本發(fā)明涉及一種電子元件模塊、集成電路封裝元件及其導(dǎo)線架，尤其與導(dǎo)線架的技術(shù)領(lǐng)域相關(guān)。

背景技術(shù)：

請(qǐng)參閱圖10及圖11所示，現(xiàn)有技術(shù)的集成電路封裝元件40具有設(shè)于封裝體41底面的芯片承座42及接腳接墊43，接腳接墊43設(shè)于芯片承座42的四周，接腳接墊43與芯片承座42的底面位于同一平面上。

請(qǐng)參閱圖12及圖13所示，現(xiàn)有技術(shù)的集成電路封裝元件40通過(guò)焊錫50與電路板60相固定且形成電連接，然而，就現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)而言，焊錫過(guò)程中將容易產(chǎn)生以下問(wèn)題：

1.如圖12所示，焊錫工藝中若錫膏分布不均勻，則容易導(dǎo)致兩邊高度不一致，形成所謂「翹翹板效應(yīng)」，而使得兩側(cè)接腳接墊43與焊錫50接觸的面積不均勻，故使得集成電路封裝元件40與電路板60之間的連接效果不佳。

2.如圖13所示，由于錫膏中的助焊劑容易揮發(fā)而產(chǎn)生氣泡51，因氣泡51具有一定體積，故會(huì)占據(jù)固定空間，而使得集成電路封裝元件40產(chǎn)生氣泡51的一側(cè)相對(duì)于電路板60的高度會(huì)墊高，進(jìn)而產(chǎn)生前述「翹翹板效應(yīng)」。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明針對(duì)集成電路封裝元件于結(jié)合電路板時(shí)，所產(chǎn)生的氣泡及焊錫分布不均的問(wèn)題加以改進(jìn)。

為達(dá)到上述的發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種集成電路封裝元件的導(dǎo)線架，其具有一芯片承座及多個(gè)接腳接墊，所述接腳接墊呈間隔設(shè)置并排列于該芯片承座的至少兩相對(duì)周緣，該芯片承座的底面設(shè)有一凹槽。

進(jìn)一步而言，本發(fā)明提供一種集成電路封裝元件，包括：

一封裝體；

一芯片承座，設(shè)于該封裝體的底面中，該芯片承座的底面設(shè)有至少一凹槽；

多個(gè)接腳接墊，設(shè)于該封裝體的底面的至少二相對(duì)周緣，且呈間隔設(shè)置，各接腳接墊的底面露出于該封裝體外。

再進(jìn)一步而言，本發(fā)明創(chuàng)作一種電子元件模塊，包括：

一電路板，其一表面上具有至少一焊墊組，各焊墊組包含有一中心焊墊及多個(gè)接腳焊墊，所述接腳焊墊呈間隔設(shè)置并排列于該中心焊墊的至少兩相對(duì)周緣；

至少一前述的集成電路封裝單元，其設(shè)于該電路板上，且各集成電路封裝元件對(duì)應(yīng)于其中一焊墊組，該芯片承座對(duì)應(yīng)于該焊墊組的中心焊墊，各接腳接墊對(duì)應(yīng)于該焊墊組的其中一接腳焊墊，該芯片承座設(shè)于該封裝體的底面中，相對(duì)應(yīng)的接腳接墊與接腳焊墊之間涂布有第一焊錫，相對(duì)應(yīng)的芯片承座與中心焊墊之間涂布有第二焊錫，所述第二焊錫容置于該芯片承座的凹槽中。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，藉由芯片承座底面的凹槽的設(shè)置，則在焊錫工藝中，凹槽提供了額外的空間來(lái)容納錫膏，故集成電路封裝單元與電路板的結(jié)合面之間，以均為平面的接腳焊墊與接腳接墊之間來(lái)構(gòu)成焊錫時(shí)的承力點(diǎn)，則可有效平均芯片承座周?chē)某辛σ跃S持兩側(cè)高度相同，而能維持接腳接墊與焊錫間的接觸面積，以避免連接效果不佳。再者，芯片承座底面的凹槽提供了氣泡容納的空間，故焊錫工藝中所產(chǎn)生的氣泡將不影響整體焊錫的高度，進(jìn)而使得整體焊錫高度均勻。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第一實(shí)施例的底視圖；

圖2為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第一實(shí)施例的側(cè)視剖視圖；

圖3為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第二實(shí)施例的底視圖；

圖4為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第三實(shí)施例的底視圖；

圖5為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第四實(shí)施例的底視圖；

圖6為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第五實(shí)施例的底視圖；

圖7為本發(fā)明的電子元件模塊的元件分解的側(cè)視剖視圖；

圖8為本發(fā)明的電子元件模塊的側(cè)視剖視圖；

圖9為本發(fā)明的電子元件模塊的另一實(shí)施狀態(tài)的側(cè)視剖視圖；

圖10為現(xiàn)有技術(shù)的集成電路封裝元件的底視圖；

圖11為現(xiàn)有技術(shù)的集成電路封裝元件的側(cè)視剖視圖；

圖12為現(xiàn)有技術(shù)的電子元件模塊的一實(shí)施狀態(tài)的側(cè)視剖視圖；

圖13為現(xiàn)有技術(shù)的電子元件模塊的另一實(shí)施狀態(tài)的側(cè)視剖視圖。

其中，附圖標(biāo)記

10集成電路封裝元件 11封裝體

12芯片承座 121凹槽

13接腳接墊 20電路板

21中心焊墊 22接腳焊墊

30焊錫 31氣泡

40集成電路封裝元件 41封裝體

42芯片承座 43接腳接墊

50焊錫 51氣泡

60電路板

具體實(shí)施方式

以下配合附圖及本發(fā)明的實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段。

請(qǐng)參閱圖1及圖2所示，本發(fā)明的集成電路封裝元件10由導(dǎo)線架上設(shè)置芯片并封裝后所構(gòu)成，集成電路封裝元件10包含有一封裝體11、一芯片承座12及多個(gè)接腳接墊13。

前述的芯片承座12設(shè)于該封裝體11的底面，該芯片承座12的底面露出于該封裝體11外，且該芯片承座12的底面設(shè)有至少一凹槽121。在所屬技術(shù)領(lǐng)域中，常見(jiàn)的導(dǎo)線架的厚度為150μm至250μm，凹槽121的深度不大于導(dǎo)線架的厚度，意即凹槽121的深度小于150μm，凹槽121的深度將與錫膏量有關(guān)，在一實(shí)施例中，凹槽121的深度為20μm至150μm，在另一實(shí)施例中，凹槽121的深度為20μm至50μm。

該芯片承座12可具有單一凹槽121(如圖1所示)，或如圖3至5所示 具有多個(gè)凹槽121，所述多個(gè)凹槽121可呈對(duì)稱(chēng)排列或矩陣排列。于圖3所示的實(shí)施例中，凹槽121呈2*2矩陣排列；于圖4所示的實(shí)施例中，凹槽121呈3*3矩陣排列；于圖5所示的實(shí)施例中，凹槽121呈3*2矩陣排列。前述的凹槽121排列方式僅為例示，并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

前述的接腳接墊13設(shè)于該封裝體11的底面的周緣處，所述接腳接墊13呈間隔設(shè)置并排列于該芯片承座12的周緣，在一實(shí)施例中(如圖1所示)，接腳接墊13設(shè)于該封裝體11的四邊周緣；在另一實(shí)施例中(如圖6所示)，接腳接墊13設(shè)于該封裝體11的二相對(duì)側(cè)周緣。

請(qǐng)參閱圖7所示，本發(fā)明的電子元件模塊包含有至少一前述的集成電路封裝元件10及一電路板20，該集成電路封裝元件10設(shè)于該電路板20的頂面上。

前述的電路板20的頂面上具有至少一焊墊組，一焊墊組對(duì)應(yīng)一集成電路封裝元件10，各焊墊組包含有一中心焊墊21及多個(gè)接腳焊墊22，該中心焊墊21對(duì)應(yīng)于該芯片承座12，各接腳焊墊22對(duì)應(yīng)于前述集成電路封裝元件10的其中一接腳接墊13。

請(qǐng)參閱圖8所示，該集成電路封裝元件10與該電路板20通過(guò)焊錫工藝加以結(jié)合，其中相對(duì)應(yīng)的接腳接墊13與接腳焊墊22之間、以及相對(duì)應(yīng)的芯片承座12以及中心焊墊21之間，均涂布有焊錫30，且芯片承座12與中心焊墊21之間的焊錫30容置于芯片承座12的凹槽121中。

基于前述的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

在焊錫工藝中，即便位于芯片承座12以及中心焊墊21之間的焊錫30產(chǎn)生分布不均的問(wèn)題，由于凹槽121提供填充焊錫30額外的空間，故能讓接腳接墊13與接腳焊墊22之間的焊錫30作為支承點(diǎn)，使得芯片承座12的周?chē)鄬?duì)于電路板20的高度維持一致，進(jìn)而避免一側(cè)高于其余側(cè)的現(xiàn)象，故使得各側(cè)的焊錫30與接腳接墊13、接腳焊墊22的接觸面積均達(dá)到足夠維持穩(wěn)定結(jié)合的面積大小，以提高工藝良率。

請(qǐng)參閱圖9所示，縱然于焊錫工藝中產(chǎn)生氣泡31，由于凹槽121的設(shè)置，而使得氣泡31可躲入凹槽121所形成的額外空間之中，故不對(duì)整體焊錫30厚度造成影響，因此同樣達(dá)到維持芯片承座12的周?chē)叨纫恢碌墓π?，進(jìn)而使得各側(cè)的焊錫30與接腳接墊13、接腳焊墊22的接觸面積均達(dá)到足夠維持穩(wěn)定結(jié)合的面積大小，同時(shí)使得整體焊錫30的表面更為平整，以提高工藝良 率。

凹槽121的內(nèi)壁面提供了額外的接觸表面，故焊錫30與芯片承座12之間的接觸面積增加，進(jìn)而提升集成電路封裝元件10與電路板20之間的結(jié)合強(qiáng)度。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。