1.一種半導(dǎo)體器件，包含：
基底；
設(shè)于該基底上的柵極結(jié)構(gòu)；
環(huán)繞該柵極結(jié)構(gòu)的層間介電層；
設(shè)于該層間介電層內(nèi)的第一接觸插塞；
設(shè)于該層間介電層上的第二介電層；
設(shè)于該第二介電層中并電連接該第一接觸插塞的第二接觸插塞；以及
設(shè)于該第二接觸插塞及該第二介電層之間的側(cè)壁子。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包含：
設(shè)于該層間介電層上的第一介電層，其中，該第一接觸插塞設(shè)于該層間介電層及該第一介電層中；以及
設(shè)于該第一介電層上的停止層，其中該第二接觸插塞設(shè)于該停止層及該第二介電層中。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一介電層及該第二介電層包含氧化硅。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中該停止層包含氮化硅。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該側(cè)壁子選自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及氮碳化硅。
6.一種半導(dǎo)體器件，包含：
基底；
設(shè)于該基底上的柵極結(jié)構(gòu)；
環(huán)繞該柵極結(jié)構(gòu)的層間介電層；
設(shè)于該層間介電層內(nèi)的第一接觸插塞；
設(shè)于該層間介電層上的第二介電層；
設(shè)于該第二介電層中并電連接該第一接觸插塞及該柵極結(jié)構(gòu)的第二接觸插塞；以及
設(shè)于該第二接觸插塞及該第二介電層之間的側(cè)壁子。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包含：
設(shè)于該層間介電層上的第一介電層，其中該第一接觸插塞設(shè)于該層間介電層及該第一介電層中；以及
設(shè)于該第一介電層上的停止層，其中該第二接觸插塞設(shè)于該停止層、該第一介電層及該第二介電層中。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一介電層及該第二介電層包含氧化硅。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中該停止層包含氮化硅。
10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中該側(cè)壁子選自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及氮碳化硅。
11.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包含截頭側(cè)壁子，其設(shè)于該第二介電層中并設(shè)于該第一接觸插塞及該柵極結(jié)構(gòu)之間。