本發(fā)明屬于觸控顯示設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器。

背景技術(shù)：

相對(duì)于傳統(tǒng)的液晶顯示器來說，AMOLED顯示器具有更加輕薄、響應(yīng)速度快、寬視角、超高亮度等方面的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)采用鑭系金屬摻雜的IZO金屬氧化物TFT替代傳統(tǒng)的a-Si，低溫多晶硅(poly Si)TFT，其中，a-Si TFT電子遷移率低，很難滿足高分辨率顯示，低溫多晶硅TFT電子遷移率高，但是大面積均勻性較差，制備工藝復(fù)雜，成本較高。金屬氧化物TFT具有較高的遷移率：5～50cm2/(V s)，其制造工藝簡(jiǎn)單，成本低，大面積均勻性較好。

目前大多數(shù)AMOLED觸控傳感器Sensor位于封裝玻璃、封裝薄膜或圓偏光片的上表面或下表面，至少需要額外做一層觸控傳感器Sensor，同時(shí)指紋識(shí)別部件需要做在設(shè)備的后蓋或前蓋，當(dāng)將其做在前蓋上面時(shí)，需要開通孔或者挖凹槽，且只能在特定的區(qū)域進(jìn)行識(shí)別，極大的限制了用戶的使用體驗(yàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，采用In-cell技術(shù)，無需額外做一層傳感器Sensor，將觸控IC和指紋識(shí)別IC融合到一起，能夠?qū)崿F(xiàn)全屏指紋識(shí)別，實(shí)現(xiàn)觸控和指紋識(shí)別一體化。

本發(fā)明提供的一種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，包括觸控部件、指紋識(shí)別部件和TFT基板，所述TFT基板表面設(shè)置有有機(jī)層，所述有機(jī)層上依次設(shè)置有透明陽極導(dǎo)電層、薄膜封裝層、圓偏光片層、光學(xué)膠層和保護(hù)面板，所述觸控部件與所述指紋識(shí)別部件共用所述透明陽極導(dǎo)電層，且所述透明陽極導(dǎo)電層通過走線連接至觸控與指紋識(shí)別一體式IC，其中，所述透明陽極導(dǎo)電層為陣列化排布的透明陽極圖案，用于同時(shí)實(shí)現(xiàn)觸控和全屏指紋識(shí)別。

優(yōu)選的，在上述全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器中，

所述透明陽極圖案上均沉積有金屬層，并刻蝕出走線連接至所述觸控與指紋識(shí)別一體式IC。

優(yōu)選的，在上述全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器中，

所述透明陽極圖案為納米銀陽極圖案。

優(yōu)選的，在上述全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器中，

所述TFT基板材料為聚萘二甲酸乙二醇脂，所述保護(hù)面板為柔性面板。

優(yōu)選的，在上述全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器中，

所述金屬層為Mo層或Cu層。

優(yōu)選的，在上述全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器中，

所述透明陽極圖案的邊長(zhǎng)范圍為50μm至70μm。

優(yōu)選的，在上述全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器中，

所述光學(xué)膠層為OCA膠層或OCR膠層。

優(yōu)選的，在上述全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器中，

所述有機(jī)層包括依次設(shè)置于陰極上面的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層。

通過上述描述可知，本發(fā)明提供的上述全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，由于所述觸控部件與所述指紋識(shí)別部件共用透明陽極導(dǎo)電層，且所述透明陽極導(dǎo)電層通過走線連接至觸控與指紋識(shí)別一體式IC，其中，所述透明陽極導(dǎo)電層為陣列化排布的透明陽極圖案，用于同時(shí)實(shí)現(xiàn)觸控和全屏指紋識(shí)別，可見其采用In-cell技術(shù)，無需額外做一層傳感器Sensor，將觸控IC和指紋識(shí)別IC融合到一起，能夠?qū)崿F(xiàn)全屏指紋識(shí)別，實(shí)現(xiàn)觸控和指紋識(shí)別一體化。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器的示意圖；

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第二種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器的透明陽極圖案的示意圖；

圖3為手指觸摸時(shí)指紋與觸摸屏的接觸示意圖；

圖4為TFT基板的截面示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的核心思想在于提供的一種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，采用In-cell技術(shù)，無需額外做一層傳感器Sensor，將觸控IC和指紋識(shí)別IC融合到一起，能夠?qū)崿F(xiàn)全屏指紋識(shí)別，實(shí)現(xiàn)觸控和指紋識(shí)別一體化。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器如圖1所示，圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器的示意圖，該顯示器包括觸控部件7、指紋識(shí)別部件8和TFT基板1，所述TFT基板1表面設(shè)置有有機(jī)層2，所述有機(jī)層2上依次設(shè)置有透明陽極導(dǎo)電層201、薄膜封裝層3、圓偏光片層4、光學(xué)膠層5和保護(hù)面板6，所述觸控部件7與所述指紋識(shí)別部件8共用所述透明陽極導(dǎo)電層201，且所述透明陽極導(dǎo)電層201通過走線連接至觸控與指紋識(shí)別一體式IC9，其中，所述透明陽極導(dǎo)電層201為陣列化排布的透明陽極圖案，用于同時(shí)實(shí)現(xiàn)觸控和全屏指紋識(shí)別。

需要說明的是，現(xiàn)有技術(shù)中的觸摸屏和指紋識(shí)別器件分別需要兩個(gè)IC來驅(qū)動(dòng)，而本方案將觸控和指紋識(shí)別做在同一層上面，就無需額外做一層傳感器Sensor。

通過上述描述可知，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的上述第一種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，由于所述觸控部件與所述指紋識(shí)別部件共用所述透明陽極導(dǎo)電層，且所述透明陽極導(dǎo)電層通過走線連接至觸控與指紋識(shí)別一體式IC，其中，所述透明陽極導(dǎo)電層為陣列化排布的透明陽極圖案，用于同時(shí)實(shí)現(xiàn)觸控和全屏指紋識(shí)別，可見其采用In-cell技術(shù)，無需額外做一層傳感器Sensor，將觸控IC和指紋識(shí)別IC融合到一起，能夠?qū)崿F(xiàn)全屏指紋識(shí)別，實(shí)現(xiàn)觸控和指紋識(shí)別一體化。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第二種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，是在上述第一種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

參考圖2，圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第二種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器的透明陽極圖案的示意圖，所述透明陽極圖案201上均沉積有金屬層202，并刻蝕出走線203連接至所述觸控與指紋識(shí)別一體式IC9。

需要說明的是，這種透明陽極圖案可以但不限于利用納米銀制作而成，作為Sensor圖案的一部分。將每一個(gè)子像素點(diǎn)的陽極用走線拉出到觸控與指紋識(shí)別一體式IC的上面。其中，350PPI的像素陽極面積為70um*70um左右，每一個(gè)子像素電極作為指紋識(shí)別的一個(gè)感應(yīng)Sensor，每一個(gè)具有50*50個(gè)子像素塊的電極作為一個(gè)觸控感應(yīng)Sensor(面積為3.5mm*3.5mm)，觸控感應(yīng)Sensor的面積可以根據(jù)子像素陽極的大小和實(shí)際需要來設(shè)計(jì)。如圖3所示，圖3為手指觸摸時(shí)指紋與觸摸屏的接觸示意圖，指紋分為山峰和山谷，山谷和山谷之間的距離約為300-500um，山峰與山谷的高度差為100-400um。觸摸時(shí)，由于指紋山谷、山峰距離Sensor的距離不同，山峰、山谷與Sensor之間感應(yīng)電容值不同，根據(jù)Sensing Pixel的電容值改變量重構(gòu)出指紋山谷和山脊的紋路，從而達(dá)到指紋識(shí)別的目的，同時(shí)也可以檢測(cè)出我們手指觸摸的位置，來進(jìn)行觸控操作。采用分時(shí)的方式，能夠在同一個(gè)顯示器上實(shí)現(xiàn)顯示、指紋識(shí)別和觸控功能。在這種方案中，保護(hù)面板、光學(xué)膠層、圓偏光片和封裝薄膜的總厚度可以控制在300μm以下，就能夠滿足指紋識(shí)別的要求，同時(shí)可以優(yōu)選的采用自容式的感應(yīng)電容，其信號(hào)量大于互容式的電容，這樣可以產(chǎn)生有效的指紋識(shí)別信號(hào)和觸摸信號(hào)。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第三種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，是在上述第一種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述透明陽極圖案為納米銀陽極圖案。

需要說明的是，這僅僅是其中一個(gè)優(yōu)選方案，還可以采用石墨烯來制作這種透明陽極，也能保證透過率高且導(dǎo)電性好。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第四種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，是在上述第一種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述TFT基板材料為聚萘二甲酸乙二醇脂，所述保護(hù)面板為柔性面板。

需要說明的是，這種方案具有較高的透過率、較好的水氧阻隔性能和防刮傷性能，當(dāng)然也可以采用其他塑料材質(zhì)，如PI(聚酰亞胺)，此處不再贅述。當(dāng)采用柔性面板時(shí)，二者結(jié)合起來就能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)柔性顯示，增強(qiáng)顯示器的功能，當(dāng)然這僅僅是一種優(yōu)選方案，當(dāng)二者不采用柔性材質(zhì)時(shí)也可以，并不妨礙本方案的實(shí)現(xiàn)。

參考圖4，圖4為TFT基板的截面示意圖，其結(jié)構(gòu)從上至下依次為陰極、鈍化層、刻蝕阻擋層、源漏極、有源層(金屬氧化物層)、絕緣層、柵極、緩沖層和PEN層。制作時(shí)，將PEN(125um或者50um)清洗好，在其上面鍍一層緩沖層，該緩沖層可以為SiN_x/光阻劑/SiN_x，起到進(jìn)一步阻隔水和氧的作用；然后利用直流磁控濺射鍍一層Al-Nb合金作為柵極，厚度為300納米左右，然后通過濕法刻蝕的方法刻蝕出柵極圖案；接著利用陽極氧化的方法，將柵極一部分鋁氧化，形成一層Al₂O₃的絕緣層(厚度為200nm左右)；然后利用射頻磁控濺射鍍一層金屬氧化物半導(dǎo)體，其成分為L(zhǎng)n系金屬摻雜的IZO，然后通過濕法刻蝕工藝刻蝕出有源層圖案；接著沉積一層刻蝕阻擋層(SiO₂)，通過刻蝕產(chǎn)生需要的圖案；然后采用濺射鍍膜鍍一層Mo，然后通過濕法刻蝕，形成源漏極；利用濺射鍍膜沉積一層鈍化層(SiO₂)，采用濕法刻蝕工藝刻蝕出過孔等圖案；最后沉積一層陰極(Al)，此陰極作為有機(jī)發(fā)光層的陰極。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第五種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，是在上述第二種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述金屬層為Mo層或Cu層，這兩種金屬層的優(yōu)點(diǎn)是通道電阻小，透過率好。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第六種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，是在上述第一種至第五種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器中任一種的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述透明陽極圖案的邊長(zhǎng)范圍為50μm至70μm。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第七種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，是在上述第六種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述光學(xué)膠層為OCA膠層或OCR膠層。

這兩種均是常見的光學(xué)膠，易于獲得且粘接效果更好。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第八種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器，是在上述第七種全屏指紋識(shí)別和觸控一體的AMOLED顯示器的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述有機(jī)層包括依次設(shè)置于陰極上面的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和透明陽極導(dǎo)電層。

需要說明的是，利用這種有機(jī)層能夠發(fā)光，其原理如下：透明陽極導(dǎo)電層產(chǎn)生空穴，依次經(jīng)過空穴注入層和空穴傳輸層，到達(dá)發(fā)光層，陰極產(chǎn)生電子，依次經(jīng)過電子注入層、電子傳輸層，到達(dá)發(fā)光層，電子和空穴復(fù)合產(chǎn)生激子，激子激發(fā)發(fā)光層分子中的電子從低能級(jí)躍遷到高能級(jí)，電子從高能級(jí)躍遷回低能級(jí)的過程中釋放能量而發(fā)光。這里用到的空穴注入層和空穴傳輸層可以采用不同于現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)材料，可以防止觸控和指紋識(shí)別對(duì)顯示造成的不利影響。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。