本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種雙極型晶體管及其形成方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，工藝節(jié)點(diǎn)逐漸減小，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)作為一種多柵器件得到了廣泛的關(guān)注。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝流程與平面晶體管的工藝流程有了很大的改變。

雙極型晶體管是構(gòu)成現(xiàn)代大規(guī)模集成電路的常用器件結(jié)構(gòu)之一，其操作速度快、飽和壓降下、電流密度大且生產(chǎn)成本低。

目前集成電路中的雙極型晶體管的制作方法，還是按照傳統(tǒng)的平面晶體管的工藝流程制作，集成度有待進(jìn)一步的提高。

所以現(xiàn)有雙極型晶體管的集成度有待進(jìn)一步的提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種雙極型晶體管及其形成方法，提高現(xiàn)有雙極型晶體管的集成度。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種雙極型晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有鰭部；在所述半導(dǎo)體襯底表面形成隔離層，所述隔離層表面低于鰭部頂部表面，且覆蓋鰭部的部分側(cè)壁；在所述半導(dǎo)體襯底和鰭部?jī)?nèi)形成第二類型摻雜阱；在所述鰭部?jī)?nèi)形成第一類型摻雜區(qū)；在所述鰭部?jī)?nèi)形成第二類型摻雜區(qū)，所述第一類型摻雜區(qū)和第二類型摻雜區(qū)沿鰭部長(zhǎng)度方向分布；在所述第一類型摻雜區(qū)的部分表面以及第二類型摻雜區(qū)表面形成第二類型重?fù)诫s層；在所述第一類型摻雜區(qū)部分表面形成第一類型重?fù)诫s層。

可選的，所述第一類型摻雜區(qū)的形成方法包括：刻蝕所述鰭部，在所述鰭部?jī)?nèi)形成第一凹槽；在所述第一凹槽內(nèi)外延形成第一半導(dǎo)體層，并對(duì)所述 第一半導(dǎo)體層進(jìn)行第一類型離子摻雜，形成第一類型摻雜區(qū)。

可選的，采用原位摻雜工藝對(duì)所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行第一類型離子摻雜。

可選的，所述第一類型摻雜區(qū)的摻雜劑量為1e13atom/cm²～5e13atom/cm²。

可選的，所述第二類型摻雜區(qū)的形成方法包括：刻蝕所述鰭部，在所述鰭部?jī)?nèi)形成第二凹槽；在所述第二凹槽內(nèi)外延形成第二半導(dǎo)體層，并對(duì)所述第二半導(dǎo)體層進(jìn)行第二類型離子摻雜，形成第二類型摻雜區(qū)。

可選的，采用原位摻雜工藝對(duì)所述第二半導(dǎo)體層進(jìn)行第二類型離子摻雜。

可選的，所述第二類型摻雜區(qū)的摻雜劑量為1e13atom/cm²～5e13atom/cm²

可選的，所述第一類型摻雜區(qū)和第二類型摻雜區(qū)之間間隔2nm～20nm。

可選的，所述第二類型重?fù)诫s層的形成方法包括：在所述隔離層和鰭部表面形成第一圖形化掩膜層，所述第一圖形化掩膜層暴露出第一類型摻雜區(qū)的部分表面和第二類型摻雜區(qū)的表面；以所述第一圖形化掩膜層為掩膜，進(jìn)行第二類型離子注入，在所述第一類型摻雜區(qū)的部分表面、第二類型摻雜區(qū)表面形成第二類型重?fù)诫s層；然后去除所述第一圖形化掩膜層。

可選的，所述第二類型離子注入的注入劑量為1e15atom/cm²～5e15atom/cm²。

可選的，所述第一類型重?fù)诫s層的形成方法包括：在所述隔離層和鰭部表面形成第二圖形化掩膜層，所述第二圖形化掩膜層暴露出第一類型摻雜區(qū)未被第二類型離子注入的表面；以所述第二圖形化掩膜層為掩膜，對(duì)所述第一類型摻雜區(qū)進(jìn)行第一類型離子注入，在所述第一類型摻雜區(qū)的部分表面形成第一類型重?fù)诫s層；然后去除所述第二圖形化掩膜層。

可選的，所述第一類型離子注入的注入劑量為1e15atom/cm²～5e15atom/cm²。

可選的，所述第一類型摻雜為p型摻雜，第二類型為n型摻雜。

可選的，所述第一半導(dǎo)體層材料為sige，所述第二半導(dǎo)體層的材料為si。

可選的，所述第一類型摻雜為n型摻雜，第二類型為p型摻雜。

可選的，所述第一半導(dǎo)體層材料為sip，所述第二半導(dǎo)體層的材料為si。

可選的，采用離子注入工藝形成所述第二類型摻雜阱，所述離子注入工藝的注入劑量為1e12atom/cm²～5e12atom/cm²。

可選的，還包括：在所述隔離層、鰭部表面形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述第一類型重?fù)诫s層、第二類型重?fù)诫s層；在所述介質(zhì)層內(nèi)形成位于所述第一類型重?fù)诫s層、第二類型重?fù)诫s層表面的金屬插塞

為解決上述問題，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種采用上述方法形成的雙極型晶體管，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有鰭部；位于所述半導(dǎo)體襯底表面的隔離層，所述隔離層表面低于鰭部頂部表面，且覆蓋鰭部的部分側(cè)壁；位于所述半導(dǎo)體襯底和鰭部?jī)?nèi)的第二類型摻雜阱；位于所述鰭部?jī)?nèi)的第一類型摻雜區(qū)；位于所述鰭部?jī)?nèi)的第二類型摻雜區(qū)，所述第一類型摻雜區(qū)和第二類型摻雜區(qū)沿鰭部長(zhǎng)度方向分布；位于所述第一類型摻雜區(qū)的部分表面以及第二類型摻雜區(qū)表面的第二類型重?fù)诫s層；位于所述第一類型摻雜區(qū)部分表面的第一類型重?fù)诫s層。

可選的，還包括：位于所述隔離層、鰭部表面的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述第一類型重?fù)诫s層、第二類型重?fù)诫s層，所述介質(zhì)層內(nèi)、位于所述第一類型重?fù)诫s層、第二類型重?fù)诫s層表面的金屬插塞。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明技術(shù)方案的雙極型晶體管的形成方法中，在半導(dǎo)體襯底和鰭部?jī)?nèi)的第二類型摻雜阱內(nèi)形成第二類型摻雜阱后，在鰭部?jī)?nèi)形成第一類型摻雜區(qū)、第二類型摻雜區(qū)，以及位于第一類型摻雜區(qū)的部分表面以及第二類型摻雜區(qū)表面的第二類型重?fù)诫s層、位于所述第一類型摻雜區(qū)部分表面的第一類型重?fù)诫s層形成雙極型晶體管。所述雙極型晶體管位于鰭部上，從而可以提高雙極型晶體管的集成度。

進(jìn)一步，所述第一類型摻雜區(qū)的形成方法包括：刻蝕所述鰭部，在所述鰭部?jī)?nèi)形成第一凹槽；在所述第一凹槽內(nèi)外延形成第一半導(dǎo)體層，并對(duì)所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行第一類型離子摻雜，形成第一類型摻雜區(qū)；所述第二類型 摻雜區(qū)的形成方法包括：刻蝕所述鰭部，在所述鰭部?jī)?nèi)形成第二凹槽；在所述第二凹槽內(nèi)外延形成第二半導(dǎo)體層，并對(duì)所述第二半導(dǎo)體層進(jìn)行第二類型離子摻雜，形成第二類型摻雜區(qū)。所述第一類型摻雜區(qū)、第二類型摻雜區(qū)的形成方法與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏極形成工藝一致，從而使得所述雙極型晶體管的形成工藝與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏極形成工藝兼容，在形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的過程中，可以同時(shí)形成雙極型晶體管，不需要增加額外的光罩，可以節(jié)約工藝步驟和工藝成本。

本發(fā)明技術(shù)方案所提供的雙極型晶體管，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有鰭部；位于半導(dǎo)體襯底和鰭部?jī)?nèi)的第二類型摻雜阱；位于鰭部?jī)?nèi)的第一類型摻雜區(qū)和第二類型摻雜區(qū)；位于所述第一類型摻雜區(qū)的部分表面以及第二類型摻雜區(qū)表面的第二類型重?fù)诫s層；位于所述第一類型摻雜區(qū)部分表面的第一類型重?fù)诫s層。所述雙極型晶體管位于鰭部上，能夠提高雙極型晶體管的集成度。

附圖說明

圖1至圖11是本發(fā)明的雙極型晶體管的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)形成的雙極型晶體管的集成度有待進(jìn)一步的提高。

本發(fā)明的實(shí)施例中，在鰭部上形成寄生雙極型晶體管，可以提高雙極性晶體管的集成度。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

請(qǐng)參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100表面形成有鰭部101；在所述半導(dǎo)體襯底100表面形成隔離層201，所述隔離層201表面低于鰭部101頂部表面且覆蓋鰭部101的部分側(cè)壁；在所述半導(dǎo)體襯底100和鰭部101內(nèi)形成第二類型摻雜阱102。圖1為沿垂直鰭部101方向的剖面示意圖。

所述半導(dǎo)體襯底100的材料包括硅、鍺、鍺化硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料， 所述半導(dǎo)體襯底100可以是體材料也可以是復(fù)合結(jié)構(gòu)如絕緣體上硅。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)半導(dǎo)體襯底100上形成的半導(dǎo)體器件選擇所述半導(dǎo)體襯底100的類型，因此所述半導(dǎo)體襯底100的類型不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底100為單晶硅襯底。

可以通過刻蝕所述半導(dǎo)體襯底100形成所述鰭部101，本實(shí)施例中，在所述半導(dǎo)體襯底100上形成若干平行排列的鰭部101。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以在所述半導(dǎo)體襯底100上形成外延層之后，對(duì)所述外延層進(jìn)行刻蝕，形成所述鰭部101。

所述隔離層201的形成方法包括：在所述半導(dǎo)體襯底100上形成隔離材料層，所述隔離材料層覆蓋鰭部101，對(duì)所述隔離材料層進(jìn)行平坦化之后，對(duì)所述隔離層進(jìn)行回刻蝕，形成隔離層201，使所述隔離層201的表面低于鰭部101的頂部表面。

本實(shí)施例中，在形成所述隔離層201之后，對(duì)所述鰭部101表面進(jìn)行氧化處理，形成氧化層202。所述氧化層202可以修復(fù)鰭部101表面的刻蝕損傷，還可以避免后續(xù)進(jìn)行離子注入時(shí)產(chǎn)生溝道效應(yīng)。

采用離子注入工藝在所述半導(dǎo)體襯底100和鰭部101內(nèi)形成第二類型摻雜阱102。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還同時(shí)在所述半導(dǎo)體襯底100上形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第二類型摻雜阱可以與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的摻雜阱同時(shí)形成。本實(shí)施例中，所述第二類型摻雜阱102為n型摻雜阱，注入離子為p、as等n型摻雜離子，所述第二類型摻雜阱102可以與形成p型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的n型摻雜阱同時(shí)形成。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第二類型摻雜阱102為p型摻雜阱，注入離子為b、ga等p型摻雜離子，可以與n型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的p型摻雜阱同時(shí)形成。具體的，所述離子注入工藝采用的注入劑量為1e13atom/cm²～5e13atom/cm²。

然后，在所述鰭部101內(nèi)形成第一類型摻雜區(qū)，所述第一類型摻雜區(qū)的形成方法請(qǐng)參考圖2至圖4。

請(qǐng)參考圖2，刻蝕所述鰭部101，在所述鰭部101內(nèi)形成第一凹槽102。圖2為沿鰭部101長(zhǎng)度方向的剖面示意圖。

采用干法刻蝕工藝形成所述第一凹槽102，具體的，在所述鰭部101上形成具有開口的掩膜層，所述開口定義出第一凹槽102的尺寸和位置，沿所述開口刻蝕鰭部101，形成所述第一凹槽102。本實(shí)施例中，所述第一凹槽102的底部與隔離層201的表面齊平。

請(qǐng)參考圖3和圖4，在所述第一凹槽102內(nèi)外延形成第一半導(dǎo)體層，并對(duì)所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行第一類型離子摻雜，形成第一類型摻雜區(qū)301。圖3為沿鰭部101長(zhǎng)度方向的剖面示意圖，圖4為沿垂直鰭部101方向的剖面示意圖。

可以采用原位摻雜工藝在外延形成所述第一半導(dǎo)體層的過程過中進(jìn)行第一類型離子摻雜，形成所述第一類型摻雜區(qū)301。由于所述鰭部101的其他區(qū)域表面具有氧化層201，所以，采用選擇性外延工藝形成所述第一半導(dǎo)體層時(shí)，僅能在第一凹槽102內(nèi)形成所述第一半導(dǎo)體層。

本實(shí)施例中，所述第二類型摻雜阱102為n阱，所以所述第一類型離子摻雜為p型離子摻雜，摻雜離子為b，所述第一半導(dǎo)體層的材料為sige。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第二類型摻雜阱102為p阱，所以所述第一類型摻雜區(qū)301為n型摻雜區(qū)，所述第一類型離子摻雜為n型離子，摻雜離子為p，所述第一半導(dǎo)體層材料為sip。

所述第一類型摻雜區(qū)301的摻雜劑量為1e13atom/cm²～5e13atom/cm²。

所述第一凹槽102與隔離層201之間還具有部分鰭部101，可以確保在第一凹槽102內(nèi)外延形成第一半導(dǎo)體層的過程中，所述第一半導(dǎo)體層的形貌較好，避免第一半導(dǎo)體層發(fā)生坍塌等問題。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，在半導(dǎo)體襯底100的其他區(qū)域上同時(shí)形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏極過程中，需要刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部形成源漏凹槽，然后再在所述源漏凹槽內(nèi)填充摻雜半導(dǎo)體層，形成源漏極，當(dāng)所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管為p型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，在源漏凹槽內(nèi)填充半導(dǎo)體層為p型摻雜的sige層；當(dāng)所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管為n型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，在源漏凹槽內(nèi)填充半導(dǎo)體層為n型摻雜的sip層。所以，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一凹槽102可以與其他區(qū)域的鰭式場(chǎng) 效應(yīng)晶體管的源漏凹槽同時(shí)形成，所述第一類型摻雜區(qū)301可以與其他區(qū)域的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏凹槽內(nèi)的摻雜半導(dǎo)體層同時(shí)形成，不需要額外的工藝步驟。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以直接對(duì)所述鰭部101的部分區(qū)域進(jìn)行第一類型摻雜離子注入，形成所述第一類型摻雜區(qū)301。

形成所述第一類型摻雜區(qū)301之后，繼續(xù)在所述鰭部101內(nèi)形成第二類型摻雜區(qū)，所述第一類型摻雜區(qū)301和第二類型摻雜區(qū)沿鰭部101長(zhǎng)度方向分布。所述第二類型摻雜區(qū)的形成方法請(qǐng)參考圖5至圖6。

請(qǐng)參考圖5，刻蝕所述鰭部101，在所述鰭部101內(nèi)形成第二凹槽103。

采用干法刻蝕工藝形成所述第二凹槽103，具體的，在所述鰭部101上形成具有開口的掩膜層，所述開口定義出第二凹槽103的尺寸和位置，覆蓋鰭部101的其他區(qū)域，沿所述開口刻蝕鰭部101，形成所述第二凹槽103。本實(shí)施例中，所述第二凹槽103的底部與隔離層201的表面齊平。

請(qǐng)參考圖6，在所述第二凹槽103(請(qǐng)參考圖5)內(nèi)外延形成第二半導(dǎo)體層，并對(duì)所述第二半導(dǎo)體層進(jìn)行第二類型離子摻雜，形成第二類型摻雜區(qū)302。

可以采用原位摻雜工藝在外延形成所述第二半導(dǎo)體層的過程過中進(jìn)行第二類型離子摻雜，形成所述第二類型摻雜區(qū)302。由于所述鰭部101的其他區(qū)域表面具有氧化層201，所以，采用選擇性外延工藝形成所述第二半導(dǎo)體層時(shí)，僅能在第二凹槽103內(nèi)形成所述第二半導(dǎo)體層。

本實(shí)施例中，所述第二類型離子摻雜為n型離子摻雜，摻雜離子為p，所述第二半導(dǎo)體層的材料為si。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第二類型摻雜區(qū)301為p型摻雜區(qū)，所述第一類型離子摻雜為p型離子摻雜，摻雜離子為b，所述第二半導(dǎo)體層材料為si。

本實(shí)施例中，所述第二類型摻雜區(qū)302和第一類型摻雜區(qū)301的高度一致，從而后續(xù)在所述第一類型摻雜區(qū)301、第二類型摻雜區(qū)302表面形成的金屬插塞高度一致，易于形成。

本實(shí)施例中，所述第二類型摻雜區(qū)302的摻雜劑量為 1e13atom/cm²～5e13atom/cm²。

本實(shí)施例中，所述第二凹槽103與隔離層201之間還具有部分鰭部101，可以確保在第一凹槽102內(nèi)外延形成第二半導(dǎo)體層的過程中，所述第二半導(dǎo)體層的形貌較好，避免第二半導(dǎo)體層發(fā)生坍塌等問題。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，在半導(dǎo)體襯底100的其他區(qū)域上同時(shí)形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第二凹槽103可以與其他區(qū)域的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏凹槽同時(shí)形成，所述第二類型摻雜區(qū)302可以與其他區(qū)域的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏凹槽內(nèi)的摻雜半導(dǎo)體層同時(shí)形成，不需要額外的工藝步驟。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以直接對(duì)所述鰭部101的部分區(qū)域進(jìn)行第二類型離子注入，形成所述第二類型摻雜區(qū)302。

所述第一類型摻雜區(qū)301和第二類型摻雜區(qū)302之間間隔2nm～20nm。若所述第一類型摻雜區(qū)301和第二類型摻雜區(qū)302兩者邊界相接，容易導(dǎo)致第一類型摻雜區(qū)301和第二類型摻雜區(qū)302內(nèi)的摻雜離子相互擴(kuò)散，影響形成的雙極晶體管的性能。

請(qǐng)參考圖7和圖8，在所述第一類型摻雜區(qū)301的部分表面以及第二類型摻雜區(qū)302表面形成第二類型重?fù)诫s層303a和303b。

所述第二類型重?fù)诫s層303a、303b的形成方法包括：在所述隔離層201和鰭部101表面形成第一圖形化掩膜層203(請(qǐng)參考圖7)，所述第一圖形化掩膜層203暴露出第一類型摻雜區(qū)301的部分表面和第二類型摻雜區(qū)302的表面；以所述第一圖形化掩膜層203為掩膜，進(jìn)行第二類型離子注入(請(qǐng)參考圖7)，在所述第一類型摻雜區(qū)301的部分表面形成第二類型重?fù)诫s層303a(請(qǐng)參考圖8)、在第二類型摻雜區(qū)302表面形成第二類型重?fù)诫s層303b(請(qǐng)參考圖8)；然后去除所述第一圖形化掩膜層203。

本實(shí)施例中，所述第一圖形化掩膜層203包括有機(jī)介電層和位于有機(jī)介電層表面的光刻膠層。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一圖形化掩膜層203可以是單層的光刻膠層。

所述第二類型離子注入的注入劑量為1e15atom/cm²～5e15atom/cm²。本實(shí)施例中，所述第二類型離子注入為n型離子注入，所述第二類型重?fù)诫s層 303a和303b為n型重?fù)诫s層。所述第二類型重?fù)诫s層303a和303b有利于降低所述第一摻雜區(qū)301、第二摻雜區(qū)302表面的接觸電阻。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第二類型離子注入為p型離子注入，所述第二類型重?fù)诫s層303a和303b為p型重?fù)诫s層。

形成所述第二類型重?fù)诫s層303a和303b后，去除所述第一圖形化掩膜層203?？梢圆捎脻穹涛g工藝去除所述第一圖形化掩膜層203。

請(qǐng)參考圖9和圖10，在所述第一類型摻雜區(qū)301部分表面形成第一類型重?fù)诫s層304。

所述第一類型重?fù)诫s層304的形成方法包括：在所述隔離層201和鰭部表面101形成第二圖形化掩膜層204(請(qǐng)參考圖9)，所述第二圖形化掩膜層204暴露出第一類型摻雜區(qū)301未被第二類型離子注入的表面；以所述第二圖形化掩膜層204為掩膜，對(duì)所述第一類型摻雜區(qū)301進(jìn)行第一類型離子注入，在所述第一類型摻雜區(qū)301的部分表面形成第一類型重?fù)诫s層304(請(qǐng)參考圖10)；然后去除所述第二圖形化掩膜層204。

所述第一類型離子注入的注入劑量為1e15atom/cm²～5e15atom/cm²。本實(shí)施例中，所述第一類型離子注入為p型離子注入，所述第一類型重?fù)诫s層304為p型重?fù)诫s層。所述第一類型重?fù)诫s區(qū)304有利于降低所述第一摻雜區(qū)301表面的接觸電阻。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一類型離子注入為n型離子注入，所述第一類型重?fù)诫s層304b為n型重?fù)诫s層。

形成所述第一類型重?fù)诫s層304后，去除所述第二圖形化掩膜層204?？梢圆捎脻穹涛g工藝去除所述第二圖形化掩膜層204。

至此，本實(shí)施例中在鰭部101上形成的雙極型晶體管，其中第二類型重?fù)诫s層303a作為雙極型晶體管的發(fā)射極；第一類型摻雜區(qū)301及其表面的第一類型重?fù)诫s層304作為雙極型晶體管的基極；第二類型摻雜阱102、第二類型摻雜區(qū)302及第二類型重?fù)诫s層303b作為雙極型晶體管的集電極。

本實(shí)施例中，所述第一類型摻雜為p型摻雜，第二類型摻雜為n型摻雜， 形成的雙極型晶體管為npn型。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一類型摻雜為n型摻雜，第二類型摻雜為p型摻雜，形成的雙極型晶體管為pnp型。

請(qǐng)參考圖11，本發(fā)明的實(shí)施例中，還包括：在所述隔離層201、鰭部101表面形成介質(zhì)層400，所述介質(zhì)層400覆蓋所述第二類型重?fù)诫s層303a和303b、第一類型重?fù)诫s層304；在所述介質(zhì)層400內(nèi)形成位于所述第一類型重?fù)诫s層303a的金屬插塞401a、位于第一類型重?fù)诫s層304表面的金屬插塞401b和位于第二類型重?fù)诫s層303b的金屬插塞401c。

所述金屬插塞401a、401b和401c的形成方法包括：刻蝕所述介質(zhì)層400，分別在第二類型重?fù)诫s層303a、第一類型重?fù)诫s層304和第二類型重?fù)诫s層303b表面形成通孔，在所述通孔內(nèi)填充金屬材料，形成所述金屬插塞401a、401b和401c。由于所述第二類型重?fù)诫s層303a、第一類型重?fù)诫s層304以及第二類型重?fù)诫s層303b的摻雜濃度較高，與金屬插塞401a、401b和401c連接，具有較低的接觸電阻。所述金屬插塞401a、401b和401c可以與連接鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏極的金屬插塞同時(shí)形成。

所述雙極型晶體管位于鰭部上，從而可以提高雙極型晶體管的集成度。并且，所述雙極型晶體管的第一類型摻雜區(qū)、第二類型摻雜區(qū)的形成方法與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏極形成工藝一致，從而使得所述雙極型晶體管的形成工藝與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源漏極形成工藝兼容，在形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的過程中，可以同時(shí)形成雙極型晶體管，不需要增加額外的光罩，可以節(jié)約工藝步驟和工藝成本。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種采用上述方法形成的雙極型晶體管。

請(qǐng)參考圖11，為所述雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，包括：半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100表面具有鰭部101；位于所述半導(dǎo)體襯底100表面的隔離層201，所述隔離層201表面低于鰭部101頂部表面，且覆蓋鰭部101的部分側(cè)壁；位于所述半導(dǎo)體襯底100和鰭部101內(nèi)的第二類型摻雜阱102；位于所述鰭部101內(nèi)的第一類型摻雜區(qū)301；位于所述鰭部101內(nèi)的第二類型摻雜區(qū)302，所述第一類型摻雜區(qū)301和第二類型摻雜區(qū)302沿鰭部101長(zhǎng)度方向分 布；位于所述第一類型摻雜區(qū)301的部分表面以及第二類型摻雜區(qū)302表面的第二類型重?fù)诫s層303a和303b；位于所述第一類型摻雜區(qū)301部分表面的第一類型重?fù)诫s層304。

本實(shí)施例中，還包括：位于所述隔離層201、鰭部101表面的介質(zhì)層400，所述介質(zhì)層400覆蓋所述第一類型重?fù)诫s層303a和303b、第二類型重?fù)诫s層304，所述介質(zhì)層400內(nèi)、位于所述第一類型重?fù)诫s層303a和303b、第二類型重?fù)诫s層304表面的金屬插塞401a、401b和401c。

所述第一類型摻雜區(qū)301的摻雜劑量為1e13atom/cm²～5e13atom/cm²，第二類型摻雜區(qū)302的摻雜劑量為1e13atom/cm²～5e13atom/cm²。所述第二類型重?fù)诫s層303a和303b的摻雜劑量為1e15atom/cm²～5e15atom/cm²，所述第一類型重?fù)诫s層304的摻雜劑量為1e15atom/cm²～5e15atom/cm²。

本實(shí)施例中，所述第一類型摻雜為p型摻雜，第二類型摻雜為n型摻雜，形成的雙極型晶體管為npn型。所述第一類型摻雜區(qū)301為p型摻雜的sige層，第二類型摻雜區(qū)302為n型摻雜的硅層。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一類型摻雜為n型摻雜，第二類型摻雜為p型摻雜，形成的雙極型晶體管為pnp型。所述第一類型摻雜區(qū)301為n型摻雜的sip層，第二類型摻雜區(qū)302為p型摻雜的硅層。

所述雙極型晶體管位于鰭部101上，能夠提高雙極型晶體管的集成度。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。