一種不同磁導(dǎo)率的組合磁芯的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種不同磁導(dǎo)率的組合磁芯，包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛，所述磁芯上軛、磁芯下軛的磁導(dǎo)率與所述心柱磁芯的磁導(dǎo)率不相等，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛、磁芯下軛之間，所述心柱磁芯的頂端與所述磁芯上軛相接觸，所述心柱磁芯的底端與所述磁芯下軛相接觸，所述磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛形成閉合磁路。磁芯上下軛和心柱磁芯采用不同磁導(dǎo)率磁芯的組合，這樣可以在圈數(shù)不變的情況下得到不同的感量參數(shù)，可以調(diào)整電感器的DC能力，更好的滿足性能需求。
【專利說明】—種不同磁導(dǎo)率的組合磁芯

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種磁芯，尤其涉及一種不同磁導(dǎo)率的組合磁芯。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的組合磁芯，在規(guī)定的圈數(shù)下只能得到單個感值，性能單一有較大的局限性。實用新型內(nèi)容
[0003]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，本實用新型提供一種不同磁導(dǎo)率的組合磁
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[0004]本實用新型采用如下技術(shù)方案實現(xiàn):一種不同磁導(dǎo)率的組合磁芯，包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛，所述磁芯上軛、磁芯下軛的磁導(dǎo)率與所述心柱磁芯的磁導(dǎo)率不相等，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛、磁芯下軛之間，所述心柱磁芯的頂端與所述磁芯上軛相接觸，所述心柱磁芯的底端與所述磁芯下軛相接觸，所述磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛形成閉合磁路。
[0005]作為本實用新型的進一步改進，所述磁芯上軛、磁芯下軛的磁導(dǎo)率大于所述心柱磁芯的磁導(dǎo)率。
[0006]作為本實用新型的進一步改進，所述磁芯上軛、磁芯下軛相平行，所述心柱磁芯垂直于所述磁芯上軛、磁芯下軛。
[0007]作為本實用新型的進一步改進，所述心柱磁芯至少有兩個并平行設(shè)置。
[0008]作為本實用新型的進一步改進，所述磁芯上軛、磁芯下軛均為長方體。
[0009]作為本實用新型的進一步改進，所述心柱磁芯的上頂面與所述磁芯上軛的短邊相切，所述心柱磁芯的下頂面與所述磁芯下軛的短邊相切。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有如下有益效果:磁芯上下軛和心柱磁芯采用不同磁導(dǎo)率磁芯的組合，這樣可以在圈數(shù)不變的情況下得到不同的感量參數(shù)，可以調(diào)整電感器的DC能力，更好的滿足性能需求。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是本實用新型一種不同磁導(dǎo)率的組合磁芯的主視圖；
[0012]其中:1、磁芯上軛，2、心柱磁芯，3、磁芯下軛。

【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合具體實施例對本實用新型一種不同磁導(dǎo)率的組合磁芯作進一步的詳細說明。
[0014]實施例1
[0015]如圖1所示，本實用新型提出一種不同磁導(dǎo)率的組合磁芯，包括均為磁體的磁芯上軛1、兩個心柱磁芯2和磁芯下軛3，所述磁芯上軛1、磁芯下軛3的磁導(dǎo)率均為μ 1，所述心柱磁芯2的磁導(dǎo)率為μ 2,且μ 1>μ 2 ;兩個所述心柱磁芯2平行設(shè)置于所述磁芯上軛1、磁芯下軛3之間，所述心柱磁芯2的頂端與所述磁芯上軛I相接觸，所述心柱磁芯2的底端與所述磁芯下軛3相接觸，所述磁芯上軛1、心柱磁芯2和磁芯下軛3形成閉合磁路。
[0016]所述磁芯上軛1、磁芯下軛3均為長方體，所述磁芯上軛1、磁芯下軛3相平行，兩個所述心柱磁芯2垂直于所述磁芯上軛1、磁芯下軛3，所述心柱磁芯2的上頂面與所述磁芯上軛I的短邊相切，所述心柱磁芯2的下頂面與所述磁芯下軛3的短邊相切。
[0017]實施例2
[0018]如圖1所示，本實用新型提出一種不同磁導(dǎo)率的組合磁芯，包括均為磁體的磁芯上軛1、兩個心柱磁芯2和磁芯下軛3，所述磁芯上軛1、磁芯下軛3的磁導(dǎo)率均為μ 1，所述心柱磁芯2的磁導(dǎo)率為μ 2,且μ 1〈μ2 ;兩個所述心柱磁芯2平行設(shè)置于所述磁芯上軛1、磁芯下軛3之間，所述心柱磁芯2的頂端與所述磁芯上軛I相接觸，所述心柱磁芯2的底端與所述磁芯下軛3相接觸，所述磁芯上軛1、心柱磁芯2和磁芯下軛3形成閉合磁路。
[0019]所述磁芯上軛1、磁芯下軛3均為長方體，所述磁芯上軛1、磁芯下軛3相平行，兩個所述心柱磁芯2垂直于所述磁芯上軛1、磁芯下軛3，所述心柱磁芯2的上頂面與所述磁芯上軛I的短邊相切，所述心柱磁芯2的下頂面與所述磁芯下軛3的短邊相切。
[0020]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍的內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求所界定的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種不同磁導(dǎo)率的組合磁芯，其特征在于:包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛，所述磁芯上軛、磁芯下軛的磁導(dǎo)率與所述心柱磁芯的磁導(dǎo)率不相等，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛、磁芯下軛之間，所述心柱磁芯的頂端與所述磁芯上軛相接觸，所述心柱磁芯的底端與所述磁芯下軛相接觸，所述磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛形成閉合磁路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不同磁導(dǎo)率的組合磁芯，其特征在于:所述磁芯上軛、磁芯下軛的磁導(dǎo)率大于所述心柱磁芯的磁導(dǎo)率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不同磁導(dǎo)率的組合磁芯，其特征在于:所述磁芯上軛、磁芯下軛相平行，所述心柱磁芯垂直于所述磁芯上軛、磁芯下軛。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不同磁導(dǎo)率的組合磁芯，其特征在于:所述心柱磁芯至少有兩個并平行設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不同磁導(dǎo)率的組合磁芯，其特征在于:所述磁芯上軛、磁芯下軛均為長方體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不同磁導(dǎo)率的組合磁芯，其特征在于:所述心柱磁芯的上頂面與所述磁芯上軛的短邊相切，所述心柱磁芯的下頂面與所述磁芯下軛的短邊相切。
【文檔編號】H01F27/26GK203931737SQ201420229261
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年5月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月6日
【發(fā)明者】劉志達 申請人:深圳市鉑科磁材有限公司