一種氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐，包括氮氣室與氮氣罐，氮氣室的內(nèi)頂部設有管道，氮氣室的內(nèi)底部設有載物板，載物板上設有若干并排布置的封裝管，封裝管的端部設有封裝口，管道的下方設有若干并排布置的導氣管，導氣管的下端設有導氣口，導氣口與封裝口對接，氮氣罐與管道連接，氮氣室的頂部設有導向管，管道的頂部設有升降管，升降管套裝在導向管內(nèi)，導向管的側壁設有旋轉(zhuǎn)輪，旋轉(zhuǎn)輪與升降管通過螺紋連接。本實用新型提供氮氣充足，封裝氮化鎵半導體速度快，效率高，且工藝簡單。
【專利說明】一種氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐

【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及一種處理罐，特別涉及一種氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐。

【背景技術】
[0002] 現(xiàn)有技術中，如專利ZL200780012595.0公開了一種封裝處理器，其包括：主體； 在線加載器部，其設置到該主體的一側并包括配備有多個槽縫的夾具，在所述多個槽縫中 容納多個切割封裝；切割托盤部，在其中加載有用于容納從該夾具卸載的封裝的空托盤； 未切割托盤部，在其中加載有容納待插入到該夾具中的封裝的托盤；以及封裝加載/卸載 部，該封裝加載/卸載部從該在線加載器部的該夾具卸載該切割封裝，并將該未切割托盤 部中的該未切割封裝加載到該夾具中。該封裝處理器封裝氮化鎵半導體效率低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本實用新型的主要目的在于提供一種提供氮氣充足，封裝氮化鎵半導體速度快， 效率高，且工藝簡單的氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐。
[0004] 為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采取的技術方案為：
[0005] -種氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐，包括氮氣室與氮氣罐,氮氣室的內(nèi)頂部設有 管道，管道呈水平布置，氮氣室的內(nèi)底部設有載物板，載物板的底部設有輪子，輪子設置在 氮氣室的內(nèi)底部上，載物板上設有若干并排布置的封裝管，封裝管的端部設有封裝口，管道 的下方設有若干并排布置的導氣管，導氣管的下端設有導氣口，導氣口與封裝口對接，氮氣 罐與管道通過輸氣硬管連接，輸氣硬管與管道通過輸氣軟管連接，輸氣軟管的端部設有輸 氣球，輸氣球的表面為鏤空結構，輸氣球設置在管道內(nèi)，氮氣室的頂部設有導向管，管道的 頂部設有升降管，升降管套裝在導向管內(nèi)，導向管的側壁設有旋轉(zhuǎn)輪，旋轉(zhuǎn)輪為外螺紋輪， 升降管的外表面設有外螺紋，旋轉(zhuǎn)輪與升降管通過螺紋連接，旋轉(zhuǎn)輪連接有搖柄，旋轉(zhuǎn)輪通 過固定桿與導向管的兩端連接。
[0006] 進一步地，所述輸氣硬管設有控制閥。
[0007] 進一步地，所述控制閥為單向閥。
[0008] 進一步地，所述輸氣球為球形形狀。
[0009] 進一步地，所述升降管的端部設有限位塊。
[0010] 與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具有如下有益效果：由于氮氣室的內(nèi)底部設有載物 板，載物板的底部設有輪子，輪子設置在氮氣室的內(nèi)底部上，載物板上設有若干并排布置的 封裝管，封裝管的端部設有封裝口，管道的下方設有若干并排布置的導氣管，導氣管的下端 設有導氣口，導氣口與封裝口對接，氮氣罐與管道通過輸氣硬管連接，輸氣硬管與管道通過 輸氣軟管連接，輸氣軟管的端部設有輸氣球，輸氣球的表面為鏤空結構，輸氣球設置在管道 內(nèi)，氮氣室的頂部設有導向管，管道的頂部設有升降管，升降管套裝在導向管內(nèi)，導向管的 側壁設有旋轉(zhuǎn)輪，旋轉(zhuǎn)輪為外螺紋輪，升降管的外表面設有外螺紋，旋轉(zhuǎn)輪與升降管通過螺 紋連接，旋轉(zhuǎn)輪連接有搖柄，旋轉(zhuǎn)輪通過固定桿與導向管的兩端連接，所以將氮化鎵半導體 放置在封裝管內(nèi)，氮氣罐通過輸氣硬管與輸氣軟管給管道提供氮氣，載物板通過輪子移動 使封裝管滑入到氮氣室內(nèi)，旋轉(zhuǎn)輪控制升降管升降，升降管帶動管道做升降運動，從而使導 氣管下降，導氣管與封裝管對接，氮氣罐提供氮氣，直接使封裝管內(nèi)充滿氮氣，封裝管充滿 氮氣后，直接用密封薄膜封住封裝口，從而完成了氮氣封裝氮化鎵半導體的工序，工藝簡 單，速度快，效率高。
[0011] 【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0012] 圖1為本實用新型氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐的結構示意圖。
[0013] 【【具體實施方式】】
[0014] 為使本實用新型實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面 結合【具體實施方式】，進一步闡述本實用新型。
[0015] 如圖1所示,一種氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐，包括氮氣室1與氮氣罐2,氮氣室 1的內(nèi)頂部設有管道5,管道5呈水平布置，氮氣室1的內(nèi)底部設有載物板12,載物板12的 底部設有輪子13,輪子13設置在氮氣室1的內(nèi)底部上，載物板12上設有若干并排布置的封 裝管10,封裝管10的端部設有封裝口 11，管道5的下方設有若干并排布置的導氣管8,導氣 管8的下端設有導氣口 9,導氣口 9與封裝口 11對接，氮氣罐2與管道5通過輸氣硬管3連 接，輸氣硬管3與管道5通過輸氣軟管4連接，輸氣軟管4的端部設有輸氣球6,輸氣球6的 表面為鏤空結構，輸氣球6設置在管道5內(nèi)，氮氣室1的頂部設有導向管14,管道5的頂部 設有升降管15,升降管15套裝在導向管14內(nèi)，導向管14的側壁設有旋轉(zhuǎn)輪16,旋轉(zhuǎn)輪16 為外螺紋輪，升降管15的外表面設有外螺紋，旋轉(zhuǎn)輪16與升降管15通過螺紋連接，旋轉(zhuǎn)輪 16連接有搖柄18,旋轉(zhuǎn)輪16通過固定桿17與導向管14的兩端連接；輸氣硬管3設有控制 閥7,控制閥7為單向閥，輸氣球6為球形形狀，升降管15的端部設有限位塊19。
[0016] 本實用新型氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐，將氮化鎵半導體放置在封裝管10內(nèi)， 氮氣罐2通過輸氣硬管3與輸氣軟管4給管道5提供氮氣，載物板12通過輪子13移動使 封裝管10滑入到氮氣室1內(nèi)，旋轉(zhuǎn)輪16控制升降管15升降，升降管15帶動管道5做升降 運動，從而使導氣管8下降，導氣管8與封裝管10對接，氮氣罐2提供氮氣，直接使封裝管 10內(nèi)充滿氮氣，封裝管10充滿氮氣后，直接用密封薄膜封住封裝口 11，從而完成了氮氣封 裝氮化鎵半導體的工序，工藝簡單，速度快，效率高。
[0017] 其中，輸氣硬管3設有控制閥7，控制閥7為單向閥，所以可以通過控制閥7控制輸 氣硬管3的開關。
[0018] 其中，升降管15的端部設有限位塊19,所以具有限位功能，放置升降管15錯位。
[0019] 以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu) 點。本行業(yè)的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例 和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的 前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本 實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定 〇
【權利要求】
1. 一種氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐，包括氮氣室與氮氣罐，氮氣室的內(nèi)頂部設有管 道，管道呈水平布置，其特征在于：氮氣室的內(nèi)底部設有載物板，載物板的底部設有輪子， 輪子設置在氮氣室的內(nèi)底部上，載物板上設有若干并排布置的封裝管，封裝管的端部設有 封裝口，管道的下方設有若干并排布置的導氣管，導氣管的下端設有導氣口，導氣口與封裝 口對接，氮氣罐與管道通過輸氣硬管連接，輸氣硬管與管道通過輸氣軟管連接，輸氣軟管的 端部設有輸氣球，輸氣球的表面為鏤空結構，輸氣球設置在管道內(nèi)，氮氣室的頂部設有導向 管，管道的頂部設有升降管，升降管套裝在導向管內(nèi)，導向管的側壁設有旋轉(zhuǎn)輪，旋轉(zhuǎn)輪為 外螺紋輪，升降管的外表面設有外螺紋，旋轉(zhuǎn)輪與升降管通過螺紋連接，旋轉(zhuǎn)輪連接有搖 柄，旋轉(zhuǎn)輪通過固定桿與導向管的兩端連接。
2. 根據(jù)權利要求1所述的氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐，其特征在于：所述輸氣硬管 設有控制閥。
3. 根據(jù)權利要求2所述的氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐，其特征在于：所述控制閥為 單向閥。
4. 根據(jù)權利要求1所述的氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐，其特征在于：所述輸氣球為 球形形狀。
5. 根據(jù)權利要求1所述的氮氣封裝氮化鎵半導體處理罐，其特征在于：所述升降管的 端部設有限位塊。
【文檔編號】H01L21/67GK204045556SQ201420465380
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年8月18日 優(yōu)先權日:2014年8月18日
【發(fā)明者】劉偉 申請人:天津灝森睿智科技有限公司