描述的示例性實施方式涉及用于制造半導(dǎo)體器件的裝置，且更具體地，涉及用于保持襯底的靜電卡盤和襯底處理裝置。

背景技術(shù)：

通常，半導(dǎo)體器件通過應(yīng)用多個單元工藝被制造。單元工藝可以包括薄膜沉積工藝、光刻工藝和蝕刻工藝。等離子體可以主要用于執(zhí)行薄膜工藝和蝕刻工藝。等離子體可以在高溫下處理襯底。靜電卡盤可以通過靜電電壓保持高溫襯底。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

公開的示例性實施方式提供能夠?qū)⒁r底加熱為具有極其穩(wěn)定的或均勻的溫度分布的一種靜電卡盤和一種襯底處理裝置。

根據(jù)示例性實施方式，一種靜電卡盤可以包括：底座；在底座上的電介質(zhì)板；在電介質(zhì)板中的卡盤電極；以及在電介質(zhì)板中的在卡盤電極與底座之間的第一加熱器部分。第一加熱器部分可以包括：在第一方向上彼此分開的多個第一加熱器；以及在所述多個第一加熱器與底座之間的多個第一上板電極。所述多個第一上板電極可以在第一方向上彼此分開并且分別連接到所述多個第一加熱器。

根據(jù)示例性實施方式，一種襯底處理裝置可以包括：腔室；以及構(gòu)造為在腔室中保持襯底的靜電卡盤。靜電卡盤可以包括：底座；在底座上的電介質(zhì)板；在電介質(zhì)板中的卡盤電極；以及在電介質(zhì)板中的在卡盤電極與底座之間的第一加熱器部分。第一加熱器部分可以包括：在第一方向上彼此分開的多個第一加熱器；以及在所述多個第一加熱器與底座之間的多個第一上板電極。所述多個第一上板電極可以在第一方向上彼此分開并且分別連接到所述多個第一加熱器。

附圖說明

圖1示出根據(jù)示例性實施方式的襯底處理裝置。

圖2和3示出圖1的靜電卡盤的一示例。

圖4示出圖2的金屬底座的一示例。

圖5示出圖2的下加熱器部分的一示例。

圖6示出圖2的上加熱器部分的一示例。

圖7示出圖1的靜電卡盤的一示例。

具體實施方式

現(xiàn)在將在下文中參照其中示出各種示例性實施方式的附圖更充分地描述本公開。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式被體現(xiàn)，并且不應(yīng)被解釋為限于在此陳述的示例性實施方式。這些示例性實施方式僅僅是示例，并且不需要在此提供的細(xì)節(jié)的許多實現(xiàn)和變化是可能的。還應(yīng)強(qiáng)調(diào)的是，本公開提供替代示例的細(xì)節(jié)，但是這樣的替代的列表不是窮舉的。此外，各種示例性實施方式之間的細(xì)節(jié)的任何一致性不應(yīng)被解釋為需要這樣的細(xì)節(jié)—為在此描述的每個特征列出每個可能的變化是不切實際的。權(quán)利要求的語言應(yīng)在確定本發(fā)明的要求方面被參考。

雖然在此描述的附圖可以使用諸如“一種實施方式”或“某些實施方式”的語言被引用，但是這些附圖及其相應(yīng)的描述不旨在與另外的附圖或描述互相排斥，除非上下文如此指示。因此，來自某些附圖的某些方面可以與另外的附圖中的某些特征相同，和/或某些附圖可以是特定示例性實施方式的不同表現(xiàn)或不同部分。

將理解，雖然術(shù)語第一、第二、第三等可以在此用于描述各種各樣的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語限制。除非上下文另有說明，否則這些術(shù)語僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開，例如作為命名慣例。因此，以下在說明書的一個部分中討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分能在說明書的另一個部分中或者在權(quán)利要求中被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。此外，在某些情況下，即使術(shù)語在說明書中不使用“第一”、“第二”等來描述，但它在權(quán)利要求中仍然可以被稱為“第一”或“第二”以便將不同的要求保護(hù)的元件彼此區(qū)分開。

還將理解，當(dāng)在本說明書中使用時，術(shù)語“包括”和/或“包含”指定闡明的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但不排除一個或更多個另外的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在或添加。

將理解，當(dāng)一元件被稱為“連接”或“聯(lián)接”到另一元件或“在”另一元件“上”時，它能直接連接或聯(lián)接到所述另一元件或直接在所述另一元件上，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)一元件被稱為“直接連接”或“直接聯(lián)接”到另一元件，或者被稱為“接觸”另一元件或“與”另一元件“接觸”時，沒有中間元件存在。用于描述元件之間的關(guān)系的另外的詞語應(yīng)以類似的方式解釋(例如，“在……之間”與“直接在……之間”，“相鄰”與“直接相鄰”等等)。

在此描述的實施方式將經(jīng)由理想的示意圖參照俯視圖和/或剖面圖被描述。因此，示例性視圖可以取決于制造技術(shù)和/或公差被修改。因此，公開的示例性實施方式不限于視圖中顯示的那些，而是包括在制造工藝的基礎(chǔ)上形成的構(gòu)造上的修改。因此，圖中例示的區(qū)域可以具有示意的性質(zhì)，并且圖中示出的區(qū)域的形狀可以例示元件的區(qū)域的具體形狀，本發(fā)明的方面不限于所述具體形狀。

為了描述的方便，在這里可以使用諸如“在……下面”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”等的空間關(guān)系術(shù)語來描述如圖中所示的一個元件的或特征的與另外的元件(們)或特征(們)的關(guān)系。將理解，除了圖中所繪的取向之外，空間關(guān)系術(shù)語旨在涵蓋裝置在使用或操作中的不同取向。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”另外的元件或特征“下方”或“下面”的元件將取向為“在”所述另外的元件或特征“上方”。因此，術(shù)語“在……下面”能涵蓋上方和下方兩個方向。裝置可以被另行取向(旋轉(zhuǎn)90度或處于另外的取向)，且在此使用的空間關(guān)系描述語被相應(yīng)地解釋。

此外，如在此使用的諸如“在……上方”和“在……下方”的這些空間關(guān)系術(shù)語具有其普通的寬泛含義—例如元件a能在元件b上方，即使當(dāng)向下看這兩個元件時它們之間沒有重疊(正如天空中的某物通常在地面上某物上方，即使它不是直接在上方)。

描述為熱連接或熱連通的組件被布置使得熱將遵循組件之間的路徑以允許熱從第一組件傳遞到第二組件。僅僅因為兩個組件是相同的設(shè)備或封裝的部分，并不使它們熱連接。一般而言，導(dǎo)熱的且直接連接到另外的導(dǎo)熱的或發(fā)熱的組件(或通過中間導(dǎo)熱組件連接到那些組件或者緊密靠近以致允許實質(zhì)上的熱傳遞)的組件將被描述為熱連接到那些組件，或與那些組件熱連通。相反，其間具有隔熱材料的兩個組件不被描述為彼此熱連接或熱連通，所述材料顯著地防止所述兩個組件之間的熱傳遞或僅允許偶然的熱傳遞。術(shù)語“導(dǎo)熱的”或“熱傳導(dǎo)的”不僅僅因為它提供偶然的熱傳導(dǎo)而應(yīng)用于特定材料，而是旨在表示通常作為良好熱導(dǎo)體被熟知的或者被熟知為具有用于傳遞熱的效用的材料，或者具有與那些材料相似的導(dǎo)熱性能的組件。

除非另外規(guī)定，否則在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本公開所屬的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同的含義。還將理解，術(shù)語，諸如通用詞典中定義的術(shù)語，應(yīng)解釋為具有與在相關(guān)技術(shù)和/或本申請的背景下的它們的含義相一致的含義，且將不在理想化的或過度形式化的意義上被解釋，除非在此明確地如此定義。

圖1示出根據(jù)示例性實施方式的襯底處理裝置100。

如圖1中所示，襯底處理裝置100可以包括電感耦合等離子體(icp)蝕刻裝置?；蛘?，襯底處理裝置100可以包括電容耦合等離子體(ccp)蝕刻裝置、機(jī)械氣相沉積裝置或化學(xué)氣相沉積裝置。在一示例性實施方式中，襯底處理裝置100可以包括腔室10、升降單元20、氣體供應(yīng)30、射頻(rf)電極單元40、rf電源單元50、靜電卡盤60、靜電電壓源70和溫度控制器80。襯底w可以提供在腔室10中。升降單元20可以被構(gòu)造為移動腔室10和腔室10中的襯底w。升降單元20可以被構(gòu)造為相對于腔室10移動襯底。氣體供應(yīng)30可以將反應(yīng)氣體16提供進(jìn)腔室10中。rf電極單元40可以使用rf功率(未示出)以將反應(yīng)氣體16激發(fā)成等離子態(tài)。rf電源單元50可以向rf電極單元40提供rf功率。靜電卡盤60可以通過靜電電壓保持襯底w。靜電電壓源70可以向靜電卡盤60提供靜電電壓。溫度控制器80可以監(jiān)視和控制靜電卡盤60的溫度。

腔室10可以向襯底w提供與外部大氣隔離的空間。例如，腔室10可以具有大約10^-3托的壓強(qiáng)。在一示例性實施方式中，腔室10可以包括底部殼體12和頂部殼體14。襯底w可以提供在底部殼體12中。頂部殼體14可以設(shè)置在底部殼體12上。

升降單元20可以安置在底部殼體12之下。升降單元20可以被構(gòu)造為移動底部殼體12。頂部殼體14可以相對地固定于底部殼體12?；蛘?，底部殼體12可以被固定并且頂部殼體14可以在襯底w的垂直方向上被升降單元20移動。在一示例性實施方式中，升降單元20可以包括升降缸22和升降銷24。升降缸22可以驅(qū)動底部殼體12上下移動?；蛘?，升降缸22可以驅(qū)動頂部殼體14上下移動。當(dāng)?shù)撞繗んw12下降并與頂部殼體14分開時，機(jī)器人(未示出)可以將襯底w放置在底部殼體12中的升降銷24上的適當(dāng)位置。升降銷24可以在底部殼體12中將上下運(yùn)動提供給襯底w。當(dāng)頂部殼體14由于底部殼體12朝著頂部殼體14的上升而與底部殼體12結(jié)合時，等離子體工藝可以被啟動。當(dāng)用于襯底w的制造工藝被終止時，底部殼體12可以向下移動，并且升降銷24可以驅(qū)動襯底w向上移動。然后襯底w可以從腔室10被釋放。

氣體供應(yīng)30可以連接到頂部殼體14。例如，氣體供應(yīng)30可以向腔室10提供諸如sf6、hf、ch3、ch4或n2的反應(yīng)氣體16。

rf電極單元40可以安裝在頂部殼體14和底部殼體12兩者處。在一示例性實施方式中，rf電極單元40可以包括天線電極42和偏壓電極44。天線電極42可以放置在頂部殼體14上。偏壓電極44可以放置在底部殼體12的靜電卡盤60中。

rf電源單元50可以安裝在腔室10外部。在一示例性實施方式中，rf電源單元50可以包括源電源52和偏壓電源54。源電源52可以向天線電極42提供rf功率的源。rf功率可以將反應(yīng)氣體16激發(fā)成等離子態(tài)。偏壓電源54可以向偏壓電極44提供偏壓rf功率。偏壓rf功率可以將處于等離子態(tài)的反應(yīng)氣體16集中到襯底w上。襯底w可以用反應(yīng)氣體16被處理。例如，襯底w可以被蝕刻。

靜電卡盤60可以放置在底部殼體12中。升降銷24可以提供為穿過底部殼體12的底板和靜電卡盤60。當(dāng)升降銷24向下移動時，襯底w可以被裝載到靜電卡盤60上。當(dāng)升降銷24向上移動時，襯底w可以通過靜電力保持在靜電卡盤60上。

更具體地，靜電電壓源70可以連接到靜電卡盤60，靜電電壓源70可以向靜電卡盤60提供大約±2500v的靜電電壓。靜電電壓可以基于約翰遜-拉別克(johnsen-rahbek)效應(yīng)將襯底w保持在靜電卡盤60上。

溫度控制器80可以連接到靜電卡盤60。溫度傳感器82可以安裝在靜電卡盤60之內(nèi)。溫度控制器80可以使用溫度傳感器82來檢測靜電卡盤60的溫度。溫度控制器80也可以加熱靜電卡盤60和襯底w。

圖2和3示出圖1的靜電卡盤60的一示例，其中靜電卡盤60可以包括金屬底座110、電介質(zhì)板120、卡盤電極130、下接地板電極140、下加熱器部分150和上加熱器部分160。

金屬底座110可以包括鋁圓板。金屬底座110可以對應(yīng)于圖1的偏壓電極44并且可以連接到偏壓電源54。金屬底座110可以在其中包括多個孔114。所述多個孔114可以穿透金屬底座110。多個連接器112可以分別提供在孔114的每一個中。連接器112可以穿透金屬底座110并且與其絕緣。連接器112可以分別連接到金屬底座110上的卡盤電極130、下接地板140、下加熱器部分150和上加熱器部分160。例如，連接器112可以通過電介質(zhì)板120中的多個過孔接觸電極122分別連接到卡盤電極130、下接地板電極140、下加熱器部分150和上加熱器部分160?？ūP電極130可以連接到靜電電壓源70。

電介質(zhì)板120可以放置在金屬底座110上。例如，電介質(zhì)板120可以具有與金屬底座110的直徑相同的直徑?；蛘撸娊橘|(zhì)板120的直徑可以小于金屬底座110的直徑。例如，粘合劑或螺栓可以被提供以將金屬底座110與電介質(zhì)板120結(jié)合。電介質(zhì)板120可以包括鋁氧化物(al2o3)陶瓷。電介質(zhì)板120可以在其中包括多個冷卻氣體管線孔124。冷卻氣體管線孔124可以被提供以將諸如氦的冷卻氣體(未示出)引入進(jìn)襯底w下方。冷卻氣體可以冷卻襯底w。電介質(zhì)板120和金屬底座110可以具有彼此不同的熱膨脹系數(shù)。例如，金屬底座110的熱膨脹系數(shù)可以大于電介質(zhì)板120的熱膨脹系數(shù)。熱膨脹系數(shù)的差異可以將連接器112與過孔接觸電極122電斷開。連接器112可以通過金屬底座110和電介質(zhì)板120的熱膨脹差異而被損壞。

圖4示出圖2的金屬底座110的一示例，該示例中，連接器112可以主要設(shè)置在金屬底座110的中央?yún)^(qū)域118。多個制冷劑氣體孔113和多個升降銷孔115可以主要設(shè)置在金屬底座110的邊緣區(qū)域116。偏壓rf功率連接端子111可以設(shè)置在金屬底座110的中心。金屬底座110的熱膨脹可以相比鄰近偏壓rf功率連接端子111的連接器112更嚴(yán)重地影響鄰近邊緣區(qū)域116的連接器112。更靠近金屬底座110的中心的連接器112可以比鄰近邊緣區(qū)域116的連接器112在金屬底座110的更短的半徑方向r1上偏移。因此，連接器112在中央?yún)^(qū)域118的聚集可以防止由金屬底座110與電介質(zhì)板120之間的熱膨脹系數(shù)的差異導(dǎo)致的連接器112的損壞以及連接器112與過孔接觸電極122的電斷開。

如圖2和3中所示，卡盤電極130可以設(shè)置在電介質(zhì)板120之內(nèi)。例如，卡盤電極130可以包括金屬圓盤?？ūP電極130可以具有比電介質(zhì)板120的直徑更小的直徑。過孔接觸電極122可以將卡盤電極130連接到連接器112。

下接地板電極140可以設(shè)置在電介質(zhì)板120中在卡盤電極130與金屬底座110之間。例如，下接地板電極140可以包括諸如鎢的金屬的圓盤。過孔接觸電極122可以將下接地板電極140連接到連接器112。

下加熱器部分150可以設(shè)置在電介質(zhì)板120中在卡盤電極130與金屬底座110之間。下加熱器部分150可以具有比電介質(zhì)板120的直徑更小的直徑。例如，下加熱器部分150可以包括下加熱器152和下板電極154。

下加熱器152可以是同心地成形的巨大加熱器。例如，下加熱器152可以包括鎳和鉻的合金。過孔接觸電極122可以將下加熱器152連接到下板電極154。

下板電極154可以設(shè)置在下加熱器152與下接地板電極140之間。過孔接觸電極122可以將下板電極154連接到連接器112。過孔接觸電極122和下板電極154可以用作連接器112與下加熱器152之間的電互連線。過孔接觸電極122可以是垂直互連線，并且下板電極154可以是水平互連線。過孔接觸電極122和下板電極154可以包括鎢。

圖5示出圖2的下加熱器部分150的一示例，在該示例中，下加熱器部分150的下加熱器152可以包括第一至第四環(huán)加熱器152a至152d。第一至第四環(huán)加熱器152a至152d可以在電介質(zhì)板120的半徑方向r2上彼此分開。第一至第四環(huán)加熱器152a至152d可以分別具有順序增加的半徑。例如，第一環(huán)加熱器152a可以設(shè)置在第二環(huán)加熱器152b之內(nèi)。第二環(huán)加熱器152b可以設(shè)置在第三環(huán)加熱器152c之內(nèi)。第三環(huán)加熱器152c可以設(shè)置在第四環(huán)加熱器152d之內(nèi)。額外的環(huán)加熱器(未示出)可以進(jìn)一步設(shè)置在第四環(huán)加熱器152d外部。

下板電極154可以在交叉第一至第四環(huán)加熱器152a至152d的方向上彼此分開。在一示例性實施方式中，下板電極154可以在方位方向上彼此分開。下板電極154的每一個可以是弧板電極。例如，下板電極154可以包括被分成八個部分的扇形板電極和/或弧形板電極。下板電極154的每一個可以在其拐角處具有大約45°的方位角θ1。第一至第四環(huán)加熱器152a至152d的每一個可以連接到所述多個下板電極154。下板電極154可以最小化或減少來自第一至第四環(huán)加熱器152a至152d的電水平互連線的熱產(chǎn)生。

如圖2和3中所示，上加熱器部分160可以設(shè)置在下加熱器152與卡盤電極130之間。上加熱器部分160可以具有與下加熱器部分150的直徑基本相同的直徑。在一示例性實施方式中，上加熱器部160可以包括上加熱器162、上接地板電極164和上板電極166。

上加熱器162可以設(shè)置在電介質(zhì)板120的邊緣區(qū)域?；蛘撸霞訜崞?62可以設(shè)置在電介質(zhì)板120的中央。上加熱器162可以是其尺寸小于下加熱器152的尺寸的微小加熱器。上加熱器162可以包括鎳和鉻的合金。

上接地板電極164可以設(shè)置在上加熱器162與下加熱器152之間。上加熱器162可以通過過孔接觸電極122共同連接到上接地板電極164。過孔接觸電極122可以將上接地板電極164連接到下接地板電極140。過孔接觸電極122也可以將下接地板電極140連接到連接器112。

上板電極166可以設(shè)置在上接地板電極164與下加熱器152之間。上加熱器162可以通過過孔接觸電極122單獨(dú)地連接到上板電極166。過孔接觸電極122可以將上板電極166連接到連接器112。過孔接觸電極122、下接地板電極140、上接地板電極164和上板電極166可以用作上加熱器162與連接器112之間的電互連路徑。下接地板電極140、上接地板電極164和上板電極166可以最小化或減少來自上加熱器162的電水平互連線的熱產(chǎn)生。

圖6示出圖2的上加熱器部分160的一示例，在該示例中，上加熱器162可以在方位方向上彼此分開。在一示例性實施方式中，上加熱器162的每一個可以包括外弧加熱器161和內(nèi)弧加熱器163。外弧和內(nèi)弧加熱器161和163可以在電介質(zhì)板120的半徑方向r2上彼此分開。外弧加熱器161可以設(shè)置在內(nèi)弧加熱器163的周邊上。內(nèi)弧加熱器163可以設(shè)置成比外弧加熱器161更靠近頂點168。外弧加熱器161可以具有比內(nèi)弧加熱器163的面積更大的面積。外弧加熱器161可以布置成與內(nèi)弧加熱器163在數(shù)目上相同。例如，外弧和內(nèi)弧加熱器161和163中的外弧和內(nèi)弧加熱器可以由十六對弧加熱器組成?；蛘撸饣『蛢?nèi)弧加熱器161和163中的外弧和內(nèi)弧加熱器可以由2n對弧加熱器組成?！皀”可以是自然數(shù)。

如圖2和6中所示，外弧和內(nèi)弧加熱器161和163可以沿半徑方向r2和方位方向單獨(dú)地加熱襯底w。因此，外弧和內(nèi)弧加熱器161和163可以以穩(wěn)定的或均勻的溫度分布加熱襯底w。

如圖6中所示，上板電極166可以布置為具有與上加熱器162一對一的匹配。上加熱器162可以放置為重疊上板電極166。例如，上板電極166的每一個可以具有弧形，該弧形具有頂點168。上板電極166可以在方位方向上彼此分開。在一示例性實施方式中，上板電極166的每一個可以包括外弧板電極165和內(nèi)弧板電極167。

外弧板電極165和內(nèi)弧板電極167可以在方位方向上彼此分開。外弧板電極165可以布置為具有與內(nèi)弧板電極167相同的數(shù)目。例如，外弧和內(nèi)弧板電極165和167中的外弧和內(nèi)弧板電極可以由十六對弧板電極組成。外弧和內(nèi)弧板電極165和167可以設(shè)置在相同的第二方位角θ2中。例如，第二方位角θ2可以是大約22.5°?；蛘?，外弧板電極165的每一個可以具有第二方位角θ2的一半的方位角，并且同樣地，內(nèi)弧板電極167的每一個可以具有第二方位角θ2的一半的方位角。

內(nèi)弧板電極167可以設(shè)置成比外弧板電極165更靠近頂點168，外弧板電極165可以從頂點168延伸并且設(shè)置在內(nèi)弧板電極167的至少部分的外部。一對內(nèi)弧板電極167可以放置在一對外弧板電極165之間。外弧板電極165的每一個可以具有比內(nèi)弧板電極167的每一個的外徑更大的外徑。外弧板電極165可以比內(nèi)弧板電極167更寬。

外弧加熱器161可以放置在外弧板電極165上。例如，外弧加熱器161可以設(shè)置為重疊外弧板電極165。內(nèi)弧加熱器163可以放置在內(nèi)弧板電板167上。內(nèi)弧加熱器163可以設(shè)置為重疊內(nèi)弧板電極167?；蛘?，內(nèi)弧加熱器163可以分別放置在外弧板電極165上。外弧板電極165和內(nèi)弧板電極167可以分別最小化或減少來自外弧加熱器161和內(nèi)弧加熱器163的電水平互連線的熱產(chǎn)生。

上加熱器162可以進(jìn)一步包括在內(nèi)弧加熱器163之內(nèi)的弧加熱器(未示出)。該弧加熱器可以在方位方向和半徑方向r2上彼此分開。上板電極166可以進(jìn)一步包括設(shè)置在內(nèi)弧板電極167的至少部分之內(nèi)的弧板電極(未示出)?；“咫姌O可以在方位方向上彼此分開?；〖訜崞骺梢砸砸粚σ坏膶?yīng)關(guān)系連接到弧板電極?；〖訜崞骺梢砸苑€(wěn)定的或均勻的溫度分布加熱電介質(zhì)板120上的襯底w。弧板電極可以最小化或減少來自弧加熱器的電水平互連線的熱產(chǎn)生。

圖7示出圖1的靜電卡盤60的一示例，其中靜電卡盤60a可以包括具有上接地板電極164a的上加熱器部分160a。金屬底座110、電介質(zhì)板120、卡盤電極130、下接地板電極140和下加熱器部分150在圖3中被公開。在一示例性實施方式中，上接地板電極164a可以具有與下板電極154的形狀相同的形狀。例如，上接地板電極164a可以包括扇形板電極。上接地板電極164a是八到十六個。上接地板電極164a的每一個可以連接到四個上加熱器162。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施方式，靜電卡盤可以包括板電極和加熱器。板電極和加熱器中的板電極和加熱器可以在電介質(zhì)板的半徑方向上以及在方位方向上彼此分開。分開的加熱器可以以穩(wěn)定的或均勻的溫度分布加熱電介質(zhì)板上的襯底。分開的板電極可以最小化或減少加熱器的電互連線。

雖然已經(jīng)結(jié)合附圖中示出的示例性實施方式描述了本發(fā)明，但是在此公開的發(fā)明構(gòu)思不限于此。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可以對示例性實施方式作出各種各樣的替換、修改和改變而不背離所附權(quán)利要求中闡明的本發(fā)明的范圍和精神。

本申請要求2016年3月15日提交的韓國專利申請10-2016-0031014的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。