本發(fā)明的實(shí)施方式涉及基板處理裝置。
背景技術(shù):
基板處理裝置是在半導(dǎo)體或液晶面板等的制造工序中,向晶片或液晶基板等基板表面供給處理液(例如,抗蝕劑剝離液、清洗液等),對(duì)基板表面進(jìn)行處理的裝置。作為該基板處理裝置,提出有片式的基板處理裝置,該裝置為了提高基板處理效率,對(duì)旋轉(zhuǎn)的基板上的處理液進(jìn)行加熱,并利用該處理液的性質(zhì)、熱量來(lái)處理基板表面。
在該單片式的基板處理裝置中,為了均勻地處理基板表面,使基板表面上的液溫均勻非常重要。因此,在與基板表面相對(duì)置并離開(kāi)的位置設(shè)置處理液保持板,并由加熱器對(duì)該處理液保持板加熱。并且,此時(shí),在基板表面與處理液保持板之間(例如,幾mm)存在的處理液被處理液保持板均勻地加熱。
詳細(xì)而言,處理液保持板被設(shè)置為供處理液供給管貫通,處理液被從處理液供給管的開(kāi)口排出。處理液被從該排出口向基板表面供給,并在處理液保持板與基板表面的間隙擴(kuò)展,被保持于該間隙。該處理液被由加熱器加熱后的處理液保持板加熱。此外,處理液保持板被設(shè)置為能夠在升降方向上移動(dòng)。另外,在處理液保持板的與基板側(cè)相反的一側(cè)的表面設(shè)置有溫度傳感器(例如,熱電偶等)。
在該基板處理裝置中,基板處理結(jié)束后,在使處理液保持板上升而從基板表面遠(yuǎn)離時(shí),也從排出口繼續(xù)排出處理液。這是為了即使附著在處理液保持板的基板側(cè)的表面上的液滴下落,也能夠在基板表面使處理液的層存在從而抑制水印的產(chǎn)生。此外,在處理液保持板從規(guī)定的處理位置上升后的狀態(tài)下,雖然附著在處理液保持板的基板側(cè)的表面的液滴的多數(shù)由于處理液保持板進(jìn)行的加熱(加熱處理液程度的加熱)而漸漸變小并最終蒸發(fā)(蒸發(fā)需要時(shí)間),但若在其蒸發(fā)前液滴彼此接觸而成為一體,則有可能向基板表面下落。
例如,在使上述的處理液保持板上升并從基板表面遠(yuǎn)離后,雖然處理液的排出被停止,但此時(shí),液滴有可能附著在處理液保持板的排出口的周圍。有時(shí),附著在排出口的周圍的液滴在蒸發(fā)前,由于處理液保持板的傾斜或氣流等而移動(dòng),與附著在處理液保持板的基板側(cè)的表面上的蒸發(fā)前的其他液滴接觸而一體化,并向基板表面下落。這對(duì)于結(jié)束了處理的基板表面來(lái)說(shuō),是造成水印等的品質(zhì)不良的原因。
另外,處理液的供給停止后,附著在排出口的周圍或其他位置的液滴由于處理液保持板的傾斜或氣流等而移動(dòng),有時(shí)附著在處理液保持板的基板側(cè)的表面中與溫度傳感器對(duì)置的檢測(cè)位置。此時(shí),受液滴的影響,溫度傳感器變得難以準(zhǔn)確地測(cè)定處理液保持板的溫度。因此,難以使處理液保持板的溫度、即加熱器溫度的控制穩(wěn)定。這是因?yàn)殡y以將處理液溫度維持為所希望的溫度,而造成處理不足等品質(zhì)不良的原因。
此外,即使基板處理結(jié)束,加熱器也進(jìn)行驅(qū)動(dòng),并進(jìn)行穩(wěn)定的加熱器溫度的控制。這是因?yàn)槿粼谔幚斫Y(jié)束后停止加熱器,則在處理新的基板時(shí),從開(kāi)始由加熱器進(jìn)行的加熱起至使處理液保持板達(dá)到規(guī)定的溫度為止需要時(shí)間。即,需要即使在處理液保持板上升時(shí)也進(jìn)行加熱器的溫度控制,以便即使搬入新的未處理的基板也能夠立刻開(kāi)始處理。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明所要解決的課題在于,提供能夠抑制基板產(chǎn)生品質(zhì)不良的基板處理裝置。
實(shí)施方式的基板處理裝置具有保持基板的基板保持部;處理液保持板,具有排出處理液的排出口,并設(shè)于與由基板保持部保持的基板的表面對(duì)置并離開(kāi)的位置,在與由基板保持部保持的基板的表面之間保持從排出口排出的處理液;加熱器,設(shè)于處理液保持板,對(duì)處理液保持板進(jìn)行加熱;升降機(jī)構(gòu),使處理液保持板以及加熱器相對(duì)于由基板保持部保持的基板升降;以及疏液層,以包圍排出口的方式呈環(huán)狀設(shè)置于處理液保持板的基板側(cè)的表面,并排斥處理液。
實(shí)施方式的基板處理裝置具有:保持基板的基板保持部;處理液保持板,具有排出處理液的排出口,并設(shè)于與由基板保持部保持的基板的表面對(duì)置并離開(kāi)的位置,在與由基板保持部保持的基板的表面之間保持從排出口排出的處理液;加熱器,設(shè)于處理液保持板,對(duì)處理液保持板進(jìn)行加熱;升降機(jī)構(gòu),使處理液保持板以及加熱器相對(duì)于由基板保持部保持的基板升降;溫度傳感器,設(shè)于處理液保持板,并檢測(cè)處理液保持板的溫度;以及疏液層,以與溫度傳感器對(duì)置的方式設(shè)置在處理液保持板的基板側(cè)的面上,并排斥處理液。
根據(jù)上述的實(shí)施方式的基板處理裝置,能夠抑制基板產(chǎn)生品質(zhì)不良。
附圖說(shuō)明
圖1為表示第1實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。
圖2為表示第1實(shí)施方式所涉及的處理液保持板的基板側(cè)的表面的俯視圖。
圖3為表示第1實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的基板處理的流程的流程圖。
圖4為表示第1實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的一部分的剖面圖。
圖5為表示第2實(shí)施方式所涉及的處理液保持板的基板側(cè)的表面的俯視圖。
圖6為表示第3實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的一部分的剖面圖。
圖7為表示第3實(shí)施方式所涉及的處理液保持板的基板側(cè)的表面的俯視圖。
圖8為表示第4實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的一部分的剖面圖。
具體實(shí)施方式
<第1實(shí)施方式>
參照?qǐng)D1至圖4說(shuō)明第1實(shí)施方式。
如圖1所示,第1實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置10具備基板保持板20、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)30、處理液保持板40、供液部50、升降機(jī)構(gòu)60、以及控制部70。
基板保持板20被置于成為處理室的處理箱(未圖示)的大致中央附近,并被設(shè)為能夠在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。該基板保持板20具有多個(gè)銷等基板保持部件21,通過(guò)這些基板保持部件21以能夠裝卸的方式保持晶片或液晶基板等基板w?;灞3职?0作為保持基板w的基板保持部發(fā)揮功能。在該基板保持板20的中央連結(jié)有柱狀的旋轉(zhuǎn)體22。此外,基板保持板20的形狀是與基板w相同的圓形狀,基板保持板20的平面的大小比基板w的平面的大小大。
旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)30具有將柱狀的旋轉(zhuǎn)體22保持為能夠旋轉(zhuǎn)的保持部及成為使旋轉(zhuǎn)體22旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)源的馬達(dá)(均未圖示)等。該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)30通過(guò)馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)使旋轉(zhuǎn)體22以及基板保持板20旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)30電連接于控制部70,通過(guò)控制部70控制其驅(qū)動(dòng)。
處理液保持板40設(shè)置于與基板保持板20上的基板w相對(duì)置并離開(kāi)的位置,并形成為能夠通過(guò)升降機(jī)構(gòu)60在升降方向上移動(dòng)。處理液保持板40具有排出處理液s的排出口40a。在該處理液保持板40的周緣部形成有向與基板保持板20相反的一側(cè)豎立的壁40b。處理液保持板40以相對(duì)于基板保持板20上的基板w的規(guī)定的分離距離(例如,4mm以下),在與基板保持板20上的基板w之間保持處理液s。處理液保持板40由具有熱傳導(dǎo)性的材料形成。此外,處理液保持板40的形狀是與基板w相同的圓形狀,處理液保持板40的平面的大小為基板w的平面以上即可,但優(yōu)選大于基板w的平面。
供液部50具備處理液供給管51、以及液存積部52。處理液供給管51的一端部被設(shè)置為貫通處理液保持板40以及加熱器41,并固定于處理液保持板40。該處理液供給管51的開(kāi)口作為處理液保持板40的排出口40a發(fā)揮功能。液存積部52具備存積各種處理液(例如,純水或硫酸、過(guò)氧化氫水、氨水、磷酸等)的處理液槽(未圖示)。該液存積部52構(gòu)成為能夠通過(guò)多個(gè)電磁閥等的開(kāi)閉從各處理液槽向處理液供給管51流入所希望的處理液s。液存積部52與控制部70電連接,其驅(qū)動(dòng)通過(guò)控制部70控制。
這里,在上述的處理液保持板40的與基板側(cè)相反的一側(cè)的面設(shè)置有加熱器41,并且,設(shè)置有多個(gè)(在圖1的例中為二個(gè))溫度傳感器42。另一方面,在處理液保持板40的基板側(cè)的面上,疏液層43被設(shè)置成環(huán)狀以包圍排出口40a。
加熱器41對(duì)處理液保持板40的與基板w側(cè)相反的一側(cè)的面均等地加熱,將處理液保持板40整體保持為規(guī)定溫度。作為加熱器41,例如使用片狀的加熱器。該加熱器41與控制部70電連接,其驅(qū)動(dòng)通過(guò)控制部70控制。
各溫度傳感器42設(shè)置于以基板保持板20的旋轉(zhuǎn)軸a1為中心的圓周上。這些溫度傳感器42與控制部70電連接,各檢測(cè)信號(hào)(檢測(cè)溫度)被發(fā)送至控制部70。控制部70根據(jù)各檢測(cè)溫度,調(diào)整加熱器41的溫度以將處理液保持板40整體維持為規(guī)定溫度。作為溫度傳感器42,例如使用熱電偶等。
如圖2所示,疏液層43與圓形的排出口40a的形狀相對(duì)應(yīng)地形成為圓環(huán)狀,并具有規(guī)定的寬度。該規(guī)定的寬度至少是基板w的半徑以下。疏液層43由排斥處理液s的材料(例如,pfa或ptfe等的氟樹(shù)脂)形成。該區(qū)域相對(duì)于處理液s的潤(rùn)濕性較其他區(qū)域相比較差,是處理液s的液滴難以附著的區(qū)域。作為疏液層44的材料,多為作為隔熱材料發(fā)揮功能的材料。因此,為了從處理液保持板40向處理液導(dǎo)熱,優(yōu)選使疏液層43相對(duì)于處理液保持板40的設(shè)置區(qū)域狹窄。
此外,排出口40a的中心設(shè)置于偏離基板保持板20的旋轉(zhuǎn)軸a1的位置(偏心)。由此,能夠避免處理液s被持續(xù)向基板保持板20上的基板w的旋轉(zhuǎn)中心供給,能夠抑制該旋轉(zhuǎn)中心的基板溫度與其他位置相比變低。所以,由于抑制了旋轉(zhuǎn)中心的基板溫度降低導(dǎo)致的處理液溫度局部降低,因此可實(shí)現(xiàn)處理液溫度的均勻化。但是,排出口40a也可以不偏心,其中心也可以被定位于基板保持板20的旋轉(zhuǎn)軸a1上而形成。
返回圖1,升降機(jī)構(gòu)60具有保持處理液保持板40的保持部以及使該保持部在升降方向上移動(dòng)的、成為驅(qū)動(dòng)源的馬達(dá)(均未圖示)等。該升降機(jī)構(gòu)60通過(guò)馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)使處理液保持板40在升降方向上移動(dòng)。升降機(jī)構(gòu)60與控制部70電連接,其驅(qū)動(dòng)通過(guò)控制部70控制。
控制部70具備集中控制各個(gè)部的微型計(jì)算機(jī)、存儲(chǔ)有關(guān)基板處理的基板處理信息及各種程序等的存儲(chǔ)部(均未圖示)。該控制部70基于基板處理信息、各種程序來(lái)控制旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)30及加熱器41、供液部50、升降機(jī)構(gòu)60等。例如,控制部70控制基板保持板20的旋轉(zhuǎn)動(dòng)作、加熱器41的加熱動(dòng)作、供液部50的供液動(dòng)作、處理液保持板40的升降動(dòng)作等各個(gè)動(dòng)作。
(基板處理工序)
接下來(lái),說(shuō)明上述的基板處理裝置10所進(jìn)行的基板處理的流程。
首先,作為基板處理前的準(zhǔn)備,在處理開(kāi)始前使加熱器41通電,通過(guò)該通電了的加熱器41對(duì)處理液保持板40的與基板w側(cè)相反的一側(cè)的面(上表面)進(jìn)行均等地加熱,處理液保持板40的整體被維持為規(guī)定溫度(例如,溫度范圍100℃~400℃內(nèi)的溫度)。該規(guī)定溫度是能夠提高處理液s的處理能力(例如,抗蝕劑去除能力)的溫度。
接著,如圖3所示,在步驟s1中,在處理液保持板40上升至最高位點(diǎn)的狀態(tài)下,處理對(duì)象的基板w通過(guò)機(jī)器人搬運(yùn)裝置(未圖示)等被搬入該處理液保持板40與基板保持板20之間,基板w的周圍部分通過(guò)各基板保持部件21而保持,基板w被搬入基板保持板20上。此時(shí),基板w的中心被定位成與基板保持板20的旋轉(zhuǎn)軸a1一致。
在步驟s2中,處理液保持板40通過(guò)升降機(jī)構(gòu)60下降至與基板保持板20上的基板w的表面之間形成規(guī)定的間隙(例如,4mm以下)的位置(參照?qǐng)D1)。然后,通過(guò)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)30,基板保持板20以低速的規(guī)定速度(例如,50rpm左右)旋轉(zhuǎn)。由此,基板w與基板保持板20一起以上述的低速的規(guī)定速度旋轉(zhuǎn)。
在步驟s3中,在處理液保持板40與基板保持板20上的基板w的分離距離成為規(guī)定距離、基板w以低速的規(guī)定速度旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下,處理液s被從處理液保持板40的排出口40a向基板w的表面供給。具體而言,從液存積部52向處理液供給管51流入硫酸以及過(guò)氧化氫水。此時(shí),硫酸與過(guò)氧化氫水混合,該混合而成的處理液s被通過(guò)處理液供給管51從排出口40a向旋轉(zhuǎn)的基板w的表面供給。
向旋轉(zhuǎn)的基板w的表面供給的處理液s由于基板w的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力而向基板w的表面整體擴(kuò)展。于是,處理液保持板40與基板w的表面之間的間隙被處理液s填滿,由于處理液s的表面張力,處理液s在基板w的表面被保持為層狀(參照?qǐng)D1)。該層狀的處理液s通過(guò)被加熱器41加熱了的處理液保持板40而整體上被加熱并被維持為高溫(例如,溫度范圍100℃~400℃內(nèi)的溫度)。然后,通過(guò)被維持為該高溫而提高了處理能力(例如,抗蝕劑去除能力)的處理液s,對(duì)基板w的表面進(jìn)行處理。在該狀態(tài)下,若從處理液供給管51連續(xù)地供給處理液s,則盡管基板w的表面的處理液s被新的處理液s替換,但維持層狀的形態(tài)。到達(dá)旋轉(zhuǎn)的基板w的外周部分的處理液s從該外周部分依次作為廢液而下落。
這里,伴隨上述的基板處理,雖然處理液s被基板w奪取熱量(基板w被加熱),但通過(guò)處理液保持板40上的加熱器41的作用,向溫度降低的處理液s供給降低部分的熱。該供給熱量通過(guò)將處理液保持板40的溫度保持為恒定來(lái)進(jìn)行控制。雖然處理液s在旋轉(zhuǎn)的基板w的表面上流動(dòng),但在從向基板w上供給處理液s起至從外周部分流落為止的期間,能夠通過(guò)加熱器41的溫度控制而不使基板w的表面溫度降低地以相同的溫度條件進(jìn)行處理。
之后,若從上述的處理液s的供給開(kāi)始起經(jīng)過(guò)規(guī)定的處理時(shí)間,則停止處理液s的供給,作為其接下來(lái)的處理液s的純水以與上述相同的方式被向基板w的表面供給,從而清洗基板w的表面。另外,若從純水的供給開(kāi)始起經(jīng)過(guò)規(guī)定的處理時(shí)間,則停止純水的供給,混合過(guò)氧化氫水、純水以及氨水作為其接下來(lái)的處理液s,并將該混合而成的apm向基板w的表面供給。進(jìn)而,若從apm的供給開(kāi)始起經(jīng)過(guò)規(guī)定的處理時(shí)間,則停止apm的供給,作為其接下來(lái)的處理液s的純水以與上述相同的方式被向基板w的表面供給,從而清洗基板w的表面。此時(shí),處理液保持板40的基板w側(cè)的表面也同時(shí)由純水進(jìn)行清洗。
在步驟s4中,如圖4所示,由上述的純水進(jìn)行的第二次的清洗處理結(jié)束后,從處理液供給管51繼續(xù)排出處理液s,且處理液保持板40通過(guò)升降機(jī)構(gòu)60上升至最高位點(diǎn),之后,停止處理液s的供給。此時(shí),處理液供給管51內(nèi)被設(shè)為負(fù)壓,從而能夠抑制液滴從排出口40a下落到基板保持板20上的基板w的表面。
此外,在處理液保持板40上升時(shí),持續(xù)流出處理液s。這是為了在處理液保持板40上升時(shí),即使附著在處理液保持板40的基板w側(cè)的表面的液滴下落,也會(huì)在基板表面使處理液s的層存在從而抑制水印的產(chǎn)生,并且,也為了抑制基板w向處理液保持板40粘附。
這里,上述的處理液保持板40的實(shí)際的溫度變化取決于處理液s的溫度。將過(guò)氧化氫水與硫酸的混合液作為處理液s的情況下,在高溫處理(100℃~400℃內(nèi)的溫度)中,處理液保持板40的熱量被向混合液供給。處理液保持板40的熱量雖然被混合液奪取,但混合液由于在混合時(shí)產(chǎn)生的反應(yīng)熱而處于高溫,因此從處理液保持板40奪取的熱量較小,處理液保持板40的溫度不會(huì)大幅降低。此外,也有時(shí)混合液被通過(guò)加熱器等的加熱裝置預(yù)先加熱并供給。另一方面,將純水(例如,25℃)作為處理液s的情況下,處理液保持板40與純水的溫度差較大,處理液保持板40的熱量被純水奪取。換句話說(shuō),若處理液保持板40的基板w側(cè)的表面與純水接觸規(guī)定時(shí)間、則處理液保持板40的溫度大幅降低,處理液保持板40的溫度成為90℃~100℃左右。之后,若處理液保持板40上升、則處理液保持板40的基板w側(cè)的表面下降至純水的液滴能夠存在的溫度,但由于加熱器41的加熱導(dǎo)致熱量向處理液保持板40的基板w側(cè)的表面?zhèn)鬟f,因此附著在該表面的液滴漸漸蒸發(fā)。
在步驟s5中,基板保持板20通過(guò)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)30以高速(例如,1500rpm左右)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。由此,基板w與基板保持板20一起以高速進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。若基板w高速旋轉(zhuǎn)則殘留在基板w上的水分因離心力而飛散,基板w上的水分被除去。
在步驟s6中,若上述的基板w的干燥處理結(jié)束,則停止基板保持板20的旋轉(zhuǎn),通過(guò)機(jī)器人搬運(yùn)裝置(未圖示)等將保持在基板保持板20上的處理完畢的基板w搬出。之后,依次按照與上述相同的順序(步驟s1~s6)對(duì)基板w執(zhí)行處理。
根據(jù)上述的基板處理工序,處理液保持板40被加熱器41均等地加熱,在保持于基板保持板20上的基板w的表面,處理液s被保持為層狀,該層狀的處理液s通過(guò)處理液保持板40而整體上被加熱。由此,能夠更高效地加熱處理液s。并且,由于在在層狀的處理液s始終被保持于基板w的表面的狀態(tài)下對(duì)基板w的表面進(jìn)行處理,因此能夠無(wú)浪費(fèi)而高效地使用該處理液s地處理基板w的表面。
另外,如圖4所示,在處理液保持板40從基板w的表面離開(kāi)、處理液s(純水)被供給的期間或停止該供給時(shí)等,能夠通過(guò)排出口40a的周緣的疏液層43抑制從排出口40a排出的處理液s附著在排出口40a的周圍。換句話說(shuō),由于抑制液滴(處理液s)向排出口40a的周圍附著這種情況本身,因此能夠抑制附著在排出口40a的周圍的液滴因處理液保持板40的傾斜或氣流等而移動(dòng),與附著在處理液保持板40的基板w側(cè)的表面的蒸發(fā)前的其他液滴接觸而一體化,并向基板w的表面下落。并且,還能夠抑制在處理液s的供給停止后、附著在處理液供給管51的壁面的液體從排出口40a向處理液保持板40的基板w側(cè)的表面流出,并與附著在處理液保持板40的基板w側(cè)的表面的蒸發(fā)前的其他液滴接觸而一體化,并向基板w的表面下落。
這里,有時(shí)在處理液s的供給停止后,附著在處理液供給管51的壁面的液體由于重力而沿著處理液供給管51的壁面朝向排出口40a流動(dòng),并從排出口40a向處理液保持板40的基板w側(cè)的表面流出。有時(shí)該流出的液體與附著在處理液保持板40的基板w側(cè)的表面的蒸發(fā)前的其他液滴接觸而一體化,并向基板w的表面下落。這對(duì)結(jié)束了處理的基板w的表面來(lái)說(shuō)是造成水印等品質(zhì)不良的原因。此外,有時(shí)在處理液s的供給停止后,即使使處理液供給管51內(nèi)為負(fù)壓,附著在處理液供給管51的壁面的液體也會(huì)沿著該壁面朝向排出口40a流動(dòng),并從排出口40a向處理液保持板40的基板w側(cè)的表面流出。
如以上說(shuō)明那樣,根據(jù)第1實(shí)施方式,通過(guò)在處理液保持板40的基板w側(cè)的表面將疏液層43設(shè)置成包圍處理液保持板40的排出口40a的環(huán)狀,能夠抑制處理液s作為液滴附著于排出口40a的周圍或從排出口40a向處理液保持板40的基板w側(cè)的表面流出。由此,因?yàn)槟軌蛞种茝奶幚硪罕3职?0向基板w的表面的液滴下落,因此能夠抑制水印等品質(zhì)不良的發(fā)生。
<第2實(shí)施方式>
參照?qǐng)D5說(shuō)明第2實(shí)施方式。此外,在第2實(shí)施方式中,對(duì)與第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)(疏液層的尺寸)進(jìn)行說(shuō)明,并省略其他的說(shuō)明。
如圖5所示,第2實(shí)施方式的疏液層43a形成為圓環(huán)狀。該圓環(huán)狀的疏液層43a包含排出口40a及旋轉(zhuǎn)軸a1所通過(guò)的位置,并形成為位于比各溫度傳感器42更靠基板w的內(nèi)側(cè)的尺寸。圓環(huán)狀的疏液層43a的半徑大于第1實(shí)施方式,作為一個(gè)例子,該半徑為處理液保持板40的半徑以下。這樣的圓環(huán)狀的疏液層43a與第1實(shí)施方式相比,由于遠(yuǎn)離處理液保持板40的排出口40a,因此能夠抑制因從排出口40a排出的處理液s導(dǎo)致的疏液層43a的邊緣部剝離或損傷。
如以上說(shuō)明那樣,根據(jù)第2實(shí)施方式,能夠獲得與第1實(shí)施方式相同的效果。并且,與第1實(shí)施方式相比,通過(guò)使環(huán)狀的疏液層43a的至少一部分遠(yuǎn)離排出口40a,能夠抑制處理液s導(dǎo)致的疏液層43a的剝離或損傷的發(fā)生。
<第3實(shí)施方式>
參照?qǐng)D6以及圖7說(shuō)明第3實(shí)施方式。此外,在第3實(shí)施方式中,對(duì)與第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)(疏液層的設(shè)置位置)進(jìn)行說(shuō)明,并省略其他的說(shuō)明。
如圖6以及圖7所示,第3實(shí)施方式所涉及的疏液層44在處理液保持板40的基板w側(cè)的面上被設(shè)置成與溫度傳感器42對(duì)置,并形成為圓環(huán)狀。另外,疏液層45也在處理液保持板40的基板w側(cè)的面上被設(shè)置成與溫度傳感器42對(duì)置,并形成為圓環(huán)狀。此外,在第3實(shí)施方式中,雖沒(méi)有設(shè)置第1實(shí)施方式所涉及的疏液層43,但不限于此,也可以一同設(shè)置。
環(huán)狀的疏液層44、45在圖7的俯視中,形成為分別包圍所對(duì)應(yīng)的溫度傳感器42的測(cè)溫位置。根據(jù)這些環(huán)狀的疏液層44、45,在處理液保持板40為石英等透明或半透明部件的情況下,能夠從處理液保持板40的基板w側(cè)的表面目視確認(rèn)溫度傳感器42的測(cè)溫位置。另外,由于在溫度傳感器42的緊下方未形成疏液層44、45,因此易于通過(guò)溫度傳感器42檢測(cè)處理液的溫度。
此外,疏液層44、45的環(huán)形狀不限于圓形,也可以是橢圓或長(zhǎng)方形等的形狀。另外,疏液層44、45也可以形成為在圖7的俯視中覆蓋溫度傳感器42的測(cè)溫位置的圓、橢圓、長(zhǎng)方形等形狀而非環(huán)形狀。
疏液層44、45與第1實(shí)施方式同樣地由排斥處理液s的材料(例如,pfa或ptfe等的氟樹(shù)脂)形成。這些區(qū)域相對(duì)于處理液s的潤(rùn)濕性與其他區(qū)域相比較差,是處理液s的液滴難以附著的區(qū)域。作為疏液層44、45的材料,多為作為隔熱材料發(fā)揮功能的材料。因此,為了從處理液保持板40向處理液導(dǎo)熱,優(yōu)選使疏液層44、45相對(duì)于處理液保持板40的設(shè)置區(qū)域狹窄。
如上所述那樣,環(huán)狀的疏液層44、45被設(shè)置成在處理液保持板40的基板w側(cè)的面中包圍與各溫度傳感器42對(duì)置的檢測(cè)位置。由此,能夠抑制附著在排出口40a的周圍或環(huán)狀的疏液層44、45的外部區(qū)域(環(huán)外的區(qū)域)的液滴、以及從排出口40a向處理液保持板40的基板w側(cè)的表面流出的液體向環(huán)狀的疏液層44、45的內(nèi)部區(qū)域(環(huán)內(nèi)的區(qū)域)進(jìn)入,因此能夠抑制液滴向與各溫度傳感器42對(duì)置的檢測(cè)位置附著,能夠防止液滴造成的誤檢測(cè)。換句話說(shuō),溫度傳感器42能夠準(zhǔn)確地測(cè)定處理液保持板40的溫度。另外,也能夠抑制由誤檢測(cè)引起的加熱器溫度的不穩(wěn)定的控制。因此,能夠使加熱器41的溫度控制穩(wěn)定,能夠?qū)⑻幚硪簻囟染S持為所希望的溫度。
此外,在處理液保持板40上升時(shí),即使液滴附著在處理液保持板40的環(huán)狀的疏液層44、45內(nèi),也由于處理液保持板40的加熱而漸漸變小并蒸發(fā)。在該干燥后,也通過(guò)環(huán)狀的疏液層44、45抑制附著在排出口40a的周圍及環(huán)狀的疏液層44、45的外部區(qū)域的液滴、以及從排出口40a向處理液保持板40的基板w側(cè)的表面流出的液體,向環(huán)狀的疏液層44、45的內(nèi)部區(qū)域進(jìn)入,從而能夠抑制液滴向檢測(cè)位置附著,能夠防止液滴引起的誤檢測(cè)。
如以上說(shuō)明那樣,根據(jù)第3實(shí)施方式,通過(guò)在處理液保持板40的基板w側(cè)的面上以與各溫度傳感器42對(duì)置的方式設(shè)置環(huán)狀的疏液層44、45,能夠抑制附著在排出口40a的周圍及環(huán)狀的疏液層44、45的外部區(qū)域的液滴、以及從排出口40a向處理液保持板40的基板w側(cè)的表面流出的液體,向環(huán)狀的疏液層44、45的內(nèi)部區(qū)域進(jìn)入,能夠抑制液滴向與各溫度傳感器42對(duì)置的檢測(cè)位置附著,因此溫度傳感器42能夠準(zhǔn)確地測(cè)定處理液保持板40的溫度。由此,能夠使處理液保持板40的溫度,即加熱器溫度的控制穩(wěn)定。其結(jié)果,能夠?qū)⑻幚硪簻囟染S持為所希望的溫度,能夠抑制處理不足等品質(zhì)不良的發(fā)生。
此外,也能夠組合第3實(shí)施方式與第1實(shí)施方式或者第2實(shí)施方式。即,通過(guò)在排出口40a的周圍設(shè)置疏液層43、43a,并在溫度傳感器42的周圍設(shè)置疏液層44、45,從而能夠防止處理液向排出口40a的周圍及溫度傳感器42的檢測(cè)位置附著。
<第4實(shí)施方式>
參照?qǐng)D8說(shuō)明第4實(shí)施方式。此外,在第4實(shí)施方式中說(shuō)明與第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)(疏液層的設(shè)置位置)說(shuō)明,并省略其他的說(shuō)明。
如圖8所示,第4實(shí)施方式所涉及的疏液層46被設(shè)置在處理液保持板40的基板w側(cè)的表面中不與基板w對(duì)置的區(qū)域,并形成為圓環(huán)狀。另外,疏液層47設(shè)置于處理液保持板40的外周面(側(cè)面),并形成為圓環(huán)狀。
疏液層46、47與第1實(shí)施方式相同,由排斥處理液s的材料(例如,pfa或ptfe等的氟樹(shù)脂)形成。這些區(qū)域相對(duì)于處理液s的潤(rùn)濕性與其他區(qū)域相比較差,是處理液s的液滴難以附著的區(qū)域。作為疏液層46、47的材料,作為作為隔熱材料發(fā)揮功能的材料。因此,在處理液保持板40中不與基板w對(duì)置的區(qū)域設(shè)有疏液層46、47。
這里,在未設(shè)置疏液層46、47的情況下,處理液s的液滴有時(shí)向處理液保持板40的基板w側(cè)的表面中不與基板w對(duì)置的外周區(qū)域及處理液保持板40的外周面附著。由于處理液保持板40的外周部分(上述的外周區(qū)域及外周面)不直接與加熱器41接觸(來(lái)自加熱器41的熱量難以遍及處理液保持板40的外周部分)、且與空氣接觸,容易冷卻,有時(shí)附著在該外周部分的液滴難以蒸發(fā)。若該液滴由于通過(guò)機(jī)器人搬運(yùn)裝置(未圖示)搬入或搬出基板w時(shí)的動(dòng)作、振動(dòng)等而向基板w的表面下落,則發(fā)生水印等品質(zhì)不良。
但是,如上述那樣通過(guò)在外周區(qū)域及外周面設(shè)置疏液層46、47,能夠抑制液滴向該外周區(qū)域及外周面附著,因此能夠抑制液下掉落引起的品質(zhì)不良的發(fā)生。
如以上說(shuō)明那樣,根據(jù)第4實(shí)施方式,能夠獲得與第1實(shí)施方式相同的效果。并且,通過(guò)在處理液保持板40的基板w側(cè)的表面中不與基板w對(duì)置的外周區(qū)域以及處理液保持板40的外周面設(shè)置疏液層46、47,能夠抑制液滴向該外周區(qū)域及外周面附著,能夠抑制水印等品質(zhì)不良的發(fā)生。
此外,也可以僅在處理液保持板40的基板w側(cè)的表面中不與基板w對(duì)置的外周區(qū)域、以及處理液保持板40的外周面中的某一方設(shè)置疏液層。另外,還能夠?qū)⒌?實(shí)施方式與第1實(shí)施方式、第2實(shí)施方式、第3實(shí)施方式等組合。
<其他實(shí)施方式>
在上述的各實(shí)施方式中,例示了進(jìn)行最初的處理(例如,抗蝕劑去除處理)后,進(jìn)行使用純水的清洗處理、使用apm的清洗處理、進(jìn)而使用純水的清洗處理這3次清洗處理,但不限于此,例如,也可以省略apm的清洗處理或第一次的純水的清洗處理等,對(duì)該處理的內(nèi)容及次數(shù)不進(jìn)行特別的限定。
另外,在上述的各實(shí)施方式中,例示了向處理液保持板40與基板w的表面之間連續(xù)供給處理液s,但不限于此,例如,也可以在處理液保持板40與基板w的表面之間保持了處理液s的狀態(tài)下,停止處理液s的供給。例如,在使用具有若超過(guò)規(guī)定溫度則急劇提高處理能力的特性的處理液s的情況下等,優(yōu)選在處理液保持板40與基板w的表面之間保持了處理液s的狀態(tài)下,停止處理液s的供給。在這種情況下,停止供給處理液s的新的,在基板w的表面上不替換處理液s而是留存,在其間被加熱的處理液s超過(guò)上述的規(guī)定溫度。
另外,在上述的各實(shí)施方式中,例示了在處理液保持板40的與基板側(cè)相反的一側(cè)的面設(shè)置各溫度傳感器42,但不限于此,例如,也可能夠在處理液保持板40的內(nèi)部設(shè)置各溫度傳感器42,也可以設(shè)為處理液保持板40內(nèi)置有各溫度傳感器42。
以上,說(shuō)明了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式,但這些實(shí)施方式僅作為例子進(jìn)行提示,無(wú)意限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠以其他各種方式來(lái)實(shí)施,在不脫離發(fā)明的要旨的范圍內(nèi),能夠進(jìn)行各種的省略、替換、變更。這些實(shí)施方式及其變形包含于發(fā)明的范圍及要旨中,也包含于權(quán)利要求所記載的發(fā)明及其等效的范圍中。