本實用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種MOS管和一種芯片。

背景技術(shù)：

目前，小功率開關(guān)電源普遍使用插件類高壓MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)管(例如TO-92/TO-220等封裝形式的插件類高壓MOS管)作為主開關(guān)器件。常見的高壓MOS管器件耐壓在650V-800V，高耐壓器件在layout(布線)設(shè)計時須考慮引腳之間的安全間距問題，以防止在PCB(Printed Circuit Board，印制電路板)板潮濕或者被污染后引起漏電問題。目前業(yè)內(nèi)MOS管的三個引腳引出方案均采用漏極引腳居中設(shè)計的方案，這樣，承受高壓的漏極引腳和源極引腳之間的安全間距就會受限，給后端應(yīng)用帶來不便。

為了增大MOS管中漏極引腳和源極引腳之間的安全間距，現(xiàn)有技術(shù)中，Layout設(shè)計師常采用以下兩種方案：

方案一，在漏極引腳對應(yīng)的焊盤和源極引腳對應(yīng)的焊盤之間增加開孔；

方案二，將漏極引腳、源極引腳和柵極引腳進行“品”字形擺放設(shè)計。

上述兩種方案中，方案一會增加MOS管成本，且存在PCB破孔的風(fēng)險，方案二會增加引腳成型工藝及成本，且存在MOS管器件加工時受損的風(fēng)險。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，本實用新型實施例的目的在于提供一種MOS管和一種芯片，以解決現(xiàn)有技術(shù)中增大MOS管中漏極引腳和源極引腳之間的安全間距時成本高、存在PCB破孔的風(fēng)險或存在MOS管器件加工時受損的風(fēng)險的問題。

為了解決上述問題，本實用新型實施例公開了一種MOS管，包括：晶圓、金屬襯底支架、柵極引腳、源極引腳和漏極引腳，其中，所述漏極引腳的一端與所述金屬襯底支架連接，所述柵極引腳的一端和所述源極引腳的一端分別與所述晶圓連接，所述柵極引腳設(shè)置在所述漏極引腳和所述源極引腳之間。

為了解決上述問題，本實用新型實施例還公開了一種芯片，包括至少一個所述的MOS管。

本實用新型實施例包括以下優(yōu)點：通過將漏極引腳的一端與金屬襯底支架連接，柵極引腳的一端和源極引腳的一端分別與晶圓連接，柵極引腳設(shè)置在漏極引腳和源極引腳之間。這樣，能夠?qū)崿F(xiàn)最大程度增大漏極引腳和源極引腳之間的安全間距，提高了MOS管的耐高壓能力，減少或避免MOS管的漏電問題，不僅便于后端應(yīng)用，且有利于進一步小型化MOS管的尺寸，成本低，不存在現(xiàn)有技術(shù)中PCB破孔的風(fēng)險或MOS管器件加工時受損的風(fēng)險等。

附圖說明

圖1是本實用新型的一種MOS管實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型的另一種MOS管實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

具體實施方式

為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

參照圖1，其示出了本實用新型的一種MOS管實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，具體可以包括：晶圓1、金屬襯底支架2、柵極引腳G、源極引腳S和漏極引腳D，其中，漏極引腳D的一端與金屬襯底支架2連接，柵極引腳G的一端和源極引腳S的一端分別與晶圓1連接，柵極引腳G設(shè)置在漏極引腳D和源極引腳S之間。其中，圖1中，漏極引腳D在柵極引腳G的左側(cè)，源極引腳S在柵極引腳G的右側(cè)。

在本實用新型的另一個實施例中，參照圖2，源極引腳S在柵極引腳G的左側(cè)，漏極引腳D在柵極引腳G的右側(cè)。

可選地，在本實用新型的一個實施例中，參照圖1和圖2，柵極引腳G和晶圓1可以通過第一金屬線3連接，源極引腳S和晶圓1可以通過第二金屬線4連接。

可選地，在本實用新型的一個實施例中，漏極引腳D和金屬襯底支架2可以通過第三金屬線連接，或漏極引腳D與金屬襯底支架2一體成型。其中，圖1和圖2中，漏極引腳D與金屬襯底支架2一體成型。

可選地，金屬線可以包括金線、銅線或鋁線等，金屬襯底支架2可以為銅襯底支架等。其中，圖1和圖2中，金屬線為金線。

可選地，晶圓1和金屬襯底支架2通過導(dǎo)電材料固定連接，其中，導(dǎo)電材料可以包括高溫錫膏或銀漿等。

具體地，參照圖1和圖2，晶圓1、金屬襯底支架2、柵極引腳G的一端、源極引腳S的一端和漏極引腳D的一端可以封裝在塑脂5中，柵極引腳G的另一端、源極引腳S的另一端和漏極引腳D的另一端懸空。

本實用新型實施例的MOS管包括以下優(yōu)點：通過將漏極引腳的一端與金屬襯底支架連接，柵極引腳的一端和源極引腳的一端分別與晶圓連接，柵極引腳設(shè)置在漏極引腳和源極引腳之間。這樣，能夠?qū)崿F(xiàn)最大程度增大漏極引腳和源極引腳之間的安全間距，提高了MOS管的耐高壓能力，減少或避免MOS管的漏電問題，不僅便于后端應(yīng)用，且有利于進一步小型化MOS管的尺寸，成本低，不存在現(xiàn)有技術(shù)中PCB破孔的風(fēng)險或MOS管器件加工時受損的風(fēng)險等。

本實用新型實施例還公開了一種芯片，該芯片包括至少一個上述的MOS管。

本實用新型實施例的芯片包括以下優(yōu)點：通過將MOS管中的漏極引腳的一端與金屬襯底支架連接，柵極引腳的一端和源極引腳的一端分別與晶圓連接，柵極引腳設(shè)置在漏極引腳和源極引腳之間。這樣，能夠?qū)崿F(xiàn)最大程度增大漏極引腳和源極引腳之間的安全間距，提高了MOS管的耐高壓能力，減少或避免MOS管的漏電問題，不僅便于后端應(yīng)用，且有利于進一步小型化MOS管和芯片的尺寸，成本低，不存在現(xiàn)有技術(shù)中PCB破孔的風(fēng)險或MOS管器件加工時受損的風(fēng)險等。

由于芯片包括上述的MOS管，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見上述的MOS管實施例的部分說明即可。

本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。

盡管已描述了本實用新型實施例的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本實用新型實施例范圍的所有變更和修改。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對本實用新型所提供的一種MOS管和一種芯片，進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本實用新型的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本實用新型的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實用新型的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本實用新型的限制。