本發(fā)明屬于微電子領(lǐng)域，特別涉及一種高功率光導(dǎo)開關(guān)，可用于高速大功率脈沖系統(tǒng)中的開關(guān)。

技術(shù)背景

光導(dǎo)開關(guān)作為一種光控開關(guān)器件，在功率電路領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。光導(dǎo)開關(guān)利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)達(dá)到控制電路通斷的作用。一般光導(dǎo)開關(guān)所使用的材料為高阻半導(dǎo)體材料即高純半導(dǎo)體或者互補(bǔ)摻雜所制作的半絕緣材料，當(dāng)光照射到材料時(shí)，材料內(nèi)部產(chǎn)生光生載流子，光生載流子在外部電壓的作用下漂移形成電流，表現(xiàn)在外電路上就是光導(dǎo)開關(guān)所等效的大電阻阻值降低，當(dāng)光波長(zhǎng)和功率達(dá)到閾值時(shí)光導(dǎo)開關(guān)的電阻值降到極低，此時(shí)光導(dǎo)開關(guān)導(dǎo)通。

與傳統(tǒng)的制備光導(dǎo)開關(guān)的Si和GaAs相比，SiC具有大的禁帶寬度，高臨界擊穿電場(chǎng)、高暗態(tài)電阻率、優(yōu)異的自然散熱性能以及超短的載流子壽命等優(yōu)點(diǎn)，使其成為制備大功率光導(dǎo)開關(guān)的理想材料。

文獻(xiàn)“Pulsed Power Conference(PPC)，201319^th IEEE《Performance and characterization of a 20kV，contact face illuminated，silicon carbide photoconductive semiconductor switch for pulsed power applications》”介紹了Texas Tech University的D.Mauch等人的平面型光導(dǎo)開關(guān)。此種光導(dǎo)開關(guān)表面電流密度較大，電子空穴遷移率低，開關(guān)導(dǎo)通電阻大，歐姆電極收集載流子的邊緣極易發(fā)生擊穿，光導(dǎo)開關(guān)很難在工作的情況下耐較高的電壓，另外開關(guān)器件的尺寸較大。

由西安電子科技大學(xué)宋朝陽等申請(qǐng)的專利“201510098637.3碳化硅嵌入式電極平面型光導(dǎo)開關(guān)及其制作方法”中提出一種新結(jié)構(gòu)光導(dǎo)開關(guān)，通過開孔、離子注入制作嵌入式電極，在一定程度上增大了光導(dǎo)開關(guān)耐壓能力，減小了導(dǎo)通電阻。但是實(shí)際制作過程中，由于碳化硅襯底自身原因，光導(dǎo)開關(guān)邊緣受光處容易發(fā)生空氣擊穿，使光導(dǎo)開關(guān)失效，另外由于光吸收集中在器件表面，而電流主要流過兩個(gè)電極下的薄層處，因此不利于降低導(dǎo)通電阻，使得需要開啟器件的光功率大，增加了開關(guān)損耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)不足，提出一種高功率同面電極嵌入式臺(tái)面型光導(dǎo)開關(guān)，以降低開關(guān)損耗，提高器件耐壓能力。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的高功率同面電極嵌入式臺(tái)面型光導(dǎo)開關(guān)，包括半絕緣碳化硅襯底和一對(duì)歐姆接觸電極，其特征在于：

半絕緣碳化硅襯底的一邊為45°±2°的斜邊，作為傾斜入射臺(tái)面；

半絕緣碳化硅襯底的上表面和斜邊表面淀積氮化硅，用于減少入射光在表面的反射，同時(shí)增加器件的耐壓能力。

所述半絕緣碳化硅襯底上部?jī)啥碎_有兩個(gè)凹槽，凹槽自表面上的氮化硅層到半絕緣碳化硅襯底的深度為3～5μm，一對(duì)歐姆接觸電極嵌在這兩個(gè)凹槽中。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明制作高功率同面電極嵌入式臺(tái)面型光導(dǎo)開關(guān)的方法，包括如下步驟：

1)對(duì)半絕緣碳化硅襯底進(jìn)行清洗，去除表面污染物；

2)在清洗后的半絕緣碳化硅襯底右側(cè)進(jìn)行倒角，形成45°±2°斜面，并對(duì)此斜面采用化學(xué)機(jī)械拋光CMP，使其形成粗糙度為Ra≤0.01的光滑入射臺(tái)面；

3)用磁控濺射方法在襯底表面濺射鋁膜作為干法刻蝕的掩膜層，再采用電感耦合等離子體刻蝕ICP法在襯底的上表面刻蝕形成兩個(gè)深度為3～5μm，橫向?qū)挾葹?～4mm，縱向長(zhǎng)度為5～10mm的凹槽；

4)采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積PECVD的方法在刻槽后的碳化硅半絕緣襯底樣品表面以及入射臺(tái)面上淀積厚度為2μm的SiO₂作為離子注入的阻擋層；

5)在阻擋層上涂光刻膠，用光刻膠在涂膠后的SiO₂阻擋層上刻蝕出對(duì)應(yīng)凹槽位置的窗口圖案，并用HF酸溶液腐蝕掉窗口圖案位置下的阻擋層，阻擋層表面所開窗口即為離子注入的窗口，并去膠清洗；

6)在離子注入窗口進(jìn)行三次磷離子注入，注入能量分別為150keV、80keV、30keV，注入的劑量分別為0.9×10¹⁵cm^-2，5.7×10¹⁵cm^-2，3.4×10¹⁵cm^-2，形成表面摻雜濃度為2×10²⁰cm^-2的樣片；

7)離子注入完成后腐蝕掉樣品表面剩余的SiO₂阻擋層，清洗樣片表面的殘留物；

8)在清洗殘留物后的樣片表面涂BN310負(fù)膠，將該樣片置于300℃～400℃溫度環(huán)境中加熱90分鐘進(jìn)行碳膜濺射；然后在1550℃～1750℃溫度范圍內(nèi)退火10分鐘，以在樣片表面形成厚度為150nm的良好歐姆接觸；再在900℃～1100℃溫度范圍內(nèi)干氧氧化15分鐘，以去除表面碳膜；

9)將去除碳膜的樣品在300℃～400℃范圍內(nèi)進(jìn)行等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相PECVD淀積工藝，在樣片和傾斜臺(tái)面表面淀積70～80nm厚的氮化硅，作為減反層；

10)在氮化硅減反層上旋涂光刻膠，利用金屬層的掩膜版作刻蝕阻擋層；然后用熔融的NaOH溶液腐蝕10分鐘，將半絕緣襯底上表面對(duì)應(yīng)凹槽位置處的氮化硅減反層刻蝕掉，形成的凹槽窗口區(qū)域即為要做金屬電極的區(qū)域；

11)在開窗后的樣片表面涂膠，使用金屬層掩膜版光刻出金屬圖形；通過磁控濺射在樣片的兩個(gè)凹槽中淀積厚度為80～100nm的金屬Ni，在Ar氣環(huán)境中升溫至900℃～1100℃，退火10分鐘后冷卻至室溫；

12)在冷卻后的樣片表面涂膠，使用金屬層掩膜版光刻出金屬圖形，并通過磁控濺射法在兩個(gè)凹槽處淀積厚度為3～5μm的Au薄膜，通過超聲波剝離形成金屬電極，再在Ar氣環(huán)境中升溫至450℃～650℃，退火5分鐘后冷卻至室溫，完成整個(gè)器件的制作。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)：

1.通過采用氮化硅減反層代替致密氧化層和SiO₂鈍化層，只需一步工藝即可實(shí)現(xiàn)，減少了工藝步驟，降低了制造難度，并且氮化硅具有比SiO₂更高的介電常數(shù)，能有效提高較大脈沖輸入時(shí)器件的耐壓能力。

2.本發(fā)明將碳化硅襯底單側(cè)倒角形成光滑臺(tái)面，并增加減反層，使入射光在器件內(nèi)形成全反射，提高了入射光光程，降低開啟光功率，有效降低了開關(guān)損耗，同時(shí)避免了器件邊緣發(fā)生空氣擊穿，提高了器件可靠性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1的俯視圖；

圖3是本發(fā)明制作方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

參照?qǐng)D1和圖2，本發(fā)明的高功率同面電極嵌入式臺(tái)面型光導(dǎo)開關(guān)，主要由半絕緣碳化硅襯底1、傾斜入射臺(tái)面2、兩個(gè)凹槽3和4、一對(duì)歐姆電極5和6與氮化硅層7組成。半絕緣碳化硅襯底1是在碳化硅材料中摻入釩原子形成的，摻入的釩原子在半絕緣碳化硅襯底1中既可以作為施主雜質(zhì)也可以作為受主雜質(zhì)。傾斜入射臺(tái)面2是在半絕緣碳化硅襯底右側(cè)進(jìn)行倒角形成的45°±2°臺(tái)面，氮化硅層7是在半絕緣碳化硅襯底1和傾斜入射臺(tái)面2上淀積形成的。兩個(gè)凹槽3和4開設(shè)在半絕緣碳化硅襯底1上部的兩端，每個(gè)凹槽的深度為3～5μm，橫向?qū)挾葹?～4mm，縱向長(zhǎng)度為5～10mm。兩個(gè)歐姆電極5和6分別嵌入在兩個(gè)凹槽3和4中，這一對(duì)歐姆接觸電極的橫向?qū)挾萪為2～4mm，縱向長(zhǎng)度w為5～10mm，厚度n為3～5μm。

當(dāng)入射光垂直照射到傾斜入射臺(tái)面2上時(shí)，由于光波導(dǎo)的原因，這種臺(tái)面可使入射光在器件內(nèi)形成全反射，提高了入射光的光程，增大了材料對(duì)光的吸收面積，從而可以產(chǎn)生更多的光生載流子，并通過嵌入在兩個(gè)凹槽3,4中的歐姆電極5,6將產(chǎn)生的光生載流子收集起來，以在器件表面形成大電流，該大電流在外電路中等效為開關(guān)導(dǎo)通。

參照?qǐng)D3，本發(fā)明的制作方法給出如下三種實(shí)施例：

實(shí)施例1，制作臺(tái)面角度為45°，凹槽深度均為3μm，氮化硅減反層厚度為70nm，歐姆接觸電極厚度為80nm/3μm的嵌入式臺(tái)面型光導(dǎo)開關(guān)。

步驟1：對(duì)半絕緣襯底進(jìn)行倒角形成臺(tái)面。

選用半絕緣碳化硅襯底，對(duì)其進(jìn)行清洗，去除表面污染物；在清洗后的半絕緣碳化硅襯底右側(cè)進(jìn)行倒角形成45°斜面，并對(duì)此斜面采用化學(xué)機(jī)械拋光CMP，使其形成粗糙度為Ra≤0.01的光滑入射臺(tái)面，如圖3a。

步驟2：對(duì)半絕緣襯底上表面進(jìn)行刻蝕。

(2a)采用磁控濺射法在襯底表面濺射鋁膜作為刻蝕掩膜層，使用光刻版在形成鋁膜的襯底的上表面刻蝕出所需要的圖案；

(2b)將刻蝕出圖案的襯底樣片清洗后采用電感耦合等離子刻蝕ICP法在其上表面進(jìn)行臺(tái)面刻蝕，形成兩個(gè)深度為3μm，橫向?qū)挾葹?mm，縱向長(zhǎng)度為6mm的凹槽，如圖3b。

步驟3：在形成凹槽的襯底樣片表面淀積SiO₂。

采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積PECVD的工藝方法在刻槽后的氮化硅半絕緣襯底樣品表面以及入射臺(tái)面上淀積厚度為2μm的SiO₂作為離子注入的阻擋層，如圖3c。

步驟4：對(duì)樣片進(jìn)行離子注入。

(4a)在阻擋層上涂光刻膠，用光刻膠在涂膠后的SiO₂阻擋層上刻蝕出對(duì)應(yīng)凹槽位置的窗口圖案，并用濃度為5％的HF酸溶液腐蝕掉窗口圖案位置下的阻擋層，阻擋層表面所開窗口即為離子注入的窗口，并去膠清洗；

(4b)在離子注入窗口進(jìn)行三次磷離子注入，注入能量分別為150keV、80keV、30keV，注入的劑量分別為0.9×10¹⁵cm^-2，5.7×10¹⁵cm^-2，3.4×10¹⁵cm^-2，形成表面摻雜濃度為2×10²⁰cm^-2的樣片,如圖3d；

(4c)離子注入完成后腐蝕掉樣片表面剩余的SiO₂阻擋層，清洗樣片表面的殘留物；

(4d)在清洗殘留物后的樣片表面涂BN310負(fù)膠，將該樣片置于300℃溫度環(huán)境中加熱90分鐘進(jìn)行碳膜濺射；

(4e)在1550℃退火10分鐘，以在樣片表面形成厚度為150nm的良好歐姆接觸；再在900℃溫度范圍內(nèi)干氧氧化15分鐘，以去除表面碳膜。

步驟5：在去除碳膜的表面淀積氮化硅。

將去除碳膜的樣品進(jìn)行等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝，在樣片和傾斜臺(tái)面表面淀積形成70nm厚，折射率為2.0的氮化硅層，其工藝參數(shù)為：襯底溫度300℃，硅烷與氨氣流量比為1:6，氣體總流量為4000sccm，工藝壓強(qiáng)為170Pa，淀積結(jié)果如圖3e。

步驟6：在氮化硅層對(duì)應(yīng)襯底樣片凹槽的位置開窗。

(6a)在氮化硅減反層上旋涂光刻膠，利用金屬層的掩膜版作刻蝕阻擋層；

(6b)在反應(yīng)溫度為300℃的條件下，使用熔融的NaOH溶液腐蝕10分鐘，將半絕緣襯底上表面對(duì)應(yīng)凹槽位置處的氮化硅減反層刻蝕掉，形成的凹槽窗口區(qū)域即為要做金屬電極的區(qū)域，如圖3f。

步驟7：在樣片刻蝕槽內(nèi)濺射金屬Ni膜。

(7a)在開窗后的樣片表面涂膠，使用金屬層掩膜版，光刻出金屬圖形，并通過磁控濺射在樣片的兩個(gè)凹槽中淀積厚度為80nm的金屬Ni，如圖3g；

(7b)在Ar氣環(huán)境中升溫至900℃，退火10分鐘后冷卻至室溫。

步驟8：在Ni膜上濺射Au金屬合金。

(8a)在冷卻至室溫的樣片表面涂膠，使用金屬層掩膜版，光刻出金屬圖形；通過磁控濺射法在兩個(gè)凹槽內(nèi)的金屬Ni膜上淀積厚度為3μm的Au薄膜，通過超聲波剝離形成一對(duì)厚度為80nm/3μm的Ni/Au金屬合金歐姆接觸電極，如圖3h；

(8b)在Ar氣環(huán)境中升溫至450℃，退火5分鐘后冷卻至室溫,完成高功率同面電極嵌入式臺(tái)面型光導(dǎo)開關(guān)的制作。

實(shí)施例2，制作臺(tái)面角度為44°,凹槽深度均為4μm，氮化硅減反層厚度為75nm，歐姆接觸電極厚度為90nm/4μm的嵌入式臺(tái)面型光導(dǎo)開關(guān)。

步驟一：對(duì)半絕緣襯底進(jìn)行倒角形成臺(tái)面。

選用半絕緣碳化硅襯底，對(duì)其進(jìn)行清洗，去除表面污染物；在清洗后的半絕緣碳化硅襯底右側(cè)進(jìn)行倒角形成44°斜面，并對(duì)此斜面采用化學(xué)機(jī)械拋光CMP，使其形成粗糙度為Ra≤0.01的光滑入射臺(tái)面，如圖3a。

步驟二：對(duì)半絕緣襯底上表面進(jìn)行刻蝕。

首先，采用磁控濺射法在襯底表面濺射鋁膜作為刻蝕掩膜層，使用光刻版在形成鋁膜的襯底的上表面刻蝕出所需要的圖案；

然后，將刻蝕出圖案的襯底樣片清洗后采用電感耦合等離子刻蝕ICP法在其上表面進(jìn)行臺(tái)面刻蝕，形成兩個(gè)深度為4μm，橫向?qū)挾葹?mm，縱向長(zhǎng)度為8mm的凹槽，如圖3b。

步驟三：在形成凹槽的樣片表面淀積SiO₂。

本步驟與實(shí)施例1的步驟3相同，如圖3c。

步驟四：對(duì)樣片進(jìn)行離子注入。

在阻擋層上涂光刻膠，用光刻膠在涂膠后的SiO₂阻擋層上刻蝕出對(duì)應(yīng)凹槽位置的窗口圖案，并用濃度為5％的HF酸溶液腐蝕掉窗口圖案位置下的阻擋層，阻擋層表面所開窗口即為離子注入的窗口，并去膠清洗；

在離子注入窗口進(jìn)行三次磷離子注入，注入能量分別為150keV、80keV、30keV，注入的劑量分別為0.9×10¹⁵cm^-2，5.7×10¹⁵cm^-2，3.4×10¹⁵cm^-2，形成表面摻雜濃度為2×10²⁰cm^-2的樣片,如圖3d；

離子注入完成后腐蝕掉樣片表面剩余的SiO₂阻擋層，清洗樣片表面的殘留物；

在清洗殘留物后的樣片表面涂BN310負(fù)膠，將該樣片置于350℃溫度環(huán)境中加熱90分鐘進(jìn)行碳膜濺射；

在1650℃退火10分鐘，以在樣片表面形成厚度為150nm的良好歐姆接觸；再在1000℃溫度范圍內(nèi)干氧氧化15分鐘，以去除表面碳膜。

步驟五：在去除碳膜的表面淀積氮化硅。

將去除碳膜的樣品進(jìn)行等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝，在樣片和傾斜臺(tái)面表面淀積形成75nm厚，折射率為2.0的氮化硅層，其工藝參數(shù)為：襯底溫度350℃，硅烷與氨氣流量比為1:8，氣體總流量為4200sccm，工藝壓強(qiáng)為170Pa，淀積結(jié)果如圖3e。

步驟六：在氮化硅層對(duì)應(yīng)襯底樣片凹槽的位置開窗。

首先，在氮化硅減反層上旋涂光刻膠，利用金屬層的掩膜版作刻蝕阻擋層；

然后，在反應(yīng)溫度為350℃的條件下，使用熔融的NaOH溶液腐蝕10分鐘，將半絕緣襯底上表面對(duì)應(yīng)凹槽位置處的氮化硅減反層刻蝕掉，形成的凹槽窗口區(qū)域即為要做金屬電極的區(qū)域，如圖3f。

步驟七：在樣片刻蝕槽內(nèi)濺射金屬Ni膜。

首先，在開窗后的樣片表面涂膠，使用金屬層掩膜版，光刻出金屬圖形；并通過磁控濺射在樣片的兩個(gè)凹槽中淀積厚度為90nm的金屬Ni,如圖3g；

然后，在Ar氣環(huán)境中升溫至1000℃，退火10分鐘后冷卻至室溫。

步驟八：在Ni膜上濺射Au金屬合金。

首先，在冷卻至室溫的樣片表面涂膠，使用金屬層掩膜版，光刻出金屬圖形；通過磁控濺射法在兩個(gè)凹槽內(nèi)的金屬Ni膜上淀積厚度為4μm的Au薄膜，通過超聲波剝離形成一對(duì)厚度為90nm/4μm的Ni/Au金屬合金歐姆接觸電極，如圖3h；

然后，在Ar氣環(huán)境中升溫至550℃，退火5分鐘后冷卻至室溫,完成高功率同面電極嵌入式臺(tái)面型光導(dǎo)開關(guān)的制作。

實(shí)施例3，制作臺(tái)面角度為46°,凹槽深度均為5μm，氮化硅減反層厚度為80nm，歐姆接觸電極厚度為100nm/5μm的嵌入式臺(tái)面型光導(dǎo)開關(guān)。

步驟A，對(duì)半絕緣襯底進(jìn)行倒角形成臺(tái)面。

選用半絕緣碳化硅襯底，對(duì)其進(jìn)行清洗，去除表面污染物；在清洗后的半絕緣碳化硅襯底右側(cè)進(jìn)行倒角形成46°斜面，并對(duì)此斜面采用化學(xué)機(jī)械拋光CMP，使其形成粗糙度為Ra≤0.01的光滑入射臺(tái)面，如圖3a。

步驟B：對(duì)半絕緣襯底上表面進(jìn)行刻蝕。

采用磁控濺射法在襯底表面濺射鋁膜作為刻蝕掩膜層，使用光刻版在形成鋁膜的襯底的上表面刻蝕出所需要的圖案；將刻蝕出圖案的襯底樣片清洗后采用電感耦合等離子刻蝕ICP法在其上表面進(jìn)行臺(tái)面刻蝕，形成兩個(gè)深度為5μm，橫向?qū)挾葹?mm，縱向長(zhǎng)度為10mm的凹槽，如圖3b。

步驟C：在形成凹槽的樣片表面淀積SiO₂。

本步驟與實(shí)施例1的步驟3相同，如圖3c。

步驟D：對(duì)樣片進(jìn)行離子注入。

(Da)在阻擋層上涂光刻膠，用光刻膠在涂膠后的SiO₂阻擋層上刻蝕出對(duì)應(yīng)凹槽位置的窗口圖案，并用濃度為5％的HF酸溶液腐蝕掉窗口圖案位置下的阻擋層，阻擋層表面所開窗口即為離子注入的窗口，并去膠清洗；

(Db)在離子注入窗口進(jìn)行三次磷離子注入，注入能量分別為150keV、80keV、30keV，注入的劑量分別為0.9×10¹⁵cm^-2，5.7×10¹⁵cm^-2，3.4×10¹⁵cm^-2，形成表面摻雜濃度為2×10²⁰cm^-2的樣片,如圖3d；

(Dc)離子注入完成后腐蝕掉樣片表面剩余的SiO₂阻擋層，清洗樣片表面的殘留物；

(Dd)在清洗殘留物后的樣片表面涂BN310負(fù)膠，將該樣片置于400℃溫度環(huán)境中加熱90分鐘進(jìn)行碳膜濺射；

(De)在1750℃退火10分鐘，以在樣片表面形成厚度為150nm的良好歐姆接觸；再在1100℃溫度范圍內(nèi)干氧氧化15分鐘，以去除表面碳膜。

步驟E：在去除碳膜的表面淀積氮化硅。

將去除碳膜的樣品進(jìn)行等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝，在樣片和傾斜臺(tái)面表面淀積形成80nm厚，折射率為2.1的氮化硅層，其工藝參數(shù)為：襯底溫度400℃，硅烷與氨氣流量比為1:10，氣體總流量為4400sccm，工藝壓強(qiáng)為170Pa，淀積結(jié)果如圖3e。

步驟F：在氮化硅層對(duì)應(yīng)襯底樣片凹槽的位置開窗。

(Fa)在氮化硅減反層上旋涂光刻膠，利用金屬層的掩膜版作刻蝕阻擋層；

(Fb)在反應(yīng)溫度為400℃的條件下使用熔融的NaOH溶液腐蝕10分鐘，將半絕緣襯底上表面對(duì)應(yīng)凹槽位置處的氮化硅減反層刻蝕掉，形成的凹槽窗口區(qū)域即為要做金屬電極的區(qū)域，如圖3f。

步驟G：在樣片刻蝕槽內(nèi)濺射金屬Ni膜。

(Ga)在開窗后的樣片表面涂膠，使用金屬層掩膜版，光刻出金屬圖形；并通過磁控濺射在樣片的兩個(gè)凹槽中淀積厚度為100nm的金屬Ni,如圖3g；

(Gb)在Ar氣環(huán)境中升溫至1100℃，退火10分鐘后冷卻至室溫。

步驟H：在Ni膜上濺射Au金屬合金。

(Ha)在冷卻至室溫的樣片表面涂膠，使用金屬層掩膜版，光刻出金屬圖形；通過磁控濺射法在兩個(gè)凹槽內(nèi)的金屬Ni膜上淀積厚度為5μm的Au薄膜，通過超聲波剝離形成一對(duì)厚度為100nm/5μm的Ni/Au金屬合金歐姆接觸電極，如圖3h；

(Hb)在Ar氣環(huán)境中升溫至650℃，退火5分鐘后冷卻至室溫,完成高功率同面電極嵌入式臺(tái)面型光導(dǎo)開關(guān)的制作。