸，以分別連接同一行的該多數(shù)第一接點部；以及
一第一連接部，沿該第一方向延伸且連接于該多數(shù)第一線路部的同一端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光伏裝置，其特征在于，該第二電極包含：
多數(shù)第二接點部，分別位于該多數(shù)第三摻雜區(qū)之間且對應(yīng)該多數(shù)第二摻雜區(qū)；
多數(shù)第二線路部，沿該第一方向間隔設(shè)置且沿該第二方向延伸，以分別連接同一行的該多數(shù)第二接點部，該多數(shù)第二線路部系與該多數(shù)第一線路部交錯分離設(shè)置；以及
一第二連接部，沿該第一方向延伸且連接于該多數(shù)第二線路部的同一端，該第一連接部及該第二連接部系位于該基板的相對兩側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的光伏裝置，其特征在于，更包含：
一第五摻雜區(qū)，位于該基板的該第二側(cè)，
其中該第五摻雜區(qū)具有該第一摻雜型，且該第五摻雜區(qū)的摻雜濃度大于該基板的摻雜濃度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的光伏裝置，其特征在于，該基板的該第二側(cè)具有紋理化結(jié)構(gòu)，且該紋理化結(jié)構(gòu)包含多數(shù)峰部及多數(shù)谷部，各該峰部與相鄰的該谷部之間的距離為4～5微米。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的光伏裝置，其特征在于，更包含：
一介電層，覆蓋于該基板的該第一側(cè)，且該第一電極及該第二電極系通過該介電層分別電連接該第三摻雜區(qū)及該第二摻雜區(qū)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的光伏裝置，其特征在于，該第一摻雜區(qū)具有一深度，該深度系1.5～2.5微米，該第二摻雜區(qū)具有一深度，該深度系0.8～1.2微米，以及該第三摻雜區(qū)具有一深度，該深度系0.4～0.6微米。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的光伏裝置，其特征在于，該第二摻雜區(qū)的摻雜濃度系為該第一摻雜區(qū)的2～5倍，該第三摻雜區(qū)的摻雜濃度系為該第二摻雜區(qū)的2～5倍。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的光伏裝置，其特征在于，該第一摻雜型為N型及P型其中的一者，且該第二摻雜型為N型及P型其中的另一者。