本實(shí)用新型涉及膜技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種阻隔膜與包含該阻隔膜的OLED器件及顯示器。

背景技術(shù)：

目前，在電子和光器件領(lǐng)域，一些產(chǎn)品在完成之后需要在其表面貼附阻隔膜，以阻隔水汽等的進(jìn)入，從而保證產(chǎn)品的性能。而無機(jī)物的阻水汽性能較好，常常被應(yīng)用于阻隔膜，下簡稱無機(jī)物阻隔膜。無機(jī)物阻隔膜因其硬度高、化學(xué)穩(wěn)定性好、熱穩(wěn)定性優(yōu)良以及具有良好的絕緣性而得到廣泛應(yīng)用。常應(yīng)用于阻隔膜的無機(jī)物阻隔膜有氮化硅(SiNx)，氧化硅等。

然而，無機(jī)物阻隔膜通常是使用氣相沉積法將無機(jī)物沉積在襯底上形成水汽阻隔膜，在沉積的過程中產(chǎn)生的殘余應(yīng)力，使得無機(jī)物阻隔膜的應(yīng)力較大，這也成為了限制無機(jī)物阻隔膜運(yùn)用的一個關(guān)鍵因素。無機(jī)物阻隔膜經(jīng)過多次彎折，或者彎折半徑小的情況下，容易出現(xiàn)裂縫以及缺陷密度的增加等問題，從而導(dǎo)致產(chǎn)品性能的衰減。

目前，有以下幾類方案來調(diào)控?zé)o機(jī)阻隔膜的應(yīng)力。一種方案為，精細(xì)優(yōu)化成膜條件，然而，成膜過程需要控制較多的工藝參數(shù)，使得優(yōu)化過程非常復(fù)雜，且在將阻隔膜的應(yīng)力優(yōu)化至目標(biāo)數(shù)值時，阻隔膜的其他性能也會發(fā)生改變或者減小，比如薄膜質(zhì)量，楊氏模量，薄膜硬度，光學(xué)帶隙等。另一種方案是修改薄膜沉積系統(tǒng)，例如，催化CVD(catalytical-CVD，catalytical cerebrovascular disease，催化化學(xué)氣相沉積)和雙頻率PECVD(dual-frequency PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，雙頻率等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)技術(shù)，然而這種方案成本太高，并且會對沉積的薄膜產(chǎn)生負(fù)面的影響，如，會摻雜雜質(zhì)進(jìn)入阻隔膜，使得阻隔膜的阻水汽性能較差。又一種方案是，在無機(jī)物層上面疊層設(shè)置有機(jī)物來改善無機(jī)物阻隔膜的應(yīng)力性能，這樣可以部分緩解無機(jī)物阻隔膜的高應(yīng)力，但是有機(jī)物和無機(jī)物的性能不同，經(jīng)過長時間放置或者長時間的彎折、折疊等操作后，有機(jī)物和無機(jī)物結(jié)合的界面處性能都會發(fā)生很大變化，使得阻隔膜的應(yīng)力依舊較大。

上述調(diào)控阻隔膜應(yīng)力的方案仍然存在著應(yīng)力較大而使得阻隔膜的柔性性能較差的問題。此外，上述方案的工藝繁瑣復(fù)雜，成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種柔性性能較好、工藝簡單及成本較低的阻隔膜、OLED器件及顯示器。

一種阻隔膜，包括襯底及設(shè)置在所述襯底表面的水汽阻隔層，所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上設(shè)置有凹凸部。

在其中一個實(shí)施例中，所述水汽阻隔層為氮化硅層、氧化硅層或氧化鋁層。

在其中一個實(shí)施例中，所述凹凸部包括凹槽和凸起中至少一種。

在其中一個實(shí)施例中，所述凹凸部設(shè)置有多個凹槽，所述多個凹槽呈矩形陣列分布于所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上。

在其中一個實(shí)施例中，所述多個凹槽具有圓形開口或多邊形開口。

在其中一個實(shí)施例中，所述多邊形包括三角形、長方形、正方形、正五邊形、正六邊形和正八邊形中的至少一種。

在其中一個實(shí)施例中，所述凹槽的深度為所述水汽阻隔層厚度的1％～10％。

在其中一個實(shí)施例中，還包括聚甲基丙烯酸甲酯層，所述聚甲基丙烯酸甲酯層設(shè)置于所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上。

一種OLED器件，其具有如上任一項(xiàng)所述的阻隔膜。

一種顯示器，包括顯示屏及如上任一實(shí)施例所述的阻隔膜，所述阻隔膜設(shè)置于所述顯示屏外表面。

在其中一個實(shí)施例中，所述顯示屏為OLED顯示屏。

上述阻隔膜，通過在所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上設(shè)置凹凸部，能夠降低所述阻隔膜的應(yīng)力，在所述阻隔膜彎曲時不會產(chǎn)生擠壓，使得所述阻隔膜的可折疊性能、彎曲性能較好，從而提高了所述阻隔膜的柔性性能。所述凹凸部通過刻蝕工藝或者采用半鏤空的掩模板(mask)工藝等即可完成，工藝簡單，且成本較低。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的阻隔膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施方式的阻隔膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型又一實(shí)施方式的阻隔膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型又一實(shí)施方式的阻隔膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實(shí)用新型又一實(shí)施方式的阻隔膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施方式。相反地，提供這些實(shí)施方式的目的是使對本實(shí)用新型的公開內(nèi)容理解的更加透徹全面。

需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個元件被認(rèn)為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術(shù)語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實(shí)施方式。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施方式的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

例如，一種阻隔膜，包括襯底及設(shè)置在所述襯底表面的水汽阻隔層，所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上設(shè)置有凹凸部。本實(shí)用新型還提供一種顯示器，所述顯示器包括顯示屏及所述阻隔膜。又如，所述顯示屏為OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示屏。又如，所述顯示屏為AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)顯示屏。又如，所述顯示屏為柔性顯示屏。又如，所述顯示屏為柔性O(shè)LED顯示屏。

為了進(jìn)一步理解上述阻隔膜，又一個例子是，請參閱圖1，阻隔膜10包括襯底100及設(shè)置在所述襯底表面的水汽阻隔層200，所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上設(shè)置有凹凸部(圖未示)。又如，所述凹凸部為凹槽，具體的，請?jiān)俅螀㈤唸D1，所述水汽阻隔層200遠(yuǎn)離所述襯底100的表面上設(shè)置有凹槽210。又如，所述凹凸部為凸起。又如，所述凹凸部包括凹槽和凸起中至少一種。又如，所述凹凸部為相間設(shè)置的凹槽和凸起。又如，所述凹凸部設(shè)置有多個凹槽，所述多個凹槽呈矩形陣列分布于所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上，這樣，能夠有效預(yù)防與避免經(jīng)過多次彎折，或者彎折半徑小的情況下會出現(xiàn)裂縫的問題，進(jìn)一步避免了微電子和光電器件性能的衰減。又如，所述凹凸部設(shè)置有多個凸起，所述多個凸起呈矩形陣列分布于所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上。

所述凹凸部是通過刻蝕工藝或者采用半鏤空的掩模板(mask)制備得到。

需要說明的是，水汽阻隔層的厚度也會對其應(yīng)力產(chǎn)生較大的影響，厚度較小，會影響水汽阻隔層本身的阻隔水汽的能力，厚度太高，又會產(chǎn)生較大的應(yīng)力，容易在彎折時出現(xiàn)折痕或者斷裂的問題，例如，所述水汽阻隔層的厚度為500納米～1000納米。又如，所述水汽阻隔層的厚度為500納米、550納米、600納米、650納米、700納米、750納米、800納米、850納米、900納米、950納米和1000納米中的一種，這樣，能夠減少水汽阻隔層的應(yīng)力，還能夠減少發(fā)生其在彎折時出現(xiàn)折痕或者斷裂的問題。又如，所述襯托為PET(Polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二醇酯)襯底。又如，所述襯底為PMMA(polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)襯底。又如，所述襯底為OLED顯示器的基板，又如，所述襯底為LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅技術(shù))的基板，這樣，能夠進(jìn)一步減少發(fā)生其在彎折時出現(xiàn)折痕或者斷裂的問題。

一實(shí)施例中，所述襯底的厚度為15微米～150微米，又如，所述襯底的厚度為15微米～24微米，又如，所述襯底的厚度為15微米～19微米，又如，所述襯底的厚度為126微米～150微米，又如，所述襯底的厚度為135微米～150微米，這樣，可以進(jìn)一步改善所述水汽阻隔層的應(yīng)力，提高阻隔膜的柔性性能。

在其中一個實(shí)施例中，所述水汽阻隔層為無機(jī)物層，由于無機(jī)物的阻水汽能力很強(qiáng)，這樣，能夠增強(qiáng)所述水汽阻隔層的水汽阻隔能力，還能使水汽阻隔層硬度高，化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性好，且具有良好的絕緣性。又如，所述無機(jī)物層為氮化硅(SiN_x)層或/和氧化硅(SiO_x)層或/和氧化鋁層。又如，所述水汽阻隔層為氮化硅層(SiN_x)、氧化硅層(SiO_x)或氧化鋁層。又如，所述氧化硅為二氧化硅。又如，所述氧化鋁為三氧化二鋁。又如，所述無機(jī)物層為氮化硅(SiNx)層，所述氮化硅(SiNx)層的厚度為500納米～1000納米。又如，所述水汽阻隔層為由水汽阻隔物形成的薄膜，又如，所述水汽阻隔物為無機(jī)物，又如，所述水汽阻隔物為氮化硅(SiNx)或/和氧化硅(SiOx)或/和氧化鋁等，這樣，可以進(jìn)一步改善所述水汽阻隔層的應(yīng)力，提高阻隔膜的柔性性能。

在其中一個實(shí)施例中，水汽阻隔層設(shè)置有多個所述凹槽，多個所述凹槽呈矩形陣列分布于所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上，這樣，能夠有效預(yù)防與避免經(jīng)過多次彎折，或者彎折半徑小的情況下會出現(xiàn)裂縫的問題，進(jìn)一步避免了微電子和光電器件性能的衰減。

在其中一個實(shí)施例中，所述凹槽具有圓形開口或多邊形開口。又如，所述多邊形為三角形、長方形、正方形、正五邊形、正六邊形和正八邊形中的一種，這樣，能夠進(jìn)一步有效預(yù)防與避免經(jīng)過多次彎折，或者彎折半徑小的情況下會出現(xiàn)裂縫的問題。

具體的，例如，請參閱圖1，凹槽210具有圓形開口。又如，請參閱圖2，凹槽210a具有五邊形開口，又如，所述凹槽具有正五邊形開口。又如，請參閱圖3，凹槽210b具有三角形開口，又如，所述凹槽具有正三角形開口。又如，請參閱圖4，凹槽210c具有長方形開口。又如，請參閱圖5，凹槽210d具有正方形開口，這樣，阻隔膜在其被彎曲時不會產(chǎn)生擠壓，保證其在柔性產(chǎn)品上使用時柔性產(chǎn)品的可折疊性和彎曲性。

在其中一個實(shí)施例中，所述凹槽沿著向其底部的方向變窄，這樣，能夠在保證水汽阻隔膜有較高的水汽阻隔能力時還能預(yù)防與避免其經(jīng)過多次彎折，或者彎折半徑小的情況下會出現(xiàn)裂縫的問題，進(jìn)一步避免了微電子和光電器件性能的衰減。

在其中一個實(shí)施例中，所述凹槽的深度為所述水汽阻隔層厚度的1％～10％。又如，當(dāng)所述水汽阻隔層具有氮化硅(SiNx)層時，所述凹槽的深度為所述氮化硅(SiNx)層深度的1％～10％。又如，通過刻蝕工藝或或者半鏤空的掩模板(mask)工藝在所述氮化硅層上設(shè)置所述凹槽。又如，所述凹槽的深度為所述水汽阻隔層厚度的1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％、5％、5.5％、6％、6.5％、7％、7.5％、8％、8.5％、9％、9.5％和10％中的一種，這樣，凹槽能夠減少水汽阻隔層的應(yīng)力，還能夠保持水汽阻隔層具有較好的阻隔水汽能力，能夠減少發(fā)生其經(jīng)過多次彎折，或者彎折半徑小的情況下會出現(xiàn)裂縫的問題。

在其中一個實(shí)施例中，阻隔膜還包括有機(jī)物亞克力(acrylic based)層，所述有機(jī)物亞克力層設(shè)置于所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上，又如，所述有機(jī)物亞克力層為聚甲基丙烯酸甲酯層；又如，所述有機(jī)物亞克力層為丙烯酸塑料層；又如，所述有機(jī)物亞克力層為丙烯酸型壓敏膠層；這樣，可以進(jìn)一步改善所述水汽阻隔層的應(yīng)力，提高阻隔膜的柔性性能。

上述阻隔膜，通過在所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上設(shè)置凹凸部，能夠降低所述阻隔膜的應(yīng)力，在所述阻隔膜彎曲時不會產(chǎn)生擠壓，使得所述阻隔膜的可折疊性能、彎曲性能較好，從而提高了所述阻隔膜的柔性性能，柔性性能較好。所述凹凸部通過刻蝕工藝或者采用半鏤空的mask工藝等即可完成，工藝簡單，且成本較低。還能夠有效預(yù)防與避免經(jīng)過多次彎折，或者彎折半徑小的情況下會出現(xiàn)裂縫的問題，進(jìn)一步避免了微電子和光電器件性能的衰減。。

本實(shí)用新型還提供一種OLED器件，其具有如上任一實(shí)施例所述的阻隔膜。

本實(shí)用新型還提供一種顯示器，包括顯示屏及如上任一實(shí)施例所述的阻隔膜，所述阻隔膜設(shè)置于所述顯示屏外表面。

在其中一個實(shí)施例中，所述顯示屏為OLED顯示屏。又如，所述顯示屏幕為AMOLED顯示屏。又如，所述顯示屏為柔性顯示屏。又如，所述顯示屏為柔性O(shè)LED顯示屏。例如，柔性O(shè)LED的基本結(jié)構(gòu)為：柔性基板(PI，Polyimide Film，聚酰亞胺薄膜)/LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)/OLED/TFE(Thin film encapsulation，薄膜封裝)/阻隔膜；又如，硬質(zhì)或者玻璃OLED的基本結(jié)構(gòu)為：玻璃基板/LTPS/OLED/Frit(玻璃粉)/后蓋玻璃。也就是說，所述襯底還可為LTPS的基板。

又如，所述阻隔膜的所述水汽阻隔層包括無機(jī)層氮化硅層，通過調(diào)控?zé)o機(jī)層氮化硅(SiNx)表面形貌，形成特定圖案/凹槽，能夠改善其自身的應(yīng)力。此外，形成的特定表面形貌，在阻隔膜薄膜彎曲時不會產(chǎn)生擠壓，保證柔性產(chǎn)品的可折疊性和彎曲性。特殊圖案可以通過刻蝕工藝或者采用半鏤空的掩模板(mask)制備。優(yōu)選的，具有特殊圖案形貌的無機(jī)層氮化硅(SiNx)的形成可以通過刻蝕工藝完成。優(yōu)選的，所形成的特殊圖案的深度為無機(jī)層氮化硅(SiNx)厚度的1％～10％，這樣，能夠有效預(yù)防與避免經(jīng)過多次彎折，或者彎折半徑小的情況下會出現(xiàn)裂縫的問題，進(jìn)一步避免了微電子和光電器件性能的衰減。

上述顯示器，由于采用的阻隔膜在所述水汽阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上設(shè)置凹槽，能夠降低所述阻隔膜的應(yīng)力，在所述阻隔膜彎曲時不會產(chǎn)生擠壓，使得所述阻隔膜的可折疊性能、彎曲性能較好，從而提高了所述阻隔膜的柔性性能，柔性性能較好。所述凹槽通過刻蝕工藝或者采用半鏤空的掩模板(mask)工藝等即可制備得到，工藝簡單，且成本較低。

本實(shí)用新型提供的阻隔膜還應(yīng)用于車載產(chǎn)品。例如，在車載產(chǎn)品進(jìn)行傳統(tǒng)的TFE(Thin film encapsulation，薄膜封裝)工序之后，貼一張水氣阻隔膜，由于無機(jī)物阻水氣能力很強(qiáng)，無機(jī)物薄膜硬度高，化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性好，且具有良好的絕緣性，因此能夠提升薄膜封裝性能。又如車載產(chǎn)品的TFE封裝結(jié)構(gòu)為無機(jī)層/有機(jī)層/無機(jī)層。

能夠理解，柔性O(shè)LED的基板也是柔性的，例如LTPS的基板，通常采用柔性的PI材料，在其中一個實(shí)施例中，為了保護(hù)OLED顯示器中的襯底層，使襯底層能夠阻擋外界雜質(zhì)液體和氣體的侵入，在制備OLED器件之前，先在OLED基板上制備上述水汽阻隔層，封裝形成阻隔膜，繼而在該阻隔膜上制備OLED器件。此時，柔性O(shè)LED的基本結(jié)構(gòu)為：阻隔膜(包括柔性襯底)/LTPS/OLED/TFE/阻隔膜。

需要說明的是，本實(shí)用新型的其他實(shí)施例還包括上述各實(shí)施例中的技術(shù)特征相互結(jié)合所形成的能夠?qū)嵤┑淖韪裟ぁ?/p>

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實(shí)施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施方式僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。