本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種線性像素界定層結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管OLED(Organic light emitting diode)是一種有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件，為了進(jìn)行彩色顯示，需要將OLED彩色化。彩色化效果最好的是并排排列(side-by-side)的方式。并排排列是在一個(gè)像素范圍內(nèi)有紅綠藍(lán)三個(gè)子像素，每個(gè)像素是獨(dú)立發(fā)光單元?？梢岳脟娔蛴⑷芤壕_打印到像素區(qū)，形成發(fā)光層。但是由于打印形成的液滴與像素結(jié)構(gòu)處于同一尺寸量級(jí)，為了保證打印的精準(zhǔn)性避免溶液溢到相鄰像素結(jié)構(gòu)，目前傾向采用像素界定層。

現(xiàn)有技術(shù)中，像素界定層由兩層組成，第一層(下層)由親液材料組成，第二層(上層)由疏液材料組成，一般都是通過(guò)光刻的方法制備，制備過(guò)程復(fù)雜，材料利用率低。

因此，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種制備工藝簡(jiǎn)單、用材較少的線性像素界定層結(jié)構(gòu)的制備方法以克服現(xiàn)有技術(shù)不足甚為必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種線性像素界定層結(jié)構(gòu)及其的制備方法，該線性像素界定層結(jié)構(gòu)的制備方法具有工藝簡(jiǎn)單、用材較少的特點(diǎn)。

本發(fā)明的上述目的通過(guò)如下技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)。

提供一種線性像素界定層結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

A.在基板表面沉積疏液性的絕緣層；

B.在絕緣層表面打印能夠溶解絕緣層的溶劑，打印的溶劑使得溶解的絕緣層因?yàn)榭Х拳h(huán)效應(yīng)堆積形成像素墻，由像素墻圍成對(duì)應(yīng)的像素限定區(qū)；

C.對(duì)步驟B形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧離子轟擊處理，將像素限定區(qū)內(nèi)殘留的絕緣層除掉，此時(shí)整體結(jié)構(gòu)呈親液狀態(tài)；

D.將步驟C形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理，使得絕緣材料部分恢復(fù)疏液性，像素限定區(qū)保持親液狀態(tài)，得到線性像素界定層結(jié)構(gòu)。。

優(yōu)選的，上述步驟A中具體采用旋涂法沉積絕緣層。

優(yōu)選的，上述步驟A中的絕緣層的材料為cytop。

優(yōu)選的，上述步驟B在絕緣層表面具體采用噴墨打印的方法打印溶劑。

優(yōu)選的，上述步驟D中的熱處理的溫度不低于180攝氏度，熱處理時(shí)間不少于5分鐘。

優(yōu)選的，上述步驟D中的熱處理的溫度為190至350攝氏度，熱處理時(shí)間為6至20分鐘。

優(yōu)選的，上述步驟D中的熱處理的溫度為200至300攝氏度，熱處理時(shí)間為6至10分鐘。

優(yōu)選的，上述步驟D中的熱處理的溫度為249攝氏度，熱處理時(shí)間為7.8分鐘。

優(yōu)選的，上述步驟A中的基板為ITO或者玻璃或者聚合物薄膜。

本發(fā)明同時(shí)提供一種線性像素界定層結(jié)構(gòu)，通過(guò)上述方法制備而成。

本發(fā)明的線性像素界定層結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：A.在基板表面沉積疏液性的絕緣層；B.在絕緣層表面打印能夠溶解絕緣層的溶劑，打印的溶劑使得溶解的絕緣層因?yàn)榭Х拳h(huán)效應(yīng)堆積形成像素墻，由像素墻圍成對(duì)應(yīng)的像素限定區(qū)；C.對(duì)步驟B形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧離子轟擊處理，將像素限定區(qū)內(nèi)殘留的絕緣層除掉，此時(shí)整體結(jié)構(gòu)呈親液狀態(tài)；D.將步驟C形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理，使得絕緣材料部分恢復(fù)疏液性，像素限定區(qū)保持親液狀態(tài)。本發(fā)明通過(guò)在絕緣層表面打印溶劑得到像素界定層，其像素限定區(qū)具有親液性，有利于溶液的鋪展，像素墻具有疏液性，可以防止溶液溢出，且由于該絕緣材料僅溶于其特定的溶劑，可以防止發(fā)光層溶液侵蝕像素界定層。綜上所述，本發(fā)明的線性像素界定層結(jié)構(gòu)的制備方法具有制備工藝簡(jiǎn)單、材料利用率高的特點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

利用附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，但附圖中的內(nèi)容不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的任何限制。

圖1是本發(fā)明一種線性像素界定層結(jié)構(gòu)的制備方法所制備的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2是通過(guò)本發(fā)明的方法打印的單獨(dú)線性結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖3是通過(guò)本發(fā)明的方法打印的連續(xù)像素結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

結(jié)合以下實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。

實(shí)施例1。

一種線性像素界定層結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)如下步驟進(jìn)行：

A.在基板表面沉積疏液性的絕緣層。步驟A中具體采用旋涂法沉積絕緣層，絕緣層的材料為cytop?；蹇蔀镮TO或者玻璃或者聚合物薄膜或者其他基板。

B.在絕緣層表面打印能夠溶解絕緣層的溶劑，打印的溶劑使得溶解的絕緣層因?yàn)榭Х拳h(huán)效應(yīng)堆積形成像素墻，由像素墻圍成對(duì)應(yīng)的像素限定區(qū)。圖1是打印的相熟結(jié)構(gòu)的示意圖，像素結(jié)構(gòu)呈U型，像素限定區(qū)1、2有極少的絕緣材料殘留，3為所形成的像素墻。

具體可以采用噴墨打印的方法打印溶劑，通過(guò)調(diào)整打印液滴間距，可以得到需要的點(diǎn)陣、線性像素結(jié)構(gòu)，不同的液滴間距可以得到不同尺寸的線性結(jié)構(gòu)，圖2、圖3為兩種結(jié)構(gòu)的示意圖。

C.對(duì)步驟B形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧離子轟擊處理，將像素限定區(qū)內(nèi)殘留的絕緣層除掉，此時(shí)整體結(jié)構(gòu)呈親液狀態(tài)。

D.將步驟C形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理，使得絕緣材料部分恢復(fù)疏液性，像素限定區(qū)保持親液狀態(tài)，得到線性像素界定層結(jié)構(gòu)。步驟D中的熱處理的溫度不低于180攝氏度，熱處理時(shí)間不少于5分鐘。

本發(fā)明通過(guò)在基板表面旋涂疏液性的絕緣層，在絕緣層表面打印溶劑，可以得到點(diǎn)陣或者線性像素結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)包括像素限定區(qū)和像素墻，通過(guò)O₂plasma處理，可以將像素限定區(qū)殘留的絕緣材料打掉，再經(jīng)過(guò)熱處理，使絕緣材料恢復(fù)疏水性，進(jìn)而得到所需的像素結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明通過(guò)在絕緣層表面打印溶劑得到像素界定層，其像素限定區(qū)具有親液性，有利于溶液的鋪展，像素墻具有疏液性，可以防止溶液溢出，且由于該絕緣材料僅溶于其特定的溶劑，可以防止發(fā)光層溶液侵蝕像素界定層。綜上所述，本發(fā)明的線性像素界定層結(jié)構(gòu)的制備方法具有制備工藝簡(jiǎn)單、材料利用率高的特點(diǎn)。

實(shí)施例2。

一種線性像素界定層結(jié)構(gòu)的制備方法，其它特征與實(shí)施例1相同該，不同之處在于：本實(shí)施例中步驟D中的熱處理的溫度為190至350攝氏度，熱處理時(shí)間為6至20分鐘。實(shí)踐發(fā)現(xiàn)，該熱處理所制備的線性像素界定層結(jié)構(gòu)性能較好。

實(shí)施例3。

一種線性像素界定層結(jié)構(gòu)的制備方法，其它特征與實(shí)施例1相同該，不同之處在于：本實(shí)施例中步驟D中的熱處理的溫度為200至300攝氏度，熱處理時(shí)間為6至10分鐘。該工藝制備效果較好。

實(shí)施例4。

一種線性像素界定層結(jié)構(gòu)的制備方法，其它特征與實(shí)施例1相同該，不同之處在于：本實(shí)施例中步驟D中的熱處理的溫度為249攝氏度，熱處理時(shí)間為7.8分鐘。該工藝具有制備簡(jiǎn)單、所制備的線性像素界定層溶液的鋪展容易，能夠防止溶液溢出，節(jié)省溶液的用量。

最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。