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一種顯示裝置制造方法

文檔序號:7068367閱讀:116來源:國知局
一種顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,特別涉及一種顯示裝置,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的OLED顯示裝置的用于顯示的光線的透過率比較低的問題。本實用新型實施例提供一種顯示裝置,包括相對設(shè)置的第一襯底基板和第二襯底基板,所述第一襯底基板上具有至少一個金屬圖案,其中所述金屬圖案與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積,其特征在于,還包括:位于第二襯底基板背向第一襯底基板的外側(cè)面上的偏光片;所述偏光片包括的聚乙烯醇PVA層全面覆蓋至少一個所述金屬圖案,并且,所述PVA層與所述像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積。本實用新型實施例提高了OLED顯示裝置的用于顯示的光線的透過率。
【專利說明】一種顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,特別涉及一種OLED顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]采用OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極管)的顯示裝置是一種新型的顯示裝置,與液晶顯示裝置相比,OLED顯示裝置具有自發(fā)光、響應(yīng)速度快和寬視角等優(yōu)點,而且可以進(jìn)行柔性顯示、透明顯示和3D顯示,因而得到了快速發(fā)展與普及。
[0003]OLED顯示裝置內(nèi)部包含金屬部件,當(dāng)外界光射入到其上時,由于金屬具有較強的反射系數(shù),因而會將射入到其上的大部分外界光反射出去,從而對OLED顯示裝置的顯示效果產(chǎn)生消極影響。
[0004]為了減小外界光對OLED顯示裝置顯示效果的消極影響,如圖1所示,目前的OLED顯示裝置的第二襯底基板13上整面設(shè)置有依次層疊的波片14和包含光吸收(例如聚乙烯醇Polyvinyl Alcohol,簡稱PVA)層16A的偏光片16。下面以偏光片為垂直偏光片、波片包
括λ/2波片和λ/4波片為例,對光吸收層吸收外界光的反射光,以減小外界光對OLED顯示裝
置顯示效果的消極影響的原理進(jìn)行簡單說明:外界光通過垂直偏光片后成為垂直偏振光,
該垂直偏振光通過λ/2波片和λ/4波片后成為左圓偏振光,該左圓偏振光經(jīng)過金屬反射后成為右圓偏振光,該右圓偏振光通過λ/2波片和λ/4波片后成為水平偏振光,該水平偏振光不
能通過垂直偏光片,并被光吸收層吸收。
[0005]由于目前OLED顯示裝置的第二襯底基板上整面設(shè)置有依次層疊的波片和包含光吸收層的偏光片,因而OLED顯示裝置的用于顯示的光線需要依次通過所述波片和偏振片,而所述波片會損耗掉部分所述用于顯示的光線,所述偏振片包含的光吸收也會吸收大部分所述用于顯示的光線,從而導(dǎo)致所述用于顯示的光線的透過率比較低。
[0006]綜上所述,目前OLED顯示裝置的第二襯底基板上整面設(shè)置有依次層疊的波片和包含光吸收層的偏光片,從而導(dǎo)致所述用于顯示的光線的透過率比較低。
實用新型內(nèi)容
[0007]本實用新型實施例提供的一種顯示裝置,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的顯示裝置的用于顯示的光線的透過率比較低的問題。
[0008]第一方面,本實用新型實施例提供的一種顯示裝置,包括相對設(shè)置的第一襯底基板和第二襯底基板,所述第一襯底基板上具有至少一個金屬圖案,其中所述金屬圖案與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積,還包括:位于第二襯底基板背向第一襯底基板的外側(cè)面上的偏光片;[0009]所述偏光片包括的光吸收層全面覆蓋至少一個所述金屬圖案,并且,
[0010]所述光吸收層與所述像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積。
[0011]較佳地,所述顯示裝置包括的波片位于所述第二襯底基板的外側(cè)面上或者內(nèi)側(cè)面上且位于所述偏光片的下方;
[0012]其中,所述波片全面覆蓋至少一個所述金屬圖案,所述波片與所述像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積,并且,所述偏光片全面覆蓋所述波片。
[0013]較佳地,在所述波片位于所述第二襯底基板的內(nèi)側(cè)面上時,還包括包覆所述波片的平坦化層。
[0014]較佳地,所述波片包括λ/2波片和λ/4波片。
[0015]較佳地,所述偏光片包括的光吸收層為聚乙烯醇PVA。
[0016]較佳地,所述偏光片還包括三醋酸纖維素TAC層,其中所述TAC層與所述光吸收層
完全重合。
[0017]較佳地,所述金屬圖案包括柵線、數(shù)據(jù)線、柵極、源極和漏極中的一種或多種。
[0018]較佳地,在所述顯示裝置包括的像素尺寸小于設(shè)定的尺寸閾值時,所述光吸收層與像素顯示區(qū)域無交疊。
[0019]較佳地,所述顯示裝置為OLED顯示裝置。
[0020]實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,在本實用新型實施例中,偏光片包括的光吸收層全面覆蓋至少一個金屬圖案,從而保證了可以減小外界光對OLED顯示裝置顯示效果的消極影響;而且,光吸收層與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積,使得在像素顯示區(qū)域未與光吸收層交疊的區(qū)域的透光率比較高,從而提高了 OLED顯示裝置的用于顯示的光線的透過率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中OLED顯示裝置的截面圖;
[0022]圖2為本實用新型實施例中OLED顯示裝置的截面圖;
[0023]圖3為本實用新型實施例中陣列基板的俯視圖;
[0024]圖4為本實用新型實施例提供的陣列基板另一示意圖;
[0025]圖5為本實用新型實施例的方法流程示意圖。
【具體實施方式】
[0026]在本實用新型實施例中,顯示裝置包括相對設(shè)置的第一襯底基板和第二襯底基板,所述第一襯底基板上具有至少一個金屬圖案,其中所述金屬圖案與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積;另外,顯示裝置還包括:位于第二襯底基板背向第一襯底基板的外側(cè)面上的偏光片;所述偏光片包括的光吸收層全面覆蓋至少一個所述金屬圖案,并且,所述光吸收層與所述像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積;
[0027]由于偏光片包括的光吸收層全面覆蓋至少一個金屬圖案,從而保證了可以減小外界光對顯示裝置顯示效果的消極影響;而且,光吸收層與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積,使得在像素顯示區(qū)域未與光吸收層交疊的區(qū)域的透光率比較高,從而提高了顯示裝置的用于顯示的光線的透過率。
[0028]下面結(jié)合說明書附圖對本實用新型實施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0029]較佳地,本實用新型實施例提供的顯示裝置包括相對設(shè)置的第一襯底基板和第二襯底基板,所述第一襯底基板上具有至少一個金屬圖案,其中所述金屬圖案與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積;另外,所述顯示裝置還包括:位于第二襯底基板背向第一襯底基板的外側(cè)面上的偏光片;
[0030]所述偏光片包括的光吸收層全面覆蓋至少一個所述金屬圖案,并且,所述光吸收層與所述像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積。
[0031]實施中,以O(shè)LED顯示裝置為例,通過控制偏光片中吸收材料光吸收層的圖形的覆蓋區(qū)域,使得光吸收層能夠吸收金屬圖案反射的外界光,以減小外界光對OLED顯示裝置顯示效果的消極影響;而且,使得光吸收層未遮擋住所有像素顯示區(qū)域,從而使得在像素顯示區(qū)域未與光吸收層交疊的區(qū)域的透光率比較高,以提高OLED顯示裝置的用于顯示的光線的透過率;即,本實用新型實施例在實現(xiàn)減小外界光對OLED顯示裝置顯示效果的消極影響的同時,可實現(xiàn)提高OLED顯示裝置的用于顯示的光線的透過率(S卩,提高像素透過率)。
[0032]較佳地,本實用新型實施例中的金屬圖案可以為顯示裝置的陣列基板包含的任一種滿足如下條件的金屬圖案:與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于像素顯示區(qū)域的面積。
[0033]較佳地,本實用新型實施例中的金屬圖案包括金屬線、金屬電極和金屬膜層。
[0034]較佳地,本實用新型實施例中的金屬圖案包括柵線、數(shù)據(jù)線、柵極、源極和漏極中的一種或多種。
[0035]需要說明的是,陣列基板包含的交叉設(shè)置且相互絕緣的柵線和數(shù)據(jù)線界定了多個像素,其中,對于界定的每個像素,所述像素對應(yīng)的區(qū)域可以分為顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;本實用新型實施例中的像素顯示區(qū)域為像素的用于顯示的顯示區(qū)域,即,像素的透光區(qū)域。
[0036]比如,以O(shè)LED顯示裝置為例,如圖2所示,陣列基板的每個像素包含有機發(fā)光層11和與有機發(fā)光層11位于同層的TOL (像素定義層)12,其中,OLED顯示裝置的像素顯示區(qū)域為相鄰兩個TOL12之間的有機發(fā)光層11對應(yīng)的區(qū)域。
[0037]較佳地,位于第一襯底基板上的每個所述金屬圖案與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積均小于所述像素顯示區(qū)域的面積。
[0038]較佳地,在金屬圖案與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積時,金屬圖案與像素顯示區(qū)域存在如下三種位置關(guān)系:
[0039]1、金屬圖案與像素顯示區(qū)域無交疊;
[0040]2、金屬圖案與像素顯示區(qū)域僅部分交疊;
[0041]3、金屬圖案與像素顯示區(qū)域完全交疊,并且,金屬圖案的面積小于像素顯示區(qū)域的面積。
[0042]下面將對本實用新型實施例中光吸收層全面覆蓋至少一個所述金屬圖案的實施方式進(jìn)行介紹。
[0043]1、光吸收層全面覆蓋全部所述金屬圖案。[0044]較佳地,全部所述金屬圖案與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于像素顯示區(qū)域的面積,光吸收層全面覆蓋全部所述金屬圖案。
[0045]實施中,可以保證外界光對OLED顯示裝置顯示效果的消極影響的程度比較低,還可以保證提高OLED顯示裝置的用于顯示的光線的透過率。
[0046]具體實施中,在全部所述金屬圖案與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于像素顯示區(qū)域的面積時,光吸收層也可以全面覆蓋部分所述金屬圖案。
[0047]2、光吸收層全面覆蓋部分所述金屬圖案。
[0048]較佳地,在金屬圖案與像素顯示區(qū)域之間不滿足如下關(guān)系時:全部所述金屬圖案與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于像素顯示區(qū)域的面積,光吸收層全面覆蓋部分金屬圖案。
[0049]實施中,可以保證減小外界光對OLED顯示裝置顯示效果的消極影響,還可以保證提高OLED顯示裝置的用于顯示的光線的透過率。
[0050]較佳地,在光吸收層與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積時,光吸收層與像素顯示區(qū)域存在如下三種位置關(guān)系:
[0051](I)光吸收層與像素顯示區(qū)域無交疊;
[0052](2)光吸收層與像素顯示區(qū)域僅部分交疊;
[0053](3)光吸收層與像素顯示區(qū)域完全交疊,并且,光吸收層的面積小于像素顯示區(qū)域的面積。
[0054]較佳地,所述偏光片還包括TAC (三醋酸纖維素)層,其中所述TAC層與所述光吸
收層完全重合。
[0055]實施中,可以保證提高OLED顯示裝置的用于顯示的光線的透過率。
[0056]具體實施中,TAC層與光吸收層也可以不完全重合。
[0057]較佳地,所述顯示裝置包括的波片位于所述第二襯底基板的外側(cè)面上或者內(nèi)側(cè)面上且位于所述偏光片的下方。
[0058]較佳地,在所述波片位于所述第二襯底基板的內(nèi)側(cè)面上時,還包括包覆所述波片的平坦化層。
[0059]實施中,平坦化層可以使得第二襯底基板的內(nèi)側(cè)面表面平整。
[0060]具體實施中,波片也可以集成到偏光片中,作為偏光片包含的膜層。
[0061]較佳地,所述波片全面覆蓋至少一個所述金屬圖案,所述波片與所述像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積,并且,所述偏光片全面覆蓋所述波片。
[0062]實施中,通過控制波片的圖形的覆蓋區(qū)域,實現(xiàn)在減小外界光對OLED顯示裝置顯示效果的消極影響的同時,提高OLED顯示裝置的用于顯示的光線的透過率。
[0063]具體實施中,本實用新型實施例中波片全面覆蓋至少一個所述金屬圖案的實施方式與光吸收層全面覆蓋至少一個所述金屬圖案的實施方式類似,在此不再贅述。
[0064]具體實施中,本實用新型實施例中波片與所述像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積的實施方式與光吸收層與所述像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積的實施方式類似,在此不再贅述。
[0065]具體實施中,偏光片也可以不全面覆蓋波片,比如,波片與偏光片完全交疊且波片的面積大于偏光片的面積,或者,波片與偏光片完全重合,具體可以根據(jù)實際應(yīng)用場景設(shè)定。
[0066]較佳地,本實用新型實施例中的波片包括λ/2波片和λ/4波片。
[0067]較佳地λ/2波片的晶軸為15度,λ/4波片的晶軸為75度。
[0068]具體實施中,本實用新型實施例中的λ/2波片位于λ/4波片的上方或者下方。
[0069]實施中,本實用新型實施例中的波片可以和偏光片配合,實現(xiàn)減小外界光對OLED顯示裝置顯示效果的消極影響。
[0070]需要說明的是,本實用新型實施例中的波片也可以為其他類型的波片或者波片組合,只要能夠和偏光片配合實現(xiàn)減小外界光對OLED顯示裝置顯示效果的消極影響即可。
[0071]較佳地,在所述顯示裝置包括的像素尺寸小于設(shè)定的尺寸閾值時,所述光吸收層與像素顯示區(qū)域無交疊。
[0072]實施中,對于高分辨率顯示裝置,由于其像素的尺寸比較小,在光吸收層與像素顯示區(qū)域無交疊時,可以保證其具有較大的透過率。
[0073]具體實施中,尺寸閾值可以根據(jù)需要、經(jīng)驗或者具體應(yīng)用場景設(shè)定。
[0074]較佳地,所述顯示裝置為OLED顯示裝置。
[0075]下面將以一個具體的實施例,對本實用新型實施例中的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行介紹。
[0076]實施例一
[0077]如圖2所示,OLED顯示裝置包括第一襯底基板I,位于第一襯底基板I上的柵極2,位于第一襯底基板I上、且全面覆蓋柵極2的柵絕緣層3,位于柵絕緣層3上的有源層4,位于有源層4上的ESL (刻蝕阻擋層)5,位于ESL5上、且分別位于ESL5兩側(cè)的源極6Α和漏極6Β,位于源極6Α和漏極6Β上的PVX (鈍化層)7,位于PVX7上的Resin (平坦層)8,位于Resin8上、且通過過孔與漏極6B電性連接的Anode (陽極)9,位于Anode9上的有機發(fā)光層11和PDL12,以及位于有機發(fā)光層11和PDL12上的Cathode (陰極)10 ;
[0078]OLED顯示裝置還包括與第一襯底基板I對盒設(shè)置的第二襯底基板13,位于第二襯
底基板13內(nèi)側(cè)面、且依次層疊的λ/2波片14Α、λ/4波片14Β和平坦化層15,以及位于第二襯
底基板13外側(cè)面的、包含光吸收層16Α的偏光片16 ;其中,偏光片16還包括TAC層16Β。
[0079]具體實施中,對于外界光從多個方向入射到顯示裝置的應(yīng)用場景,可以根據(jù)光線反射原理和折射原理,確定波片和偏光片的光吸收層的長度和寬度。
[0080]下面將以一個具體實施例,對確定波片和偏光片的光吸收層的長度和寬度的實施方式進(jìn)行介紹。
[0081]實施例二
[0082]需要說明的是,為了簡化計算,在本實用新型實施例二中,以柵極為金屬圖案,以及OLED顯示裝置結(jié)構(gòu)為如圖3所示的結(jié)構(gòu)為例,對確定波片和偏光片的光吸收層的寬度的實施方式進(jìn)行介紹,其中,柵極在與柵線平行方向的尺寸為柵極的寬度尺寸。
[0083]1、確定波片的寬度值。
[0084]如圖3所不,λ/4一波片14B、λ/2一波片14A和偏光片的光吸收層16A位于柵極2的正
上方。
[0085]假設(shè)入射到柵極2上的外界光的入射角度為Θ e(0°,90° ),則根據(jù)正切定理,可以根據(jù)下列公式一得出波片的寬度可以:
[0086]SzAS+Sj 公式一
[0087]其中,S為波片的寬度值,Sm為柵極的寬度值,Λ S~2*d/tan Θ,d為柵極到波片之間的距離值。
[0088]比如,Θ為60°,d為5微米,柵極的寬度為5微米,則1/2 λ波片和1/4 λ波片的寬度值為=S=Sm+ Δ S=5+5.8=10.8微米。
[0089]2、確定光吸收層的寬度值。
[0090]如圖4所示,λ/4一波片14Β、λ/2—波片14Α和偏光片的光吸收層16Α位于柵極2的正
上方;
[0091]根據(jù)圖4,可以構(gòu)造出如下等式關(guān)系:
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括相對設(shè)置的第一襯底基板和第二襯底基板,所述第一襯底基板上具有至少一個金屬圖案,其中所述金屬圖案與像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積;位于第二襯底基板背向第一襯底基板的外側(cè)面上的偏光片; 所述偏光片包括的光吸收層全面覆蓋至少一個所述金屬圖案,并且, 所述光吸收層與所述像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括的波片位于所述第二襯底基板的外側(cè)面上或者內(nèi)側(cè)面上且位于所述偏光片的下方; 其中,所述波片全面覆蓋至少一個所述金屬圖案,所述波片與所述像素顯示區(qū)域的交疊區(qū)域的面積小于所述像素顯示區(qū)域的面積,并且,所述偏光片全面覆蓋所述波片。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,在所述波片位于所述第二襯底基板的內(nèi)側(cè)面上時,還包括包覆所述波片的平坦化層。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,所述波片包括一波片λ/2和λ/4波片。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述光吸收層為聚乙烯醇PVA,所述偏光片還包括三醋酸纖維素TAC層,其中所述TAC層與所述光吸收層完全重合。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述金屬圖案包括柵線、數(shù)據(jù)線、柵極、源極和漏極中的一種或多種。
7.如權(quán)利要求1~6任一所述的顯示裝置,其特征在于,在所述顯示裝置包括的像素尺寸小于設(shè)定的尺寸閾值時,所述光吸收層與像素顯示區(qū)域無交疊光吸收。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置為OLED顯示裝置。
【文檔編號】H01L51/52GK203707189SQ201420054945
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年1月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月28日
【發(fā)明者】田允允, 崔賢植, 王強濤 申請人:京東方科技集團股份有限公司
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