本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，具體而言，涉及一種像素結(jié)構(gòu)及顯示裝置。
背景技術(shù)：
：隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，高PPI(PixelsPerInch)、甚至超高PPI已經(jīng)成為一種必然的趨勢。圖像分辨率一般用PPI(每英寸的像素數(shù)目)表示，PPI數(shù)值越高，代表顯示屏能夠以越高的密度(像素數(shù))顯示圖像。顯示屏顯示的PPI越高，顯示畫面的細節(jié)就會越豐富，擬真度也就越高。但是，隨著屏幕PPI的提高，像素排列越來越緊密，每個像素的尺寸也越來越小，這不僅給器件設(shè)計帶來巨大挑戰(zhàn)，同時也引發(fā)諸多令人頭疼的難題。在諸多制約高PPI技術(shù)的問題中，充電能力不足是挑戰(zhàn)高PPI技術(shù)的一個原因。制約高PPI充電能力的因素主要有：液晶面板負載大，像素充電時間短，存在饋通(Feedthrough)電壓，像素寬長比受限等，其中饋通這一項對于像素存儲電容很小(小于32fF)的高PPI技術(shù)至關(guān)重要，如圖1所示。降低像素饋通電壓的方法有以下幾種：減小像素結(jié)構(gòu)中溝道寬度和寬度，減小像素結(jié)構(gòu)中柵極氧化物層電容，降低薄膜晶體管(TFT)液晶屏幕打開和關(guān)閉電壓的壓差，增大像素結(jié)構(gòu)中的存儲電容容量等。但是，對于高PPI產(chǎn)品來說，由于每一個像素節(jié)距很小，像素結(jié)構(gòu)中的存儲電容很難增大；減小像素結(jié)構(gòu)中的溝道寬度或降低TFT液晶屏幕打開和關(guān)閉電壓的壓差意味著充電能力受到進一步壓縮；減小像素結(jié)構(gòu)中柵極氧化物層電容意味著膜厚加厚或介電常數(shù)減小，這不僅與器件薄小化的趨勢相違背，還會使器件開態(tài)電流下降，引起充電能力下降；減小像素結(jié)構(gòu)中溝道寬度，這個方法可以降低饋通電壓，提高充電能力，但是也會增加?xùn)叛舆t(Gatedelay)，帶來面板左右兩側(cè)充電能力不同等新問題。因此，仍需開發(fā)能夠降低饋通電壓的方法和結(jié)構(gòu)。在所述
背景技術(shù)：
部分公開的上述信息僅用于加強對本發(fā)明的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。技術(shù)實現(xiàn)要素：本申請?zhí)峁┮环N像素結(jié)構(gòu)，能夠在不增加?xùn)叛舆t的情況下降低饋通電壓，從而提升器件充電能力，進而提升顯示屏的顯示性能。本發(fā)明的其他特性和優(yōu)點將通過下面的詳細描述變得顯然，或部分地通過本發(fā)明的實踐而習(xí)得。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括：掃描線，該掃描線具有分支結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體圖案，該半導(dǎo)體圖案與掃描線和分支結(jié)構(gòu)相交，半導(dǎo)體圖案包括：第一溝道區(qū)，對應(yīng)于掃描線；第二溝道區(qū)，對應(yīng)于分支結(jié)構(gòu)；摻雜區(qū)，位于第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)兩側(cè)，其中，第二溝道區(qū)的寬度小于第一溝道區(qū)的寬度。在本公開的一種示例性實施例中，分支結(jié)構(gòu)為L形分支。在本公開的一種示例性實施例中，所述半導(dǎo)體圖案包括直線部分，L形分支的第二部分和L形分支的第一部分相交，L形分支的第二部分與半導(dǎo)體圖案直線部分垂直相交。在本公開的一種示例性實施例中，半導(dǎo)體圖案包括直線部分，L形分支的第二部分和掃描線與直線部分垂直相交。在本公開的一種示例性實施例中，分支結(jié)構(gòu)從掃描線垂直延伸。在本公開的一種示例性實施例中，半導(dǎo)體圖案至少包括第一部分和第二部分，第一部分與掃描線垂直相交，第二部分與分支結(jié)構(gòu)垂直相交。在本公開的一種示例性實施例中，第二溝道區(qū)的寬度為第一溝道區(qū)的寬度的1/5至4/5。在本公開的一種示例性實施例中，半導(dǎo)體圖案包括多晶硅圖案。在本公開的一種示例性實施例中，像素結(jié)構(gòu)的寬度小于15um。在本公開的一種示例性實施例中，還包括像素存儲電容，像素存儲電容的電容值小于150fF。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種顯示裝置，該裝置包括如權(quán)利要求1-10中任一項所述的像素結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的一種像素結(jié)構(gòu)，能夠在不增加門延遲的情況下降低饋通電壓，提升器件充電能力，進而提升顯示屏的顯示性能。應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本發(fā)明。附圖說明通過參照附圖詳細描述其示例實施例，本發(fā)明的上述和其它目標(biāo)、特征及優(yōu)點將變得更加顯而易見。圖1示意性示出饋通對像素充電的影響的曲線圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)仿真電路示意圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)仿真電路示意圖。圖12是根據(jù)本發(fā)明的一示例性實施例的用于圖6和圖7的像素仿真電路的正幀充電曲線圖。圖13是根據(jù)本發(fā)明的一示例性實施例的用于圖6和圖7的像素仿真電路的負幀充電曲線圖。具體實施例現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施例。然而，示例實施例能夠以多種形式實施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例；相反，提供這些實施例使得本發(fā)明將更加全面和完整，并將示例實施例的構(gòu)思全面地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。附圖僅為本發(fā)明的示意性圖解，并非一定是按比例繪制。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的部分，因而將省略對它們的重復(fù)描述。此外，所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個或更多實施例中。在下面的描述中，提供許多具體細節(jié)從而給出對本發(fā)明的實施例的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，可以實踐本發(fā)明的技術(shù)方案而省略所述特定細節(jié)中的一個或更多，或者可以采用其它組元、裝置等。在其它情況下，不詳細示出或描述公知結(jié)構(gòu)、裝置、材料以避免使得本發(fā)明的各方面變得模糊。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，根據(jù)一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)200包括：掃描線210、與掃描線210交叉的數(shù)據(jù)線220、半導(dǎo)體圖案230、以及透明像素電極240。像素結(jié)構(gòu)200可配置在一基板上(未繪出)。圖中示出半導(dǎo)體圖案230位于掃描線210之下，數(shù)據(jù)線220位于掃描線之下，但本發(fā)明不限于此。半導(dǎo)體圖案230還包括漏極接觸233和源極接觸234。如圖2所示，掃描線210具有一分支結(jié)構(gòu)211。分支結(jié)構(gòu)211從掃描線210垂直延伸，但本發(fā)明不限于此。半導(dǎo)體圖案230與掃描線210和分支結(jié)構(gòu)211相交，從而半導(dǎo)體圖案230包括：第一溝道區(qū)231，對應(yīng)于掃描線210；第二溝道區(qū)232，對應(yīng)于分支結(jié)構(gòu)211；摻雜區(qū)235A、235B和235C，位于第一溝道區(qū)231和第二溝道區(qū)232兩側(cè)。這樣，如圖2所示，第一溝道區(qū)231、第二溝道區(qū)232和摻雜區(qū)235A、235B、235C以及與第一溝道區(qū)231和第二溝道區(qū)232對應(yīng)的部分掃描線210和分支結(jié)構(gòu)211可用于構(gòu)成多通道(多柵)薄膜晶體管230。根據(jù)示例實施例，引入非對稱雙柵(或多柵)結(jié)構(gòu)。例如，如圖2所示，與半導(dǎo)體圖案230交叉的分支結(jié)構(gòu)211的寬度L2小于掃描線210的寬度L1，由于第一溝道區(qū)231，對應(yīng)于掃描線210，所以第一溝道區(qū)231的寬度等于掃描線210的寬度L1，在本實施例中，用L1代表第一溝道區(qū)231的寬度以及掃描線210的寬度；第二溝道區(qū)232，對應(yīng)于分支結(jié)構(gòu)211，所以第二溝道區(qū)232的寬度等于分支結(jié)構(gòu)211的寬度L2，在本實施例中，用L2代表第二溝道區(qū)232的寬度以及分支結(jié)構(gòu)211的寬度；即，第二溝道區(qū)232的寬度小于第一溝道區(qū)231的寬度，從而在保證掃描線線寬不變的情況下，減小另一溝道區(qū)的寬度。這樣，可以在不增加?xùn)叛舆t的情況下，減小寄生電容，降低饋通電壓。在本發(fā)明實施例中，文中所提到的寬度只為了描述方便而使用，并非用以限定本發(fā)明，在本發(fā)明中的實施例中，長度與寬度的概念可以互相替換使用。根據(jù)一些實施例，第二溝道區(qū)232的寬度也即為圖2中L2，可以為第一溝道區(qū)231的寬度也即為圖2中L1的1/5至4/5，以取得性能與成本的較好平衡。易于理解，本發(fā)明不限于此，第二溝道區(qū)232的寬度可以更小。只要工藝能力允許，可以一直減小第二溝道區(qū)232的寬度，只要TFT器件不失效。根據(jù)一些實施例，半導(dǎo)體圖案230，可由例如多晶硅材質(zhì)制成，也就是說半導(dǎo)體圖案230為一個多晶硅圖案。根據(jù)示例實施例，如圖2所示，像素結(jié)構(gòu)200還可包括源極接觸233和漏極接觸234。數(shù)據(jù)線220可電性連接源極接觸234。透明像素電極240可電性連接漏極接觸233。根據(jù)示例實施例，如圖2所示，半導(dǎo)體圖案230還可包括電容電極237。在示例實施例中，第二溝道232的寬度L2小于第一溝道231的寬度L1，可以有效減小像素結(jié)構(gòu)中的寄生電容，使得示例實施例中的像素結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用在像素結(jié)構(gòu)寬度很小、像素存儲電容很小的情況下。例如，根據(jù)一些實施例，像素結(jié)構(gòu)寬度可小于15um。又例如，根據(jù)一些實施例，像素存儲電容的電容值可小于150fF。采用現(xiàn)有技術(shù)，這是很難達到的。因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)，適用于像素存儲電容很小的高PPI技術(shù)，可以有效提升高PPI顯示屏的充電能力，繼而提升顯示器的整體性能。圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，該像素結(jié)構(gòu)300包括：掃描線310、數(shù)據(jù)線320、半導(dǎo)體圖案330、以及透明像素電極340。圖3所示的示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)與圖2的像素結(jié)構(gòu)基本相同。圖3與圖2不同處在于半導(dǎo)體圖案330與掃描線310和分支結(jié)構(gòu)311的延伸方向與圖2不同。從而半導(dǎo)體圖案330包括：第一溝道區(qū)331，對應(yīng)于掃描線310；第二溝道區(qū)332，對應(yīng)于分支結(jié)構(gòu)311。圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，該像素結(jié)構(gòu)400包括：掃描線410、數(shù)據(jù)線420、半導(dǎo)體圖案430、以及透明像素電極440。圖4與圖2不同處主要在于L形分支結(jié)構(gòu)411以及半導(dǎo)體圖案430包括直線部分。在圖4中，L形分支結(jié)構(gòu)411的第二部分和分支結(jié)構(gòu)的411的第一部分相交，L形分支411的第二部分與半導(dǎo)體圖案430的直線部分垂直相交，但本公開不限于此。半導(dǎo)體圖案430與掃描線410和分支結(jié)構(gòu)411相交，從而半導(dǎo)體圖案430包括：第一溝道區(qū)431，對應(yīng)于掃描線410；第二溝道區(qū)432，對應(yīng)于分支結(jié)構(gòu)411。圖4與圖2相同的部分在此不再贅述。圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，該像素結(jié)構(gòu)500包括：掃描線510、數(shù)據(jù)線520、半導(dǎo)體圖案530、以及透明像素電極540。圖5與圖2相同的部分在此不再贅述。圖5與圖2不同處在于半導(dǎo)體圖案530包含L形結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體圖案530包含的L形結(jié)構(gòu)的一個邊與掃描線510相交，半導(dǎo)體圖案530包含的L形結(jié)構(gòu)的另一個邊和分支結(jié)構(gòu)511相交，從而半導(dǎo)體圖案530包括：第一溝道區(qū)531，對應(yīng)于掃描線510；第二溝道區(qū)532，對應(yīng)于分支結(jié)構(gòu)511。圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，該像素結(jié)構(gòu)600包括：掃描線610、數(shù)據(jù)線620、半導(dǎo)體圖案630、以及透明像素電極640。圖6與圖2相同的部分在此不再贅述。圖6與圖2不同處在于具有L形分支結(jié)構(gòu)611的第二部分和分支結(jié)構(gòu)的611的第一部分相交，L形分支611的第二部分與半導(dǎo)體圖案630相交。半導(dǎo)體圖案630與掃描線610和分支結(jié)構(gòu)611相交，從而半導(dǎo)體圖案630包括：第一溝道區(qū)631，對應(yīng)于掃描線610；第二溝道區(qū)632，對應(yīng)于分支結(jié)構(gòu)611。第一溝道區(qū)631與第二溝道區(qū)632，均處于數(shù)據(jù)線620之下，但本發(fā)明不限于此。圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，該像素結(jié)構(gòu)700包括：掃描線710、數(shù)據(jù)線720、半導(dǎo)體圖案730、以及透明像素電極740。圖7與圖2相同的部分在此不再贅述。如圖7所示，掃描線710具有支結(jié)構(gòu)711與712。分支結(jié)構(gòu)711與分支結(jié)構(gòu)712均從掃描線710垂直延伸，但本發(fā)明不限于此。半導(dǎo)體圖案730與掃描線710和分支結(jié)構(gòu)711、分支結(jié)構(gòu)712分別相交，從而半導(dǎo)體圖案730包括：第一溝道區(qū)731，對應(yīng)于掃描線710，掃描線710的寬度，也即為第一溝道區(qū)的寬度為L1”；第二溝道區(qū)732，對應(yīng)于分支結(jié)構(gòu)711，分支結(jié)構(gòu)711的寬度，也即為第二溝道區(qū)的寬度為L2”；第三溝道區(qū)733，對應(yīng)于分支結(jié)構(gòu)712，分支結(jié)構(gòu)712的寬度，也即為第三溝道區(qū)的寬度為L3”；摻雜區(qū)735A、735B位于第一溝道區(qū)731兩側(cè)、摻雜區(qū)735B、735C位于第二溝道區(qū)732兩側(cè)、摻雜區(qū)735C、735D位于第三溝道區(qū)733兩側(cè)。如圖7所示，第一溝道區(qū)731、第二溝道區(qū)732、第三溝道區(qū)733和摻雜區(qū)735A、735B、735C，735D以及與第一溝道區(qū)731，第二溝道區(qū)732和第三溝道區(qū)733對應(yīng)的部分掃描線710、分支結(jié)構(gòu)711以及分支結(jié)構(gòu)712可用于構(gòu)成多通道(多柵)薄膜晶體管730。根據(jù)示例實施例，引入非對稱多柵結(jié)構(gòu)，例如，如圖7所示，與半導(dǎo)體圖案730交叉的至少一個分支結(jié)構(gòu)711或者分支結(jié)構(gòu)712的寬度小于掃描線710的寬度L1’，即，第二溝道區(qū)732的寬度L2”或者第三溝道區(qū)733的寬度L2”之中，至少一個溝道區(qū)的寬度小于第一溝道區(qū)731的寬度，從而在保證掃描線線寬不變的情況下，減小至少一溝道區(qū)的寬度。這樣，可以在不增加?xùn)叛舆t的情況下，減小寄生電容，降低饋通電壓。圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，該像素結(jié)構(gòu)800包括：掃描線810、數(shù)據(jù)線820、半導(dǎo)體圖案830、以及透明像素電極840。圖8與圖7相同的部分在此不再贅述。圖8與圖7不同處在于掃描線810具有分支結(jié)構(gòu)811與分支結(jié)構(gòu)812，其中分支結(jié)構(gòu)812為L型分支結(jié)構(gòu)，分支結(jié)構(gòu)811與分支結(jié)構(gòu)812均從掃描線810垂直延伸，但本發(fā)明不限于此。L形分支結(jié)構(gòu)812的第二部分和分支結(jié)構(gòu)的812的第一部分相交，L形分支812的第二部分與半導(dǎo)體圖案830的直線部分垂直相交。半導(dǎo)體圖案830與掃描線810和分支結(jié)構(gòu)811、分支結(jié)構(gòu)812分別相交，從而半導(dǎo)體圖案830包括：第一溝道區(qū)831，對應(yīng)于掃描線810；第二溝道區(qū)832，對應(yīng)于分支結(jié)構(gòu)811、第三溝道區(qū)833，對應(yīng)于分支結(jié)構(gòu)812。圖9是根據(jù)本發(fā)明的一示例性實施例示出的一種像素結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖9A所示，該像素的剖面示意圖包含掃描線層902、絕緣層904以及有源層906。根據(jù)示例實施例，掃描線層可包括掃描線9021以及掃描線分支結(jié)構(gòu)9023。圖9B所示，該像素的剖面示意圖包含掃描線層902’、絕緣層904’以及有源層906’。根據(jù)示例實施例，其中掃描線層可還包括掃描線9021’以及掃描線分支結(jié)構(gòu)9023’的剖面示意圖。圖10是根據(jù)一示例性實施例示出的一種像素結(jié)構(gòu)電路示意圖。如圖10所示的電路圖110，其中，Data為負幀電壓，C1為像素存儲電容，TFT1與TFT2為利用本發(fā)明公開中的像素結(jié)構(gòu)中半導(dǎo)體電路所形成的等效電路。參見圖2示例，例如，可設(shè)置薄膜晶體管(TFT)開啟電壓VGH＝10V，薄膜晶體管(TFT)關(guān)閉電壓VGL＝-7V，負幀電壓Data為-5V，像素存儲電容為0.32fF。掃描線210寬度為也即為上文所述的第一溝道231寬度L1為2um，掃描線分支211寬度也即為上文所述第二溝道232寬度L2的分別為3um、2um、1um。對圖6實施例的正幀電壓仿真結(jié)果如下表以及圖13所示：第二溝道寬度充滿電時電壓饋通電壓損耗后電壓充電率3um5.00V4.789V95.78％2um5.00V4.804V96.08％1um5.00V4.821V96.42％參見圖3示例，例如，可設(shè)置薄膜晶體管(TFT)開啟電壓VGH＝10V，薄膜晶體管(TFT)關(guān)閉電壓VGL＝-7V，負幀電壓Data為-5V，像素存儲電容為0.32fF。掃描線310寬度為也即為上文所述的第一溝道331寬度L1’為2um，掃描線分支311寬度也即為上文所述第二溝道332寬度L2’的分別為3um、2um、1um。對圖6實施例的正幀電壓仿真結(jié)果如下如下表以及圖12所示：第二溝道寬度充滿電時電壓饋通電壓損耗后電壓充電率3um5.00V4.789V95.78％2um5.00V4.826V96.52％1um5.00V4.856V97.12％在像素結(jié)構(gòu)的正幀電壓仿真中，設(shè)計目標(biāo)是盡量減小饋通電壓，也就是使得經(jīng)過饋通電壓損耗后的電壓值盡量接近標(biāo)準(zhǔn)電壓值5V。從結(jié)果可以看到，在像素結(jié)構(gòu)中，掃描線分支與掃描線寬度不同的情況下，對整個像素的正幀充電能力是有影響的。掃描線分支越寬，整體像素結(jié)構(gòu)的充電能力越弱，即為，像素結(jié)構(gòu)充電之后的結(jié)果越偏離5V。在本實施例中，在對此類結(jié)構(gòu)的正幀電壓的仿真表明，通過掃描線的寬度大于掃描線分支寬度這一實施例，即為第一溝道寬度大于第二溝道寬度這一實施例，能夠有效降低饋通電壓，提高器件充電能力。圖11是根據(jù)一示例性實施例示出的另一種像素結(jié)構(gòu)電路示意圖。如圖11所示的電路圖120，其中，Data為負幀電壓，C2為像素存儲電容，TFT1與TFT2為利用本發(fā)明公開的像素結(jié)構(gòu)中半導(dǎo)體電路所形成的等效電路。參見圖2示例，例如，可設(shè)置薄膜晶體管(TFT)開啟電壓VGH＝10V，薄膜晶體管(TFT)關(guān)閉電壓VGL＝-7V，負幀電壓Data為-5V，像素存儲電容為32fF。掃描線210寬度為也即為上文所述的第一溝道231寬度L1為2um，掃描線分支211寬度也即為上文所述第二溝道232寬度L2的分別為3um、2um、1um。對圖7實施例的負幀電壓仿真結(jié)果如下表以及圖13所示：第二溝道寬度充滿電時電壓饋通電壓損耗后電壓充電率3um-5.00-5.228104.56％2um-5.00-5.169103.38％1um-5.00-5.110102.20％參見圖3示例，例如，可設(shè)置薄膜晶體管(TFT)開啟電壓VGH＝10V，薄膜晶體管(TFT)關(guān)閉電壓VGL＝-7V，負幀電壓Data為-5V，像素存儲電容為32fF。掃描線310寬度為也即為上文所述的第一溝道331寬度L1’為2um，掃描線分支311寬度也即為上文所述第二溝道332寬度的分L2’別為3um、2um、1um。對圖7實施例的負幀電壓仿真結(jié)果如下表以及圖13所示：第二溝道寬度充滿電時電壓饋通電壓損耗后電壓充電率3um-5.00-5.228104.56％2um-5.00-5.142102.84％1um-5.00-5.084101.68％在像素結(jié)構(gòu)的負幀電壓仿真中，設(shè)計目標(biāo)是盡量減小饋通電壓，也就是使得經(jīng)過饋通電壓損耗后的電壓值盡量接近標(biāo)準(zhǔn)電壓值-5V。從結(jié)果可以看到，在像素結(jié)構(gòu)中，掃描線分支與掃描線寬度不同的情況下，對整個像素的負幀充電能力也是有影響的。掃描線分支越寬，像素結(jié)構(gòu)的充電能力越弱，即為，像素結(jié)構(gòu)充電之后的結(jié)果越偏離-5V。在本實施例中，在對此類像素結(jié)構(gòu)的負幀電壓的仿真表明，通過掃描線的寬度大于掃描線分支寬度這一實施例，即為第一溝道寬度大于第二溝道寬度這一實施例，能夠有效降低饋通電壓，提高器件充電能力。通過以上的詳細描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員易于理解，根據(jù)本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點中的一個或多個。根據(jù)一些實施例，本發(fā)明能夠在不增加?xùn)叛舆t的情況下降低饋通電壓，從而提升器件充電能力，進而提升顯示屏的顯示性能。以上具體地示出和描述了本發(fā)明的示例性實施例。應(yīng)可理解的是，本發(fā)明不限于這里描述的詳細結(jié)構(gòu)、設(shè)置方式或?qū)崿F(xiàn)方法；相反，本發(fā)明意圖涵蓋包含在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等效設(shè)置。當(dāng)前第1頁1 2 3