本實(shí)用新型涉及晶閘管領(lǐng)域，具體為一種具有發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)的晶閘管。

背景技術(shù)：

晶閘管發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)是為旁路晶閘管發(fā)射結(jié)而設(shè)計(jì)的電阻性連接。發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)的運(yùn)用，是作為一種工藝方法以提高正向阻斷電壓和器件的di／dt耐量，發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)不僅能有效地控制電壓的轉(zhuǎn)折，而且也能夠提高晶閘管最大的di／dt耐量。但發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)的存在，也會造成發(fā)射區(qū)的損失，而且也是導(dǎo)通面積的損失。由于導(dǎo)通面積的損失，造成晶閘管的通態(tài)壓降變大，從而使晶閘管發(fā)熱現(xiàn)象嚴(yán)重，間接加大了晶閘管散熱器的使用成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)的晶閘管，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種具有發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)的晶閘管，包括硅片，門極，扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)，所述硅片的中心位置上設(shè)置有所述門極，所述硅片上還設(shè)置有一組所述扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)以所述門極為圓心均布在所述硅片上。

優(yōu)選的，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)采用扇形結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)從所述門極到所述硅片邊緣共分布有四圈，從內(nèi)圈到外圈分布的所述扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)的數(shù)量依次遞增。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：該具有發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)的晶閘管的扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)取代傳統(tǒng)遍布于整個(gè)發(fā)射區(qū)的圓形短路點(diǎn)，扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)與傳統(tǒng)遍布于整個(gè)發(fā)射區(qū)的圓形短路點(diǎn)相比，具有增加導(dǎo)通面積，減小晶閘管通態(tài)壓降，降低晶閘管發(fā)熱量，從而節(jié)省晶閘管散熱器的使用成本，避免短路點(diǎn)對等離子擴(kuò)展有過大的阻滯，提高晶閘管最大的di／dt耐量。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、硅片，2、門極，3、扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請參閱圖1，本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案：一種具有發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)的晶閘管，包括硅片1，門極2，扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)3，所述硅片1的中心位置上設(shè)置有所述門極2，所述硅片1上還設(shè)置有一組所述扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)3，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)3以所述門極2為圓心均布在所述硅片1上，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)3采用扇形結(jié)構(gòu)，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)3從所述門極2到所述硅片1邊緣共分布有四圈，從內(nèi)圈到外圈分布的所述扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)3的數(shù)量依次遞增。

工作原理：在使用該具有發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)的晶閘管時(shí)，扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)取代傳統(tǒng)遍布于整個(gè)發(fā)射區(qū)的圓形短路點(diǎn)，扇形發(fā)射區(qū)短路點(diǎn)與傳統(tǒng)遍布于整個(gè)發(fā)射區(qū)的圓形短路點(diǎn)相比，具有增加導(dǎo)通面積，減小晶閘管通態(tài)壓降，降低晶閘管發(fā)熱量，從而節(jié)省晶閘管散熱器的使用成本，避免短路點(diǎn)對等離子擴(kuò)展有過大的阻滯，提高晶閘管最大的di／dt耐量。

盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。