本發(fā)明屬于太陽能電池領(lǐng)域，具體涉及一種無主柵全背接觸太陽能電池組件。

背景技術(shù)：

太陽能電池是一種將光能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件，較低的生產(chǎn)成本和較高的能量轉(zhuǎn)化效率一直是太陽能電池工業(yè)追求的目標(biāo)。對于目前常規(guī)太陽能電池，其正電極接觸電極和負(fù)電極接觸電極分別位于電池片的正反兩面。電池的正面為受光面，正面金屬正電極接觸電極的覆蓋必將導(dǎo)致一部分入射的太陽光被金屬電極所反射，造成一部分光學(xué)損失。普通晶硅太陽能電池的正面金屬電極的覆蓋面積在7％左右，減少金屬電極的正面覆蓋可以直接提高的電池的能量轉(zhuǎn)化效率。

全背接觸太陽能電池是一種將正電極和負(fù)電極接觸電極均放置在電池背面(非受光面)的電池，該電池的受光面無任何金屬電極遮擋，從而有效增加了電池片的短路電流，使電池片的能量轉(zhuǎn)化效率得到提高。

全背接觸結(jié)構(gòu)的太陽能電池是目前能工業(yè)化批量生產(chǎn)的晶硅太陽能電池中能量轉(zhuǎn)化效率最高的一種電池，它的高轉(zhuǎn)化效率，低的組件封裝成本，一直深受人們所青睞。在以往的全背接觸太陽能電池制作工藝中，其金屬化工藝大都采用流程較為復(fù)雜電鍍來實現(xiàn)，該方法在降低背接觸電池的串聯(lián)電阻，提高電池的開路電壓確實有出色的表現(xiàn)，但是該方法工藝復(fù)雜，排放的廢棄物嚴(yán)重污染環(huán)境，且與目前工業(yè)化生產(chǎn)的主流金屬化方法不相兼容，因此對于低成本的產(chǎn)業(yè)化推廣難度較大。

使用目前主流的絲網(wǎng)印刷技術(shù)進(jìn)行背接觸電池的金屬化如果采用常規(guī)的主柵線設(shè)計時面臨的兩個主要問題是(1)：主柵線和相反電極細(xì)柵線之間以及主柵線和相反電極對應(yīng)的摻雜區(qū)域之間的絕緣。(2)因為全背接觸電池電流顯著高于常規(guī)電池，為了減少主柵線和細(xì)柵線上的線電阻造成的功率損耗需要采用較寬的柵線，更多的漿料耗量帶來成本的急劇上升。

一種解決解決主柵線和相反電極細(xì)柵線之間以及主柵線和相反電極對應(yīng)的摻雜區(qū)域之間的絕緣的辦法是在硅片上正電極主柵對應(yīng)的區(qū)域印刷絕緣層漿料，只有正電極細(xì)柵線及周圍部分p+區(qū)域不被遮擋。同樣的，在負(fù)電極主柵對應(yīng)的區(qū)域印刷絕緣層漿料，只有負(fù)電極細(xì)柵線及周圍部分n+區(qū)域不被遮擋。這種印刷絕緣漿料的方法必須有足夠的厚度，否則很容易發(fā)生尖端擊穿。另外由于這種漿料印刷后不能經(jīng)過高溫處理，現(xiàn)有的燒結(jié)工藝和其不兼容。以上的缺點以及絕緣漿料昂貴的價格導(dǎo)致印刷絕緣層漿料的方法沒有被大規(guī)模的采用。

另一種辦法解決主柵線和相反電極細(xì)柵線之間以及主柵線和相反電極對應(yīng)的摻雜區(qū)域之間的絕緣是正負(fù)電極采用豐字型設(shè)計，負(fù)電極細(xì)柵線避開正電極主柵線，正電極細(xì)柵線避開負(fù)電極主柵線。這樣正負(fù)電極的二維圖形沒有交錯的地方，可以解決反向漏電問題。但是這種方法的弊端在于由于橫向傳輸距離的關(guān)系正電極主柵位置對應(yīng)的電子難以被負(fù)電極收集，負(fù)電極主柵位置對應(yīng)的空穴難以被正電極收集。如此，導(dǎo)致電池的填充因子以及光電轉(zhuǎn)化效率受到較大影響。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種無主柵全背接觸太陽能電池組件，該無主柵全背接觸太陽能電池組件避免了全背接觸電池設(shè)置主柵線帶來的效率損失和工藝復(fù)雜性并且節(jié)約了主柵線成本；同時由于切割了多個電池單元，降低了每一串電池片組串的電流，從而減小了細(xì)柵線線電阻損耗的影響，因此可以降低銀漿的耗量，同時提高了電池和組件的填充因子；基于以上兩點，該電池組件既可以提升全背接觸電池組件的效率又可以降低其工藝難度和制造成本。

本發(fā)明的上述目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的：一種無主柵全背接觸太陽能電池組件，包括多個相串聯(lián)的背接觸太陽能小電池片，所述背接觸太陽能小電池片由背接觸太陽能電池片切割而成，所述背接觸太陽能小電池片包括n型硅基體，所述n型硅基體的背面上設(shè)有相互平行且交替排列的p+摻雜區(qū)域和n+摻雜區(qū)域，所述p+摻雜區(qū)域和n+摻雜區(qū)域上設(shè)有鈍化層，所述鈍化層上設(shè)有正電極細(xì)柵，所述正電極細(xì)柵位于所述p+摻雜區(qū)域?qū)?yīng)位置上且與所述p+摻雜區(qū)域相接觸，所述鈍化層上還設(shè)有負(fù)電極細(xì)柵，所述負(fù)電極細(xì)柵位于所述n+摻雜區(qū)域?qū)?yīng)位置上且與所述n+摻雜區(qū)域相接觸，所述正電極細(xì)柵和所述負(fù)電極細(xì)柵相互平行且交替設(shè)置，所述正電極細(xì)柵的兩端與所述負(fù)電極細(xì)柵的兩端不對齊，其中所述正電極細(xì)柵的一端相對于負(fù)電極細(xì)柵的一端具有突出端，所述正電極細(xì)柵的另一端相對于負(fù)電極細(xì)柵的另一端具有縮短端，所述負(fù)電極細(xì)柵的一端相對于所述正電極細(xì)柵的一端具有縮短端，所述負(fù)電極細(xì)柵的另一端相對于所述正電極細(xì)柵的另一端具有突出端，相鄰兩背接觸太陽能小電池片相串聯(lián)時，采用導(dǎo)電膠帶或焊帶將其中一背接觸太陽能小電池片的細(xì)柵的突出端與相鄰一背接觸天陽能小電池片的極性相反的細(xì)柵的突出端串聯(lián)，所述正電極細(xì)柵和所述負(fù)電極細(xì)柵的電流沿著所述正電極細(xì)柵和所述負(fù)電極細(xì)柵的方向?qū)С觥?/p>

進(jìn)一步的，本發(fā)明所述導(dǎo)電膠帶或焊帶的一側(cè)與其中一背接觸太陽能小電池片的細(xì)柵的突出端相接觸，所述導(dǎo)電膠帶或焊帶的另一側(cè)與相鄰背接觸太陽能小電池片的極性相反的細(xì)柵的突出端相接觸。

本發(fā)明所述背接觸太陽能小電池片由背接觸太陽能電池片切割而成，切割后的背接觸太陽能小電池片的結(jié)構(gòu)類似于全背接觸電池(IBC)，不同點在于這種背接觸太陽能小電池片沒有主柵線，只有細(xì)柵線。因為背接觸太陽能小電池片正負(fù)極細(xì)柵線在沿細(xì)柵線的方向有一個相對錯位，這樣在沿著細(xì)柵線方向，一端是正電極細(xì)柵線突出，另一端是負(fù)電極細(xì)柵線突出。在電池制作完成后，把導(dǎo)電膠帶或者焊帶連接到電池片的細(xì)柵線的突出端即可實現(xiàn)電池片小單元之間的串聯(lián)。具體的方式是導(dǎo)電膠帶或者焊帶的一側(cè)連接到某片電池片的正電極細(xì)柵線，另一側(cè)連接到相鄰一片電池片的負(fù)電極細(xì)柵線。

進(jìn)一步優(yōu)選的，本發(fā)明所述導(dǎo)電膠帶和焊帶的形狀為長條狀，其寬度為0.2～6mm。

相鄰兩背接觸太陽能小電池片相串聯(lián)時，其中一背接觸太陽能小電池片的細(xì)柵的縮短端與相鄰背接觸太陽能小電池片的極性相反的細(xì)柵的縮短端之間的間距為0.4～6mm。

也即是說，每一個背接觸太陽能小電池片正負(fù)極細(xì)柵線在沿細(xì)柵線方向有一個相對錯位方便后續(xù)電池片小單元的串聯(lián)，背接觸太陽能小電池片的正面和背面均沒有主柵線。

本發(fā)明所述導(dǎo)電膠帶或焊帶與其中一背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵的縮短端及所述p+摻雜區(qū)域絕緣，所述導(dǎo)電膠帶或焊帶與相鄰背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵的縮短端及所述n+摻雜區(qū)域也絕緣。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選的實施方式，所述導(dǎo)電膠帶或焊帶與其中一背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵的縮短端一側(cè)的硅基體相接觸的對應(yīng)位置處設(shè)有p+摻雜區(qū)域，所述p+摻雜區(qū)域上與所述導(dǎo)電膠帶或焊帶相對應(yīng)位置處設(shè)有鈍化絕緣層，所述導(dǎo)電膠帶或焊帶與相鄰背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵的縮短端一側(cè)的硅基體相接觸的對應(yīng)位置處設(shè)有n+摻雜區(qū)域，所述n+摻雜區(qū)域上與所述導(dǎo)電膠或焊帶相對應(yīng)位置處也設(shè)有鈍化絕緣層。

這樣設(shè)計，便于使本發(fā)明所述導(dǎo)電膠帶或焊帶與其中一背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵的縮短端及所述p+摻雜區(qū)域不相接觸，所述導(dǎo)電膠帶或焊帶與相鄰背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵的縮短端及所述n+摻雜區(qū)域也不相接觸。防止漏電的發(fā)生。

作為本發(fā)明的另一種優(yōu)選的實施方式，本發(fā)明所述導(dǎo)電膠帶或焊帶與其中一背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵的縮短端一側(cè)的硅基體相接觸的對應(yīng)位置處設(shè)有n+摻雜區(qū)域，所述導(dǎo)電膠帶或焊帶與相鄰背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵的縮短端一側(cè)的硅基體相接觸的對應(yīng)位置處設(shè)有p+摻雜區(qū)域。

本發(fā)明所述導(dǎo)電膠帶優(yōu)選為粘結(jié)劑包裹的導(dǎo)電顆粒，所述粘結(jié)劑優(yōu)選為環(huán)氧樹脂導(dǎo)電膠、酚醛樹脂導(dǎo)電膠、聚氨酯導(dǎo)電膠、熱塑性樹脂導(dǎo)電膠或聚酰亞胺導(dǎo)電膠等，所述導(dǎo)電顆粒優(yōu)選為銀、金、銅或合金金屬等顆粒；所述焊帶優(yōu)選為焊接鍍層包裹的銅條，所述焊接鍍層的材質(zhì)優(yōu)選為錫、錫鉛合金、錫鉍合金或錫鉛銀合金。

所述正電極細(xì)柵和所述負(fù)電極細(xì)柵的寬度均為20～300μm。

所述背接觸太陽能電池片切割為2～20片背接觸太陽能小電池片。

本發(fā)明背接觸太陽能電池片上可設(shè)置多個背接觸太陽能小電池片背面的細(xì)柵結(jié)構(gòu)，切割后形成上述結(jié)構(gòu)的背接觸太陽能小電池片，可將其中一背接觸太陽能小電池片按照原來結(jié)構(gòu)排列，相鄰背接觸太陽能小電池片旋轉(zhuǎn)180°，其中一背接觸太陽能小電池片的細(xì)柵的突出端與相鄰背接觸太陽能小電池片的極性相反的細(xì)柵的突出端采用導(dǎo)電膠帶或焊帶連接，即可形成串連電池片。

本發(fā)明所述n型硅基體使用前優(yōu)選先經(jīng)表面制絨處理，然后利用擴(kuò)散、激光打孔、離子注入&退火、掩膜、刻蝕等技術(shù)組合在硅基體背表面制作相互交替排列的p+摻雜區(qū)域和n+摻雜區(qū)域，并在硅基體前表面制作低表面摻雜濃度的n+FSF。

本發(fā)明前表面上還沉積有減反射疊層鈍化膜鈍化n+FSF，例如Al₂O₃/SiNx，SiO₂/SiNx，SiO₂/Al₂O₃/SiN_x等，進(jìn)一步優(yōu)選SiO₂/SiNx作為正面鈍化膜，膜厚為60-200nm。

背面沉積增反射疊層鈍化膜即鈍化層對n+、P+摻雜區(qū)域?qū)嵭蟹謪^(qū)鈍化或者同時鈍化，疊層鈍化膜可以選擇Al₂O₃/SiNx、SiO₂/SiNx、SiO₂/SiCN、SiO_2/SiON等，進(jìn)一步優(yōu)選SiO₂/Al₂O₃/SiNx作為背面鈍化膜，膜厚優(yōu)選為45-600nm。

在每一串電池制備完成后，后續(xù)的匯流、疊層、層壓等組件封裝工藝和常規(guī)組件制作方式無異。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

(1)本發(fā)明中每一個電池組串上電流方向都是沿著細(xì)柵方向，不同于常規(guī)的設(shè)置一個垂直于細(xì)柵線的主柵線的構(gòu)造，從而避免了全背接觸電池設(shè)置主柵線帶來的效率損失和工藝復(fù)雜性并且節(jié)約了主柵線成本；

(2)由于背接觸太陽能電池片切割形成了多個背接觸太陽能小電池片，降低了每一串電池片組串的電流，從而減小了細(xì)柵線線電阻損耗的影響，因此可以大大降低銀漿的耗量，同時提高了電池和組件的填充因子；

(3)基于以上兩點，本發(fā)明電池組件既可以提升全背接觸電池組件的效率又可以降低其工藝難度和制造成本。

附圖說明

圖1是實施例1中無主柵全背接觸太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是實施例1中無主柵全背接觸太陽能電池激光切割后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是實施例1中無主柵全背接觸太陽能電池切割單元旋轉(zhuǎn)后的示意圖；

圖4是實施例1中無主柵全背接觸太陽能電池的互聯(lián)示意圖；

圖5是實施例1中無主柵全背接觸太陽能電池的組串示意圖；

圖6是實施例2中無主柵全背接觸太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是實施例2中無主柵全背接觸太陽能電池激光切割后的結(jié)構(gòu)示意圖；

1為n型硅基體，2為n+FSF，3為p+摻雜區(qū)域，4為n+摻雜區(qū)域，5為電池正面鈍化膜，6為電池背面鈍化膜，81為正電極細(xì)柵線，811為正電極細(xì)柵的突出端，812為正電極細(xì)柵的縮短端，82為負(fù)電極細(xì)柵線，821為負(fù)電極細(xì)柵的突出端，822為負(fù)電極細(xì)柵的縮短端，9為導(dǎo)電膠帶或者焊帶。

具體實施方式

實施例1

如圖1-5所示，本實施例提供的無主柵全背接觸太陽能電池組件，包括多個相串聯(lián)的背接觸太陽能小電池片，背接觸太陽能小電池片由背接觸太陽能電池片切割而成，背接觸太陽能小電池片包括n型硅基體1，n型硅基體1的背面上設(shè)有相互平行且交替排列的p+摻雜區(qū)域3和n+摻雜區(qū)域4，p+摻雜區(qū)域3和n+摻雜區(qū)域4上設(shè)有鈍化層6，鈍化層6上設(shè)有正電極細(xì)柵81，正電極細(xì)柵81位于p+摻雜區(qū)域3對應(yīng)位置上且與p+摻雜區(qū)域3相接觸，鈍化層6上還設(shè)有負(fù)電極細(xì)柵82，負(fù)電極細(xì)柵82位于n+摻雜區(qū)域4對應(yīng)位置上且與n+摻雜區(qū)域4相接觸，正電極細(xì)柵81和負(fù)電極細(xì)柵82相互平行且交替設(shè)置，正電極細(xì)柵81的兩端與負(fù)電極細(xì)柵82的兩端不對齊，其中正電極細(xì)柵81的一端相對于負(fù)電極細(xì)柵82的一端具有突出端811，正電極細(xì)柵81的另一端相對于負(fù)電極細(xì)柵82的另一端具有縮短端812，負(fù)電極細(xì)柵82的一端相對于正電極細(xì)柵81的一端具有縮短端822，負(fù)電極細(xì)柵82的另一端相對于正電極細(xì)柵81的另一端具有突出端821，相鄰兩背接觸太陽能小電池片相串聯(lián)時，采用導(dǎo)電膠帶9將其中一背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵82的突出端821與相鄰一背接觸天陽能小電池片的正電極細(xì)柵81的突出端811串聯(lián)，正電極細(xì)柵81和負(fù)電極細(xì)柵82的電流沿著正電極細(xì)柵81和負(fù)電極細(xì)柵82的方向?qū)С觥?/p>

其中導(dǎo)電膠帶9的一側(cè)與其中一背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵82的突出端821相接觸(即連接)，導(dǎo)電膠帶9的另一側(cè)與相鄰背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵81的突出端811相接觸(即連接)。

導(dǎo)電膠帶9的形狀為長條狀，其寬度為0.2～6mm。

導(dǎo)電膠帶為粘結(jié)劑包裹的導(dǎo)電顆粒，粘結(jié)劑為環(huán)氧樹脂導(dǎo)電膠，導(dǎo)電顆粒為銀。

相鄰兩背接觸太陽能小電池片相串聯(lián)時，其中一背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵81的縮短端812與相鄰背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵82的縮短端822之間的間距為0.4～6mm。

本實施例中導(dǎo)電膠帶9與其中一背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵81的縮短端812及p+摻雜區(qū)域3絕緣即不相接觸，導(dǎo)電膠帶9與相鄰背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵82的縮短端822及n+摻雜區(qū)域4也絕緣即不相接觸。

本實施例中通過以下方式實現(xiàn)上述不接觸：導(dǎo)電膠帶9與其中一背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵81的縮短端812一側(cè)的硅基體相接觸的對應(yīng)位置處設(shè)有p+摻雜區(qū)域，p+摻雜區(qū)域上與導(dǎo)電膠帶或焊帶9相對應(yīng)位置處設(shè)有鈍化層，采用較厚的(200～2000nm)的鈍化膜6來實現(xiàn)導(dǎo)電膠帶與p+或者n+區(qū)域的絕緣，導(dǎo)電膠帶9與相鄰背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵82的縮短端822一側(cè)的硅基體相接觸的對應(yīng)位置處設(shè)有n+摻雜區(qū)域，n+摻雜區(qū)域上與導(dǎo)電膠9相對應(yīng)位置處也設(shè)有鈍化絕緣層，鈍化絕緣層即背面鈍化膜6來實現(xiàn)p+摻雜區(qū)域和n+摻雜區(qū)域的絕緣。

正電極細(xì)柵81和負(fù)電極細(xì)柵82的寬度為20～300μm。

背接觸太陽能小電池片的數(shù)量為2片，如圖1-3所示。

本實施例背接觸太陽能電池片上可設(shè)置多個背接觸太陽能小電池片背面的細(xì)柵結(jié)構(gòu)，切割后形成上述結(jié)構(gòu)的背接觸太陽能小電池片，將其中一背接觸太陽能小電池片按照原來結(jié)構(gòu)排列，相鄰背接觸太陽能小電池片旋轉(zhuǎn)180°，如圖2所示，其中一背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵的突出端與相鄰背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵81的突出端采用導(dǎo)電膠帶連接，形成串連電池片，如圖4-5所示。

背接觸太陽能電池片的n型硅基體使用前先經(jīng)表面制絨處理，然后利用擴(kuò)散、激光打孔、離子注入&退火、掩膜、刻蝕等技術(shù)組合在硅基體背表面制作相互交替排列的p+摻雜區(qū)域和n+摻雜區(qū)域，并在硅基體前表面制作低表面摻雜濃度的n+FSF。

本發(fā)明前表面上還沉積有減反射疊層鈍化膜鈍化n+FSF，例如Al₂O₃/SiNx，SiO₂/SiNx，SiO₂/Al₂O₃/SiN_x等，進(jìn)一步優(yōu)選SiO₂/SiNx作為正面鈍化膜，膜厚為60-200nm。

背面沉積增反射疊層鈍化膜你鈍化層對n+、P+摻雜區(qū)域?qū)嵭蟹謪^(qū)鈍化或者同時鈍化，疊層鈍化膜可以選擇Al₂O₃/SiNx、SiO₂/SiNx、SiO₂/SiCN、SiO_2/SiON等，進(jìn)一步優(yōu)選SiO₂/Al₂O₃/SiNx作為背面鈍化膜，膜厚優(yōu)選為45-600nm。

在每一串電池制備完成后，后續(xù)的匯流、疊層、層壓等組件封裝工藝和常規(guī)組件制作方式無異。

上述無主柵全背接觸太陽能電池組件的制備方法如下：

(1)選用n型單晶硅基體1，其電阻率為1～30Ω·cm，厚度為50～300μm，該硅基體使用前先經(jīng)表面制絨處理，然后利用擴(kuò)散、激光打孔、離子注入&退火、掩膜、刻蝕等技術(shù)組合在硅基體背表面制作相互交替排列的p+摻雜區(qū)域3和n+摻雜區(qū)域4，在硅基體前表面制作低表面摻雜濃度的n+FSF 2。

(2)前表面沉積減反射疊層鈍化膜5鈍化n+FSF，例如Al₂O₃/SiNx，SiO₂/SiNx，SiO₂/Al₂O₃/SiNx等，這里選SiO₂/SiNx作為正面鈍化膜，膜厚為60～200nm，后表面沉積增反射疊層鈍化膜6對n+摻雜區(qū)域、P+摻雜區(qū)域?qū)嵭蟹謪^(qū)鈍化或者同時鈍化，疊層鈍化膜可以選擇Al₂O₃/SiNx、SiO₂/SiNx、SiO₂/SiCN、SiO₂/SiON等，這里選SiO₂/Al₂O₃/SiNx作為背面鈍化膜，膜厚為45～600nm。

(3)在p+摻雜區(qū)域3上制作正電極接觸點，在n+摻雜區(qū)域4上制作負(fù)電極接觸點，接觸點可以采用印刷銀漿直接燒穿背面鈍化膜的方式也可以采用先激光開口再印刷或者電鍍金屬的方式，從而形成接觸點和硅基體的歐姆接觸，接觸點形狀不做限定，單個接觸點面積為100μm²～30000μm²。

(4)退火或者燒結(jié)使得接觸點和硅基體形成良好的歐姆接觸并使得細(xì)柵線固化，在n+摻雜區(qū)域和p+摻雜區(qū)域表面印刷細(xì)柵線連接電極接觸點將電流導(dǎo)出，細(xì)柵線的寬度為20～300μm，電池正負(fù)極細(xì)柵為交指型排列。

(5)將上述背接觸太陽能電池片進(jìn)行切割，切割后形成上述結(jié)構(gòu)的背接觸太陽能小電池片，背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵的一端相對于負(fù)電極細(xì)柵的一端具有突出端，突出端的長度為0.2～3mm，背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵的另一端相對于負(fù)電極細(xì)柵的另一端具有縮短端。

(6)在電池制作完成后，把導(dǎo)電膠帶連接到電池片的細(xì)柵線的突出端即可實現(xiàn)電池片小單元之間的串聯(lián)，具體的方式是導(dǎo)電膠帶或者焊帶的一側(cè)連接到某片電池片的正電極細(xì)柵線，另一側(cè)連接到相鄰一片電池片的負(fù)電極細(xì)柵線。

(7)每一串電池制備完成后，后續(xù)的匯流、疊層、層壓等組件封裝工藝和常規(guī)組件制作方式類似。

實施例2

與實施例1不同的是：

如圖6-7所示，采用焊帶將其中一背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵的突出端與相鄰一背接觸天陽能小電池片的正電極細(xì)柵的突出端串聯(lián)，正電極細(xì)柵和負(fù)電極細(xì)柵的電流沿著正電極細(xì)柵和負(fù)電極細(xì)柵的方向?qū)С觥?/p>

焊帶與其中一背接觸太陽能小電池片的正電極細(xì)柵的縮短端一側(cè)的硅基體相接觸的對應(yīng)位置處設(shè)有n+摻雜區(qū)域，焊帶與相鄰背接觸太陽能小電池片的負(fù)電極細(xì)柵的縮短端一側(cè)的硅基體相接觸的對應(yīng)位置處設(shè)有p+摻雜區(qū)域。

這樣即使采用絕緣性能一般的背面鈍化膜也不用擔(dān)心焊帶和下面的摻雜區(qū)域發(fā)生漏電的問題，背面鈍化膜的厚度可以大大減低，不用制作特別的具有優(yōu)異絕緣效果的背面鈍化膜。

雖然本發(fā)明已以實施例公開如上，但其并非用以限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，例如導(dǎo)電膠帶或焊帶的材料還可以是發(fā)明內(nèi)容部分列舉的其它材料，此處僅為列舉，并不作限定，細(xì)柵的圖形結(jié)構(gòu)也可以進(jìn)行調(diào)換調(diào)整，例如可以將p+摻雜區(qū)域和n+摻雜區(qū)域的位置調(diào)換，同時適應(yīng)性的調(diào)整正電極細(xì)柵和負(fù)電極細(xì)柵的位置，還可以將背接觸太陽能電池片切割為2片以上，優(yōu)選為2～20片，背接觸太陽能電池片上p+摻雜區(qū)域、p+摻雜區(qū)域、正電極細(xì)柵和負(fù)電極細(xì)柵的結(jié)構(gòu)可以將切割后的小電池片進(jìn)行組合即可，任何熟悉該技術(shù)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍內(nèi)所作的更改與潤飾，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。