具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的可垂直堆疊的裸片的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明揭示具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的可垂直堆疊的裸片。在特定實(shí)施例中，揭示一種半導(dǎo)體裝置，其包含裸片，所述裸片包括第一穿硅通孔以傳送芯片識(shí)別符和其它數(shù)據(jù)。所述半導(dǎo)體裝置還包含芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)穿硅通孔，所述至少兩個(gè)穿硅通孔各自硬連線(xiàn)到外部電觸點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的可垂直堆疊的裸片
[0001]本申請(qǐng)為申請(qǐng)?zhí)枮?01080045165.0、申請(qǐng)日為2010年10月7日、發(fā)明名稱(chēng)為“具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的可垂直堆疊的裸片”的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明大體上涉及可垂直堆疊的裸片。

【背景技術(shù)】
[0003]可使用存儲(chǔ)器裸片及芯片的垂直堆疊來(lái)增加半導(dǎo)體裝置中的存儲(chǔ)器密度。在垂直堆疊的存儲(chǔ)器裸片和邏輯裸片中，存儲(chǔ)器裸片大小可能因堆疊工藝通過(guò)量和其它因素而限于小于邏輯裸片大小。這將可用存儲(chǔ)器密度和引線(xiàn)限于下一代存儲(chǔ)器裸片的使用，以滿(mǎn)足可用存儲(chǔ)器密度要求。可使用垂直堆疊的存儲(chǔ)器裸片來(lái)滿(mǎn)足存儲(chǔ)器密度要求，但常規(guī)垂直堆疊的存儲(chǔ)器裸片具有與同邏輯裸片共享同一信道有關(guān)的增加的堆疊復(fù)雜性以及與之相關(guān)聯(lián)的增加的成本，例如對(duì)存儲(chǔ)器裸片的垂直堆疊中的存儲(chǔ)器裸片中的每一者進(jìn)行編程、分類(lèi)、標(biāo)記或分離。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片的垂直堆疊的多個(gè)裸片大體上相同，且在不對(duì)所述垂直堆疊中的每一裸片進(jìn)行編程、分類(lèi)、標(biāo)記或分離的情況下形成所述裸片堆疊。物理上預(yù)定的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)區(qū)分堆疊中的每一裸片，且信道接口可在堆疊的多個(gè)裸片之間共享。不需要裸片的非易失性編程。在不對(duì)堆疊裸片進(jìn)行編程或分類(lèi)的情況下形成裸片堆疊降低了總成本且提供較簡(jiǎn)單的芯片后勤供應(yīng)。
[0005]在特定實(shí)施例中，揭示一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包含裸片，其包括第一穿硅通孔以傳送芯片識(shí)別符和其它數(shù)據(jù)。所述半導(dǎo)體裝置還包含芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，其包括至少兩個(gè)穿硅通孔，所述至少兩個(gè)穿硅通孔各自硬連線(xiàn)到外部電觸點(diǎn)。
[0006]在另一特定實(shí)施例中，揭示一種多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其包含第一裸片，其包括第一芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述第一芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)包括數(shù)目N個(gè)穿硅通孔，其各自硬連線(xiàn)到第一組外部電觸點(diǎn)，所述數(shù)目N包括大于一的整數(shù)。所述多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置還包含第二裸片，其包括第二芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述第二芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)包括N個(gè)穿硅通孔，其各自硬連線(xiàn)到第二組電觸點(diǎn)。
[0007]在另一特定實(shí)施例中，揭示一種制作堆疊式多裸片半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包含形成N個(gè)裸片的堆疊，其中每一裸片包含:芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，其包括第一組N個(gè)穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線(xiàn)到一組外部電觸點(diǎn)；芯片識(shí)別符選擇邏輯，其耦合到所述芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)；以及芯片選擇結(jié)構(gòu)，其包括耦合到所述芯片識(shí)別符選擇邏輯的第二組N個(gè)穿硅通孔，其中N為大于一的整數(shù)。所述方法還包含將每一組外部電觸點(diǎn)中的每一外部電觸點(diǎn)耦合到電壓源或耦合到接地，其中所述第一組N個(gè)穿硅通孔中的每一者具有耦合到鄰近穿硅通孔的墊，且所述第二組N個(gè)穿硅通孔中的每一者耦合到其自己的相應(yīng)墊。
[0008]在另一特定實(shí)施例中，揭示一種多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其包含第一裸片，其包括用于識(shí)別芯片的第一裝置，所述第一裝置包括數(shù)目N個(gè)穿硅通孔，其各自硬連線(xiàn)到第一組用于形成外部電接觸的裝置，所述數(shù)目N包括大于一的整數(shù)。所述多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置還包含第二裸片，其包括用于識(shí)別芯片的第二裝置，所述第二裝置包括N個(gè)穿硅通孔，其各自硬連線(xiàn)到第二組用于形成電接觸的裝置。
[0009]在另一特定實(shí)施例中，揭不一種方法，其包含基于第一裸片在裸片堆疊中的位置而接收芯片識(shí)別符信號(hào)。在所述第一裸片處經(jīng)由所述第一裸片的多個(gè)穿硅通孔接收所述芯片識(shí)別符信號(hào)。所述方法還包含基于所述所接收到的芯片識(shí)別符信號(hào)確定所述第一裸片是否為由所接收到的芯片選擇信號(hào)指示的特定裸片。
[0010]所揭示的實(shí)施例中的至少一者所提供的一個(gè)特定優(yōu)點(diǎn)是兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片的垂直堆疊的每一裸片大體上相同，且在不對(duì)所述垂直堆疊中的每一裸片進(jìn)行編程、分類(lèi)、標(biāo)記或分離的情況下形成所述裸片堆疊。在堆疊式裸片中使用不帶任何編程或不同分類(lèi)的相同裸片降低了總成本且提供較簡(jiǎn)單的芯片后勤供應(yīng)。不需要裸片的非易失性編程。在審閱整個(gè)申請(qǐng)案之后，本發(fā)明的其它方面、優(yōu)點(diǎn)和特征將變得明顯，整個(gè)申請(qǐng)案包含以下部分:【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】、【具體實(shí)施方式】和權(quán)利要求書(shū)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的第一實(shí)施例的說(shuō)明性圖；
[0012]圖2是芯片識(shí)別符選擇邏輯的實(shí)施例的說(shuō)明性圖；
[0013]圖3是具有安置在封裝襯底上方的封裝中的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的第二實(shí)施例的說(shuō)明性圖；
[0014]圖4是具有安置于母裸片上方的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的第三實(shí)施例的說(shuō)明性圖；
[0015]圖5是耦合到鄰近穿硅通孔(TSV)的墊的穿硅通孔(TSV)的實(shí)施例的說(shuō)明性圖；
[0016]圖6是形成具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的方法的說(shuō)明性實(shí)施例的流程圖；
[0017]圖7是包含具有具芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的多裸片堆疊的模塊的便攜式通信裝置的特定實(shí)施例的框圖；以及
[0018]圖8是說(shuō)明結(jié)合具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的多裸片堆疊使用的制造工藝的數(shù)據(jù)流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]下文參考圖式描述本發(fā)明的特定實(shí)施例。在描述中，共同特征在圖式中始終由共同參考編號(hào)指示。參看圖1，描繪具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的第一實(shí)施例的說(shuō)明性圖，且將其大體表不為100。垂直堆疊100可包含第一裸片102、第二裸片104、第三裸片106以及第四裸片108，其中第四裸片108堆疊在第三裸片106上方，第三裸片106堆疊在第二裸片104上方,第二裸片104堆疊在第一裸片102上方。每一裸片102到108包含娃襯底110和金屬層112。每一裸片還包含至少一個(gè)穿硅通孔(TSV) 124，其延伸穿過(guò)硅襯底110以傳送芯片識(shí)別符和其它數(shù)據(jù)。每一裸片進(jìn)一步包含芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114，所述芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)包含至少兩個(gè)穿硅通孔(TSV)，其各自硬連線(xiàn)到外部電觸點(diǎn)。在特定實(shí)施例中，所述外部電觸點(diǎn)耦合到電壓源VDD 126或耦合到接地128。舉例來(lái)說(shuō)，可從封裝襯底或母裸片接收電壓源VDD 126或接地128。
[0020]用于每一裸片的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114包含第一列TSV 116、第二列TSV 118、第三列TSV 120以及第四列TSV 122。追蹤穿過(guò)相應(yīng)的金屬層112中的連接，第四裸片108的第四列TSV 122耦合到第三裸片106的第三列TSV 120，第三裸片106的第三列TSV 120耦合到第二裸片104的第二列TSV 118，第二裸片104的第二列TSV 118耦合到第一裸片102的第一列TSV 116，第一裸片102的第一列TSV 116耦合到接地128。類(lèi)似地，第四裸片108的第三列TSV 120耦合到第三裸片106的第二列TSV 118，第三裸片106的第二列TSV 118耦合到第二裸片104的第一列TSV 116，第二裸片104的第一列TSV 116耦合到第一裸片102的第四列TSV 122，第一裸片102的第四列TSV 122耦合到電壓源VDD 126。同樣，第四裸片108的第二列TSV 118耦合到第三裸片106的第一列TSV 116，第三裸片106的第一列TSV 116耦合到第二裸片104的第四列TSV 122，第二裸片104的第四列TSV 122耦合到第一裸片102的第三列TSV 120，第一裸片102的第三列TSV 120也耦合到電壓源VDD 126。最后，第四裸片108的第一列TSV 116耦合到第三裸片106的第四列TSV 122，第三裸片106的第四列TSV 122耦合到第二裸片104的第三列TSV 120，第二裸片104的第三列TSV 120耦合到第一裸片102的第二列TSV 118，第一裸片102的第二列TSV 118也耦合到電壓源VDD 126。
[0021]相應(yīng)金屬層112中的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114之間的連接在每一裸片中是相同的，且使得可基于哪一列TSV 116到122連接到接地128而唯一地選擇每一裸片。舉例來(lái)說(shuō)，第一裸片102的第一列TSV 116連接到接地128，第二裸片104的第二列TSV 118連接到接地128，第三裸片106的第三列TSV 120連接到接地128，且第四裸片108的第四列TSV 122連接到接地128。舉例來(lái)說(shuō)，垂直堆疊100中的每一裸片可基于哪一列TSV 116到122連接到接地128來(lái)辨識(shí)其垂直位置。在替代實(shí)施例中，除了一個(gè)以外的列TSV 116到122耦合到接地128，而列TSV 116到122中的一者耦合到電壓源VDD 126，在所述情況下，可基于哪一列TSV 116到122連接到電壓源VDD 126而唯一地選擇每一裸片。每一裸片102到108具有相同的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114,其在每一娃襯底110中包含相同的TSV結(jié)構(gòu),且在每一金屬層112中包含相同布線(xiàn)。
[0022]兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片的垂直堆疊100的每一裸片大體上相同，且在不對(duì)垂直堆疊100中的每一裸片進(jìn)行編程、分類(lèi)、標(biāo)記或分離的情況下形成裸片102、104、106、108的垂直堆疊100。物理上預(yù)定的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114區(qū)分垂直堆疊100中的每一裸片，且信道接口可在堆疊的多個(gè)裸片102、104、106、108之間共享。在垂直堆疊100中使用不帶任何編程或不同分類(lèi)的相同裸片可降低總成本且提供較簡(jiǎn)單的芯片后勤供應(yīng)。不需要裸片102、104、106、108的非易失性編程。
[0023]參看圖2，描繪芯片識(shí)別符選擇邏輯的實(shí)施例的說(shuō)明性圖，且大體表示為202。圖1的裸片102、104、106、108的垂直堆疊100中的每一裸片可通過(guò)芯片識(shí)別符選擇邏輯202從主機(jī)裝置214接收特定且不同的芯片識(shí)別符信號(hào)。在特定實(shí)施例中，提供到主機(jī)裝置214的接口。舉例來(lái)說(shuō)，主機(jī)裝置214可為單獨(dú)裝置或母裸片。
[0024]主機(jī)裝置214可接入任何特定裸片，但共用接入信道結(jié)構(gòu)在多個(gè)裸片之間共享，例如圖3和圖4中所示且在下文更全面描述的共用接入信道結(jié)構(gòu)306。主機(jī)裝置214可經(jīng)由主機(jī)裝置214與垂直裸片堆疊100中的裸片102到108之間的共享接口提供芯片選擇信號(hào)Chip ID[0:3]和數(shù)據(jù)信號(hào)Data[0:n]。可將芯片選擇信號(hào)Chip ID[0:3]和數(shù)據(jù)信號(hào)Data[0:n]施加到垂直裸片堆疊100中的所有裸片102到108可接入的TSV。數(shù)據(jù)信號(hào)Data[0:n]可因此經(jīng)由共用接入信道結(jié)構(gòu)306從主機(jī)裝置214發(fā)送到任一特定裸片，其中使用芯片識(shí)別符選擇邏輯202來(lái)選擇所述特定裸片。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，圖2中未說(shuō)明主機(jī)裝置214與圖1的裸片102、104、106、108的垂直堆疊100之間的共享接口。
[0025]在特定實(shí)施例中，芯片識(shí)別解碼邏輯204耦合到圖1的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114，且分別經(jīng)由線(xiàn)路206、208、210和212接受列TSV 116、118、120和122作為輸入。芯片識(shí)別符選擇邏輯202可包含芯片識(shí)別解碼邏輯204，且可響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)裝置214的芯片選擇信號(hào)Chip ID[0:3]。芯片識(shí)別符選擇邏輯202可在芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114中的TSV處檢測(cè)圖1的電壓源VDD 126或接地128。來(lái)自圖1的第一列TSV 116的信號(hào)可經(jīng)由線(xiàn)路206輸入到芯片識(shí)別解碼邏輯204。來(lái)自圖1的第二列TSV 118的信號(hào)可經(jīng)由線(xiàn)路208輸入到芯片識(shí)別解碼邏輯204。來(lái)自圖1的第三列TSV 120的信號(hào)可經(jīng)由線(xiàn)路210輸入到芯片識(shí)別解碼邏輯204。來(lái)自圖1的第四列TSV 122的信號(hào)可經(jīng)由線(xiàn)路212輸入到芯片識(shí)別解碼邏輯204。
[0026]可經(jīng)由線(xiàn)路224從芯片識(shí)別解碼邏輯204輸出信號(hào)S [0]，且信號(hào)S [0]可為到選擇電路232的控制信號(hào)，其可確定是否選擇第一芯片。為了確定是否選擇第一芯片，線(xiàn)路216上來(lái)自主機(jī)裝置214的信號(hào)Chip ID[0]沿線(xiàn)路240從芯片識(shí)別符選擇邏輯202輸出。信號(hào)S [1]可經(jīng)由線(xiàn)路226從芯片識(shí)別解碼邏輯204輸出，且可為到選擇電路234的控制信號(hào)，其可確定線(xiàn)路218上來(lái)自主機(jī)裝置214的信號(hào)Chip ID[1]是否沿線(xiàn)路240從芯片識(shí)別符選擇邏輯202輸出。信號(hào)S[2]可經(jīng)由線(xiàn)路228從芯片識(shí)別解碼邏輯204輸出，且可為到選擇電路236的控制信號(hào)，其可確定線(xiàn)路220上來(lái)自主機(jī)裝置214的信號(hào)Chip ID [2]是否沿線(xiàn)路240從芯片識(shí)別符選擇邏輯202輸出。信號(hào)S[3]可經(jīng)由線(xiàn)路230從芯片識(shí)別解碼邏輯204輸出，且可為到選擇電路238的控制信號(hào)，其可確定線(xiàn)路222上來(lái)自主機(jī)裝置214的信號(hào)Chip ID [3]是否沿線(xiàn)路240從芯片識(shí)別符選擇邏輯202輸出。
[0027]使用圖1的第一裸片102作為說(shuō)明性實(shí)施例，由于第一裸片102在垂直裸片堆疊100內(nèi)的位置，第一列TSV 116連接到接地128，且第二列TSV 118、第三列TSV 120和第四列TSV 122全部連接到電壓源VDD 126。在此情況下，沿線(xiàn)路206的輸入將為邏輯“低”，且沿線(xiàn)路208、210和212的輸入將全部為邏輯“高”。芯片識(shí)別解碼邏輯204可使輸入反相，使得沿線(xiàn)路224的信號(hào)S[0]為邏輯“高”信號(hào)，而分別沿線(xiàn)路226、228和230的信號(hào)S[l]、S[2]和S[3]全部為邏輯“低”信號(hào)。因?yàn)樾盘?hào)S[0]為邏輯“高”，所以選擇電路232的通過(guò)門(mén)的N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NM0S)晶體管接通。信號(hào)S[0]也經(jīng)反相為邏輯“低”，其接通選擇電路232的通過(guò)門(mén)的P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PM0S)晶體管。因?yàn)镹M0S和PM0S是接通的，因此選擇電路232的通過(guò)門(mén)具有低阻抗?fàn)顟B(tài)，其實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳播，與NM0S和PM0S斷開(kāi)時(shí)的高阻抗?fàn)顟B(tài)形成對(duì)比。沿線(xiàn)路216的信號(hào)Chip ID[0]經(jīng)反相，且穿過(guò)選擇電路232的低阻抗通過(guò)門(mén)，以成為沿線(xiàn)路240的來(lái)自芯片識(shí)別符選擇邏輯202的選定輸出。
[0028]作為對(duì)比，因?yàn)樾盘?hào)S[l]為邏輯“低”，所以選擇電路234的通過(guò)門(mén)的NM0S晶體管斷開(kāi)。信號(hào)s[l]經(jīng)反相為邏輯“高”，其斷開(kāi)選擇電路234的通過(guò)門(mén)的PM0S晶體管。沿線(xiàn)路218的信號(hào)Chip ID[1]可經(jīng)反相，但不穿過(guò)選擇電路234的高阻抗通過(guò)門(mén)。類(lèi)似地，因?yàn)樾盘?hào)S[2]和S[3]處于邏輯“低”，所以選擇電路236和選擇電路238的通過(guò)門(mén)也處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。因此，基于在TSV 116到122處接收到的信號(hào)，第一裸片102的芯片識(shí)別符選擇邏輯202基于芯片選擇信號(hào)Chip ID[0]而不是芯片選擇信號(hào)Chip ID[1:3]來(lái)產(chǎn)生沿線(xiàn)路240的輸出。為了說(shuō)明，當(dāng)芯片選擇信號(hào)Chip ID[0]具有“高”狀態(tài)時(shí)，沿線(xiàn)路240的輸出為“低”，且當(dāng)芯片選擇信號(hào)Chip ID[0]具有“低”狀態(tài)時(shí)，沿線(xiàn)路240的輸出為“高”。以此方式，可基于第一裸片102在垂直裸片堆疊100中的位置以及主機(jī)裝置214所提供的芯片選擇信號(hào)Chip ID[0:3]來(lái)選擇或取消選擇圖1的第一裸片102。當(dāng)被選擇時(shí)，來(lái)自主機(jī)裝置214的數(shù)據(jù)信號(hào)Data[0:n]可由圖1的第一裸片102接入。當(dāng)不被選擇時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)Data[0:n]可不被第一裸片102接入，而是可由垂直裸片堆疊100中的另一裸片接入。
[0029]參看圖3，描繪具有安置于封裝襯底上方的封裝中的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的第二實(shí)施例的說(shuō)明性圖，且大體表示為300。圖1的垂直堆疊100可安置于封裝襯底304上方的封裝302中。垂直堆疊100的每一裸片具有芯片選擇結(jié)構(gòu)320，其針對(duì)垂直堆疊100中的每個(gè)裸片包含一 TSV。芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV可耦合在一起以形成延伸穿過(guò)垂直堆疊100的列322。垂直堆疊100的每一裸片還具有圖2的芯片識(shí)別符選擇邏輯202，其耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114且耦合到芯片選擇結(jié)構(gòu)320。垂直堆疊100的每一裸片進(jìn)一步具有共用接入信道結(jié)構(gòu)306，其包含多個(gè)TSV 308，以提供將可由每一裸片接入的數(shù)據(jù)信號(hào) Data[0:n]。
[0030]如上文相對(duì)于圖1所述，封裝襯底304供應(yīng)耦合到垂直堆疊100的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114的電壓源126和接地128。封裝襯底304具有形成于封裝襯底304的與垂直堆疊100相對(duì)的側(cè)上的多個(gè)封裝球310。所述多個(gè)封裝球310針對(duì)垂直堆疊100中的每個(gè)裸片包含一芯片選擇封裝球。舉例來(lái)說(shuō)，芯片選擇封裝球(CS0) 312可耦合到芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV的列322中的第一者，芯片選擇封裝球(CS 1)314可耦合到芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV的列322中的第二者，芯片選擇封裝球(CS2) 316可耦合到芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV的列322中的第三者，且芯片選擇封裝球(CS3) 318可耦合到芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV的列322中的第四者。在特定實(shí)施例中，其中垂直堆疊100中存在N個(gè)裸片，所述多個(gè)封裝球310包含至少N個(gè)芯片選擇封裝球，其耦合到垂直堆疊100的一個(gè)裸片的芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的一組N個(gè)TSV。
[0031]在特定實(shí)施例中，垂直堆疊100中的每一裸片為存儲(chǔ)器裸片，從而提供增加的總存儲(chǔ)器密度。垂直堆疊100中的每一裸片具有相同實(shí)施方案，且在封裝在封裝302中之前，對(duì)裸片的編程或分類(lèi)或標(biāo)記或分離是不必要的。芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114的TSV列可硬連線(xiàn)在封裝襯底304中?？蓪⑷魏螖?shù)目N個(gè)裸片堆疊在垂直堆疊100中，其中N為大于一的整數(shù)。
[0032]參看圖4，描繪具有安置于母裸片上方的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的第三實(shí)施例的說(shuō)明性圖，且大體表示為400。圖1的垂直堆疊100可安置于母裸片402上方。垂直堆疊100的每一裸片具有芯片選擇結(jié)構(gòu)320，其針對(duì)垂直堆疊100中的每個(gè)裸片包含一TSV。芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV可耦合在一起以形成延伸穿過(guò)垂直堆疊100的列322。垂直堆疊100的每一裸片還具有圖2的芯片識(shí)別符選擇邏輯202，其耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114且耦合到芯片選擇結(jié)構(gòu)320。垂直堆疊100的每一裸片進(jìn)一步具有共用接入信道結(jié)構(gòu)306，其包含多個(gè)TSV 308。
[0033]如上文相對(duì)于圖1所述，母裸片402供應(yīng)耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114的電壓源126和接地128。電壓源126和接地128可安置在母裸片402的金屬層406中。電壓源126和接地128可通過(guò)延伸穿過(guò)母裸片402的硅襯底404的芯片識(shí)別符TSV 408耦合到垂直堆疊100的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114，一個(gè)芯片識(shí)別符TSV 408用于垂直堆疊100中的一個(gè)裸片。在特定實(shí)施例中，其中垂直堆疊100中存在N個(gè)裸片，一組N個(gè)芯片識(shí)別符TSV408耦合到垂直堆疊100的一個(gè)裸片的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114中的一組N個(gè)TSV。
[0034]一組芯片選擇TSV 410 (垂直堆疊100中的裸片中的每一者一個(gè))可延伸穿過(guò)母裸片402的硅襯底404。所述組芯片選擇TSV 410可耦合到由延伸穿過(guò)垂直堆疊100的芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV形成的列322。舉例來(lái)說(shuō)，芯片選擇信號(hào)(CSO)可通過(guò)第一芯片選擇TSV 410耦合到芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV的列322中的第一者，從而提供對(duì)垂直堆疊100的裸片中的第一者的接入。芯片選擇信號(hào)(CSl)可通過(guò)第二芯片選擇TSV 410耦合到芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV的列322中的第二者，從而提供對(duì)垂直堆疊100的裸片中的第二者的接入。芯片選擇信號(hào)(CS2)可通過(guò)第三芯片選擇TSV 410耦合到芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV的列322中的第三者，從而提供對(duì)垂直堆疊100的裸片中的第三者的接入。芯片選擇信號(hào)(CS3)可通過(guò)第四芯片選擇TSV 410耦合到芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV的列322中的第四者，從而提供對(duì)垂直堆疊100的裸片中的第四者的接入。在特定實(shí)施例中，其中垂直堆疊100中存在N個(gè)裸片，一組N個(gè)芯片選擇TSV410耦合到垂直堆疊100的一個(gè)裸片的芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的一組N個(gè)TSV。
[0035]一組共用接入信道TSV 412可延伸穿過(guò)母裸片402的硅襯底404。共用接入信道TSV 412中的每一者可對(duì)應(yīng)于包含于垂直堆疊100中的每一裸片的共用接入信道結(jié)構(gòu)306中的多個(gè)TSV 308中的一者。
[0036]在特定實(shí)施例中，母裸片402包含邏輯芯片，且垂直堆疊100中的每一裸片為存儲(chǔ)器裸片，從而提供增加的總存儲(chǔ)器密度。芯片選擇TSV 410中的每一者以及共用接入信道TSV 412中的每一者可耦合到母裸片402的存儲(chǔ)器信道物理層414。任何數(shù)目N個(gè)存儲(chǔ)器裸片可堆疊在垂直堆疊100中，其中N為大于一的整數(shù)。
[0037]參看圖5，描繪耦合到鄰近穿硅通孔(TSV)的墊的穿硅通孔(TSV)的實(shí)施例的說(shuō)明性圖，且大體表示為500。TSV 502可為類(lèi)似于圖1的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)中的TSV，其具有可通過(guò)線(xiàn)路506耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)中的鄰近TSV 508的墊504。TSV508具有可通過(guò)線(xiàn)路512耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)中的鄰近TSV 514的墊510。TSV 514具有可通過(guò)線(xiàn)路518耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)中的鄰近TSV 520的墊516。TSV 520具有可通過(guò)線(xiàn)路524耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)中的鄰近TSV 502的墊522。線(xiàn)路506、512、518和524可安置于類(lèi)似于圖1的金屬層112的金屬層中。雖然圖5中僅展示四個(gè)TSV 502、508、514和520，但其中芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)中的TSV具有耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)中的鄰近TSV的墊的此布置可一般化到任何數(shù)目N個(gè)TSV，其中N為大于一的整數(shù)。在芯片選擇結(jié)構(gòu)中，類(lèi)似于圖3和圖4的芯片選擇結(jié)構(gòu)320，每一 TSV可耦合到其自己的相應(yīng)墊。
[0038]如圖5中所說(shuō)明的包含TSV的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)可使不同芯片識(shí)別信號(hào)能夠傳達(dá)給堆疊中的每一裸片，因?yàn)槊恳?TSV接收施加到來(lái)自另一裸片的鄰近TSV的墊的信號(hào)。舉例來(lái)說(shuō)，可基于第一裸片在裸片堆疊中的位置而接收芯片識(shí)別符信號(hào)，其中在第一裸片處經(jīng)由第一裸片的多個(gè)穿硅通孔接收所述芯片識(shí)別符信號(hào)。為了說(shuō)明，芯片識(shí)別符信號(hào)可包含圖1的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114的每一 TSV 116、118、120和122處的電壓。第一裸片可基于接收到的芯片識(shí)別符信號(hào)來(lái)確定第一裸片是否為由接收到的芯片選擇信號(hào)指示的特定裸片。舉例來(lái)說(shuō)，第一裸片可經(jīng)由圖2的芯片識(shí)別解碼邏輯204解碼芯片識(shí)別符信號(hào)，且將所得信號(hào)(例如圖2的信號(hào)S[0:3]中的一者)與接收到的芯片選擇信號(hào)進(jìn)行比較，如相對(duì)于圖2所述。
[0039]在特定實(shí)施例中，每一裸片可因TSV與鄰近墊之間的布線(xiàn)而接收不同的芯片ID信號(hào)，而不實(shí)施有源邏輯或其它電路來(lái)遞增或以其它方式產(chǎn)生或修改接收到的芯片識(shí)別符信號(hào)。使用圖5的結(jié)構(gòu)作為說(shuō)明性實(shí)例，第一裸片的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的第一 TSV 502可具有耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)(例如圖1的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114)的第二 TSV 508的墊504，第二TSV 508鄰近于第一 TSV 502。芯片識(shí)別符信號(hào)(例如對(duì)應(yīng)于提供給多個(gè)TSV 116、118、120和122中的一者的接地128的信號(hào))的至少一部分是在墊504處從第二裸片的第一 TSV接收，且傳達(dá)給第一裸片的第二 TSV 508。為了說(shuō)明，圖1的裸片102的第一列TSV 116可經(jīng)由耦合到裸片104的第二 TSV 118的裸片104的墊傳達(dá)對(duì)應(yīng)于接地128的信號(hào)。
[0040]圖1、圖3和圖4的垂直堆疊100提供多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置的實(shí)例，所述裝置具有至少一第一裸片102，第一裸片102具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114，芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114具有數(shù)目N個(gè)TSV，其各自硬連線(xiàn)到第一組外部電觸點(diǎn)，數(shù)目N為大于一的整數(shù)。數(shù)目N可等于垂直堆疊100中的裸片的數(shù)目。多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置(例如垂直堆疊100)還具有至少一第二裸片104，第二裸片104具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114，芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114具有N個(gè)TSV，其各自硬連線(xiàn)到第二組外部電觸點(diǎn)。在特定實(shí)施例中，第一組外部電觸點(diǎn)中和第二組外部電觸點(diǎn)中的每一外部電觸點(diǎn)耦合到接地128或耦合到電壓源VDD 126。N個(gè)TSV中的每一者可具有耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114中的每一者中的鄰近TSV的墊，例如如圖5中所示。
[0041]參看圖6，描繪形成具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的方法的說(shuō)明性實(shí)施例的流程圖，且大體表示為600。制作堆疊式多裸片半導(dǎo)體裝置的方法600包含在602處形成N個(gè)裸片的堆疊，其中N為大于一的整數(shù)。N個(gè)裸片中的每一者包含芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，其包含第一組N個(gè)TSV，所述TSV各自硬連線(xiàn)到一組外部電觸點(diǎn)。N個(gè)裸片中的每一者還包含芯片識(shí)別符選擇邏輯，其耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)。N個(gè)裸片中的每一者進(jìn)一步包含芯片選擇結(jié)構(gòu)，其包含第二組N個(gè)TSV，所述TSV耦合到芯片識(shí)別符選擇邏輯。舉例來(lái)說(shuō)，圖1的垂直堆疊100可為四個(gè)裸片102、104、106和108的堆疊，每一裸片包含芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114，芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114包含第一組四個(gè)TSV，其各自硬連線(xiàn)到一組外部電觸點(diǎn)。垂直堆疊100的每一裸片還可包含圖2的芯片識(shí)別符選擇邏輯202，其耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114。垂直堆疊100的每一裸片可進(jìn)一步包含圖3和圖4的芯片選擇結(jié)構(gòu)320，其包含耦合到芯片識(shí)別符選擇邏輯202的第二組四個(gè)TSV。
[0042]方法600還包含在604處將每一組外部電觸點(diǎn)中的每一外部電觸點(diǎn)耦合到電壓源或耦合到接地。第一組N個(gè)TSV中的每一者具有耦合到鄰近TSV的墊。第二組N個(gè)TSV中的每一者耦合到其自己的相應(yīng)墊。舉例來(lái)說(shuō)，圖1的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)114中的每一 TSV可耦合到電壓源VDD 126或耦合到接地128。第一組四個(gè)TSV中的每一者可具有耦合到鄰近TSV的墊，例如如圖5中所示。圖3和圖4的芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的第二組四個(gè)TSV中的每一者可耦合到其自己的相應(yīng)墊。在特定實(shí)施例中，圖1、圖3和圖4的垂直堆疊100的每一裸片進(jìn)一步包含共用接入信道結(jié)構(gòu)，其包含多個(gè)TSV。舉例來(lái)說(shuō)，圖3和圖4的垂直堆疊100的每一裸片可進(jìn)一步包含共用接入信道結(jié)構(gòu)306，其可包含多個(gè)TSV 308。
[0043]圖7是包含具有多裸片堆疊的模塊的系統(tǒng)700的特定實(shí)施例的框圖，所述多裸片堆疊具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個(gè)TSV 764。系統(tǒng)700可實(shí)施于便攜式電子裝置中，且包含耦合到計(jì)算機(jī)可讀媒體(例如存儲(chǔ)器732，其存儲(chǔ)例如軟件766等計(jì)算機(jī)可讀指令)的處理器710，例如數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)。系統(tǒng)700包含具有多裸片堆疊的模塊，所述多裸片堆疊具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個(gè)TSV 764。在說(shuō)明性實(shí)例中，具有多裸片堆疊的模塊(所述多裸片堆疊具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個(gè)TSV 764)包含具有根據(jù)圖6的實(shí)施例而產(chǎn)生的圖1、圖3或圖4的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的多裸片堆疊的實(shí)施例中的任一者，或其任何組合。具有多裸片堆疊的模塊(所述多裸片堆疊具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個(gè)TSV 764)可在處理器710中，或可為單獨(dú)的裝置或電路(未圖示)。在特定實(shí)施例中，如圖7中所示，具有多裸片堆疊的模塊(所述多裸片堆疊具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個(gè)TSV 764)可由數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)710存取。在另一特定實(shí)施例中，存儲(chǔ)器732可包含具有多裸片堆疊的模塊(所述多裸片堆疊具有芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個(gè)TSV 764)。
[0044]相機(jī)接口 768耦合到處理器710，且還耦合到相機(jī)(例如攝像機(jī)770)。顯示器控制器726耦合到處理器710且耦合到顯示裝置728。編碼器/解碼器(CODEC) 734也可耦合到處理器710。揚(yáng)聲器736和麥克風(fēng)738可耦合到CODEC 734。無(wú)線(xiàn)接口 740可耦合到處理器710且耦合到無(wú)線(xiàn)天線(xiàn)742。
[0045]在特定實(shí)施例中，處理器710、顯示器控制器726、存儲(chǔ)器732、CODEC 734、無(wú)線(xiàn)接口 740以及相機(jī)接口 768包含于系統(tǒng)級(jí)封裝或芯片上系統(tǒng)裝置722中。在特定實(shí)施例中，輸入裝置730和電源744耦合到芯片上系統(tǒng)裝置722。此外，在特定實(shí)施例中，如圖7中所說(shuō)明，顯示裝置728、輸入裝置730、揚(yáng)聲器736、麥克風(fēng)738、無(wú)線(xiàn)天線(xiàn)742、攝像機(jī)770以及電源744在芯片上系統(tǒng)裝置722外部。然而，顯示裝置728、輸入裝置730、揚(yáng)聲器736、麥克風(fēng)738、無(wú)線(xiàn)天線(xiàn)742、攝像機(jī)770以及電源744可耦合到芯片上系統(tǒng)裝置722的組件，例如接口或控制器。
[0046]前面揭示的裝置和功能性(例如圖1、圖2、圖3、圖4或圖5的裝置，圖6的方法，或其任何組合)可設(shè)計(jì)且配置為存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀媒體上的計(jì)算機(jī)文件(例如，RTL、⑶SI1、GERBER等)。可將一些或所有此些文件提供給制造處理者，其基于此些文件而制造裝置。所得產(chǎn)品包含半導(dǎo)體晶片，其接著被切成半導(dǎo)體裸片，且封裝到半導(dǎo)體芯片中。所述半導(dǎo)體芯片接著在電子裝置中使用。圖8描繪電子裝置制造工藝800的特定說(shuō)明性實(shí)施例。
[0047]在制造工藝800中(例如在研究計(jì)算機(jī)806處)接收物理裝置信息802。物理裝置信息802可包含表示半導(dǎo)體裝置(例如圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400)的至少一個(gè)物理性質(zhì)的設(shè)計(jì)信息。舉例來(lái)說(shuō)，物理裝置信息802可包含物理參數(shù)、材料特性以及結(jié)構(gòu)信息，其經(jīng)由耦合到研究計(jì)算機(jī)806的用戶(hù)接口 804輸入。研究計(jì)算機(jī)806包含耦合到計(jì)算機(jī)可讀媒體(例如存儲(chǔ)器810)的處理器808，例如一個(gè)或一個(gè)以上處理核。處理器810可存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)可讀指令，其可執(zhí)行以致使處理器808變換物理裝置信息802以使其符合文件格式，且產(chǎn)生庫(kù)文件812。
[0048]在特定實(shí)施例中，庫(kù)文件812包含包括經(jīng)變換設(shè)計(jì)信息的至少一個(gè)數(shù)據(jù)文件。舉例來(lái)說(shuō)，庫(kù)文件812可包含包括圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400的半導(dǎo)體裝置庫(kù)，其用于結(jié)合電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具820使用。
[0049]庫(kù)文件812可在包含耦合到存儲(chǔ)器818的處理器816 (例如一個(gè)或一個(gè)以上處理核)的設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814處結(jié)合EDA工具820使用。EDA工具820可作為處理器可執(zhí)行指令存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器818處，以使設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814的用戶(hù)能夠使用庫(kù)文件812的圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400來(lái)設(shè)計(jì)電路。舉例來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814的用戶(hù)可經(jīng)由耦合到設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814的用戶(hù)接口 824輸入電路設(shè)計(jì)信息822。電路設(shè)計(jì)信息822可包含表示半導(dǎo)體裝置(例如圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400)的至少一個(gè)物理性質(zhì)的設(shè)計(jì)信息。為了說(shuō)明，電路設(shè)計(jì)性質(zhì)可包含特定電路的識(shí)別以及與電路設(shè)計(jì)中的其它元件的關(guān)系、定位信息、特征大小信息、互連信息或表示半導(dǎo)體裝置的物理性質(zhì)的其它信息。
[0050]設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814可經(jīng)配置以變換包含電路設(shè)計(jì)信息822的設(shè)計(jì)信息以符合文件格式。為了說(shuō)明，文件信息可包含數(shù)據(jù)庫(kù)二進(jìn)制文件格式，其表示平面幾何形狀、文本標(biāo)簽，以及關(guān)于層級(jí)格式(例如圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(GDSII)文件格式)中的電路布局的其它信息。設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814可經(jīng)配置以產(chǎn)生包含經(jīng)變換設(shè)計(jì)信息的數(shù)據(jù)文件，例如包含描述圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400的信息以及其它電路或信息的⑶SII文件826。為了說(shuō)明，數(shù)據(jù)文件可包含對(duì)應(yīng)于包含圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400且還包含芯片上系統(tǒng)(SOC)內(nèi)的額外電子電路和組件的SOC的信息。
[0051]可在制造工藝828處接收⑶SII文件826以根據(jù)⑶SII文件826中的經(jīng)變換信息來(lái)制造圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400。舉例來(lái)說(shuō)，裝置制造工藝可包含將⑶SII文件826提供給掩模制造商830，以產(chǎn)生一個(gè)或一個(gè)以上掩模，例如待用于光刻處理的掩模，說(shuō)明為代表性掩模832。掩模832可在制造工藝期間用以產(chǎn)生一個(gè)或一個(gè)以上晶片834，晶片834可經(jīng)測(cè)試且分成若干裸片，例如代表性裸片836。裸片836包含結(jié)合圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400使用的電路。
[0052]可將裸片836提供到封裝工藝838，其中將裸片836并入到代表性封裝840中。舉例來(lái)說(shuō)，封裝840可包含多個(gè)裸片836，例如圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300、圖4的多裸片裝置400，或系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)布置，或其任一組合。封裝840可經(jīng)配置以符合一個(gè)或一個(gè)以上標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)定，例如聯(lián)合電子裝置工程設(shè)計(jì)會(huì)議(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)。封裝工藝838可包含耦合到存儲(chǔ)可由計(jì)算機(jī)執(zhí)行的指令的計(jì)算機(jī)可讀有形媒體的處理器。所述處理器可集成到電子裝置(例如計(jì)算機(jī)或電子封裝裝置)中。所述指令可包含可由計(jì)算機(jī)執(zhí)行以起始形成N個(gè)裸片的堆疊(其中N為大于一的整數(shù))的指令。N個(gè)裸片中的每一者包含芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包含第一組N個(gè)TSV，所述TSV各自硬連線(xiàn)到一組外部電觸點(diǎn)。N個(gè)裸片中的每一者還包含芯片識(shí)別符選擇邏輯，其耦合到芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)。N個(gè)裸片中的每一者進(jìn)一步包含芯片選擇結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包含第二組N個(gè)TSV，所述TSV耦合到芯片識(shí)別符選擇邏輯。所述指令還可包含可由計(jì)算機(jī)執(zhí)行以起始將每一組外部電觸點(diǎn)中的每一外部電觸點(diǎn)耦合到電壓源或耦合到接地的指令。第一組N個(gè)TSV中的每一者具有耦合到鄰近TSV的墊。第二組N個(gè)TSV中的每一者耦合到其自己的相應(yīng)墊。在封裝工藝838處執(zhí)行存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀有形媒體中的指令可產(chǎn)生包含多個(gè)裸片836(例如圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300、圖4的多裸片裝置400或其任一組合)的封裝840。
[0053]可將關(guān)于封裝840的信息分發(fā)給各個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)者，例如經(jīng)由存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)846處的組件庫(kù)。計(jì)算機(jī)846可包含耦合到存儲(chǔ)器850的處理器848，例如一個(gè)或一個(gè)以上處理核。印刷電路板(PCB)工具可作為處理器可執(zhí)行指令存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器850處，以處理經(jīng)由用戶(hù)接口 844從計(jì)算機(jī)846的用戶(hù)接收的PCB設(shè)計(jì)信息842。PCB設(shè)計(jì)信息842可包含電路板上的所封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息，所述所封裝半導(dǎo)體裝置對(duì)應(yīng)于包含圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400的封裝840。
[0054]計(jì)算機(jī)846可經(jīng)配置以變換PCB設(shè)計(jì)信息842以產(chǎn)生數(shù)據(jù)文件，例如具有包含電路板上的所封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息以及例如跡線(xiàn)和通孔等電連接的布局的數(shù)據(jù)的GERBER文件852，其中所述所封裝半導(dǎo)體裝置對(duì)應(yīng)于包含圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400的封裝840。在其它實(shí)施例中，由經(jīng)變換PCB設(shè)計(jì)信息產(chǎn)生的數(shù)據(jù)文件可具有不同于GERBER格式的格式。
[0055]GERBER文件852可在板組裝工藝854處接收，且用以形成根據(jù)存儲(chǔ)在GERBER文件852內(nèi)的設(shè)計(jì)信息而制造的PCB，例如代表性PCB 856。舉例來(lái)說(shuō)，可將GERBER文件852上載到一個(gè)或一個(gè)以上機(jī)器，以用于執(zhí)行PCB生產(chǎn)工藝的各個(gè)步驟。PCB 856可填充有包含封裝840的電子組件，以形成代表性印刷電路組合件(PCA) 858。
[0056]PCA 858可在產(chǎn)品制造工藝860處接收，且集成到一個(gè)或一個(gè)以上電子裝置(例如第一代表性電子裝置862和第二代表性電子裝置864)中。作為說(shuō)明性非限制實(shí)例，第一代表性電子裝置862、第二代表性電子裝置864或兩者可從機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元和計(jì)算機(jī)的群組中選擇。作為另一明性非限制實(shí)例，電子裝置862和864中的一者或一者以上可為遠(yuǎn)程單元，例如移動(dòng)電話(huà)、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)單元、例如個(gè)人數(shù)據(jù)助理等便攜式數(shù)據(jù)單元、具全球定位系統(tǒng)(GPS)功能的裝置、導(dǎo)航裝置、例如儀表讀數(shù)設(shè)備等固定位置數(shù)據(jù)單元，或任何其它存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的裝置，或其任一組合。盡管圖8說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明教示的遠(yuǎn)程單元，但本發(fā)明不限于這些示范性所說(shuō)明單元。本發(fā)明的實(shí)施例可合適地用于包含包括存儲(chǔ)器和芯片上電路的有源集成電路的任何裝置中。
[0057]因此，圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400可經(jīng)制造、處理且并入到電子裝置中，如說(shuō)明性工藝800中所描述。相對(duì)于圖1到6而揭示的實(shí)施例的一個(gè)或一個(gè)以上方面可包含在各個(gè)處理階段，例如在庫(kù)文件812、⑶SII文件826以及GERBER文件852內(nèi)，以及存儲(chǔ)在研究計(jì)算機(jī)806的存儲(chǔ)器810、設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814的存儲(chǔ)器818、計(jì)算機(jī)846的存儲(chǔ)器850、各個(gè)階段(例如在板組裝工藝854處)使用的一個(gè)或一個(gè)以上其它計(jì)算機(jī)或處理器(未圖示)的存儲(chǔ)器處，且還并入到例如掩模832、裸片836、封裝840、PCA 858、例如原型電路或裝置(未圖示)等其它產(chǎn)品或其任一組合等一個(gè)或一個(gè)以上其它物理實(shí)施例中。舉例來(lái)說(shuō)，⑶SII文件826或制造工藝828可包含計(jì)算機(jī)可讀有形媒體，其存儲(chǔ)可由計(jì)算機(jī)執(zhí)行的指令，所述指令包含可由計(jì)算機(jī)執(zhí)行以起始形成圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400的指令。盡管描繪從物理裝置設(shè)計(jì)到最終產(chǎn)品的各個(gè)代表性生產(chǎn)階段，但在其它實(shí)施例中，可使用較少的階段，或可包含額外階段。類(lèi)似地，工藝800可由單個(gè)實(shí)體或由執(zhí)行工藝800的各個(gè)階段的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)體執(zhí)行。
[0058]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將進(jìn)一步了解，結(jié)合本文中所揭示的實(shí)施例而描述的各種說(shuō)明性邏輯塊、配置、模塊、電路及方法步驟可實(shí)施為電子硬件、由處理單元執(zhí)行的計(jì)算機(jī)軟件或兩者的組合。上文以大體上依據(jù)其功能性描述了各種說(shuō)明性組件、塊、配置、模塊、電路和步驟。將所述功能性實(shí)施為硬件還是可執(zhí)行處理指令取決于特定應(yīng)用及強(qiáng)加于整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)約束。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可針對(duì)每一特定應(yīng)用以不同方式來(lái)實(shí)施所描述的功能性，但所述實(shí)施決策不應(yīng)被解釋為會(huì)導(dǎo)致脫離本發(fā)明的范圍。
[0059]結(jié)合本文中所揭示的實(shí)施例而描述的方法或算法的步驟可直接體現(xiàn)于硬件中、由處理器執(zhí)行的軟件模塊中或兩者的組合中。軟件模塊可駐存在隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、自旋扭矩轉(zhuǎn)移磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)、快閃存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、寄存器、硬盤(pán)、可裝卸盤(pán)、壓縮光盤(pán)只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)，或此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何其它形式的存儲(chǔ)媒體。示范性存儲(chǔ)媒體耦合到處理器，使得處理器可從存儲(chǔ)媒體讀取信息和將信息寫(xiě)入到存儲(chǔ)媒體。在替代方案中，存儲(chǔ)媒體可與處理器成一體式。處理器及存儲(chǔ)媒體可駐存在專(zhuān)用集成電路(ASIC)中。ASIC可駐留在計(jì)算裝置或用戶(hù)終端中。在替代方案中，處理器及存儲(chǔ)媒體可作為離散組件駐存在計(jì)算裝置或用戶(hù)終端中。
[0060]提供對(duì)所揭示實(shí)施例的先前描述是為了使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制作或使用所揭示的實(shí)施例。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易明白對(duì)這些實(shí)施例的各種修改，且本文所定義的原理可在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下應(yīng)用于其它實(shí)施例。因此，本發(fā)明無(wú)意限于本文所示的實(shí)施例，而是將被賦予與如由所附權(quán)利要求書(shū)界定的原理和新穎特征一致的最寬范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括: 第一裸片，其包括: 第一穿硅通孔，用以傳送芯片識(shí)別符和其它數(shù)據(jù)；以及 芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，其包括至少兩個(gè)穿硅通孔，所述至少兩個(gè)穿硅通孔各自硬連線(xiàn)到外部電觸點(diǎn)組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括耦合到所述芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的芯片識(shí)別解碼邏輯。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括芯片識(shí)別符選擇邏輯，所述芯片識(shí)別符選擇邏輯包括所述芯片識(shí)別解碼邏輯且響應(yīng)來(lái)自主機(jī)裝置的芯片選擇信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述芯片識(shí)別符選擇邏輯經(jīng)配置以在所述至少兩個(gè)穿硅通孔處檢測(cè)電壓源或接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括通往主機(jī)裝置的接口。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述主機(jī)裝置為單獨(dú)裝置或母裸片。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述外部電觸點(diǎn)中的每一者耦合到電壓源或耦合到接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述電壓源或所述接地是從封裝襯底或母裸片接收的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述至少兩個(gè)穿硅通孔中的每一者都具有耦合到所述芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)中的鄰近穿硅通孔的墊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括第二裸片，其中所述第一裸片和所述第二裸片包含結(jié)構(gòu)相同的電路，且其中所述第一裸片的所述至少兩個(gè)穿硅通孔耦合到所述第二裸片的相應(yīng)穿硅通孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二裸片堆疊在所述第一裸片的上方。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括選自以下各項(xiàng)中的至少一者的裝置:機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理？0八、固定位置數(shù)據(jù)單元和計(jì)算機(jī)，所述第一裸片集成到所述裝置中。
13.一種存儲(chǔ)可由計(jì)算機(jī)執(zhí)行的指令的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)設(shè)備，所述指令包括:可由所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行以起始形成第一裸片的指令，其中所述第一裸片包括: 第一穿硅通孔，用以傳送芯片識(shí)別符和其它數(shù)據(jù)；以及 芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，其包括至少兩個(gè)穿硅通孔，所述至少兩個(gè)穿硅通孔各自硬連線(xiàn)到外部電觸點(diǎn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)設(shè)備，其進(jìn)一步包括可由所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行以起始將每個(gè)外部電觸點(diǎn)耦合到電源或耦合到接地的指令。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述至少兩個(gè)穿硅通孔中的每一者具有經(jīng)配置以耦合到鄰近穿硅通孔的墊，且所述第一穿硅通孔耦合到其自己的墊。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)設(shè)備，其進(jìn)一步包括可由所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行以起始形成第二裸片的指令，其中所述第一裸片和所述第二裸片包含結(jié)構(gòu)相同的電路。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)設(shè)備，其進(jìn)一步包括可由所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行以起始將所述第二裸片堆疊在所述第一裸片的上方的指令。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)設(shè)備，其集成在至少一個(gè)半導(dǎo)體裸片中。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)設(shè)備集成計(jì)算機(jī)之內(nèi)。
20.一種方法，其包括: 在第一裸片處接收芯片識(shí)別符信號(hào)，其中所述芯片識(shí)別符信號(hào)在所述第一裸片處通過(guò)所述第一裸片的多個(gè)穿硅通孔被接收；以及 基于所述被接收的芯片識(shí)別符信號(hào)，確定所述第一裸片是否為由被接收的芯片選擇信號(hào)指示的特定裸片。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述第一裸片的芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的第一穿硅通孔丁^具有耦合到所述芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)的第二 137的墊，所述第二 137臨近所述第一顧，且其中所述芯片識(shí)別符信號(hào)的至少一部分在所述墊處從第二裸片的第一被接收，且被傳達(dá)到所述第一裸片的所述第二 13八I。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二裸片堆疊在所述第一裸片的上方，且其中所述第一裸片和所述第二裸片包含結(jié)構(gòu)相同的電路。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中接收所述芯片識(shí)別符信號(hào)和確定所述第一裸片是否為所述特定裸片在集成在半導(dǎo)體裸片的芯片識(shí)別解碼邏輯處執(zhí)行。
24.一種裝置，其包括: 半導(dǎo)體裸片，其包括: 用于傳送芯片識(shí)別符和其它數(shù)據(jù)的構(gòu)件；以及 用于識(shí)別芯片的構(gòu)件，其中所述用于識(shí)別的構(gòu)件包括至少兩個(gè)穿硅通孔，所述至少兩個(gè)穿硅通孔各自硬連線(xiàn)到用于取得外部電接觸的構(gòu)件的組。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的裝置，其進(jìn)一步包括選自以下各項(xiàng)中的至少一者的另一裝置:機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理？0八、固定位置數(shù)據(jù)單元和計(jì)算機(jī)，所述半導(dǎo)體裸片集成到所述裝置中。
26.—種方法,其包括: 第一步驟，其用于在第一裸片處接收芯片識(shí)別符信號(hào)，其中所述芯片識(shí)別符信號(hào)在所述第一裸片處通過(guò)所述第一裸片的多個(gè)穿硅通孔被接收；以及 第二步驟，其用于基于所述被接收的芯片識(shí)別符信號(hào)確定所述第一裸片是否為由被接收的芯片選擇信號(hào)指示的特定裸片。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述用于接收的步驟和所述用于確定的步驟在集成在半導(dǎo)體裸片的芯片識(shí)別解碼邏輯處執(zhí)行。
28.—種方法,其包括: 接收數(shù)據(jù)文件，所述數(shù)據(jù)文件包括對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)信息；以及 根據(jù)所述設(shè)計(jì)信息制造所述半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置包括: 第一裸片，其包括: 第一穿硅通孔，用以傳送芯片識(shí)別符和其它數(shù)據(jù)；以及 芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，其包括至少兩個(gè)穿硅通孔，所述至少兩個(gè)穿硅通孔各自硬連線(xiàn)到外部電觸點(diǎn)組。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有0)311格式。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有⑶即現(xiàn)格式。
31.一種方法，其包括: 接收數(shù)據(jù)文件，所述數(shù)據(jù)文件包括對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)信息；以及 根據(jù)所述設(shè)計(jì)信息制造所述半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置包括: 第一裸片，其包括:第一裸片，所述第一裸片包括第一芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述第一芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)包括第一組至少兩個(gè)穿硅通孔，所述第一組至少兩個(gè)穿硅通孔各自硬連線(xiàn)到外部電觸點(diǎn)組；以及第二裸片，所述第二裸片堆疊在所述第一裸片的上方，所述第二裸片包括第二芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)，所述第二芯片識(shí)別符結(jié)構(gòu)包括第二組至少兩個(gè)穿硅通孔，所述第二組至少兩個(gè)穿硅通孔各自硬連線(xiàn)到第一組至少兩個(gè)穿硅通孔相應(yīng)的穿硅通孔。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有0)311格式。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有⑶即現(xiàn)格式。
【文檔編號(hào)】H01L25/065GK104318946SQ201410531680
【公開(kāi)日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2010年10月7日 優(yōu)先權(quán)日:2009年10月7日
【發(fā)明者】徐鐘元 申請(qǐng)人:高通股份有限公司