技術(shù)領(lǐng)域

所描述的技術(shù)總體涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。

背景技術(shù)：

平板顯示器的示例類型包括OLED顯示器、液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)等。

OLED顯示器包括像素電路的矩陣并且每個(gè)像素電路包括多個(gè)薄膜晶體管和連接到這些薄膜晶體管的一個(gè)OLED。

OLED發(fā)射亮度與通過薄膜晶體管供應(yīng)到OLED的電壓對應(yīng)的光。

在此背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用來增強(qiáng)對所描述的技術(shù)的背景的理解，因此其可以包含不構(gòu)成本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本國已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)發(fā)明方面涉及一種具有連接到OLED的薄膜晶體管的改善的晶體管特性的OLED顯示器。

另一方面是一種OLED顯示器，所述OLED顯示器包括：基板；多個(gè)OLED，設(shè)置在基板上；多個(gè)像素電路；設(shè)置在基板與OLED之間并且包括多個(gè)晶體管，所述多個(gè)晶體管包括連接到各個(gè)OLED的有源圖案；屏蔽層，橫穿像素電路并且與一部分晶體管的有源圖案疊置。

屏蔽層可以包括多條屏蔽線，屏蔽線可以沿第一方向彼此分隔開并且可以沿與第一方向交叉的第二方向延伸。

屏蔽線可以彼此連接。

基板可以包括：顯示區(qū)域，其中設(shè)置有OLED；非顯示區(qū)域，圍繞顯示區(qū)域，屏蔽層還可以包括在非顯示區(qū)域中沿第一方向延伸為連接到屏蔽線的連接線。

屏蔽層可以設(shè)置在基板的后側(cè)上。

OLED顯示器還可以包括設(shè)置在基板的后側(cè)上的強(qiáng)化基板，其中，屏蔽層可以設(shè)置在基板與強(qiáng)化基板之間。

基板還可以包括用于暴露強(qiáng)化基板的端部的倒角單元，連接線可以由倒角單元暴露。

屏蔽層可以設(shè)置在基板與有源圖案之間。

屏蔽層可以設(shè)置在基板的后側(cè)上。

功率可以供應(yīng)到屏蔽層。

晶體管可以包括第一晶體管，所述第一晶體管包括具有設(shè)置在基板上的第一溝道的第一有源圖案和設(shè)置在第一有源圖案上的第一柵電極，屏蔽層可以與第一有源圖案的第一溝道疊置。

OLED顯示器還可以包括在第一柵電極上與第一柵電極疊置并且與第一柵電極一起構(gòu)造電容器的電容器電極，其中，屏蔽層可以與電容器電極疊置。

晶體管還可以包括：第二晶體管，包括連接到第一有源圖案的第二有源圖案和設(shè)置在第二有源圖案上的第二柵電極；第三晶體管，包括具有用于連接在第一有源圖案和第一柵電極之間的第三溝道的第三有源圖案和設(shè)置在第三有源圖案上的第三柵電極，屏蔽層可以與第三有源圖案的第三溝道疊置。

屏蔽層可以不與第二有源圖案疊置。

OLED顯示器還可以包括：第一掃描線，設(shè)置在第二有源圖案上以橫穿第二有源圖案和第三有源圖案，并且連接到第二柵電極和第三柵電極；數(shù)據(jù)線，設(shè)置在第一掃描線上以橫穿第一掃描線，并且連接到第二有源圖案；驅(qū)動(dòng)電源線，設(shè)置在第一掃描線上并且與數(shù)據(jù)線分隔開以橫穿第一掃描線，并且連接到第一有源圖案。

晶體管還可以包括第四晶體管，所述第四晶體管包括連接到第一柵電極和第三有源圖案的第四有源圖案以及設(shè)置在第四有源圖案上的第四柵電極，OLED顯示器還可以包括：第二掃描線，設(shè)置在第四有源圖案上以橫穿第四有源圖案并且連接到第四柵電極；初始化電源線，設(shè)置在第二掃描線上并且連接到第四有源圖案。

晶體管還可以包括第七晶體管，所述第七晶體管包括連接到第四有源圖案的第七有源圖案和設(shè)置在第七有源圖案上的第七柵電極，OLED顯示器還可以包括設(shè)置在第七有源圖案上以橫穿第七有源圖案并且連接到第七柵電極的第三掃描線。

晶體管還可以包括：第五晶體管，包括用于連接在第一有源圖案與驅(qū)動(dòng)電源線之間的第五有源圖案以及設(shè)置在第五有源圖案的第五柵電極；第六晶體管，包括用于連接在第一有源圖案與OLED之間的第六有源圖案以及設(shè)置在第六有源圖案上的第六柵電極，OLED顯示器還可以包括設(shè)置在第五有源圖案和第六有源圖案上以橫穿第五有源圖案和第六有源圖案并且連接到第五柵電極和第六柵電極的發(fā)射控制線。

屏蔽層可以與第二有源圖案、第四有源圖案、第五有源圖案、第六有源圖案和第七有源圖案中的至少一個(gè)不疊置。

另一方面是一種OLED顯示器，所述OLED顯示器包括：基板；多個(gè)OLED，設(shè)置在基板上；多個(gè)像素電路，包括第一晶體管和第三晶體管，第一晶體管包括連接到OLED的第一有源圖案和設(shè)置在第一有源圖案上的第一柵電極，第三晶體管包括用于連接在第一有源圖案與第一柵電極之間的第三有源圖案；屏蔽層，橫穿像素電路并與第一有源圖案和第三有源圖案疊置。

另一方面是一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，所述OLED顯示器包括：基板；多個(gè)OLED，設(shè)置在基板上方；多個(gè)像素電路，設(shè)置在基板與OLED之間，其中，每個(gè)像素電路包括多個(gè)晶體管，所述多個(gè)晶體管中的每個(gè)包括電連接到各個(gè)OLED的有源圖案；屏蔽層，橫穿像素電路并且在OLED顯示器的深度維度上與晶體管的有源圖案疊置。

在上面的OLED顯示器中，屏蔽層包括多條屏蔽線，其中，屏蔽線沿第一方向彼此分隔開并且沿與第一方向交叉的第二方向延伸。

在上面的OLED顯示器中，屏蔽線彼此電連接。

在上面的OLED顯示器中，基板包括：顯示區(qū)域，包括OLED；非顯示區(qū)域，圍繞顯示區(qū)域，其中，屏蔽層還包括在非顯示區(qū)域中沿第一方向延伸并且電連接到屏蔽線的連接線。

在上面的OLED顯示器中，基板包括彼此相對的第一側(cè)和第二側(cè)，其中，OLED設(shè)置在第一側(cè)上，其中，屏蔽層設(shè)置在第二側(cè)上。

上面的OLED顯示器還包括設(shè)置在基板的第二側(cè)上的強(qiáng)化基板，其中，屏蔽層設(shè)置在基板和強(qiáng)化基板之間。

在上面的OLED顯示器中，基板還包括與強(qiáng)化基板的端部相鄰的倒角部分，其中，強(qiáng)化基板的端部和連接線的一部分在OLED顯示器的深度維度上在與倒角部分相鄰的區(qū)域中不與基板疊置。

在上面的OLED顯示器中，屏蔽層設(shè)置在基底與有源圖案之間。

在上面的OLED顯示器中，屏蔽層包括多條屏蔽線，所述多條屏蔽線中的至少兩條具有不同的寬度。

在上面的OLED顯示器中，屏蔽層被構(gòu)造為接收功率。

在上面的OLED顯示器中，晶體管包括第一晶體管，第一晶體管包括i)具有設(shè)置在基板上方的第一溝道的第一有源圖案和ii)設(shè)置在第一有源圖案上的第一柵電極，其中，屏蔽層在OLED顯示器的深度維度上與第一有源圖案的第一溝道疊置。

上面的OLED顯示器還包括在OLED顯示器的深度維度上與第一柵電極疊置的電容器電極，其中，電容器電極和第一柵電極一起形成電容器，其中，屏蔽層在OLED顯示器的深度維度上與電容器電極疊置。

在上面的OLED顯示器中，晶體管還包括：第二晶體管，包括電連接到第一有源圖案的第二有源圖案和設(shè)置在第二有源圖案上方的第二柵電極；第三晶體管，包括i)具有被構(gòu)造為將第一有源圖案和第一柵電極電連接的第三溝道的第三有源圖案以及ii)設(shè)置在第三有源圖案上的第三柵電極，其中，屏蔽層在OLED顯示器的深度維度上與第三有源圖案的第三溝道疊置。

在上面的OLED顯示器中，屏蔽層可以在OLED顯示器的深度維度上不與第二有源圖案疊置。

上面的OLED顯示器還包括：第一掃描線，設(shè)置在第二有源圖案上方，在OLED顯示器的深度維度上與第二有源圖案和第三有源圖案疊置，并且電連接到第二柵電極和第三柵電極；數(shù)據(jù)線，設(shè)置在第一掃描線上方，與第一掃描線交叉，并且電連接到第二有源圖案；驅(qū)動(dòng)電源線，設(shè)置在第一掃描線上方并且與數(shù)據(jù)線分隔開，其中，驅(qū)動(dòng)電源線與第一掃描線交叉并且電連接到第一有源圖案。

在上面的OLED顯示器中，晶體管還包括第四晶體管，第四晶體管包括i)電連接到第一柵電極和第三有源圖案的第四有源圖案以及ii)設(shè)置在第四有源圖案上的第四柵電極，其中，OLED顯示器還包括：第二掃描線，設(shè)置在第四有源圖案上，在OLED顯示器的深度維度上與第四有源圖案疊置，并且電連接到第四柵電極；初始化電源線，設(shè)置在第二掃描線上方并且電連接到第四有源圖案。

在上面的OLED顯示器中，晶體管還包括第七晶體管，第七晶體管包括i)電連接到第四有源圖案的第七有源圖案和ii)設(shè)置在第七有源圖案上的第七柵電極，其中，OLED顯示器還包括設(shè)置在第七有源圖案上、在OLED顯示器的深度維度上與第七有源圖案疊置并且電連接到第七柵電極的第三掃描線。

在上面的OLED顯示器中，晶體管還包括：第五晶體管，包括i)被構(gòu)造為將第一有源圖案和驅(qū)動(dòng)電源線電連接的第五有源圖案以及ii)設(shè)置在第五有源圖案上方的第五柵電極；第六晶體管，包括i)被構(gòu)造為電連接第一有源圖案和OLED的第六有源圖案以及ii)設(shè)置在第六有源圖案上的第六柵電極，其中，OLED顯示器還包括設(shè)置在第五有源圖案和第六有源圖案上、橫穿第五有源圖案和第六有源圖案并且電連接到第五柵電極和第六柵電極的發(fā)射控制線。

在上面的OLED顯示器中，屏蔽層在OLED顯示器的深度維度上與第二有源圖案、第四有源圖案、第五有源圖案、第六有源圖案和第七有源圖案中的至少一個(gè)不疊置。

另一方面是一種OLED顯示器，所述OLED顯示器包括：基板；多個(gè)OLED，設(shè)置在基板上方；多個(gè)像素電路，每個(gè)像素電路包括多個(gè)晶體管，電連接到OLED并且包括驅(qū)動(dòng)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管包括電連接到OLED的第一有源圖案和設(shè)置在第一有源圖案上方的第一柵電極；互補(bǔ)晶體管，包括被構(gòu)造為電連接到第一有源圖案和第一柵電極的第二有源圖案；屏蔽層，橫穿像素電路并且在OLED顯示器的深度維度上與第一有源圖案和第二有源圖案疊置。

在上面的OLED顯示器中，屏蔽層接觸基板。

在上面的OLED顯示器中，屏蔽層與基板之間的距離小于第一有源圖案和第二有源圖案與基板之間的距離。

在上面的OLED顯示器中，基板設(shè)置在晶體管與屏蔽層之間。

根據(jù)所公開的實(shí)施例中的至少一個(gè)，提供了具有連接到OLED顯示器的薄膜晶體管的改善的晶體管特性的OLED顯示器。

附圖說明

圖1示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED顯示器的俯視平面圖。

圖2示出了圖1中示出的OLED顯示器的像素的電路圖。

圖3示出了圖1中示出的OLED顯示器的像素的布局圖。

圖4示出了關(guān)于圖3的線IV-IV的剖視圖。

圖5示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器的俯視平面圖。

圖6示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器的剖視圖。

圖7示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下面的詳細(xì)描述中，僅通過圖示的方法簡單地示出并描述了某些示例性實(shí)施例。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到的是，在不脫離所描述的技術(shù)的精神或范圍的全部情況下，所描述的實(shí)施例可以以各種不同的方式進(jìn)行修改。

沒有示出與示例性實(shí)施例的描述無關(guān)的部分以使描述清楚，遍及說明書，同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件。

此外，對于示例性實(shí)施例，通過對相同的組成元件使用相同的附圖標(biāo)記參照相關(guān)附圖在第一示例性實(shí)施例中針對組成元件給出詳細(xì)的描述，同時(shí)在其他示例性實(shí)施例中僅描述與第一示例性實(shí)施例相關(guān)的組成元件不同的組成元件。

為了更好的理解和易于描述，在附圖中任意示出在附圖中示出的每個(gè)組件的尺寸和厚度，但是所描述的技術(shù)不限于圖示。

在附圖中，為了清楚，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。為了更好的理解和易于描述，在附圖中擴(kuò)大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在此公開中，術(shù)語“基本上”包括完全、幾乎完全或者在一些應(yīng)用下任何重要的程度并且與本領(lǐng)域的技術(shù)人員的理解一致的意思。此外，“形成、設(shè)置或定位在……上方”還可以指“形成、設(shè)置或定位在……上”。術(shù)語“連接”包括電連接。

圖1示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED顯示器的俯視平面圖。像素可以表示用于顯示圖像的最小單元。

如圖1所示，OLED顯示器包括基板(SUB)、多個(gè)像素(PX)、多條柵極布線(GW)、柵極驅(qū)動(dòng)器(GD)、多條數(shù)據(jù)布線(DW)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)和屏蔽層(SLA)。

基板(SUB)包括用于顯示圖像的顯示區(qū)域(DIA)和與顯示區(qū)域(DIA)鄰近的非顯示區(qū)域(NDA)。非顯示區(qū)域(NDA)可以設(shè)置為圍繞顯示區(qū)域(DIA)的邊緣，并且不限制于此，非顯示區(qū)域(NDA)可以設(shè)置為與顯示區(qū)域(DIA)鄰近。基板(SUB)是由玻璃、聚合物或不銹鋼形成的絕緣基板。基板(SUB)可以是柔性的、可伸縮的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。結(jié)果，OLED顯示器可以是柔性的、可伸縮的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。

像素(PX)對應(yīng)于基板(SUB)的顯示區(qū)域(DIA)設(shè)置在基板(SUB)上。像素(PX)分別連接到柵極布線(GW)和數(shù)據(jù)布線(DW)。像素(PX)分別具有包括OLED的像素電路、用于控制流到OLED的驅(qū)動(dòng)電流的多個(gè)薄膜晶體管以及至少一個(gè)電容器，OLED用于發(fā)射具有與驅(qū)動(dòng)電流對應(yīng)的亮度的光，驅(qū)動(dòng)電流與由通過柵極布線(GW)切換的數(shù)據(jù)布線(DW)供應(yīng)的信號對應(yīng)。像素(PX)分別具有包括OLED和薄膜晶體管的像素電路，所以包括多個(gè)OLED和連接到OLED的薄膜晶體管的多個(gè)像素電路設(shè)置在基板(SUB)的顯示區(qū)域(DIA)中。像素電路設(shè)置在基板(SUB)與像素(PX)中的OLED之間。

柵極布線(GW)可以連接到柵極驅(qū)動(dòng)器(GD)并且可以連接到像素(PX)，柵極布線(GW)可以分別包括第一掃描線、第二掃描線、第三掃描線、初始化電源線和發(fā)射控制線。將在說明書后面的部分描述第一掃描線、第二掃描線、第三掃描線、初始化電源線和發(fā)射控制線。

包括第一掃描線、第二掃描線、第三掃描線、初始化電源線和發(fā)射控制線的柵極布線(GW)可以不連接到柵極驅(qū)動(dòng)器(GD)，而可以通過基板(SUB)的焊盤(襯墊)連接到另一驅(qū)動(dòng)器，可以以已知的各種形式執(zhí)行此連接。

柵極驅(qū)動(dòng)器(GD)設(shè)置在基板(SUB)的非顯示區(qū)域(NDA)中并且連接到柵極布線(GW)。

數(shù)據(jù)布線(DW)可以分別連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)并且可以連接到像素(PX)，數(shù)據(jù)布線(DW)可以包括數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電源線。將在說明書后面的部分描述數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電源線。

包括數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電源線的數(shù)據(jù)布線(DW)可以不連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)并且可以通過基板(SUB)的焊盤(襯墊)連接到另一驅(qū)動(dòng)器，可以以已知的各種形式執(zhí)行此連接。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)設(shè)置在基板(SUB)的非顯示區(qū)域(NDA)中并且連接到數(shù)據(jù)布線(DW)。

屏蔽層(SLA)連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)并且橫穿像素(PX)。屏蔽層(SLA)包括多條連接線(CL)和多條屏蔽線(SL)。屏蔽層(SLA)接收來自數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)或另一驅(qū)動(dòng)器的功率，供應(yīng)到屏蔽層(SLA)的功率可以與供應(yīng)到包括在數(shù)據(jù)布線(DW)中的驅(qū)動(dòng)電源線的功率相同，并且不限于此，可以供應(yīng)與供應(yīng)到驅(qū)動(dòng)電源線的功率不同的另一水平的功率。

連接線(CL)設(shè)置在基板(SUB)的非顯示區(qū)域(NDA)中，并且連接到屏蔽線(SL)以連接在屏蔽線(SL)和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)之間。

屏蔽線(SL)沿第一方向上彼此分開，并且在基板(SUB)上沿與第一方向交叉的第二方向延伸。這里，第二方向可以平行于柵極布線(GW)延伸所沿的方向，但其不限于此。

屏蔽線(SL)通過連接線(CL)彼此連接。連接線(CL)沿第一方向延伸并且連接到非顯示區(qū)域(NDA)中的屏蔽線(SL)。

屏蔽層(SLA)可以不連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)并且可以通過基板(SUB)的焊盤(襯墊)連接到另一驅(qū)動(dòng)器。

圖2示出圖1中示出的OLED顯示器的像素的電路圖。

如圖2所示，OLED顯示器的像素PX包括像素電路(PC)和連接到像素電路(PC)的OLED，像素電路(PC)包括選擇性連接到第一掃描線(Sn)、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發(fā)射控制線(EM)、初始化電源線Vin、數(shù)據(jù)線(DA)和驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)的多個(gè)薄膜晶體管(T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7)以及電容器(Cst)。

上面提到的屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)穿過包括在像素電路(PC)中的薄膜晶體管(T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7)之中的薄膜晶體管T1和T3，屏蔽線(SL)與薄膜晶體管T1和T3的有源圖案疊置。

這里，第一掃描線(Sn)、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發(fā)射控制線(EM)和初始化電源線Vin可以包括在柵極布線中，數(shù)據(jù)線(DA)和驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)可以包括在數(shù)據(jù)布線中。第一掃描線(Sn)、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發(fā)射控制線(EM)、初始化電源線Vin、數(shù)據(jù)線(DA)和驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)可以包括相同的材料或不同的材料，并且可以設(shè)置在基板(SUB)上的同一層上或不同的層上。

薄膜晶體管(T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7)包括第一薄膜晶體管T1、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、第六薄膜晶體管T6和第七薄膜晶體管T7。

第一薄膜晶體管T1包括：第一柵電極G1，連接到第三薄膜晶體管T3的第三漏電極D3、第四薄膜晶體管T4的第四漏電極D4和電容器Cst的第一電極；第一源電極S1，連接到第二薄膜晶體管T2的第二漏電極D2和第五薄膜晶體管T5的第五漏電極D5；第一漏電極D1，連接到第三薄膜晶體管T3的第三源電極S3和第六薄膜晶體管T6的第六源電極S6。屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)穿過第一薄膜晶體管T1，屏蔽線(SL)橫穿像素電路(PC)并且與第一薄膜晶體管T1的有源圖案疊置。

第二薄膜晶體管T2包括連接到第一掃描線(Sn)的第二柵電極G2、連接到數(shù)據(jù)線(DA)的第二源電極S2以及連接到第一薄膜晶體管T1的第一源電極S1的第二漏電極D2。

第三薄膜晶體管T3包括連接到第一掃描線(Sn)的第三柵電極G3、連接到第一薄膜晶體管T1的第一漏電極D1的第三源電極S3和連接到第一薄膜晶體管T1的第一柵電極G1的第三漏電極D3。屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)穿過第三薄膜晶體管T3，屏蔽線(SL)橫穿像素電路(PC)并且與第三薄膜晶體管T3的有源圖案疊置。

第四薄膜晶體管T4包括連接到第二掃描線Sn-1的第四柵電極G4、連接到初始化電源線Vin的第四源電極S4和連接到第一薄膜晶體管T1的第一柵電極G1的第四漏電極D4。

第五薄膜晶體管T5包括連接到發(fā)射控制線(EM)的第五柵電極G5、連接到驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)的第五源電極S5和連接到第一薄膜晶體管T1的第一源電極S1的第五漏電極D5。

第六薄膜晶體管T6包括連接到發(fā)射控制線(EM)的第六柵電極G6、連接到第一薄膜晶體管T1的第一漏電極D1的第六源電極S6和連接到OLED的第六漏電極D6。第一薄膜晶體管T1通過第六薄膜晶體管T6連接到OLED。

第七薄膜晶體管T7包括連接到第三掃描線Sn-2的第七柵電極G7、連接到OLED的第七源電極S7和連接到第四薄膜晶體管T4的第四源電極S4的第七漏電極D7。

電容器Cst包括連接到驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)的第二電極以及連接到第一柵電極G1和第三薄膜晶體管T3的第三漏電極D3的第一電極。

OLED包括第一電極、設(shè)置在第一電極上的第二電極以及設(shè)置在第一電極與第二電極之間的有機(jī)發(fā)射層。OLED的第一電極連接到第七薄膜晶體管T7的第七源電極S7和第六薄膜晶體管T6的第六漏電極D6，第二電極連接到用于供應(yīng)共信號的共電源(ELVSS)。

現(xiàn)在將參照圖3和圖4描述OLED顯示器的像素的設(shè)置。

絕緣層設(shè)置在設(shè)置在不同層上的組成元件之間，它們可以是諸如氮化硅或氧化硅的無機(jī)絕緣層或者有機(jī)絕緣層。絕緣層可以設(shè)置為單層或多層。

圖3示出圖1中示出的OLED顯示器的像素的布局圖。圖4示出關(guān)于圖3的線IV-IV的剖視圖。

如圖3和圖4所示，像素包括像素電路和連接到像素電路的OLED，像素電路包括第一薄膜晶體管T1、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、第六薄膜晶體管T6、第七薄膜晶體管T7、電容器Cst以及選擇性地連接到第一掃描線(Sn)、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發(fā)射控制線(EM)、數(shù)據(jù)線(DA)、驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)和初始化電源線Vin的柵極橋(GB)。屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)橫穿像素電路并且與第一薄膜晶體管T1的第一有源圖案A1和第三薄膜晶體管T3的第三有源圖案A3疊置。

第一薄膜晶體管T1設(shè)置在基板(SUB)上，并且包括第一有源圖案A1和第一柵電極G1。

第一有源圖案A1包括第一源電極S1、第一溝道C1和第一漏電極D1。第一源電極S1連接到第二薄膜晶體管T2的第二漏電極D2和第五薄膜晶體管T5的第五漏電極D5，第一漏電極D1連接到第三薄膜晶體管T3的第三源電極S3和第六薄膜晶體管T6的第六源電極S6。

第一有源圖案A1可以由多晶硅或氧化物半導(dǎo)體形成。氧化物半導(dǎo)體可以包括基于鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)的氧化物以及它們的復(fù)合氧化物，諸如銦-鎵-鋅氧化物(In-Ga-Zn-O)、銦-鋅氧化物(Zn-In-O)、鋅-錫氧化物(Zn-Sn-O)、銦-鎵氧化物(In-Ga-O)、銦-錫氧化物(In-Sn-O)、銦-鋯氧化物(In-Zr-O)、銦-鋯-鋅氧化物(In-Zr-Zn-O)、銦-鋯-錫氧化物(In-Zr-Sn-O)、銦-鋯-鎵氧化物(In-Zr-Ga-O)、銦-鋁氧化物(In-Al-O)、銦-鋅-鋁氧化物(In-Zn-Al-O)、銦-錫-鋁氧化物(In-Sn-Al-O)、銦-鋁-鎵氧化物(In-Al-Ga-O)、銦-鉭氧化物(In-Ta-O)、銦-鉭-鋅氧化物(In-Ta-Zn-O)、銦-鉭-錫氧化物(In-Ta-Sn-O)、銦-鉭-鎵氧化物(In-Ta-Ga-O)、銦-鍺氧化物(In-Ge-O)、銦-鍺-鋅氧化物(In-Ge-Zn-O)、銦-鍺-錫氧化物(In-Ge-Sn-O)、銦-鍺-鎵氧化物(In-Ge-Ga-O)、鈦-銦-鋅氧化物(Ti-In-Zn-O)和鉿-銦-鋅氧化物(Hf-In-Zn-O)。當(dāng)?shù)谝挥性磮D案A1由氧化物半導(dǎo)體形成時(shí)，可以添加鈍化層，以保護(hù)易受諸如高溫等的外部環(huán)境傷害的氧化物半導(dǎo)體。

第一有源圖案A1的第一溝道C1可以用N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)進(jìn)行溝道區(qū)域摻雜，第一源電極S 1和第一漏電極D1可以彼此分隔開并使第一溝道C1設(shè)置在其間，第一源電極S1和第一漏電極D1可以用與摻雜第一溝道C1所用的雜質(zhì)類型相反的雜質(zhì)摻雜。

第一柵電極G1設(shè)置在第一有源圖案A1的第一溝道C1上并且具有島狀物形狀。第一柵電極G1通過穿過接觸孔的柵極橋(GB)連接到第四薄膜晶體管T4的第四漏電極D4和第三薄膜晶體管T3的第三漏電極D3。第一柵電極G1與電容器電極(CE)疊置，它可以用作第一薄膜晶體管T1的柵電極，并且它還可以用作電容器Cst的電極。即，第一柵電極G1與電容器電極(CE)一起構(gòu)成電容器Cst。

屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)設(shè)置在第一有源圖案A1與基板(SUB)之間。第一有源圖案A1的第一溝道C1與屏蔽線(SL)疊置，功率被供應(yīng)到屏蔽線(SL)，使得諸如電子或空穴的電荷根據(jù)供應(yīng)到屏蔽線(SL)的功率的極性儲存在第一有源圖案A1的第一溝道C1處，從而控制第一薄膜晶體管T1的閾值電壓。

即，第一薄膜晶體管T1的閾值電壓可以通過使用屏蔽線(SL)而增大或減小，可以通過控制第一薄膜晶體管T1的閾值電壓來改善可能發(fā)生在第一薄膜晶體管T1處的滯后。

第二薄膜晶體管T2設(shè)置在基板(SUB)上，并且包括第二有源圖案A2和第二柵電極G2。第二有源圖案A2包括第二源電極S2、第二溝道C2和第二漏電極D2。第二源電極S2通過接觸孔連接到數(shù)據(jù)線(DA)，第二漏電極D2連接到第一薄膜晶體管T1的第一源電極S1。作為第二有源圖案A2的與第二柵電極G2疊置的溝道區(qū)域的第二溝道C2設(shè)置在第二源電極S2與第二漏電極D2之間。即，第二有源圖案A2連接到第一有源圖案A1。

第二有源圖案A2的第二溝道C2可以是用N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)摻雜的溝道，第二源電極S2和第二漏電極D2可以彼此分隔開并使第二溝道C2置于其間，并且可以用與摻雜第二溝道C2用的雜質(zhì)相反類型的雜質(zhì)進(jìn)行摻雜。第二有源圖案A2與第一有源圖案A1設(shè)置在同一層上，它由與第一有源圖案A1相同的材料形成，并且它與第一有源圖案A1一體地形成。

第二柵電極G2設(shè)置在第二有源圖案A2的第二溝道C2上，并且與第一掃描線(Sn)一體地形成。

屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)不設(shè)置在第二有源圖案A2與基板(SUB)之間，第二有源圖案A2的第二溝道C2不與屏蔽線(SL)疊置。

第三薄膜晶體管T3設(shè)置在基板(SUB)上，并且包括第三有源圖案A3和第三柵電極G3。

第三有源圖案A3包括第三源電極S3、第三溝道C3和第三漏電極D3。第三源電極S3連接到第一漏電極D1，第三漏電極D3通過穿過接觸孔的柵極橋(GB)連接到第一薄膜晶體管T1的第一柵電極G1。作為第三有源圖案A3的與第三柵電極G3疊置的溝道區(qū)域的第三溝道C3設(shè)置在第三源電極S3與第三漏電極D3之間。即，第三有源圖案A3連接在第一有源圖案A1與第一柵電極G1之間。

第三有源圖案A3的第三溝道C3可以是用N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)摻雜的溝道，第三源電極S3和第三漏電極D3可以彼此分隔開并使第三溝道C3置于其間，并且可以用與摻雜第三溝道C3用的雜質(zhì)類型相反的雜質(zhì)摻雜。第三有源圖案A3與第一有源圖案A1和第二有源圖案A2設(shè)置在同一層上，由與第一有源圖案A1和第二有源圖案A2相同的材料形成并且與第一有源圖案A1和第二有源圖案A2一體地形成。

第三柵電極G3設(shè)置在第三有源圖案A3的第三溝道C3上，并且與第一掃描線(Sn)一體地形成。第三柵電極G3形成為雙柵電極。

屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)設(shè)置在第三有源圖案A3與基板(SUB)之間。第三有源圖案A3的第三溝道C3與屏蔽線(SL)疊置，功率被供應(yīng)到屏蔽線(SL)，使得諸如電子或空穴的電荷根據(jù)供應(yīng)到屏蔽線(SL)的功率的極性儲存在第三有源圖案A3的第三溝道C3處，從而控制第三薄膜晶體管T3的閾值電壓。

即，可以通過使用屏蔽線(SL)增大或減小第三薄膜晶體管T3的閾值電壓，可以通過控制第三薄膜晶體管T3的閾值電壓來改善可能發(fā)生在第三薄膜晶體管T3處的滯后。

第四薄膜晶體管T4設(shè)置在基板(SUB)上，并且包括第四有源圖案A4和第四柵電極G4。

第四有源圖案A4包括第四源電極S4、第四溝道C4和第四漏電極D4。第四源電極S4通過接觸孔連接到初始化電源線Vin，第四漏電極D4通過穿過接觸孔的柵極橋(GB)連接到第一薄膜晶體管T1的第一柵電極G1。作為第四有源圖案A4的與第四柵電極G4疊置的溝道區(qū)域的第四溝道C4設(shè)置在第四源電極S4與第四漏電極D4之間。即，第四有源圖案A4連接在初始化電源線Vin與第一柵電極G1之間，并且連接到第三有源圖案A3和第一柵電極G1。

第四有源圖案A4的第四溝道C4可以是用N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)摻雜的溝道，第四源電極S4和第四漏電極D4可以彼此分隔開并使第四溝道C4置于其間，并且可以用與摻雜第四溝道C4用的雜質(zhì)相反類型的雜質(zhì)來摻雜。第四有源圖案A4與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2和第三有源圖案A3設(shè)置在同一層上，由與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2和第三有源圖案A3相同的材料形成，并且與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2和第三有源圖案A3一體地形成。

第四柵電極G4設(shè)置在第四有源圖案A4的第四溝道C4上并且與第二掃描線Sn-1一體地形成。第四柵電極G4形成為雙柵電極。

屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)不設(shè)置在第四有源圖案A4與基板(SUB)之間，第四有源圖案A4的第四溝道C4不與屏蔽線(SL)疊置。

第五薄膜晶體管T5設(shè)置在基板(SUB)上，并且包括第五有源圖案A5和第五柵電極G5。

第五有源圖案A5包括第五源電極S5、第五溝道C5和第五漏電極D5。第五源電極S5通過接觸孔連接到驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)，第五漏電極D5連接到第一薄膜晶體管T1的第一源電極S 1。作為第五有源圖案A5的與第五柵電極G5疊置的溝道區(qū)域的第五溝道C5設(shè)置在第五源電極S5與第五漏電極D5之間。即，第五有源圖案A5連接在驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)與第一有源圖案A1之間。

第五有源圖案A5的第五溝道C5可以是用N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)摻雜的溝道，第五源電極S5和第五漏電極D5可以彼此分隔開并使第五溝道C5置于其間，并且可以用與摻雜第五溝道C5用的雜質(zhì)相反類型的雜質(zhì)進(jìn)行摻雜。第五有源圖案A5與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2、第三有源圖案A3和第四有源圖案A4設(shè)置在同一層上，由與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2、第三有源圖案A3和第四有源圖案A4相同的材料形成，并且與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2、第三有源圖案A3和第四有源圖案A4一體地形成。

第五柵電極G5設(shè)置在第五有源圖案A5的第五溝道C5上，并且與發(fā)射控制線(EM)一體地形成。

屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)不設(shè)置在第五有源圖案A5與基板(SUB)之間，第五有源圖案A5的第五溝道C5不與屏蔽線(SL)疊置。

第六薄膜晶體管T6設(shè)置在基板(SUB)上，并且包括第六有源圖案A6和第六柵電極G6。

第六有源圖案A6包括第六源電極S6、第六溝道C6和第六漏電極D6。第六源電極S6連接到第一薄膜晶體管T1的第一漏電極D1，第六漏電極D6通過接觸孔連接到OLED的第一電極E1。作為第六有源圖案A6的與第六柵電極G6疊置的溝道區(qū)域的第六溝道C6設(shè)置在第六源電極S6與第六漏電極D6之間。即，第六有源圖案A6連接在第一有源圖案A1和OLED的第一電極E1之間。

第六有源圖案A6的第六溝道C6可以是用N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)摻雜的溝道，第六源電極S6和第六漏電極D6可以彼此分隔開并使第六溝道C6置于其間，并且可以用與摻雜第六溝道C6用的雜質(zhì)相反類型的雜質(zhì)來摻雜。第六有源圖案A6與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2、第三有源圖案A3、第四有源圖案A4和第五有源圖案A5設(shè)置在同一層上，由與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2、第三有源圖案A3、第四有源圖案A4和第五有源圖案A5相同的材料形成，并且與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2、第三有源圖案A3、第四有源圖案A4和第五有源圖案A5一體地形成。

第六柵電極G6設(shè)置在第六有源圖案A6的第六溝道C6上，并且與發(fā)射控制線(EM)一體地形成。

屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)不設(shè)置在第六有源圖案A6與基板(SUB)之間，第六有源圖案A6的第六溝道C6不與屏蔽線(SL)疊置。

第七薄膜晶體管T7設(shè)置在基板(SUB)上，并且包括第七有源圖案A7和第七柵電極G7。

第七有源圖案A7包括第七源電極S7、第七溝道C7和第七漏電極D7。第七源電極S7連接到未在圖3中示出的另一像素(其可以是設(shè)置在圖3中示出的像素的底部上的另一像素)的OLED的第一電極，第七漏電極D7連接到第四薄膜晶體管T4的第四源電極S4。作為第七有源圖案A7的與第七柵電極G7疊置的溝道區(qū)域的第七溝道C7設(shè)置在第七源電極S7與第七漏電極D7之間。即，第七有源圖案A7連接在OLED的第一電極與第四有源圖案A4之間。

第七有源圖案A7的第七溝道C7可以是用N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)摻雜的溝道，第七源電極S7和第七漏電極D7可以彼此分隔開并使第七溝道C7置于其間，并且可以用與摻雜第七溝道C7用的雜質(zhì)相反類型的雜質(zhì)來摻雜。第七有源圖案A7與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2、第三有源圖案A3、第四有源圖案A4、第五有源圖案A5和第六有源圖案A6設(shè)置在同一層上，由與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2、第三有源圖案A3、第四有源圖案A4、第五有源圖案A5和第六有源圖案A6相同的材料形成，并且與第一有源圖案A1、第二有源圖案A2、第三有源圖案A3、第四有源圖案A4、第五有源圖案A5和第六有源圖案A6一體地形成。

第七柵電極G7設(shè)置在第七有源圖案A7的第七溝道C7上，并且與第三掃描線Sn-2一體地形成。

屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)不設(shè)置在第七有源圖案A7與基板(SUB)之間，第七有源圖案A7的第七溝道C7不與屏蔽線(SL)疊置。

第一掃描線(Sn)設(shè)置在第二有源圖案A2和第三有源圖案A3上，以沿橫穿第二有源圖案A2和第三有源圖案A3的方向延伸。第一掃描線(Sn)與第二柵電極G2和第三柵電極G3一體地形成，以連接到第二柵電極G2和第三柵電極G3。

第二掃描線Sn-1與第一掃描線(Sn)分開以設(shè)置在第四有源圖案A4上，它沿橫穿第四有源圖案A4的方向延伸，并且它與第四柵電極G4一體地形成以連接到第四柵電極G4。

第三掃描線Sn-2與第二掃描線Sn-1分開，以設(shè)置在第七有源圖案A7上，它沿橫穿第七有源圖案A7的方向延伸，并且它與第七柵電極G7一體地形成以連接到第七柵電極G7。

發(fā)射控制線(EM)與第一掃描線(Sn)分開以設(shè)置在第五有源圖案A5和第六有源圖案A6上，它沿橫穿第五有源圖案A5和第六有源圖案A6的方向延伸，并且它與第五柵電極G5和第六柵電極G6一體地形成以連接到第五柵電極G5和第六柵電極G6。

上述的發(fā)射控制線(EM)、第三掃描線Sn-2、第二掃描線Sn-1、第一掃描線(Sn)、第一柵電極G1、第二柵電極G2、第三柵電極G3、第四柵電極G4、第五柵電極G5、第六柵電極G6和第七柵電極G7設(shè)置在同一層上并且由相同的材料形成。在另一示例性實(shí)施例中，發(fā)射控制線(EM)、第三掃描線Sn-2、第二掃描線Sn-1、第一掃描線(Sn)、第一柵電極G1、第二柵電極G2、第三柵電極G3、第四柵電極G4、第五柵電極G5、第六柵電極G6和第七柵電極G7可以選擇性地設(shè)置在不同的層上并且可以由不同的材料形成。

電容器Cst包括彼此面對并使絕緣層置于其間的第一電極和第二電極。第一電極可以是電容器電極(CE)并且第二電極可以是第一柵電極G1。電容器電極(CE)設(shè)置在第一柵電極G1上，并且通過接觸孔連接到驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)。

電容器電極(CE)與第一柵電極G1一起構(gòu)成電容器Cst，第一柵電極G1和電容器電極(CE)可以由不同的金屬或相同的金屬形成在不同的層上。

電容器電極(CE)包括與第一柵電極G1的一部分疊置的開口(OA)，柵極橋(GB)通過開口(OA)連接到第一柵電極G1。電容器電極(CE)與屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)疊置。

數(shù)據(jù)線(DA)在第一掃描線(Sn)上設(shè)置為沿橫穿第一掃描線(Sn)的方向延伸，并且它通過接觸孔連接到第二有源圖案A2的第二源電極S2。數(shù)據(jù)線(DA)延伸為橫穿第一掃描線(Sn)、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2和發(fā)射控制線(EM)。

驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)與數(shù)據(jù)線(DA)分開以設(shè)置在第一掃描線(Sn)上，它沿橫穿第一掃描線(Sn)的第二方向延伸，并且它通過接觸孔連接到與電容器電極(CE)和第一有源圖案A1連接的第五有源圖案A5的第五源電極S5。驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)延伸為橫穿第一掃描線(Sn)、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2和發(fā)射控制線(EM)。

柵極橋(GB)在第一掃描線(Sn)上設(shè)置為與驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)分隔開，并且它通過接觸孔連接到第三有源圖案A3的第三漏電極D3和第四有源圖案A4的第四漏電極D4，以通過接觸孔連接到由電容器電極(CE)的開口(OA)暴露的第一柵電極G1。

上述的數(shù)據(jù)線(DA)、驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)和柵極橋(GB)設(shè)置在同一層上并且由相同的材料形成。在另一示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線(DA)、驅(qū)動(dòng)電源線(ELVDD)和柵極橋(GB)可以選擇性地設(shè)置在不同的層上并且可以由不同的材料形成。

初始化電源線Vin設(shè)置在第二掃描線Sn-1上，并且它通過接觸孔連接到第四有源圖案A4的第四源電極S4。初始化電源線Vin與OLED的第一電極E1設(shè)置在同一層上，并且由相同的材料形成。在另一示例性實(shí)施例中，初始化電源線Vin可以與第一電極E1設(shè)置在不同的層上，并且可以由不同的材料形成。

OLED包括第一電極E1、有機(jī)發(fā)射層OL和第二電極E2。第一電極E1通過接觸孔連接到第六薄膜晶體管T6的第六漏電極D6。有機(jī)發(fā)射層OL設(shè)置在第一電極E1與第二電極E2之間。第二電極E2設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層OL上。第一電極E1和第二電極E2中的至少一個(gè)可以是光透射電極、光反射電極和光透反射電極中的至少一種，從有機(jī)發(fā)射層OL發(fā)射的光可以在第一電極E1和第二電極E2中的至少一個(gè)電極方向上輸出。

用于覆蓋OLED的蓋層可以設(shè)置在OLED上，并且薄膜包封層或包封基底可以設(shè)置在OLED上并使蓋層置于其間。

屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)設(shè)置在第一薄膜晶體管T1的第一有源圖案A1與基板(SUB)之間以及第三薄膜晶體管T3的第三有源圖案A3與基板(SUB)之間。

屏蔽線(SL)與第一有源圖案A1的第一溝道C1和第三有源圖案A3的第三溝道C3疊置。功率供應(yīng)到屏蔽層(SLA)，因此功率供應(yīng)到屏蔽線(SL)。

屏蔽層(SLA)包括金屬，并且不限于此，它可以包括諸如導(dǎo)電聚合物的用于供應(yīng)功率的另一類型的材料。

被供應(yīng)功率的屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)與第一薄膜晶體管T1的第一有源圖案A1和第三薄膜晶體管T3的第三有源圖案A3疊置，使得OLED顯示器可以控制第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的閾值電壓，從而改善第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的晶體管特性。因此，連接到第一薄膜晶體管T1的OLED的發(fā)光效率得以改善。

例如，第一薄膜晶體管T1是連接到OLED的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管并且第三薄膜晶體管T3是用于連接在第一漏電極D1與第一柵電極G1之間的互補(bǔ)薄膜晶體管。第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3是對供應(yīng)到OLED的電流給予實(shí)際影響的薄膜晶體管。第一溝道C1和第三溝道C3與屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)疊置，功率供應(yīng)到屏蔽線(SL)，諸如電子或空穴的電荷因此根據(jù)供應(yīng)到屏蔽線(SL)的功率的極性而供應(yīng)到第一溝道C1和第三溝道C3，從而控制第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的閾值電壓。

即，可以通過使用屏蔽線(SL)增大或減小第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的閾值電壓，可以通過控制第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的閾值電壓來改善可能發(fā)生在第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的滯后，從而連接到第一薄膜晶體管T1的OLED的發(fā)光效率得以改善。

通過使用屏蔽線(SL)改善作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第一薄膜晶體管T1和作為互補(bǔ)薄膜晶體管的第三薄膜晶體管T3的晶體管特性，從而提供具有OLED的改善的發(fā)光效率的OLED顯示器。

圖5示出根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器的俯視平面圖。現(xiàn)在將描述與OLED顯示器不同的部分。

如圖5所示，OLED顯示器包括基板(SUB)、多個(gè)像素(PX)、柵極布線(GW)、柵極驅(qū)動(dòng)器(GD)、多條數(shù)據(jù)布線(DW)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)、屏蔽層(SLA)和強(qiáng)化基板(SSU)。

基板(SUB)包括用于顯示圖像的顯示區(qū)域(DIA)和與顯示區(qū)域(DIA)鄰近的非顯示區(qū)域(NDA)?；?SUB)可以設(shè)置在強(qiáng)化基板(SSU)上，并且基板(SUB)可以附著到強(qiáng)化基板(SSU)。

基板(SUB)還包括與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)鄰近的倒角單元(倒角部分)(CH)，倒角單元(CH)暴露作為強(qiáng)化基板(SSU)的端部的角。

強(qiáng)化基板(SSU)設(shè)置在基板(SUB)的后側(cè)上，作為強(qiáng)化基板(SSU)的端部的角由基板(SUB)的倒角單元(CH)暴露。強(qiáng)化基板(SSU)可以附著到基板(SUB)的后側(cè)，但其不限于此。強(qiáng)化基板(SSU)可以由與基板(SUB)不同的材料形成，并且在沒有限制于此的情況下，其可以由與基板(SUB)相同的材料形成。

屏蔽層(SLA)設(shè)置在基板(SUB)的后側(cè)上，并且設(shè)置在基板(SUB)與強(qiáng)化基板(SSU)之間。

屏蔽層(SLA)包括連接線CL和多條屏蔽線(SL)，連接線CL的剖面由基板(SUB)的倒角單元(CH)暴露。

由基板(SUB)的倒角單元(CH)暴露的連接線CL通過倒角單元(CH)連接到設(shè)置在基板(SUB)上的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)。連接線CL沿基板(SUB)與強(qiáng)化基板(SSU)之間的方向延伸以連接到設(shè)置在基板(SUB)與強(qiáng)化基板(SSU)之間的屏蔽線(SL)。

屏蔽線(SL)沿第一方向彼此分開，并且在基板(SUB)的后側(cè)上沿與第一方向交叉的第二方向延伸。第二方向可以是與柵極布線(GW)延伸所沿的方向平行的方向，這不是限制性的。

在示例性實(shí)施例中，屏蔽層(SLA)可以通過形成在基板(SUB)中的接觸孔連接到基板(SUB)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)。

圖6示出OLED顯示器200的剖視圖。

如圖6所示，屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)對應(yīng)于第一薄膜晶體管T1的第一有源圖案A1設(shè)置在基板(SUB)與強(qiáng)化基板(SSU)之間，并且對應(yīng)于第三薄膜晶體管T3的第三有源圖案A3設(shè)置在基板(SUB)與強(qiáng)化基板(SSU)之間。

屏蔽線(SL)與第一有源圖案A1的第一溝道C1和第三有源圖案A3的第三溝道C3疊置。功率供應(yīng)到屏蔽層(SLA)，并且通過此，功率也供應(yīng)到屏蔽線(SL)。

如所描述的，被供應(yīng)功率的屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)與第一薄膜晶體管T1的第一有源圖案A1和第三薄膜晶體管T3的第三有源圖案A3疊置，使得OLED顯示器可以控制第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的閾值電壓，從而改善第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的晶體管特性。因此，連接到第一薄膜晶體管T1的OLED的發(fā)光效率得以改善。

例如，第一薄膜晶體管T1是連接到OLED的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管并且第三薄膜晶體管T3是用于連接在第一薄膜晶體管T1的第一漏電極D1和第一柵電極G1之間的互補(bǔ)薄膜晶體管。第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3是顯著地影響供應(yīng)到OLED的電流的薄膜晶體管。第一薄膜晶體管T1的第一有源圖案A1的第一溝道C1和第三薄膜晶體管T3的第三有源圖案A3的第三溝道C3分別與屏蔽層(SLA)的屏蔽線(SL)疊置并且功率被供應(yīng)到屏蔽線(SL)，諸如電子或空穴的電荷根據(jù)供應(yīng)到屏蔽線(SL)的功率的極性被儲存到第一有源圖案A1的第一溝道C1和第三有源圖案A3的第三溝道C3，從而控制第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的閾值電壓。

即，可以通過使用屏蔽線(SL)增大或減小第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的閾值電壓，可以通過控制第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的閾值電壓來改善可能發(fā)生在第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的滯后，從而連接到第一薄膜晶體管T1的OLED的發(fā)光效率得以改善。

通過使用屏蔽線(SL)改善作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第一薄膜晶體管T1和作為互補(bǔ)薄膜晶體管的第三薄膜晶體管T3的晶體管特性，從而提供具有OLED的改善的發(fā)光效率的OLED顯示器。

此外，關(guān)于OLED顯示器200，可以制造出從基板(SUB)到OLED的元件，屏蔽層(SLA)可以設(shè)置在其上的強(qiáng)化基板(SSU)附著到基板(SUB)的后側(cè)，屏蔽層(SLA)可以連接到基板(SUB)上的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)，從而容易地將屏蔽層(SLA)應(yīng)用于基板(SUB)。即，提供具有OLED的改善的制造容易度和改善的發(fā)光效率的OLED顯示器。

圖7示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器的剖視圖?，F(xiàn)在將描述與OLED顯示器不同的部分。

如圖7所示，OLED顯示器包括基板(SUB)、多個(gè)像素(PX)、多條柵極布線(GW)、柵極驅(qū)動(dòng)器(GD)、多條數(shù)據(jù)布線(DW)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(DD)、屏蔽層(SLA)和強(qiáng)化基板(SSU)。

基板(SUB)包括用于顯示圖像的顯示區(qū)域(DIA)和與顯示區(qū)域(DIA)鄰近的非顯示區(qū)域(NDA)?；?SUB)可以設(shè)置在強(qiáng)化基板(SSU)上，基板(SUB)可以附著到強(qiáng)化基板(SSU)。

強(qiáng)化基板(SSU)設(shè)置在基板(SUB)的后側(cè)上。強(qiáng)化基板(SSU)可以附著到基板(SUB)的后側(cè)，但其不限于此。強(qiáng)化基板(SSU)可以由與基板(SUB)不同的材料形成，并且不限于此，它可以由與基板(SUB)相同的材料形成。

屏蔽層(SLA)設(shè)置在基板(SUB)的后側(cè)上，并且設(shè)置在基板(SUB)與強(qiáng)化基板(SSU)之間。屏蔽層(SLA)具有單個(gè)板形狀并且對應(yīng)于基板(SUB)的整個(gè)板面設(shè)置在強(qiáng)化基板(SSU)上。屏蔽層(SLA)可以通過形成在基板(SUB)中的接觸孔連接到基板(SUB)，并且在沒有限制于此的情況下，它可以連接到外部驅(qū)動(dòng)器以從驅(qū)動(dòng)器接收功率。

屏蔽層(SLA)對應(yīng)于第一薄膜晶體管T1的第一有源圖案A1設(shè)置在基板(SUB)與強(qiáng)化基板(SSU)之間，并且對應(yīng)于第三薄膜晶體管T3的第三有源圖案A3設(shè)置在基板(SUB)與強(qiáng)化基板(SSU)之間。

被供應(yīng)功率的屏蔽層(SLA)與第一薄膜晶體管T1的第一有源圖案A1和第三薄膜晶體管T3的第三有源圖案A3疊置，OLED顯示器可以控制第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的閾值電壓，從而改善第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的晶體管特性。結(jié)果，連接到第一薄膜晶體管T1的OLED的發(fā)光效率得以改善。

此外，關(guān)于OLED顯示器300，制造出從基板(SUB)到OLED的元件并且屏蔽層(SLA)產(chǎn)生在其上的強(qiáng)化基板(SSU)附著到基板(SUB)的后側(cè)，從而容易地將屏蔽層(SLA)應(yīng)用于基板(SUB)。即，提供具有OLED的改善的制造容易度和改善的發(fā)光效率的OLED顯示器。

另外，關(guān)于OLED顯示器300，屏蔽層(SLA)在基板(SUB)的后側(cè)上設(shè)置為通過使用屏蔽層(SLA)阻擋諸如濕氣的雜質(zhì)滲透到基板(SUB)中，從而控制諸如濕氣的雜質(zhì)滲透到基板(SUB)中。

盡管已經(jīng)結(jié)合目前認(rèn)為是實(shí)用性的示例性實(shí)施例描述了發(fā)明技術(shù)，但是將理解的是，發(fā)明不限于公開的實(shí)施例，而是相反，意圖覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍中的各種修改和等同布置。