1.一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有鰭部；
在所述鰭部兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底表面形成第一隔離結(jié)構(gòu)，所述第一隔離結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面低于所述鰭部的頂部表面；
在所述第一隔離結(jié)構(gòu)中注入離子，且所述離子擴(kuò)散進(jìn)入第一隔離結(jié)構(gòu)側(cè)部的鰭部中，在鰭部中形成溝道阻擋層；
注入離子后，在鰭部的頂部表面和側(cè)壁形成保護(hù)層；
以所述保護(hù)層為掩膜，刻蝕部分厚度的第一隔離結(jié)構(gòu)，以暴露出所述溝道阻擋層的側(cè)壁；
在暴露出的所述溝道阻擋層的側(cè)壁形成擴(kuò)散阻擋層后，去除所述保護(hù)層；
去除所述保護(hù)層后，在所述第一隔離結(jié)構(gòu)表面形成覆蓋所述擴(kuò)散阻擋層的第二隔離結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述擴(kuò)散阻擋層的寬度為20?！?0埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述擴(kuò)散阻擋層的工藝為選擇性外延生長工藝或者碳離子注入工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，采用選擇性外延生長工藝形成擴(kuò)散阻擋層的步驟為：以所述保護(hù)層為遮擋物，在所述暴露出的溝道阻擋層的側(cè)壁生長擴(kuò)散阻擋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述選擇性外延生長工藝的具體參數(shù)為：采用的氣體為HCl、SiH3CH3和SiH2Cl2，HCl的流量為80sccm～160sccm，SiH3CH3的流量為60sccm～120sccm，SiH2Cl2的流量為400sccm～600sccm，腔室壓強(qiáng)為500torr～700torr，溫度為600攝氏度～850攝氏度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)采用選擇性外延生長工藝形成所述擴(kuò)散阻擋層時(shí)，所述擴(kuò)散阻擋層的材料為碳硅，所述碳硅中碳的原子百分比濃度為0.5％～3％。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，采用碳離子注入工藝形成擴(kuò)散阻擋層的步驟為：向所述暴露出的溝道阻擋層的側(cè)壁表面注入碳離子。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述碳離子的注入能量為5KeV～20KeV，注入劑量為1.0E14atom/cm2～8.0E15atom/cm2，注入角度為10度～20度。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)采用碳離子注入工藝形成所述擴(kuò)散阻擋層時(shí)，所述擴(kuò)散阻擋層的材料為摻雜碳離子的硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述注入到第一隔離結(jié)構(gòu)中的離子的類型與所述鰭式場效應(yīng)晶體管的類型相反。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為氮化硅、碳氮化硅或氮氧化硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11任意一項(xiàng)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管，包括：半導(dǎo)體襯底；
鰭部，位于所述半導(dǎo)體襯底表面；
第一隔離結(jié)構(gòu)，位于所述鰭部兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底表面；
第二隔離結(jié)構(gòu)，位于所述第一隔離結(jié)構(gòu)表面，所述鰭部的頂部表面高于所述第二隔離結(jié)構(gòu)的表面，所述高于第二隔離結(jié)構(gòu)表面的鰭部作為溝道區(qū)；
其特征在于，還包括：
溝道阻擋層，位于所述溝道區(qū)下方的鰭部內(nèi)，且所述溝道阻擋層的頂部表面高于第一隔離結(jié)構(gòu)的表面；
擴(kuò)散阻擋層，位于所述溝道阻擋層側(cè)壁，且所述第二隔離結(jié)構(gòu)覆蓋所述擴(kuò)散阻擋層。